Ви дивилися
Увага! 01.11.25(субота ) та 02.11.25(неділя) - вихідні, відвантаженння товару не буде. 
Каталог товарів
Клієнту
Тема сайту:
+38 (066) 305-77-25
Наша адреса
Харків, тимчасово - доставка тільки Новою Поштою, УкрПоштою, МістЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефони
Графік роботи
  • Пн-Пт: з 9 до 18
  • Сб: з 10 до 17
  • Нд: з 11 до 16
E-mail
Ми в соцмережах
Перейти до контактів
0 0
Каталог
Головна
Дивилися
3
Закладки
0
Порівняти
0
Контакти

Транзистор SMD SI2306 (A6SHB) корпус SOT23 (3.5A 30V)

Країна-виробник: Китай Код товару: 5469
0
Все про товар
Опис
Характеристики
Відгуки 0
Питання0
В наявності
Код товару: 5469
2.50 грн
Знайшли дешевше?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Максимальна напруга:30 V
Максимальний струм:3.5 А
Полярність:N-канальний MOSFET
Тип корпусу:SOT-23
Доставка
Новою Поштою у відділення та поштомати
Новою Поштою у відділення та поштомати
від 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фіксована 49грн
Укрпоштою у відділення по Україні
Укрпоштою у відділення по Україні
від 45 ₴
Meest Express
Meest Express
від 60 ₴
Оплата
Оплата карткою Оплата карткою
Переказ на картку Переказ на картку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безготівковий розрахунок Безготівковий розрахунок
Післяплата Післяплата
Гарантійні положення
Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються
Транзистор SMD SI2306 (A6SHB) корпус SOT23 (3.5A 30V)
Код товару: 5469
2.50 грн
Опис

Si2306BDS N‑канальний MOSFET SOT‑23

Компактний N‑канальний TrenchFET MOSFET у корпусі SOT‑23 з низьким опором каналу та малим зарядом затвора для ефективної комутації в схемах до 30 В.

Основні переваги

Низький RDS(on)

0.047 Ω @ VGS=10 В та 0.065 Ω @ VGS=4.5 В — менші втрати на провід та нагрів.

Малий заряд затвора

Qg типово 3.0 нКл — швидке перемикання та нижчі втрати перемикання.

Перевірена надійність

100% тест Rg та UIS згідно специфікації виробника.

Компактний тепловий профіль

RthJA до 60 °C/Вт (t ≤ 5 с) та 130–166 °C/Вт у сталому режимі — передбачуване тепловідведення для SOT‑23.

Ключові характеристики

Тип:N‑канальний MOSFET (Single)
Виробник:Vishay Siliconix
Маркування моделі:Si2306BDS
Корпус:SOT‑23 (TO‑236)
Напруга стік‑витік VDS (макс.):30 В
Напруга затвор‑витік VGS (макс.):±20 В
Струм стоку ID (безперервний, 25 °C, steady state):3.16 А
Струм стоку ID (безперервний, 25 °C, t ≤ 5 с):4.0 А
Струм стоку імпульсний IDM (макс.):20 А
RDS(on) (макс.) @ VGS=10 В, ID=3.5 А:0.047 Ω
RDS(on) (макс.) @ VGS=4.5 В, ID=2.8 А:0.065 Ω
Потужність розсіювання PD (25 °C, steady state):0.75 Вт
Заряд затвора Qg (тип.):3.0 нКл
Поріг VGS(th):1.0–3.0 В
Пряме падіння на діоді VSD @ IS=1.25 А:0.8–1.2 В
Тепловий опір RthJA (steady state):130–166 °C/Вт

Детальні технічні параметри

  • Ємності (VDS=15 В, VGS=0 В, f=1 МГц): Ciss ≈ 305 пФ, Coss ≈ 65 пФ, Crss ≈ 29 пФ.
  • Заряди: Qgs ≈ 1.6 нКл, Qgd ≈ 0.6 нКл; опір затвора Rg = 2.0–7.5 Ω @ 1 МГц.
  • Часові параметри (VDD=15 В, RL=15 Ω, ID≈1 А, Rg=6 Ω): td(on) 7–11 нс, tr 12–18 нс, td(off) 14–25 нс, tf 6–10 нс.
  • Струм діода (безперервний): 0.62 А (steady state) / 1.04 А (t ≤ 5 с).
  • Діапазон температур експлуатації/зберігання: −55…+150 °C.
  • Тепловий опір «кристал‑вивід (стік)» RthJF: 60–75 °C/Вт (steady state).
Примітка: параметри базуються на документації Vishay Siliconix для Si2306BDS. Джерело: Vishay Siliconix Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

  • Комутація навантажень у колах постійної напруги до 30 В.
  • Силові ключі з керуванням від 4.5–10 В (низькі втрати на провід).
  • Загальні вузли керування живленням та перетворення постійної напруги.
  • Компактні рішення у корпусі SOT‑23 з обмеженнями по тепловідводу.

Сумісні позначення та альтернативи

Прямі альтернативи не наведені у даташиті. Для заміни підбирайте MOSFET з корпусом SOT‑23, VDS 30 В, RDS(on) не гірше 65 мΩ при VGS=4.5 В та співставним безперервним струмом.

Питання-відповіді (FAQ)

Який реальний безперервний струм без радіатора?

За сталого режиму при TA=25 °C — до 3.16 А (PD=0.75 Вт). Для короткочасного режиму (t ≤ 5 с) допускається до 4.0 А при TA=25 °C. Дотримуйтесь теплових обмежень за RthJA.

Чи можна керувати затвором від 5 В логіки?

Так, у специфікації наведено RDS(on) при VGS=4.5 В (0.065 Ω макс.), що відповідає керуванню від 5 В.

Які граничні напруги для затвора?

Максимальна напруга між затвором і витоком становить ±20 В.

Характеристики
Основні
Максимальна напруга
30 V
Максимальний струм
3.5 А
Полярність
N-канальний MOSFET
Тип корпусу
SOT-23
Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді
Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.

Ви дивилися
SMD резистор 0805 5% (1М-2М)
Код товару: 5113
В наявності
0
1.00 грн
Конденсатор електролітичний 10V 2200 uF 10 х 17 мм
Код товару: 5225
В наявності
0
4.00 грн
Модуль магнітний датчик із герконом
Код товару: 1380
В наявності
0
28.00 грн