Транзистор SMD SI2306 (A6SHB) SOT23 корпус (3.5A 30V)
Si2306BDS N‑канальный MOSFET SOT‑23
Компактный N‑канальный TrenchFET MOSFET в корпусе SOT‑23 с низким сопротивлением канала и малым зарядом затвора для эффективной коммутации в схемах до 30 В.
Основные преимущества
0.047 Ω @ VGS=10 В и 0.065 Ω @ VGS=4.5 В — меньшие потери на проводимость и нагрев.
Qg типично 3.0 нКл — быстрое переключение и более низкие потери переключения.
100% тест Rg и UIS согласно спецификации производителя.
RthJA до 60 °C/Вт (t ≤ 5 с) и 130–166 °C/Вт в установившемся режиме — предсказуемый теплоотвод для SOT‑23.
Ключевые характеристики
| Тип: | N‑канальный MOSFET (Single) |
|---|---|
| Производитель: | Vishay Siliconix |
| Маркировка модели: | Si2306BDS |
| Корпус: | SOT‑23 (TO‑236) |
| Напряжение сток‑исток VDS (макс.): | 30 В |
| Напряжение затвор‑исток VGS (макс.): | ±20 В |
| Ток стока ID (непрерывный, 25 °C, steady state): | 3.16 А |
| Ток стока ID (непрерывный, 25 °C, t ≤ 5 с): | 4.0 А |
| Импульсный ток стока IDM (макс.): | 20 А |
| RDS(on) (макс.) @ VGS=10 В, ID=3.5 А: | 0.047 Ω |
| RDS(on) (макс.) @ VGS=4.5 В, ID=2.8 А: | 0.065 Ω |
| Рассеиваемая мощность PD (25 °C, steady state): | 0.75 Вт |
| Заряд затвора Qg (тип.): | 3.0 нКл |
| Порог VGS(th): | 1.0–3.0 В |
| Прямое падение на диоде VSD @ IS=1.25 А: | 0.8–1.2 В |
| Тепловое сопротивление RthJA (steady state): | 130–166 °C/Вт |
Детальные технические параметры
- Емкости (VDS=15 В, VGS=0 В, f=1 МГц): Ciss ≈ 305 пФ, Coss ≈ 65 пФ, Crss ≈ 29 пФ.
- Заряды: Qgs ≈ 1.6 нКл, Qgd ≈ 0.6 нКл; сопротивление затвора Rg = 2.0–7.5 Ω @ 1 МГц.
- Временные параметры (VDD=15 В, RL=15 Ω, ID≈1 А, Rg=6 Ω): td(on) 7–11 нс, tr 12–18 нс, td(off) 14–25 нс, tf 6–10 нс.
- Ток диода (непрерывный): 0.62 А (steady state) / 1.04 А (t ≤ 5 с).
- Диапазон температур эксплуатации/хранения: −55…+150 °C.
- Тепловое сопротивление «кристалл‑вывод (сток)» RthJF: 60–75 °C/Вт (steady state).
Основные области применения
- Коммутация нагрузок в цепях постоянного напряжения до 30 В.
- Силовые ключи с управлением от 4.5–10 В (низкие потери на проводимость).
- Общие узлы управления питанием и преобразование постоянного напряжения.
- Компактные решения в корпусе SOT‑23 с ограничениями по теплоотводу.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы и ответы (FAQ)
В установившемся режиме при TA=25 °C — до 3.16 А (PD=0.75 Вт). Для кратковременного режима (t ≤ 5 с) допускается до 4.0 А при TA=25 °C. Соблюдайте тепловые ограничения по RthJA.
Да, в спецификации приведен RDS(on) при VGS=4.5 В (0.065 Ω макс.), что соответствует управлению от 5 В.
Максимальное напряжение между затвором и истоком составляет ±20 В.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.