TIP147T транзистор корпус TO-220
TIP147T PNP Дарлингтон Транзистор TO-220
Мощный PNP дарлингтон-транзистор в корпусе TO-220 с высоким коэффициентом усиления и напряжением коллектор-эмиттер 100 В; подходит для промышленного использования и работы в паре с комплементарным TIP142T.
Основные преимущества
hFE ≥ 1000 при IC = 5 A (VCE = 4 В) и ≥ 500 при IC = 10 A — упрощает управление силовыми нагрузками малыми входными токами.
VCEO 100 В (min) и постоянный коллекторный ток до 10 А (пиковый 15 А) обеспечивают запас по напряжению и току в силовых схемах.
Монолитная конструкция со встроенными шунтирующими резисторами база-эмиттер (R1≈8 кОм, R2≈0,12 кОм) повышает надежность и упрощает схемотехнику.
TO‑220 (CASE 340AT) с типовой разводкой выводов: 1‑B, 2‑C, 3‑E — удобно для монтажа и замены на типовых платформах.
Ключевые характеристики
| Тип транзистора: | PNP, дарлингтон |
|---|---|
| Корпус / Кейс: | TO-220, CASE 340AT |
| Выводы: | 1‑База, 2‑Коллектор, 3‑Эмиттер |
| VCEO (мин.): | 100 В |
| VCBO (макс.): | 100 В |
| VEBO (макс.): | 5 В |
| IC (постоянный): | 10 А |
| ICP (пиковый): | 15 А |
| IB (постоянный, макс.): | 0,5 А |
| Рассеиваемая мощность PC (Tc=25°C): | 80 Вт |
| hFE (мин.) @ IC=5 A, VCE=4 В: | 1000 |
| hFE (мин.) @ IC=10 A, VCE=4 В: | 500 |
| VCE(sat) (макс.) @ 5 A / 10 A: | 2 В / 3 В |
| VBE(sat) (макс.) @ IC=10 A, IB=40 мА: | 3,5 В |
| VBE(on) (тип.) @ IC=10 A, VCE=4 В: | 3 В |
| ICBO (макс.) @ VCB=100 В: | 1 мА |
| ICEO (макс.) @ VCE=50 В: | 2 мА |
| IEBO (макс.) @ VEB=5 В: | 2 мА |
| Диапазон температур: | Хранение −65…+150°C; Tj 150°C |
| Комплементарное устройство: | TIP142T (NPN) |
Детальные технические параметры
- Монолитная дарлингтон‑конфигурация со встроенными резисторами: R1 ≈ 8 кОм, R2 ≈ 0,12 кОм (эквивалентная схема в даташите).
- Скоростные показатели (типовые условия: VCC = 30 В, IC = 5 А, IB1 = −20 мА, IB2 = 20 мА, RL = 6 Ω): tD ≈ 0,15 мкс, tR ≈ 0,55 мкс, tSTG ≈ 2,5 мкс, tF ≈ 2,5 мкс.
- Предельные напряжения: VCBO = 100 В, VCEO = 100 В, VEBO = 5 В.
- Токовые лимиты: IC (DC) = 10 А; ICP (имп.) = 15 А; IB (DC) = 0,5 А.
- Рассеиваемая мощность: PC = 80 Вт при Tc = 25°C; имеется диаграмма дерейтинга по температуре корпуса.
- Корпус TO‑220‑3LD (Case 340AT); стандартная нумерация выводов: 1‑B, 2‑C, 3‑E.
- Особенности: «Industrial Use»; комплементарный к TIP142T.
Основные области применения
- Общепромышленные применения (Industrial Use).
- Комплементарные двухтактные каскады вместе с TIP142T (NPN).
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы-ответы (FAQ)
По даташиту onsemi: 1 — База, 2 — Коллектор, 3 — Эмиттер.
VCEO = 100 В (min), IC (DC) = 10 А, ICP (импульсный) = 15 А; IB (DC) до 0,5 А.
В даташите указано комплементарное устройство — TIP142T (NPN).
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.
