Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

TIP147T транзистор корпус TO-220

Страна-производитель: Китай Код товара: 5579
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы0
Инструкция
Есть в наличии
Код товара: 5579
12.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Полярность:PNP
Тип корпуса:TO-220
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы
Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине
Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express
Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
TIP147T транзистор корпус TO-220
Код товара: 5579
12.00 грн
Описание

TIP147T PNP Дарлингтон Транзистор TO-220

Мощный PNP дарлингтон-транзистор в корпусе TO-220 с высоким коэффициентом усиления и напряжением коллектор-эмиттер 100 В; подходит для промышленного использования и работы в паре с комплементарным TIP142T.

Основные преимущества

Высокий коэффициент усиления

hFE ≥ 1000 при IC = 5 A (VCE = 4 В) и ≥ 500 при IC = 10 A — упрощает управление силовыми нагрузками малыми входными токами.

Повышенное напряжение и ток

VCEO 100 В (min) и постоянный коллекторный ток до 10 А (пиковый 15 А) обеспечивают запас по напряжению и току в силовых схемах.

Встроенные элементы стабилизации

Монолитная конструкция со встроенными шунтирующими резисторами база-эмиттер (R1≈8 кОм, R2≈0,12 кОм) повышает надежность и упрощает схемотехнику.

Стандартизированный корпус

TO‑220 (CASE 340AT) с типовой разводкой выводов: 1‑B, 2‑C, 3‑E — удобно для монтажа и замены на типовых платформах.

Ключевые характеристики

Тип транзистора:PNP, дарлингтон
Корпус / Кейс:TO-220, CASE 340AT
Выводы:1‑База, 2‑Коллектор, 3‑Эмиттер
VCEO (мин.):100 В
VCBO (макс.):100 В
VEBO (макс.):5 В
IC (постоянный):10 А
ICP (пиковый):15 А
IB (постоянный, макс.):0,5 А
Рассеиваемая мощность PC (Tc=25°C):80 Вт
hFE (мин.) @ IC=5 A, VCE=4 В:1000
hFE (мин.) @ IC=10 A, VCE=4 В:500
VCE(sat) (макс.) @ 5 A / 10 A:2 В / 3 В
VBE(sat) (макс.) @ IC=10 A, IB=40 мА:3,5 В
VBE(on) (тип.) @ IC=10 A, VCE=4 В:3 В
ICBO (макс.) @ VCB=100 В:1 мА
ICEO (макс.) @ VCE=50 В:2 мА
IEBO (макс.) @ VEB=5 В:2 мА
Диапазон температур:Хранение −65…+150°C; Tj 150°C
Комплементарное устройство:TIP142T (NPN)

Детальные технические параметры

  • Монолитная дарлингтон‑конфигурация со встроенными резисторами: R1 ≈ 8 кОм, R2 ≈ 0,12 кОм (эквивалентная схема в даташите).
  • Скоростные показатели (типовые условия: VCC = 30 В, IC = 5 А, IB1 = −20 мА, IB2 = 20 мА, RL = 6 Ω): tD ≈ 0,15 мкс, tR ≈ 0,55 мкс, tSTG ≈ 2,5 мкс, tF ≈ 2,5 мкс.
  • Предельные напряжения: VCBO = 100 В, VCEO = 100 В, VEBO = 5 В.
  • Токовые лимиты: IC (DC) = 10 А; ICP (имп.) = 15 А; IB (DC) = 0,5 А.
  • Рассеиваемая мощность: PC = 80 Вт при Tc = 25°C; имеется диаграмма дерейтинга по температуре корпуса.
  • Корпус TO‑220‑3LD (Case 340AT); стандартная нумерация выводов: 1‑B, 2‑C, 3‑E.
  • Особенности: «Industrial Use»; комплементарный к TIP142T.
Примечание: параметры основаны на документации onsemi для TIP147T. Источник: onsemi Datasheet (PDF).

Основные области применения

  • Общепромышленные применения (Industrial Use).
  • Комплементарные двухтактные каскады вместе с TIP142T (NPN).

