BT136S-600E 800E SMD корпус SOT-252

Name: BT136S-600E 800E SMD корпус SOT-252
Brand: Мій Проект
SKU: 5350
Price: 8.00 UAH
Availability: InStock

Країна-виробник: Китай Код товару: 5350

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки 0

Питання0

В наявності

Код товару: 5350

8.00 грн

Знайшли дешевше?

BT136S *

Максимальна напруга:600 V або 800 V

Максимальний струм:4 А

Спосіб монтажу:SMD

Тип корпусу:TO-252

Доставка

Новою Поштою у відділення та поштомати

від 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фіксована 49грн

Укрпоштою у відділення по Україні

від 45 ₴

Meest Express

від 60 ₴

Оплата

Оплата карткою

Переказ на картку

Оплата на IBAN

Безготівковий розрахунок

Післяплата

Гарантійні положення

Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються

BT136S-600E 800E SMD корпус SOT-252

Код товару: 5350

8.00 грн

Опис

BT136S-600E / BT136S-800E SOT-252 (TO-252 DPAK)

Чутливі 4‑квадрантні симістори для загального AC‑перемикання та фазового керування, у корпусі SOT‑252 (TO‑252 DPAK) з номінальним струмом 4 A RMS і класами напруги 600 V та 800 V.

Основні переваги

Пряме керування логікою

Низькі струми спрацювання гейта (тип. 2.5–11 мА залежно від квадранта) дозволяють напряму керувати від мікроконтролерів та логічних ІС.

Висока напруга блокування

Два класи напруги: 600 V (BT136S‑600E) та 800 V (BT136S‑800E) для більшості мережевих застосувань.

Надійність і стабільність

Планарна пасивація та 4‑квадрантне тригерування забезпечують надійну роботу та стійкість до комутаційних завад.

SMD‑корпус DPAK

Корпус SOT‑252 (TO‑252 DPAK) з низьким тепловим опором спрощує тепловідвід у друкованих платах.

Ключові характеристики

Параметр:	BT136S‑600E / BT136S‑800E
Корпус:	SOT‑252 (TO‑252, DPAK)
Тип:	Симістор, чутливий гейт, 4‑квадрантний
VDRM (повторювана пікова, off‑state):	600 V (600E) / 800 V (800E)
IT(RMS) (струм в on‑стані):	4 A (повна синусоїда, Tmb ≤ 107 °C)
ITSM (піковий нерепет. on‑струм):	25 A (20 ms), 27 A (16.7 ms)
IGT (струм тригера гейта):	Q1: тип. 2.5 мА, макс. 10 мА; Q2: тип. 4 мА, макс. 10 мА; Q3: тип. 5 мА, макс. 10 мА; Q4: тип. 11 мА, макс. 25 мА
VGT (напруга тригера гейта):	0.7 V тип., 1.0 V макс. (25 °C); 0.25–0.4 V (125 °C)
IH (струм утримання):	тип. 2.2 мА, макс. 15 мА
IL (струм фіксації):	4…20 мА (залежно від квадранта)
VT (напруга в on‑стані):	тип. 1.4 V, макс. 1.7 V (IT = 5 A)
ID (струм витоку off‑state):	тип. 0.1 мА, макс. 0.5 мА (600E при 600 V; 800E при 800 V; Tj = 125 °C)
dV/dt (off‑state):	50 V/µs (VDM = 402 V для 600E; 536 V для 800E; експоненційна форма, гейт розімкнено)
dIT/dt (on‑state):	50 A/µs (IG = 50 мА)
I²t (для плавкого запобіжника):	3.1 A²s (tp = 10 ms, синус)
Rth(j‑mb) (терм. опір, кристал‑підкладка):	3.7 K/W (півцикл), 3.0 K/W (повний цикл)
Rth(j‑a) (терм. опір, кристал‑повітря):	75 K/W (вільне повітря, стандартний друкований монтаж)
Діапазон температур Tj:	−40…+125 °C (зберігання: −40…+150 °C)
Виводи/Пін‑аут:	T1, T2, G; монтажна база з’єднана з T2

Детальні технічні параметри

Тригерування в усіх чотирьох квадрантах: Q1 (T2+ G+), Q2 (T2+ G−), Q3 (T2− G−), Q4 (T2− G+).
Пакет/версія: DPAK; версія посадкового місця TO‑252N; 3 виводи (один укорочений).
Теплова імпедансна характеристика: Zth(j‑mb) на коротких імпульсах наведена у графіку (див. datasheet).
Характеристики IL/IH/IGT нормовані за температурою з’єднання; графіки для розрахунку режимів у змінних умовах.
Застосування за призначенням: загальне перемикання AC та фазове керування (наприклад, двигуни, навантаження опору).

Примітка: параметри базуються на документації WeEn Semiconductors для BT136S‑600E та BT136S‑800E. Джерело: WeEn Semiconductors BT136S‑600E Datasheet (PDF), WeEn Semiconductors BT136S‑800E Datasheet (PDF). Додаткова сторінка виробника: BT136S‑800E (сторінка продукту).

Основні сфери застосування

Загальне перемикання мережевих навантажень AC.
Фазове керування (димування, регулювання потужності).
Керування малими двигунами змінного струму.

Сумісні позначення та альтернативи

Доступні два виконання в одному корпусі: BT136S‑600E (V_DRM = 600 V) та BT136S‑800E (V_DRM = 800 V). Вибір моделі визначається необхідним класом напруги.

Питання-відповіді (FAQ)

Чи можна керувати симістором безпосередньо від мікроконтролера?

Так, це «sensitive gate» 4‑квадрантні прилади; типові I_GT становлять 2.5–11 мА залежно від квадранта (макс. 10/25 мА), що придатно для багатьох логічних драйверів.

Яка різниця між 600E та 800E?

Основна відмінність — клас напруги блокування V_DRM: 600 V у BT136S‑600E та 800 V у BT136S‑800E; інші ключові параметри (I_T(RMS), I_TSM, I_GT, V_T) залишаються однаковими за умовами з даташиту.

Які теплові параметри корпусу SOT‑252 (DPAK)?

Типові значення: R_th(j‑mb) 3.7 K/W (півцикл) та 3.0 K/W (повний цикл); R_th(j‑a) 75 K/W у вільному повітрі за стандартного монтажу на PCB.

Характеристики

Основні

Максимальна напруга

600 V або 800 V

Максимальний струм

4 А

Спосіб монтажу

SMD

Тип корпусу

TO-252

Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.