Транзистор SMD SI2306 (A6SHB) корпус SOT23 (3.5A 30V)
Si2306BDS N‑канальний MOSFET SOT‑23
Компактний N‑канальний TrenchFET MOSFET у корпусі SOT‑23 з низьким опором каналу та малим зарядом затвора для ефективної комутації в схемах до 30 В.
Основні переваги
0.047 Ω @ VGS=10 В та 0.065 Ω @ VGS=4.5 В — менші втрати на провід та нагрів.
Qg типово 3.0 нКл — швидке перемикання та нижчі втрати перемикання.
100% тест Rg та UIS згідно специфікації виробника.
RthJA до 60 °C/Вт (t ≤ 5 с) та 130–166 °C/Вт у сталому режимі — передбачуване тепловідведення для SOT‑23.
Ключові характеристики
| Тип: | N‑канальний MOSFET (Single) |
|---|---|
| Виробник: | Vishay Siliconix |
| Маркування моделі: | Si2306BDS |
| Корпус: | SOT‑23 (TO‑236) |
| Напруга стік‑витік VDS (макс.): | 30 В |
| Напруга затвор‑витік VGS (макс.): | ±20 В |
| Струм стоку ID (безперервний, 25 °C, steady state): | 3.16 А |
| Струм стоку ID (безперервний, 25 °C, t ≤ 5 с): | 4.0 А |
| Струм стоку імпульсний IDM (макс.): | 20 А |
| RDS(on) (макс.) @ VGS=10 В, ID=3.5 А: | 0.047 Ω |
| RDS(on) (макс.) @ VGS=4.5 В, ID=2.8 А: | 0.065 Ω |
| Потужність розсіювання PD (25 °C, steady state): | 0.75 Вт |
| Заряд затвора Qg (тип.): | 3.0 нКл |
| Поріг VGS(th): | 1.0–3.0 В |
| Пряме падіння на діоді VSD @ IS=1.25 А: | 0.8–1.2 В |
| Тепловий опір RthJA (steady state): | 130–166 °C/Вт |
Детальні технічні параметри
- Ємності (VDS=15 В, VGS=0 В, f=1 МГц): Ciss ≈ 305 пФ, Coss ≈ 65 пФ, Crss ≈ 29 пФ.
- Заряди: Qgs ≈ 1.6 нКл, Qgd ≈ 0.6 нКл; опір затвора Rg = 2.0–7.5 Ω @ 1 МГц.
- Часові параметри (VDD=15 В, RL=15 Ω, ID≈1 А, Rg=6 Ω): td(on) 7–11 нс, tr 12–18 нс, td(off) 14–25 нс, tf 6–10 нс.
- Струм діода (безперервний): 0.62 А (steady state) / 1.04 А (t ≤ 5 с).
- Діапазон температур експлуатації/зберігання: −55…+150 °C.
- Тепловий опір «кристал‑вивід (стік)» RthJF: 60–75 °C/Вт (steady state).
Основні сфери застосування
- Комутація навантажень у колах постійної напруги до 30 В.
- Силові ключі з керуванням від 4.5–10 В (низькі втрати на провід).
- Загальні вузли керування живленням та перетворення постійної напруги.
- Компактні рішення у корпусі SOT‑23 з обмеженнями по тепловідводу.
Сумісні позначення та альтернативи
Питання-відповіді (FAQ)
За сталого режиму при TA=25 °C — до 3.16 А (PD=0.75 Вт). Для короткочасного режиму (t ≤ 5 с) допускається до 4.0 А при TA=25 °C. Дотримуйтесь теплових обмежень за RthJA.
Так, у специфікації наведено RDS(on) при VGS=4.5 В (0.065 Ω макс.), що відповідає керуванню від 5 В.
Максимальна напруга між затвором і витоком становить ±20 В.
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.