Совместимые обозначения и альтернативы

Возможные варианты в этой серии (с более низким напряжением): TIP145T (60 В) и TIP146T (80 В). Для комплементарных пар используйте NPN TIP142T. Подбирайте замены только с учетом необходимых предельных параметров и корпуса.

Вопросы-ответы (FAQ)

Какова разводка выводов у TIP147T (TO‑220)?

По даташиту onsemi: 1 — База, 2 — Коллектор, 3 — Эмиттер.

Каковы максимальные значения тока и напряжений?

VCEO = 100 В (min), IC (DC) = 10 А, ICP (импульсный) = 15 А; IB (DC) до 0,5 А.

Какой комплементарный NPN‑транзистор к TIP147T?

В даташите указано комплементарное устройство — TIP142T (NPN).

Характеристики
Основные
Полярность
PNP
Тип корпуса
TO-220
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Инструкция

⚡ Инструкция по подключению транзистора TIP147T

PNP Дарлингтоновский силовой транзистор корпус TO-220

1. Идентификация выводов

Транзистор TIP147T имеет корпус TO-220 с тремя выводами, которые расположены следующим образом:

flowchart TB
    subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"]
      direction LR
      Metal["Металлическая пластина"]
      B["1. База (B)"]
      C["2. Коллектор (C)"]
      E["3. Эмиттер (E)"]
    end
  
Всегда проверяйте маркировку на корпусе или даташит для точного определения выводов. У некоторых транзисторов расположение выводов может отличаться.

2. Схема базового подключения

Поскольку TIP147T - это PNP транзистор, его подключение отличается от NPN транзисторов. Для управления от микроконтроллера или логических схем рекомендуется использовать дополнительный NPN транзистор.

flowchart TD
    VCC["+ Питание (V_CC)"] --> E["Эмиттер (E)
    TIP147T"]
    E --> B["База (B)
    TIP147T"]
    B --> R1["Резистор
    R_B_PNP"]
    R1 --> C_NPN["Коллектор
    NPN транзистор"]
    C_NPN --> E_NPN["Эмиттер
    NPN транзистор"]
    E_NPN --> GND["Земля (GND)"]
    
    B_NPN["База
    NPN транзистор"] --> R2["Резистор
    R_B_NPN"]
    R2 --> Signal["Управляющий сигнал
    (Микроконтроллер)"]
    
    E --> C["Коллектор (C)
    TIP147T"]
    C --> Load["Нагрузка"]
    Load --> GND
    
    %% Дополнительный защитный резистор
    B --> R3["Резистор
    10 кОм"]
    R3 --> E
    
    %% Защитный диод (для индуктивной нагрузки)
    Diode["Диод
    (1N4007)"] --> C
    VCC --> Diode
  

3. Расчет компонентов

Расчет резисторов для управления базой:

Для правильной работы схемы необходимо рассчитать значения резисторов R_B_PNP (для TIP147T) и R_B_NPN (для NPN транзистора).

Пример расчета для напряжения питания 12В и тока нагрузки 5А:
  • Коэффициент усиления TIP147T: h_FE = 1000
  • Коэффициент усиления NPN транзистора (например, 2N2222): h_FE_NPN = 100
  • Управляющий сигнал от микроконтроллера: 5В

Для TIP147T (PNP):

Ток базы: I_B_PNP = I_C / h_FE = 5А / 1000 = 5мА
Напряжение база-эмиттер для открытия: V_BE(on) ≈ 1.4В
R_B_PNP = (V_CC - V_BE(on)) / I_B_PNP ≈ (12В - 1.4В) / 5мА = 2120 Ом

Рекомендуемое стандартное значение: 2.2 кОм

Для NPN транзистора:

Ток коллектора NPN: I_C_NPN ≈ I_B_PNP = 5мА
Ток базы NPN: I_B_NPN = I_C_NPN / h_FE_NPN = 5мА / 100 = 0.05мА
R_B_NPN = (V_input - V_BE_NPN) / I_B_NPN ≈ (5В - 0.7В) / 0.05мА = 86 кОм

Рекомендуемое значение для большей надежности: 10 кОм

4. Дополнительные компоненты защиты

Компонент Назначение Значение
Резистор между базой и эмиттером Надежное закрытие транзистора, отвод токов утечки 10 кОм
Защитный диод Защита от обратного напряжения при выключении индуктивной нагрузки 1N4007 или аналог
Использование защитного диода обязательно при подключении индуктивных нагрузок, таких как двигатели, электромагниты или реле. Отсутствие диода может привести к пробою транзистора при выключении.

