TIP147T транзистор корпус TO-220

Name: TIP147T транзистор корпус TO-220
Brand: Китай
Price: 12.00 UAH
Availability: InStock

Производитель: Китай Код товара: 5579

Все о товаре

Описание

Характеристики

Отзывы 0

Вопросы0

Инструкция

новинка

Есть в наличии

Код товара: 5579

12.00 грн

Нашли дешевле?

Полярность:PNP

Тип корпуса:TO-220

Доставка

Новой почтой в отделения и почтоматы

от 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фиксировано 49 грн

Укрпочтой в отделение по Украине

от 45 ₴

Meest Express

от 60 ₴

Оплата

Оплата картой

Перевод на карточку

Оплата на IBAN

Безналичный расчет

Наложенный платеж

Гарантийные положения

Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются

TIP147T транзистор корпус TO-220

12.00 грн

Описание

🔌 Транзистор TIP147T корпус TO-220

PNP Дарлингтон 100В 10А, для Усилителей, Блоков Питания и Драйверов Двигателей

Общее описание

Транзистор TIP147T – это мощный PNP Дарлингтоновский кремниевый транзистор в корпусе TO-220, сочетающий высокую надежность, стабильность и отличные электрические характеристики. Благодаря своей монолитной конструкции с встроенным шунтирующим резистором база-эмиттер, этот транзистор обеспечивает исключительную производительность в схемах усиления и коммутации. С возможностью выдерживать напряжение коллектор-эмиттер до 100В и постоянный ток коллектора до 10А, транзистор TIP147T идеально подходит для аудиоусилителей, импульсных источников питания, систем управления двигателями и других применений, требующих высокого коэффициента усиления по току и значительной мощности рассеивания. Стандартный корпус TO-220 обеспечивает удобство монтажа и эффективный отвод тепла, что делает этот компонент универсальным решением для широкого спектра профессиональных и любительских электронных проектов.

✅ Технические преимущества:

• Высокое напряжение пробоя 100В – обеспечивает надежную работу в схемах с повышенным напряжением питания, что расширяет возможности применения транзистора в разнообразных электронных устройствах
• Мощный ток коллектора до 10А – позволяет работать с высокими нагрузками, обеспечивая эффективное управление мощными потребителями без дополнительных каскадов усиления
• Чрезвычайно высокий коэффициент усиления hFE ≥1000 – Дарлингтоновская конфигурация обеспечивает усиление тока более чем в 1000 раз при рабочем токе 5А, что значительно упрощает схемы управления
• Значительная рассеиваемая мощность 125Вт – в сочетании с радиатором позволяет использовать транзистор в мощных схемах, обеспечивая надежную работу без перегрева
• Монолитная конструкция с встроенным резистором – повышает стабильность работы и упрощает схемотехнику, обеспечивая устойчивость к паразитным колебаниям и повышенную надежность

🔧 Идеальное решение для:

Аудиоусилители

Импульсные блоки питания

Драйверы двигателей

Системы автоматики

Регуляторы напряжения

Зарядные устройства

Осветительные драйверы

Лабораторные источники тока

💡 Широкие возможности применения:

Мощные аудиоусилители класса AB – транзистор TIP147T идеально подходит для выходных каскадов высококачественных аудиоусилителей. В паре с комплементарным транзистором TIP142 (NPN) создает отличный выходной каскад для усилителей мощностью до 100 Вт. Высокая линейность, низкий уровень искажений и значительная мощность рассеивания обеспечивают чистое звучание даже при высоких уровнях громкости.
Регулируемые лабораторные блоки питания – благодаря высокому напряжению пробоя и значительному току, транзистор идеально подходит для создания регулируемых источников питания с отрицательным напряжением на выходе. Он обеспечивает стабильную работу в широком диапазоне выходных напряжений и токов нагрузки, а низкое напряжение насыщения минимизирует потери мощности и нагрев.
Высокоэффективные H-мосты для управления двигателями – используйте TIP147T вместе с комплементарными транзисторами для создания мощных H-мостов, обеспечивающих двунаправленное управление DC-двигателями. Высокий коэффициент усиления позволяет управлять такими мостами непосредственно от микроконтроллеров через маломощные буферные каскады.
Системы активного охлаждения – создавайте интеллектуальные системы управления вентиляторами и насосами охлаждения. TIP147T идеально подходит для плавного регулирования скорости вращения двигателей постоянного тока, обеспечивая оптимальную производительность и минимальный шум в системах активного охлаждения компьютеров, серверов и промышленного оборудования.
Зарядные устройства для аккумуляторов – разрабатывайте интеллектуальные зарядные устройства с точным контролем тока заряда. Высокое напряжение пробоя и значительный ток коллектора TIP147T позволяют создавать зарядные системы для аккумуляторных батарей различных типов и емкостей, обеспечивая оптимальные режимы заряда и долгий срок службы аккумуляторов.

