Транзистор STP110N8F6 корпус TO-220 (80V 110А)

Країна-виробник: Китай Код товару: 5581

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки 0

Питання0

Інструкція

Транзистор STP110N8F6 корпус TO-220 (80V 110А)

В наявності

Код товару: 5581

37.00 грн

Знайшли дешевше?

Полярність:N-канальний MOSFET

-Максимальна напруга-:80 В

-Тип корпусу-:TO-220

-Максимальний струм-:110 А

Доставка

Новою Поштою у відділення та поштомати

від 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фіксована 49грн

Укрпоштою у відділення по Україні

від 45 ₴

Meest Express

від 60 ₴

Оплата

Оплата карткою

Переказ на картку

Оплата на IBAN

Безготівковий розрахунок

Післяплата

Гарантійні положення

Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються

Транзистор STP110N8F6 корпус TO-220 (80V 110А)

Код товару: 5581

37.00 грн

Опис

STP110N8F6 TO-220

N-канальний силовий MOSFET 80 В / 110 А серії STripFET F6 від STMicroelectronics для комутаційних (switching) застосувань з дуже низьким опором каналу.

Основні переваги

Наднизький опір каналу

RDS(on) типово 5.6 мОм (макс. 6.5 мОм) при VGS=10 В, ID=55 А — мінімальні провідникові втрати та нагрів.

Низькі заряди затвора

Повний заряд затвора Qg типово 150 нКл при VGS=10 В — сприяє швидкому перемиканню і меншим динамічним втратам.

Висока лавинна міцність

Енергія одиночного лавинного імпульсу EAS 180 мДж — підвищена надійність у жорстких режимах.

Ефективне тепловідведення

Тепловий опір перехід–корпус Rth(j-c) 0.75 °C/Вт — придатний для високих струмів з радіатором.

Ключові характеристики

Тип:	N-канальний MOSFET (STripFET F6)
Корпус:	TO-220
Маркування на корпусі:	110N8F6
Напруга стік–витік (VDS):	80 В
Струм стоку безперервний (ID, Tc=25°C):	110 А
Струм стоку безперервний (ID, Tc=100°C):	85 А
Імпульсний струм стоку (IDM):	440 А
Опір каналу RDS(on):	тип. 5.6 мОм, макс. 6.5 мОм (@ VGS=10 В, ID=55 А)
Напруга затвор–витік (VGS, макс.):	±20 В
Порогова напруга VGS(th):	2.5…4.5 В
Розсіювання потужності (PTOT, Tc=25°C):	200 Вт
Тепловий опір Rth(j-c):	0.75 °C/Вт
Діапазон температур переходу (Tj):	−55…+175 °C
Повний заряд затвора (Qg, тип.):	150 нКл (@ VGS=10 В, VDD=40 В, ID=110 А)
Вхідна ємність (Ciss, тип.):	9130 пФ (@ VDS=40 В, f=1 МГц)
Часи перемикання (тип.):	td(on)=24 нс; tr=61 нс; td(off)=162 нс; tf=48 нс (@ VDD=40 В, ID=55 А, RG=4.7 Ω, VGS=10 В)
Діод тіла (тип.):	VSD=1.2 В @ ISD=110 А; trr=30 нс; Qrr=34 нКл

Детальні технічні параметри

Zero-gate leakage IDSS: 1 мкА @ VDS=80 В; 100 мкА @ VDS=80 В, Tc=125 °C.
Gate leakage IGSS: 100 нА @ VGS=+20 В.
Ємності (тип.): Coss=320 пФ, Crss=225 пФ (@ VDS=40 В, f=1 МГц, VGS=0).
Заряд затвора (розклад): Qgs=40 нКл, Qgd=30 нКл (тип.).
Енергія одиночного лавинного імпульсу EAS: 180 мДж (TJ=25 °C, ID=55 А, VDD=60 В).
Тепловий опір перехід–навколишнє середовище Rth(j-amb): 62.5 °C/Вт.
Поставка/упаковка в даташиті: Package — TO‑220; Packing — Tube (інформація з таблиці Device summary).

Примітка: параметри базуються на документації STMicroelectronics для STP110N8F6. Джерело: STMicroelectronics Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

Комутаційні (switching) застосування.