5. Пошаговая инструкция подключения

  1. Подключите эмиттер (E) транзистора TIP147T к положительному напряжению питания (V_CC, например, 12В).
  2. Подключите коллектор (C) транзистора TIP147T к одному концу нагрузки.
  3. Второй конец нагрузки соедините с землей (GND).
  4. Возьмите NPN транзистор (например, 2N2222) и подключите его эмиттер к земле (GND).
  5. Подключите коллектор NPN транзистора к резистору R_B_PNP (2.2 кОм), а другой конец резистора — к базе (B) транзистора TIP147T.
  6. Подключите базу NPN транзистора к резистору R_B_NPN (10 кОм), а другой конец резистора — к источнику управляющего сигнала (например, выходу микроконтроллера).
  7. Добавьте резистор 10 кОм между базой и эмиттером TIP147T для надежного закрытия.
  8. Для индуктивной нагрузки подключите защитный диод параллельно нагрузке: анод к коллектору TIP147T, катод к V_CC.

6. Принцип работы схемы

Открытие транзистора (включение нагрузки):

Когда на базу NPN транзистора подается высокий уровень (например, 5В):

  1. NPN транзистор открывается
  2. Ток проходит через резистор R_B_PNP к земле
  3. Напряжение на базе TIP147T падает ниже V_CC на величину V_BE(on) (≈1.4В)
  4. TIP147T открывается, позволяя току проходить через нагрузку

Закрытие транзистора (выключение нагрузки):

Когда на базу NPN транзистора подается низкий уровень (0В):

  1. NPN транзистор закрывается
  2. База TIP147T через резистор R_B_PNP подтягивается к V_CC
  3. TIP147T закрывается
  4. Ток через нагрузку прекращается

7. Практические применения

Управление двигателем постоянного тока:

Подключите двигатель как нагрузку, добавьте защитный диод параллельно двигателю. Используйте ШИМ-сигнал на базе NPN транзистора для регулирования скорости вращения.

Силовой ключ для реле или электромагнитов:

Подключите реле или электромагнит как нагрузку, обязательно добавьте защитный диод параллельно. Используйте цифровой выход микроконтроллера для управления.

8. Дополнительные советы

  • Теплоотвод: При работе с токами более 1А установите транзистор на радиатор через теплопроводную пасту и изолирующую прокладку (слюду или силиконовую).
  • Заземление: Обеспечьте качественное общее заземление для силовой и управляющей частей схемы.
  • Фильтрация: Добавьте керамические конденсаторы (0.1мкФ) близко к контактам питания для фильтрации помех.
  • Скорость переключения: Для увеличения скорости переключения можно уменьшить значение резистора R_B_PNP, но это увеличит потребление тока.
Не превышайте предельные параметры транзистора TIP147T:
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100В
  • Максимальный ток коллектора: 10А (постоянный), 15А (пиковый)
  • Максимальный ток базы: 0.5А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 125Вт (с радиатором)
Важное замечание: Мы приложили усилия, чтобы эта инструкция была точной и полезной. Однако эта инструкция предоставляется как справочный материал. Электронные компоненты могут иметь вариации, а схемы подключения зависят от конкретных условий и вашего оборудования. Эта информация предоставляется "как есть", без гарантий полноты или безошибочности. Настоятельно рекомендуем проверять спецификации вашего модуля (datasheet), сверяться с другими источниками и, при малейших сомнениях, обращаться к квалифицированным специалистам, особенно при работе с напряжением 220В.

Продовжимо солов'їною?

Оберіть мову