📦 Детальные технические характеристики:

Тип транзистора: PNP Дарлингтон
Корпус: TO-220 (CASE 340D-02)
Максимальные параметры:
- Напряжение коллектор-эмиттер (V_CEO): 100 В (постоянное)
- Напряжение коллектор-база (V_CB): 100 В (постоянное)
- Напряжение эмиттер-база (V_EB): 5 В (постоянное)
Токовые характеристики:
- Ток коллектора постоянный (I_C): 10 А
- Ток коллектора пиковый: 15 А (импульс 5 мс, скважность ≤10%)
- Ток базы (I_B): 0,5 А (постоянный)
Мощность рассеивания (P_D): 125 Вт при температуре корпуса 25°C
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C
Тепловые характеристики:
- Тепловое сопротивление переход-корпус (R_θJC): 1,0 °C/Вт
- Тепловое сопротивление корпус-окружение (R_θJA): 35,7 °C/Вт
Коэффициент усиления по току (h_FE):
- ≥ 1000 при I_C = 5 А, V_CE = 4 В
- ≥ 500 при I_C = 10 А, V_CE = 4 В
Напряжение насыщения:
- Коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): ≤ 2 В при I_C = 5 А, I_B = 10 мА
- Коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): ≤ 3 В при I_C = 10 А, I_B = 40 мА
- База-эмиттер (V_BE(sat)): ≤ 3,5 В при I_C = 10 А, I_B = 40 мА
Токи отсечки:
- Коллектора (I_CEO): ≤ 2 мА при V_CE = 50 В
- Коллектора (I_CBO): ≤ 1 мА при V_CB = 100 В
- Эмиттера (I_EBO): ≤ 2 мА при V_BE = 5 В
Дополнительные особенности: Монолитная конструкция с встроенным шунтирующим резистором база-эмиттер

⚠️ Важные аспекты использования:

Эффективное охлаждение – при работе с высокими токами и мощностями ОБЯЗАТЕЛЬНО используйте радиатор достаточной площади с термопастой. Без должного охлаждения максимальная рассеиваемая мощность значительно снижается. При монтаже на радиатор рекомендуется применять теплопроводную пасту и изолирующие прокладки (при необходимости), чтобы избежать электрического контакта коллектора с радиатором.
Особенности Дарлингтоновской структуры – помните, что транзистор имеет повышенное напряжение насыщения (до 3В), что приводит к дополнительному нагреву при высоких токах. Также время переключения больше по сравнению с обычными биполярными транзисторами, что ограничивает использование в высокочастотных схемах. Оптимальная рабочая частота – до 10 кГц.
Полярность подключения – TIP147T является PNP-транзистором, поэтому логика его работы инвертирована по сравнению с NPN-транзисторами. Для открытия транзистора база должна быть отрицательной относительно эмиттера. Убедитесь, что ваша схема учитывает эту особенность, особенно при проектировании драйверов и систем управления.
Защита от перегрузок – для повышения надежности работы схем с TIP147T рекомендуется включать дополнительные элементы защиты: ограничительные резисторы в базовой цепи, диоды для защиты от обратной ЭДС при работе с индуктивными нагрузками, предохранители в силовой цепи и схемы температурного мониторинга.
Комплементарные пары – для оптимальной работы в схемах с двухтактным выходным каскадом (аудиоусилители, H-мосты) рекомендуется использовать TIP147T в паре с комплементарным NPN-транзистором TIP142. Подбор транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления и характеристиками обеспечит наилучшую симметричность работы и минимальные искажения.

