

Потужний PNP дарлінгтон-транзистор у корпусі TO-220 з високим коефіцієнтом підсилення та напругою колектор-емітер 100 В; підходить для промислового використання та роботи в парі з комплементарним TIP142T.
hFE ≥ 1000 при IC = 5 A (VCE = 4 В) і ≥ 500 при IC = 10 A — спрощує керування силовими навантаженнями малими вхідними струмами.
VCEO 100 В (min) та постійний струм колектора до 10 А (піковий 15 А) забезпечують запас по напрузі й струму у силових схемах.
Монолітна конструкція з вбудованими шунтуючими резисторами база-емітер (R1≈8 кОм, R2≈0,12 кОм) підвищує надійність і спрощує схемотехніку.
TO‑220 (CASE 340AT) з типовою розводкою виводів: 1‑B, 2‑C, 3‑E — зручно для монтажу та заміни у типових платформах.
Тип транзистора: | PNP, дарлінгтон |
---|---|
Корпус / Кейc: | TO-220, CASE 340AT |
Виводи: | 1‑База, 2‑Колектор, 3‑Емітер |
VCEO (мін.): | 100 В |
VCBO (макс.): | 100 В |
VEBO (макс.): | 5 В |
IC (постійний): | 10 А |
ICP (піковий): | 15 А |
IB (постійний, макс.): | 0,5 А |
Розсіювана потужність PC (Tc=25°C): | 80 Вт |
hFE (мін.) @ IC=5 A, VCE=4 В: | 1000 |
hFE (мін.) @ IC=10 A, VCE=4 В: | 500 |
VCE(sat) (макс.) @ 5 A / 10 A: | 2 В / 3 В |
VBE(sat) (макс.) @ IC=10 A, IB=40 мА: | 3,5 В |
VBE(on) (тип.) @ IC=10 A, VCE=4 В: | 3 В |
ICBO (макс.) @ VCB=100 В: | 1 мА |
ICEO (макс.) @ VCE=50 В: | 2 мА |
IEBO (макс.) @ VEB=5 В: | 2 мА |
Діапазон температур: | Зберігання −65…+150°C; Tj 150°C |
Комплементарний пристрій: | TIP142T (NPN) |
За даташитом onsemi: 1 — База, 2 — Колектор, 3 — Емітер.
VCEO = 100 В (min), IC (DC) = 10 А, ICP (імпульсний) = 15 А; IB (DC) до 0,5 А.
У даташиті вказано комплементарний пристрій — TIP142T (NPN).
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.
PNP Дарлінгтонівський силовий транзистор корпус TO-220
Транзистор TIP147T має корпус TO-220 із трьома виводами, які розташовані наступним чином:
flowchart TB subgraph TO220["Корпус TO-220 (вигляд спереду)"] direction LR Metal["Металева пластина"] B["1. База (B)"] C["2. Колектор (C)"] E["3. Емітер (E)"] end
Оскільки TIP147T - це PNP транзистор, його підключення відрізняється від NPN транзисторів. Для керування від мікроконтролера чи логічних схем рекомендується використовувати додатковий NPN транзистор.
flowchart TD VCC["+ Живлення (V_CC)"] --> E["Емітер (E) TIP147T"] E --> B["База (B) TIP147T"] B --> R1["Резистор R_B_PNP"] R1 --> C_NPN["Колектор NPN транзистор"] C_NPN --> E_NPN["Емітер NPN транзистор"] E_NPN --> GND["Земля (GND)"] B_NPN["База NPN транзистор"] --> R2["Резистор R_B_NPN"] R2 --> Signal["Керуючий сигнал (Мікроконтролер)"] E --> C["Колектор (C) TIP147T"] C --> Load["Навантаження"] Load --> GND %% Додатковий захисний резистор B --> R3["Резистор 10 кОм"] R3 --> E %% Захисний діод (для індуктивного навантаження) Diode["Діод (1N4007)"] --> C VCC --> Diode
Для правильної роботи схеми необхідно розрахувати значення резисторів R_B_PNP (для TIP147T) та R_B_NPN (для NPN транзистора).
Рекомендоване стандартне значення: 2.2 кОм
Рекомендоване значення для більшої надійності: 10 кОм
Компонент | Призначення | Значення |
---|---|---|
Резистор між базою та емітером | Надійне закриття транзистора, відведення витокових струмів | 10 кОм |
Захисний діод | Захист від зворотної напруги при вимкненні індуктивного навантаження | 1N4007 або аналог |
Коли на базу NPN транзистора подається високий рівень (наприклад, 5В):
Коли на базу NPN транзистора подається низький рівень (0В):
Підключіть двигун як навантаження, додайте захисний діод паралельно до двигуна. Використовуйте PWM сигнал на базі NPN транзистора для регулювання швидкості обертання.
Підключіть реле або електромагніт як навантаження, обов'язково додайте захисний діод паралельно. Використовуйте цифровий вихід мікроконтролера для керування.