⚡ Инструкция по подключению транзистора TIP147T
PNP Дарлингтоновский силовой транзистор корпус TO-220
1. Идентификация выводов
Транзистор TIP147T имеет корпус TO-220 с тремя выводами, которые расположены следующим образом:
flowchart TB
subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"]
direction LR
Metal["Металлическая пластина"]
B["1. База (B)"]
C["2. Коллектор (C)"]
E["3. Эмиттер (E)"]
end
2. Схема базового подключения
Поскольку TIP147T - это PNP транзистор, его подключение отличается от NPN транзисторов. Для управления от микроконтроллера или логических схем рекомендуется использовать дополнительный NPN транзистор.
flowchart TD
VCC["+ Питание (V_CC)"] --> E["Эмиттер (E)
TIP147T"]
E --> B["База (B)
TIP147T"]
B --> R1["Резистор
R_B_PNP"]
R1 --> C_NPN["Коллектор
NPN транзистор"]
C_NPN --> E_NPN["Эмиттер
NPN транзистор"]
E_NPN --> GND["Земля (GND)"]
B_NPN["База
NPN транзистор"] --> R2["Резистор
R_B_NPN"]
R2 --> Signal["Управляющий сигнал
(Микроконтроллер)"]
E --> C["Коллектор (C)
TIP147T"]
C --> Load["Нагрузка"]
Load --> GND
%% Дополнительный защитный резистор
B --> R3["Резистор
10 кОм"]
R3 --> E
%% Защитный диод (для индуктивной нагрузки)
Diode["Диод
(1N4007)"] --> C
VCC --> Diode
3. Расчет компонентов
Расчет резисторов для управления базой:
Для правильной работы схемы необходимо рассчитать значения резисторов R_B_PNP (для TIP147T) и R_B_NPN (для NPN транзистора).
- Коэффициент усиления TIP147T: h_FE = 1000
- Коэффициент усиления NPN транзистора (например, 2N2222): h_FE_NPN = 100
- Управляющий сигнал от микроконтроллера: 5В
Для TIP147T (PNP):
Рекомендуемое стандартное значение: 2.2 кОм
Для NPN транзистора:
Рекомендуемое значение для большей надежности: 10 кОм
4. Дополнительные компоненты защиты
| Компонент | Назначение | Значение |
|---|---|---|
| Резистор между базой и эмиттером | Надежное закрытие транзистора, отвод токов утечки | 10 кОм |
| Защитный диод | Защита от обратного напряжения при выключении индуктивной нагрузки | 1N4007 или аналог |
5. Пошаговая инструкция подключения
- Подключите эмиттер (E) транзистора TIP147T к положительному напряжению питания (V_CC, например, 12В).
- Подключите коллектор (C) транзистора TIP147T к одному концу нагрузки.
- Второй конец нагрузки соедините с землей (GND).
- Возьмите NPN транзистор (например, 2N2222) и подключите его эмиттер к земле (GND).
- Подключите коллектор NPN транзистора к резистору R_B_PNP (2.2 кОм), а другой конец резистора — к базе (B) транзистора TIP147T.
- Подключите базу NPN транзистора к резистору R_B_NPN (10 кОм), а другой конец резистора — к источнику управляющего сигнала (например, выходу микроконтроллера).
- Добавьте резистор 10 кОм между базой и эмиттером TIP147T для надежного закрытия.
- Для индуктивной нагрузки подключите защитный диод параллельно нагрузке: анод к коллектору TIP147T, катод к V_CC.
6. Принцип работы схемы
Открытие транзистора (включение нагрузки):
Когда на базу NPN транзистора подается высокий уровень (например, 5В):
- NPN транзистор открывается
- Ток проходит через резистор R_B_PNP к земле
- Напряжение на базе TIP147T падает ниже V_CC на величину V_BE(on) (≈1.4В)
- TIP147T открывается, позволяя току проходить через нагрузку
Закрытие транзистора (выключение нагрузки):
Когда на базу NPN транзистора подается низкий уровень (0В):
- NPN транзистор закрывается
- База TIP147T через резистор R_B_PNP подтягивается к V_CC
- TIP147T закрывается
- Ток через нагрузку прекращается
7. Практические применения
Управление двигателем постоянного тока:
Подключите двигатель как нагрузку, добавьте защитный диод параллельно двигателю. Используйте ШИМ-сигнал на базе NPN транзистора для регулирования скорости вращения.
Силовой ключ для реле или электромагнитов:
Подключите реле или электромагнит как нагрузку, обязательно добавьте защитный диод параллельно. Используйте цифровой выход микроконтроллера для управления.
8. Дополнительные советы
- Теплоотвод: При работе с токами более 1А установите транзистор на радиатор через теплопроводную пасту и изолирующую прокладку (слюду или силиконовую).
- Заземление: Обеспечьте качественное общее заземление для силовой и управляющей частей схемы.
- Фильтрация: Добавьте керамические конденсаторы (0.1мкФ) близко к контактам питания для фильтрации помех.
- Скорость переключения: Для увеличения скорости переключения можно уменьшить значение резистора R_B_PNP, но это увеличит потребление тока.
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100В
- Максимальный ток коллектора: 10А (постоянный), 15А (пиковый)
- Максимальный ток базы: 0.5А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 125Вт (с радиатором)