Сумісні позначення та альтернативи

Схожі варіанти в лінійці ST: STD110N8F6 (DPAK, 80 В / 110 А, STripFET F6); STP100N8F6 (TO‑220, 80 В / 100 А, STripFET F6).

Питання-відповіді (FAQ)

Яка максимальна напруга між стоком і витоком?

80 В (VDS), згідно з розділом Absolute maximum ratings.

Який опір каналу в робочому режимі?

Типово 5.6 мОм, максимум 6.5 мОм при VGS=10 В і ID=55 А.

Яке граничне значення струму та потужності?

Безперервний струм 110 А (Tc=25 °C), імпульсний до 440 А; розсіювання потужності 200 Вт (Tc=25 °C).

Характеристики

Основні

Полярність

N-канальний MOSFET

-Основні-

-Максимальна напруга-

80 В

-Максимальний струм-

110 А

-Додаткові-

-Тип корпусу-

TO-220

Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.

Інструкція

STP110N8F6 — N-MOSFET TO-220 (80 В, 110 А)

ST STripFET™ F6 • R_DS(on) тип. 5.6 мΩ @ V_GS=10 В • P_TOT 200 Вт

0. Метадані

Локальний код (slug)	stp110n8f6-to220
Технологія	ST STripFET™ F6 (trench)
Корпус	TO-220, вкладка (tab) = стік
Маркування на корпусі	110N8F6

1. Ідентифікація та призначення

STP110N8F6 — силовий N-канальний MOSFET з низьким опором каналу та високою стійкістю до імпульсних режимів. Підходить для низьковтратних силових ключів, драйверів двигунів/нагрівачів, DC-DC та батарейних систем до 80 В по шині.

1.1 Виводи (TO-220, вид з боку виводів)

Номер	Позначення	Опис
1	G (Gate)	Затвор
2	D (Drain)	Стік (одночасно вкладка/tab)
3	S (Source)	Витік

flowchart LR
      classDef pin fill:#fff9db,stroke:#c9a400,stroke-width:1px;
      subgraph TO220["TO-220 (вигляд виводів)"]
        G["1: G"]:::pin
        D["2: D (та TAB)"]:::pin
        S["3: S"]:::pin
      end

2. Типові схеми підключення

2.1 Низькобічний ключ (рекомендовано для більшості DC-навантажень)

flowchart TD
      classDef a fill:#e3f2fd,stroke:#1e88e5,stroke-width:1px;
      classDef p fill:#e8f5e9,stroke:#43a047,stroke-width:1px;
      classDef w fill:#fff3e0,stroke:#fb8c00,stroke-width:1px;

      subgraph MCU["Мікроконтролер"]
        PWM["PWM/CTRL"]:::a
        GNDm["GND"]:::a
      end

      subgraph DRIVER["Драйвер затвора (10–12 В)"]
        IN["IN"]:::a
        OUT["OUT → Gate"]:::a
        VDR["Vdd 10–12 В"]:::a
        GDR["GND"]:::a
      end

      subgraph LOAD["Ланцюг сили"]
        VBUS["+V"]:::p
        LAMP["Навантаження"]:::p
        D1["Діод flyback ─►"]:::w
        MOSFET["STP110N8F6  G-D-S"]:::p
        GND["GND"]:::p
      end

      PWM --> IN
      GNDm --- GDR

      VBUS --> LAMP --> MOSFET
      MOSFET --> GND
      OUT --> MOSFET
      D1 --- LAMP
      D1 --- VBUS

Для малих втрат необхідно V_GS≈10 В (R_DS(on) нормується при 10 В). Керуйте через драйвер або підвищення рівня.
Для індуктивних навантажень додайте швидкий діод паралельно навантаженню (полярністю до шини).

