STP110N8F6 транзистор TO-220 корпус (80V 110А)

Страна-производитель: Китай Код товара: 5581

Все о товаре

Описание

Характеристики

Отзывы 0

Вопросы0

Инструкция

STP110N8F6 транзистор TO-220 корпус (80V 110А)

Есть в наличии

Код товара: 5581

37.00 грн

Нашли дешевле?

Полярность:N-канальный MOSFET

-Максимальное напряжение-:80 В

-Тип корпуса-:TO-220

-Максимальный ток-:110 А

Доставка

Новой почтой в отделения и почтоматы

от 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фиксировано 49 грн

Укрпочтой в отделение по Украине

от 45 ₴

Meest Express

от 60 ₴

Оплата

Оплата картой

Перевод на карточку

Оплата на IBAN

Безналичный расчет

Наложенный платеж

Гарантийные положения

Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются

STP110N8F6 транзистор TO-220 корпус (80V 110А)

Код товара: 5581

37.00 грн

Описание

STP110N8F6 TO-220

N-канальный силовой MOSFET 80 В / 110 А серии STripFET F6 от STMicroelectronics для коммутационных (switching) применений с очень низким сопротивлением канала.

Основные преимущества

Сверхнизкое сопротивление канала

RDS(on) типично 5.6 мОм (макс. 6.5 мОм) при VGS=10 В, ID=55 А — минимальные проводниковые потери и нагрев.

Низкие заряды затвора

Полный заряд затвора Qg типично 150 нКл при VGS=10 В — способствует быстрому переключению и меньшим динамическим потерям.

Высокая лавинная прочность

Энергия одиночного лавинного импульса EAS 180 мДж — повышенная надежность в жестких режимах.

Эффективный отвод тепла

Тепловое сопротивление переход–корпус Rth(j-c) 0.75 °C/Вт — пригоден для высоких токов с радиатором.

Ключевые характеристики

Тип:	N-канальный MOSFET (STripFET F6)
Корпус:	TO-220
Маркировка на корпусе:	110N8F6
Напряжение сток–исток (VDS):	80 В
Непрерывный ток стока (ID, Tc=25°C):	110 А
Непрерывный ток стока (ID, Tc=100°C):	85 А
Импульсный ток стока (IDM):	440 А
Сопротивление канала RDS(on):	тип. 5.6 мОм, макс. 6.5 мОм (@ VGS=10 В, ID=55 А)
Напряжение затвор–исток (VGS, макс.):	±20 В
Пороговое напряжение VGS(th):	2.5…4.5 В
Рассеиваемая мощность (PTOT, Tc=25°C):	200 Вт
Тепловое сопротивление Rth(j-c):	0.75 °C/Вт
Диапазон температур перехода (Tj):	−55…+175 °C
Полный заряд затвора (Qg, тип.):	150 нКл (@ VGS=10 В, VDD=40 В, ID=110 А)
Входная емкость (Ciss, тип.):	9130 пФ (@ VDS=40 В, f=1 МГц)
Времена переключения (тип.):	td(on)=24 нс; tr=61 нс; td(off)=162 нс; tf=48 нс (@ VDD=40 В, ID=55 А, RG=4.7 Ω, VGS=10 В)
Диод тела (тип.):	VSD=1.2 В @ ISD=110 А; trr=30 нс; Qrr=34 нКл

Детальные технические параметры

Ток утечки при нулевом затворе IDSS: 1 мкА @ VDS=80 В; 100 мкА @ VDS=80 В, Tc=125 °C.
Утечка затвора IGSS: 100 нА @ VGS=+20 В.
Емкости (тип.): Coss=320 пФ, Crss=225 пФ (@ VDS=40 В, f=1 МГц, VGS=0).
Заряд затвора (разложение): Qgs=40 нКл, Qgd=30 нКл (тип.).
Энергия одиночного лавинного импульса EAS: 180 мДж (TJ=25 °C, ID=55 А, VDD=60 В).
Тепловое сопротивление переход–окружающая среда Rth(j-amb): 62.5 °C/Вт.
Поставка/упаковка в даташите: Package — TO‑220; Packing — Tube (информация из таблицы Device summary).

Примечание: параметры основаны на документации STMicroelectronics для STP110N8F6. Источник: STMicroelectronics Datasheet (PDF).

Основные области применения

Коммутационные (switching) применения.

