STP110N8F6 транзистор TO-220 корпус (80V 110А)

Страна-производитель: Китай Код товара: 5581

Все о товаре

Описание

Характеристики

Отзывы 0

Вопросы0

STP110N8F6 транзистор TO-220 корпус (80V 110А)

Есть в наличии

Код товара: 5581

37.00 грн

Нашли дешевле?

Полярность:N-канальный MOSFET

-Максимальное напряжение-:80 В

-Тип корпуса-:TO-220

-Максимальный ток-:110 А

Доставка

Новой почтой в отделения и почтоматы

от 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фиксировано 49 грн

Укрпочтой в отделение по Украине

от 45 ₴

Meest Express

от 60 ₴

Оплата

Оплата картой

Перевод на карточку

Оплата на IBAN

Безналичный расчет

Наложенный платеж

Гарантийные положения

Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются

STP110N8F6 транзистор TO-220 корпус (80V 110А)

Код товара: 5581

37.00 грн

Описание

🔌 STP110N8F6 – N-канальный MOSFET 80V 110A TO-220

Надежный силовой транзистор со сверхнизким сопротивлением открытого канала для высокотоковых применений

Общее описание

STP110N8F6 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор от STMicroelectronics, разработанный для эффективного переключения высоких токов. С напряжением сток-исток 80 В и максимальным постоянным током 110 А, это устройство идеально подходит для требовательных промышленных и автомобильных применений. Ключевым преимуществом является сверхнизкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) всего 5.6 мОм, что обеспечивает минимальные потери мощности и высокую энергоэффективность. Корпус TO-220 обеспечивает отличное отведение тепла и легкий монтаж на радиатор.

✅ Технические преимущества:

• Сверхнизкое сопротивление Rds(on) – всего 5.6 мОм при Vgs=10 V обеспечивает минимальные потери мощности при проводимости и повышает общую эффективность системы.
• Высокий ток насыщения – способен работать с током до 110 А (при 25°C) и импульсным током до 440 А, что делает его подходящим для работы с высокими нагрузками.
• Быстрое переключение – низкие значения зарядов затвора (Qg=150 нКл) обеспечивают быстрые времена переключения, уменьшая динамические потери и позволяя работу на высоких частотах.
• Повышенная стойкость к лавинному пробою – прочная конструкция позволяет выдерживать высокие энергетические импульсы, повышая надежность устройства в жестких условиях эксплуатации.
• Эффективное теплоотведение – корпус TO-220 с низким тепловым сопротивлением (Rthj-c=0.75 °C/Вт) способствует эффективному рассеиванию тепла и позволяет использовать меньшие радиаторы.

🔧 Идеальное решение для:

Импульсные источники питания (SMPS)

Управление электродвигателями (DC/AC)

Автомобильные системы и зарядные устройства

Инверторы и преобразователи частоты

Системы бесперебойного питания (UPS)

Силовые ключи и мостовые схемы

💡 Широкие возможности применения:

Высокощные импульсные блоки питания – STP110N8F6 идеально подходит для использования в первичных или вторичных цепях преобразователей мощностью свыше нескольких сотен ватт. Его низкий Rds(on) значительно уменьшает нагрев, что позволяет создавать более компактные и эффективные конструкции без необходимости использования чрезмерно больших радиаторов.
Контроллеры электродвигателей в промышленности и автоспорте – способность коммутировать токи до 110А делает этот MOSFET отличным выбором для драйверов двигателей постоянного тока, серводвигателей и бесколлекторных (BLDC) двигателей. Он обеспечивает плавное и эффективное управление оборотами и моментом, даже в условиях высоких пусковых токов.
Сердцевина силовых цепей в электромобилях и гибридах – благодаря напряжению 80V и высокой стойкости, компонент может использоваться в системах управления тяговыми двигателями, DC-DC преобразователях высокой мощности и контроллерах зарядки аккумуляторных батарей, где требуется высокая надежность и долговечность.
Инверторные системы и сварочное оборудование – в полумостовых и полномостовых топологиях инверторов этот транзистор обеспечивает минимальные коммутационные потери, что критически важно для работы на высоких частотах. Это напрямую влияет на КПД, массу и габариты конечного устройства.

📦 Детальные технические характеристики:

Тип транзистора: N-канальный MOSFET
Напряжение "Сток-Исток" (Vds): 80 В
Ток стока (Id) при 25°C: 110 А
Импульсный ток стока (Idm): 440 А
Сопротивление открытого канала (Rds(on)):
- Максимум: 6.5 мОм при Vgs=10V, Id=55A
- Типично: 5.6 мОм при Vgs=10V, Id=55A
Напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В (макс.)
Пороговая напряжение затвора (Vgs(th)): 2.5 - 4.5 В
Полный заряд затвора (Qg): 150 нКл (типично)
Время включения (td(on) + tr): 24 нс + 61 нс
Время выключения (td(off) + tf): 162 нс + 48 нс
Рассеивание мощности (Pd): 200 Вт
Тепловое сопротивление (Rthj-c): 0.75 °C/Вт
Диапазон температур перехода (Tj): от -55 °C до +175 °C
Корпус: TO-220

⚠️ Важные аспекты использования:

Надлежащее управление затвором – для предотвращения паразитных колебаний и самопроизвольного открытия/закрытия критически важно минимизировать индуктивность контура затвора. Используйте короткие и широкие дорожки на плате, а также размещайте драйвер как можно ближе к транзистору. Для ограничения скорости нарастания напряжения можно использовать небольшой резистор в цепи затвора.
Эффективное охлаждение – несмотря на низкий Rds(on), при работе с высокими токами выделяется значительная мощность. Обязательно используйте надлежащий радиатор, рассчитанный на максимальную ожидаемую мощность потерь. Надежный тепловой контакт между корпусом TO-220 и радиатором обязателен.
Защита от перенапряжения и ESD – хотя устройство имеет встроенную защиту от статики, рекомендуется соблюдать стандартные антистатические процедуры во время монтажа. В схемах, где возможны выбросы индуктивности, используйте снабберные цепи или транзорбные диоды для защиты от перенапряжения на сток-истоке.
Работа в параллельном включении – для дальнейшего увеличения токовой способности можно параллельно включать несколько транзисторов. Для этого необходимо обеспечить симметричность цепей стока и истока, а также использовать отдельные резисторы в цепях затворов каждого транзистора для предотвращения термического разброса.

STP110N8F6 сочетает в себе мощность, эффективность и надежность, являясь идеальным выбором для наиболее требовательных проектов. Его проверенные характеристики обеспечат стабильную работу вашей системы даже в экстремальных условиях.

ЗАКАЖИТЕ СЕЙЧАС

#MOSFET #Транзистор #СиловаяЭлектроника #TO220 #80В #110А

Характеристики

Основные

Полярность

N-канальный MOSFET

-Основные-

-Максимальное напряжение-

80 В

-Максимальный ток-

110 А

-Дополнительные-

-Тип корпуса-

TO-220

Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы

Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

STP110N8F6 транзистор TO-220 корпус (80V 110А)

🔌 STP110N8F6 – N-канальный MOSFET 80V 110A TO-220

Общее описание

✅ Технические преимущества:

🔧 Идеальное решение для:

💡 Широкие возможности применения:

📦 Детальные технические характеристики:

⚠️ Важные аспекты использования:

Продовжимо солов'їною?