2.2 Високобічний ключ (+V → навантаження)

flowchart TD
      classDef a fill:#e1f5fe,stroke:#039be5,stroke-width:1px;
      classDef p fill:#f1f8e9,stroke:#7cb342,stroke-width:1px;

      subgraph CTRL["МК + драйвер high-side"]
        MCU["MCU"]:::a
        HSD["Високобічний драйвер (bootstrap/ізольований)"]:::a
      end

      subgraph PWR["Ланцюг сили"]
        VBAT["+V"]:::p
        SW["STP110N8F6 (high-side)"]:::p
        LOAD["Навантаження"]:::p
        GND["GND"]:::p
      end

      MCU --> HSD --> SW
      VBAT --> SW --> LOAD --> GND

Для high-side потрібен спеціальний драйвер затвора (V_G має бути ~на 10 В вище за source). Для простоти можна розглянути P-MOSFET або готовий драйвер-модуль.

3. Ключові електричні параметри

Параметр	Значення	Умова / примітка
V_DS (макс.)	80 В	Напруга стік-витік
I_D (безперервний)	110 А @ 25 °C; 85 А @ 100 °C	Залежить від охолодження/СОА
I_DM (імпульсний)	440 А	В межах СОА
R_DS(on)	тип. 5.6 мΩ; макс. 6.5 мΩ	V_GS=10 В, I_D=55 А
V_GS (макс.)	±20 В	Межа затвора
V_GS(th)	2.5…4.5 В	Поріг, не робоча напруга
P_TOT	200 Вт	На радіаторі; R_θJC≈0.75 °C/Вт

4. Живлення затвора та керування

Це не «логічний» MOSFET: для мінімальних втрат застосовуйте драйвер 10–12 В (піковий струм ≥1–2 А) і резистор у затворі 5…33 Ω для контролю швидкості перемикання.

Орієнтир для драйвера: середній струм на перемикання I_avg≈Q_g·f. Для Q_g≈150 нКл при f=20 кГц I_avg≈3 мА; піки значно вищі.

5. Розрахунки втрат і тепла

5.1 Провідникові втрати

P_cond = I² · R_DS(on).
Для R_DS(on)=6.5 мΩ: 10 А → 0.65 Вт; 30 А → 5.85 Вт; 50 А → 16.25 Вт.

5.2 Температурний підйом

ΔT ≈ P · R_θJC + тепловий шлях «кристал-радіатор-повітря». Без радіатора R_θJA≈62.5 °C/Вт — допустима потужність різко падає.

6. Покрокова інструкція (низькобічний ключ)

Обрати драйвер затвора 10–12 В; додати резистор у затворі та підтягування 47–100 кΩ до GND.
З’єднати навантаження з «+V», стік MOSFET — з мінусом навантаження, витік — із GND.
Для індуктивних навантажень додати швидкий діод/TVS.
Перевірити нагрів під робочим струмом; за потреби встановити радіатор.

7. Обмеження та граничні значення

Параметр	Мін.	Тип./Норм.	Макс.	Одиниця
V_DS	—	—	80	В
V_GS	—	—	±20	В
I_D @ 25 °C	—	110	—	А
P_TOT @ 25 °C	—	200	—	Вт
R_DS(on) @ 10 В	—	5.6 мΩ	6.5 мΩ	Ω
T_J	−55	—	+175	°C

8. Практичні поради

Мінімізуйте петлю «драйвер-затвор-витік»; для великих струмів — широкі силові шини та розділення «силової» і «керуючої» землі.

За високих частот перемикання використовуйте драйвери з піковим струмом ≥2 А, розглядайте снабери/TVS для обмеження перенапруги.

Дотримуйтесь СОА (Safe Operating Area). Не перевищуйте V_GS=±20 В і V_DS=80 В у всіх режимах.

10. Джерела та посилання

STMicroelectronics — Datasheet: STP110N8F6 (PDF)
ST — Сторінка продукту: stp110n8f6.html

Важливе зауваження: Ми доклали зусиль, щоб ця інструкція була точною та корисною. Однак, ця інструкція надається як довідковий матеріал. Електронні компоненти можуть мати варіації, а схеми підключення залежать від конкретних умов та вашого обладнання. Ця інформація надається "як є", без гарантій повноти чи безпомилковості. Наполегливо рекомендуємо перевіряти специфікації вашого модуля (datasheet), звірятися з іншими джерелами та, за найменших сумнівів, звертатися до кваліфікованих фахівців, особливо при роботі з напругою 220В.