Транзистор TIP147T – это оптимальное сочетание мощности, надежности и эффективности для ваших электронных проектов. Благодаря высокому коэффициенту усиления, значительному току коллектора и большой рассеиваемой мощности, этот PNP Дарлингтоновский транзистор обеспечит стабильную работу ваших усилителей, источников питания и систем управления.

ЗАКАЖИТЕ СЕЙЧАС

#TIP147T #PNPтранзистор #Дарлингтон #УсилительМощности #ДрайверДвигателя #Электроника

Характеристики

Основные

Полярность

PNP

Тип корпуса

TO-220

Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы

Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Инструкция

⚡ Инструкция по подключению транзистора TIP147T

PNP Дарлингтоновский силовой транзистор корпус TO-220

1. Идентификация выводов

Транзистор TIP147T имеет корпус TO-220 с тремя выводами, которые расположены следующим образом:

flowchart TB
    subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"]
      direction LR
      Metal["Металлическая пластина"]
      B["1. База (B)"]
      C["2. Коллектор (C)"]
      E["3. Эмиттер (E)"]
    end

Всегда проверяйте маркировку на корпусе или даташит для точного определения выводов. У некоторых транзисторов расположение выводов может отличаться.

2. Схема базового подключения

Поскольку TIP147T - это PNP транзистор, его подключение отличается от NPN транзисторов. Для управления от микроконтроллера или логических схем рекомендуется использовать дополнительный NPN транзистор.

flowchart TD
    VCC["+ Питание (V_CC)"] --> E["Эмиттер (E)
    TIP147T"]
    E --> B["База (B)
    TIP147T"]
    B --> R1["Резистор
    R_B_PNP"]
    R1 --> C_NPN["Коллектор
    NPN транзистор"]
    C_NPN --> E_NPN["Эмиттер
    NPN транзистор"]
    E_NPN --> GND["Земля (GND)"]
    
    B_NPN["База
    NPN транзистор"] --> R2["Резистор
    R_B_NPN"]
    R2 --> Signal["Управляющий сигнал
    (Микроконтроллер)"]
    
    E --> C["Коллектор (C)
    TIP147T"]
    C --> Load["Нагрузка"]
    Load --> GND
    
    %% Дополнительный защитный резистор
    B --> R3["Резистор
    10 кОм"]
    R3 --> E
    
    %% Защитный диод (для индуктивной нагрузки)
    Diode["Диод
    (1N4007)"] --> C
    VCC --> Diode

3. Расчет компонентов

Расчет резисторов для управления базой:

Для правильной работы схемы необходимо рассчитать значения резисторов R_B_PNP (для TIP147T) и R_B_NPN (для NPN транзистора).

Пример расчета для напряжения питания 12В и тока нагрузки 5А:

Коэффициент усиления TIP147T: h_FE = 1000
Коэффициент усиления NPN транзистора (например, 2N2222): h_FE_NPN = 100
Управляющий сигнал от микроконтроллера: 5В

Для TIP147T (PNP):

Ток базы: I_B_PNP = I_C / h_FE = 5А / 1000 = 5мА

Напряжение база-эмиттер для открытия: V_BE(on) ≈ 1.4В

R_B_PNP = (V_CC - V_BE(on)) / I_B_PNP ≈ (12В - 1.4В) / 5мА = 2120 Ом

Рекомендуемое стандартное значение: 2.2 кОм

Для NPN транзистора:

Ток коллектора NPN: I_C_NPN ≈ I_B_PNP = 5мА

Ток базы NPN: I_B_NPN = I_C_NPN / h_FE_NPN = 5мА / 100 = 0.05мА

R_B_NPN = (V_input - V_BE_NPN) / I_B_NPN ≈ (5В - 0.7В) / 0.05мА = 86 кОм

Рекомендуемое значение для большей надежности: 10 кОм

4. Дополнительные компоненты защиты

Компонент	Назначение	Значение
Резистор между базой и эмиттером	Надежное закрытие транзистора, отвод токов утечки	10 кОм
Защитный диод	Защита от обратного напряжения при выключении индуктивной нагрузки	1N4007 или аналог

Использование защитного диода обязательно при подключении индуктивных нагрузок, таких как двигатели, электромагниты или реле. Отсутствие диода может привести к пробою транзистора при выключении.

5. Пошаговая инструкция подключения

Подключите эмиттер (E) транзистора TIP147T к положительному напряжению питания (V_CC, например, 12В).
Подключите коллектор (C) транзистора TIP147T к одному концу нагрузки.
Второй конец нагрузки соедините с землей (GND).
Возьмите NPN транзистор (например, 2N2222) и подключите его эмиттер к земле (GND).
Подключите коллектор NPN транзистора к резистору R_B_PNP (2.2 кОм), а другой конец резистора — к базе (B) транзистора TIP147T.
Подключите базу NPN транзистора к резистору R_B_NPN (10 кОм), а другой конец резистора — к источнику управляющего сигнала (например, выходу микроконтроллера).
Добавьте резистор 10 кОм между базой и эмиттером TIP147T для надежного закрытия.
Для индуктивной нагрузки подключите защитный диод параллельно нагрузке: анод к коллектору TIP147T, катод к V_CC.

6. Принцип работы схемы

Открытие транзистора (включение нагрузки):

Когда на базу NPN транзистора подается высокий уровень (например, 5В):

NPN транзистор открывается
Ток проходит через резистор R_B_PNP к земле
Напряжение на базе TIP147T падает ниже V_CC на величину V_BE(on) (≈1.4В)
TIP147T открывается, позволяя току проходить через нагрузку

Закрытие транзистора (выключение нагрузки):

Когда на базу NPN транзистора подается низкий уровень (0В):

NPN транзистор закрывается
База TIP147T через резистор R_B_PNP подтягивается к V_CC
TIP147T закрывается
Ток через нагрузку прекращается

7. Практические применения

Управление двигателем постоянного тока:

Подключите двигатель как нагрузку, добавьте защитный диод параллельно двигателю. Используйте ШИМ-сигнал на базе NPN транзистора для регулирования скорости вращения.

Силовой ключ для реле или электромагнитов:

Подключите реле или электромагнит как нагрузку, обязательно добавьте защитный диод параллельно. Используйте цифровой выход микроконтроллера для управления.

8. Дополнительные советы

Теплоотвод: При работе с токами более 1А установите транзистор на радиатор через теплопроводную пасту и изолирующую прокладку (слюду или силиконовую).
Заземление: Обеспечьте качественное общее заземление для силовой и управляющей частей схемы.
Фильтрация: Добавьте керамические конденсаторы (0.1мкФ) близко к контактам питания для фильтрации помех.
Скорость переключения: Для увеличения скорости переключения можно уменьшить значение резистора R_B_PNP, но это увеличит потребление тока.

Не превышайте предельные параметры транзистора TIP147T:

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100В
Максимальный ток коллектора: 10А (постоянный), 15А (пиковый)
Максимальный ток базы: 0.5А
Максимальная рассеиваемая мощность: 125Вт (с радиатором)

Важное замечание: Мы приложили усилия, чтобы эта инструкция была точной и полезной. Однако эта инструкция предоставляется как справочный материал. Электронные компоненты могут иметь вариации, а схемы подключения зависят от конкретных условий и вашего оборудования. Эта информация предоставляется "как есть", без гарантий полноты или безошибочности. Настоятельно рекомендуем проверять спецификации вашего модуля (datasheet), сверяться с другими источниками и, при малейших сомнениях, обращаться к квалифицированным специалистам, особенно при работе с напряжением 220В.