Совместимые обозначения и альтернативы

Похожие варианты в линейке ST: STD110N8F6 (DPAK, 80 В / 110 А, STripFET F6); STP100N8F6 (TO‑220, 80 В / 100 А, STripFET F6).

Вопросы-ответы (FAQ)

Каково максимальное напряжение между стоком и истоком?

80 В (VDS), согласно разделу Absolute maximum ratings.

Каково сопротивление канала в рабочем режиме?

Типично 5.6 мОм, максимум 6.5 мОм при VGS=10 В и ID=55 А.

Каково предельное значение тока и мощности?

Непрерывный ток 110 А (Tc=25 °C), импульсный до 440 А; рассеиваемая мощность 200 Вт (Tc=25 °C).

Характеристики

Основные

Полярность

N-канальный MOSFET

-Основные-

-Максимальное напряжение-

80 В

-Максимальный ток-

110 А

-Дополнительные-

-Тип корпуса-

TO-220

Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы

Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Инструкция

STP110N8F6 — N-MOSFET TO-220 (80 В, 110 А)

ST STripFET™ F6 • R_DS(on) тип. 5.6 мОм @ V_GS=10 В • P_TOT 200 Вт

0. Метаданные

Локальный код (slug)	stp110n8f6-to220
Технология	ST STripFET™ F6 (trench)
Корпус	TO-220, вкладка (tab) = сток
Маркировка на корпусе	110N8F6

1. Идентификация и назначение

STP110N8F6 — силовой N-канальный MOSFET с низким сопротивлением канала и высокой устойчивостью к импульсным режимам. Подходит для низкопотерьных силовых ключей, драйверов двигателей/нагревателей, DC-DC и батарейных систем до 80 В по шине.

1.1 Выводы (TO-220, вид со стороны выводов)

Номер	Обозначение	Описание
1	G (Gate)	Затвор
2	D (Drain)	Сток (одновременно вкладка/tab)
3	S (Source)	Исток

flowchart LR
      classDef pin fill:#fff9db,stroke:#c9a400,stroke-width:1px;
      subgraph TO220["TO-220 (вид выводов)"]
        G["1: G"]:::pin
        D["2: D (и TAB)"]:::pin
        S["3: S"]:::pin
      end

2. Типовые схемы подключения

2.1 Низкосторонний ключ (рекомендуется для большинства DC-нагрузок)

flowchart TD
      classDef a fill:#e3f2fd,stroke:#1e88e5,stroke-width:1px;
      classDef p fill:#e8f5e9,stroke:#43a047,stroke-width:1px;
      classDef w fill:#fff3e0,stroke:#fb8c00,stroke-width:1px;
      subgraph MCU["Микроконтроллер"]
        PWM["PWM/CTRL"]:::a
        GNDm["GND"]:::a
      end
      subgraph DRIVER["Драйвер затвора (10–12 В)"]
        IN["IN"]:::a
        OUT["OUT → Gate"]:::a
        VDR["Vdd 10–12 В"]:::a
        GDR["GND"]:::a
      end
      subgraph LOAD["Цепь силы"]
        VBUS["+V"]:::p
        LAMP["Нагрузка"]:::p
        D1["Диод flyback ─►"]:::w
        MOSFET["STP110N8F6 G-D-S"]:::p
        GND["GND"]:::p
      end
      PWM --> IN
      GNDm --- GDR
      VBUS --> LAMP --> MOSFET
      MOSFET --> GND
      OUT --> MOSFET
      D1 --- LAMP
      D1 --- VBUS

Для малых потерь необходимо V_GS≈10 В (R_DS(on) нормируется при 10 В). Управляйте через драйвер или повышение уровня.
Для индуктивных нагрузок добавьте быстрый диод параллельно нагрузке (полярностью к шине).

2.2 Высокосторонний ключ (+V → нагрузка)

flowchart TD
      classDef a fill:#e1f5fe,stroke:#039be5,stroke-width:1px;
      classDef p fill:#f1f8e9,stroke:#7cb342,stroke-width:1px;
      subgraph CTRL["МК + драйвер high-side"]
        MCU["MCU"]:::a
        HSD["Высокосторонний драйвер (bootstrap/изолированный)"]:::a
      end
      subgraph PWR["Цепь силы"]
        VBAT["+V"]:::p
        SW["STP110N8F6 (high-side)"]:::p
        LOAD["Нагрузка"]:::p
        GND["GND"]:::p
      end
      MCU --> HSD --> SW
      VBAT --> SW --> LOAD --> GND

Для high-side нужен специальный драйвер затвора (V_G должен быть ~на 10 В выше, чем исток). Для простоты можно рассмотреть P-MOSFET или готовый драйвер-модуль.

