


Мощный PNP дарлингтон-транзистор в корпусе TO-220 с высоким коэффициентом усиления и напряжением коллектор-эмиттер 100 В; подходит для промышленного использования и работы в паре с комплементарным TIP142T.
hFE ≥ 1000 при IC = 5 A (VCE = 4 В) и ≥ 500 при IC = 10 A — упрощает управление силовыми нагрузками малыми входными токами.
VCEO 100 В (min) и постоянный коллекторный ток до 10 А (пиковый 15 А) обеспечивают запас по напряжению и току в силовых схемах.
Монолитная конструкция со встроенными шунтирующими резисторами база-эмиттер (R1≈8 кОм, R2≈0,12 кОм) повышает надежность и упрощает схемотехнику.
TO‑220 (CASE 340AT) с типовой разводкой выводов: 1‑B, 2‑C, 3‑E — удобно для монтажа и замены на типовых платформах.
Тип транзистора: | PNP, дарлингтон |
---|---|
Корпус / Кейс: | TO-220, CASE 340AT |
Выводы: | 1‑База, 2‑Коллектор, 3‑Эмиттер |
VCEO (мин.): | 100 В |
VCBO (макс.): | 100 В |
VEBO (макс.): | 5 В |
IC (постоянный): | 10 А |
ICP (пиковый): | 15 А |
IB (постоянный, макс.): | 0,5 А |
Рассеиваемая мощность PC (Tc=25°C): | 80 Вт |
hFE (мин.) @ IC=5 A, VCE=4 В: | 1000 |
hFE (мин.) @ IC=10 A, VCE=4 В: | 500 |
VCE(sat) (макс.) @ 5 A / 10 A: | 2 В / 3 В |
VBE(sat) (макс.) @ IC=10 A, IB=40 мА: | 3,5 В |
VBE(on) (тип.) @ IC=10 A, VCE=4 В: | 3 В |
ICBO (макс.) @ VCB=100 В: | 1 мА |
ICEO (макс.) @ VCE=50 В: | 2 мА |
IEBO (макс.) @ VEB=5 В: | 2 мА |
Диапазон температур: | Хранение −65…+150°C; Tj 150°C |
Комплементарное устройство: | TIP142T (NPN) |
По даташиту onsemi: 1 — База, 2 — Коллектор, 3 — Эмиттер.
VCEO = 100 В (min), IC (DC) = 10 А, ICP (импульсный) = 15 А; IB (DC) до 0,5 А.
В даташите указано комплементарное устройство — TIP142T (NPN).
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.
PNP Дарлингтоновский силовой транзистор корпус TO-220
Транзистор TIP147T имеет корпус TO-220 с тремя выводами, которые расположены следующим образом:
flowchart TB subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"] direction LR Metal["Металлическая пластина"] B["1. База (B)"] C["2. Коллектор (C)"] E["3. Эмиттер (E)"] end
Поскольку TIP147T - это PNP транзистор, его подключение отличается от NPN транзисторов. Для управления от микроконтроллера или логических схем рекомендуется использовать дополнительный NPN транзистор.
flowchart TD VCC["+ Питание (V_CC)"] --> E["Эмиттер (E) TIP147T"] E --> B["База (B) TIP147T"] B --> R1["Резистор R_B_PNP"] R1 --> C_NPN["Коллектор NPN транзистор"] C_NPN --> E_NPN["Эмиттер NPN транзистор"] E_NPN --> GND["Земля (GND)"] B_NPN["База NPN транзистор"] --> R2["Резистор R_B_NPN"] R2 --> Signal["Управляющий сигнал (Микроконтроллер)"] E --> C["Коллектор (C) TIP147T"] C --> Load["Нагрузка"] Load --> GND %% Дополнительный защитный резистор B --> R3["Резистор 10 кОм"] R3 --> E %% Защитный диод (для индуктивной нагрузки) Diode["Диод (1N4007)"] --> C VCC --> Diode
Для правильной работы схемы необходимо рассчитать значения резисторов R_B_PNP (для TIP147T) и R_B_NPN (для NPN транзистора).
Рекомендуемое стандартное значение: 2.2 кОм
Рекомендуемое значение для большей надежности: 10 кОм
Компонент | Назначение | Значение |
---|---|---|
Резистор между базой и эмиттером | Надежное закрытие транзистора, отвод токов утечки | 10 кОм |
Защитный диод | Защита от обратного напряжения при выключении индуктивной нагрузки | 1N4007 или аналог |
Когда на базу NPN транзистора подается высокий уровень (например, 5В):
Когда на базу NPN транзистора подается низкий уровень (0В):
Подключите двигатель как нагрузку, добавьте защитный диод параллельно двигателю. Используйте ШИМ-сигнал на базе NPN транзистора для регулирования скорости вращения.
Подключите реле или электромагнит как нагрузку, обязательно добавьте защитный диод параллельно. Используйте цифровой выход микроконтроллера для управления.