Транзистор PNP біполярний S8550D (40V 0.5A) корпус TO-92
Транзистор PNP S8550D TO-92
Біполярний малосигнальний PNP транзистор для підсилення та комутації у низьковольтних схемах, з безперервним струмом до 0.5 А та транзитною частотою 150 МГц.
Основні переваги
Забезпечує впевнену роботу в малопотужних комутаційних і підсилювальних каскадах.
VCE(sat) до −0.6 В при IC = −500 мА, IB = −50 мА для зменшення втрат.
Робота переходу від −55°C до +150°C, що підвищує надійність у різних умовах.
MSL 1, епоксид UL94 V‑0; RoHS. Доступна безгалогенова версія (‑HF).
Ключові характеристики
| Полярність: | PNP |
|---|---|
| Корпус: | TO‑92 |
| Розпайка виводів (TO‑92): | 1 — Емітер, 2 — База, 3 — Колектор |
| VCEO (макс.): | −25 В |
| VCBO (макс.): | −40 В |
| VEBO (макс.): | −5 В |
| IC (безперервний): | −0.5 А |
| Розсіювання потужності (TA = 25°C): | 625 мВт |
| hFE (клас D): | 160–300 (VCE = −1 В, IC = −50 мА) |
| fT (тип.): | 150 МГц |
| VCE(sat) (макс.): | −0.6 В @ IC = −500 мА, IB = −50 мА |
| VBE(sat) (макс.): | −1.2 В @ IC = −500 мА, IB = −50 мА |
| Тепловий опір, перехід‑навколишнє: | ≈ 200 °C/Вт |
| Діапазон температур переходу: | −55…+150 °C |
Детальні технічні параметри
- Групи підсилення за постійним струмом: B (85–150), C (120–200), D (160–300); hFE(1) вимірюється при VCE = −1 В, IC = −50 мА.
- ICBO (макс.): −0.1 μА @ VCB = −40 В; ICEO (макс.): −0.2 μА @ VCE = −20 В; IEBO (макс.): −0.1 μА @ VEB = −3 В.
- Транзитна частота вимірюється при VCE = −6 В, IC = −20 мА; f = 30 МГц (умови вимірювання для fT).
- Примітка щодо напруг: VCBO = −40 В (база відкрита), тоді як робоча VCEO = −25 В; перевищення VCEO в колектор‑емітерному режимі неприпустиме.
Основні сфери застосування
- Малосигнальні підсилювальні каскади загального призначення.
- Комутація навантажень у низьковольтних схемах при струмах до 0.5 А.
- Загальні дискретні рішення у побутовій та навчальній електроніці.
Сумісні позначення та альтернативи
Питання-відповіді (FAQ)
Ні. 40 В (VCBO) допускається лише між колектором і базою при відкритій базі. Робоча гранична напруга колектор‑емітер (VCEO) становить −25 В.
За даташитом: 1 — Емітер, 2 — База, 3 — Колектор.
Для групи D hFE становить 160–300 при VCE = −1 В та IC = −50 мА; доступні також групи B та C з нижчими діапазонами.
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.