3. Ключевые электрические параметры

Параметр	Значение	Условие / примечание
V_DS (макс.)	80 В	Напряжение сток-исток
I_D (непрерывный)	110 А @ 25 °C; 85 А @ 100 °C	Зависит от охлаждения/СОА
I_DM (импульсный)	440 А	В пределах СОА
R_DS(on)	тип. 5.6 мОм; макс. 6.5 мОм	V_GS=10 В, I_D=55 А
V_GS (макс.)	±20 В	Предел затвора
V_GS(th)	2.5…4.5 В	Порог, не рабочая напряжение
P_TOT	200 Вт	На радиаторе; R_θJC≈0.75 °C/Вт

4. Питание затвора и управление

Это не «логический» MOSFET: для минимальных потерь применяйте драйвер 10–12 В (пиковый ток ≥1–2 А) и резистор в затворе 5…33 Ом для контроля скорости переключения.

Ориентир для драйвера: средний ток на переключение I_avg≈Q_g·f. Для Q_g≈150 нКл при f=20 кГц I_avg≈3 мА; пики значительно выше.

5. Расчёты потерь и тепла

5.1 Проводниковые потери

P_cond = I² · R_DS(on).
Для R_DS(on)=6.5 мОм: 10 А → 0.65 Вт; 30 А → 5.85 Вт; 50 А → 16.25 Вт.

5.2 Температурный подъём

ΔT ≈ P · R_θJC + тепловой путь «кристалл-радиатор-воздух». Без радиатора R_θJA≈62.5 °C/Вт — допустимая мощность резко падает.

6. Пошаговая инструкция (низкосторонний ключ)

Выберите драйвер затвора 10–12 В; добавьте резистор в затворе и подтяжку 47–100 кОм к GND.
Соедините нагрузку с «+V», сток MOSFET — с минусом нагрузки, исток — с GND.
Для индуктивных нагрузок добавьте быстрый диод/TVS.
Проверьте нагрев при рабочем токе; при необходимости установите радиатор.

7. Ограничения и предельные значения

Параметр	Мин.	Тип./Норм.	Макс.	Единица
V_DS	—	—	80	В
V_GS	—	—	±20	В
I_D @ 25 °C	—	110	—	А
P_TOT @ 25 °C	—	200	—	Вт
R_DS(on) @ 10 В	—	5.6 мОм	6.5 мОм	Ом
T_J	−55	—	+175	°C

8. Практические советы

Минимизируйте петлю «драйвер-затвор-исток»; для больших токов — широкие силовые шины и разделение «силовой» и «управляющей» земли.

При высоких частотах переключения используйте драйверы с пиковым током ≥2 А, рассматривайте снабберы/TVS для ограничения перенапряжения.

Соблюдайте СОА (Safe Operating Area). Не превышайте V_GS=±20 В и V_DS=80 В во всех режимах.

10. Источники и ссылки

STMicroelectronics — Datasheet: STP110N8F6 (PDF)
ST — Страница продукта: stp110n8f6.html

Важное замечание: Данные приведены для справки по материалам STMicroelectronics. Перед применением сверяйте параметры с даташитом для вашей партии и проектируйте схему с учётом СОА и теплового режима.

STP110N8F6 транзистор TO-220 корпус (80V 110А)

STP110N8F6 TO-220

Основные преимущества

Ключевые характеристики

Детальные технические параметры

Основные области применения

Совместимые обозначения и альтернативы

Вопросы-ответы (FAQ)

STP110N8F6 — N-MOSFET TO-220 (80 В, 110 А)

0. Метаданные

1. Идентификация и назначение

1.1 Выводы (TO-220, вид со стороны выводов)

2. Типовые схемы подключения

2.1 Низкосторонний ключ (рекомендуется для большинства DC-нагрузок)

2.2 Высокосторонний ключ (+V → нагрузка)

3. Ключевые электрические параметры

4. Питание затвора и управление

5. Расчёты потерь и тепла

5.1 Проводниковые потери

5.2 Температурный подъём

6. Пошаговая инструкция (низкосторонний ключ)

7. Ограничения и предельные значения

8. Практические советы

10. Источники и ссылки

Продовжимо солов'їною?