Транзистор PNP биполярный S8550D (40V 0.5A) корпус TO-92

Страна-производитель: Китай Код товара: 5561

Все о товаре

Описание

Характеристики

Отзывы 0

Вопросы0

Транзистор PNP биполярный S8550D (40V 0.5A) корпус TO-92

Есть в наличии

Код товара: 5561

1.50 грн

Нашли дешевле?

Максимальное напряжение:40 В

Максимальный ток:0.5 А

Полярность:PNP

Тип корпуса:TO-92

Доставка

Новой почтой в отделения и почтоматы

от 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фиксировано 49 грн

Укрпочтой в отделение по Украине

от 45 ₴

Meest Express

от 60 ₴

Оплата

Оплата картой

Перевод на карточку

Оплата на IBAN

Безналичный расчет

Наложенный платеж

Гарантийные положения

Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются

Транзистор PNP биполярный S8550D (40V 0.5A) корпус TO-92

Код товара: 5561

1.50 грн

Описание

Транзистор PNP S8550D TO-92

Биполярный малосигнальный PNP транзистор для усиления и коммутации в низковольтных схемах, с непрерывным током до 0.5 А и транзитной частотой 150 МГц.

Основные преимущества

Ток коллектора до 0.5 А

Обеспечивает уверенную работу в маломощных коммутационных и усилительных каскадах.

Низкое насыщение

VCE(sat) до −0.6 В при IC = −500 мА, IB = −50 мА для уменьшения потерь.

Широкий температурный диапазон

Работа перехода от −55°C до +150°C, что повышает надежность в разных условиях.

Соответствие стандартам

MSL 1, эпоксид UL94 V‑0; RoHS. Доступна безгалогеновая версия (‑HF).

Ключевые характеристики

Полярность:	PNP
Корпус:	TO‑92
Распайка выводов (TO‑92):	1 — Эмиттер, 2 — База, 3 — Коллектор
VCEO (макс.):	−25 В
VCBO (макс.):	−40 В
VEBO (макс.):	−5 В
IC (непрерывный):	−0.5 А
Рассеивание мощности (TA = 25°C):	625 мВт
hFE (класс D):	160–300 (VCE = −1 В, IC = −50 мА)
fT (тип.):	150 МГц
VCE(sat) (макс.):	−0.6 В @ IC = −500 мА, IB = −50 мА
VBE(sat) (макс.):	−1.2 В @ IC = −500 мА, IB = −50 мА
Тепловое сопротивление, переход‑окружающая среда:	≈ 200 °C/Вт
Диапазон температур перехода:	−55…+150 °C

Детальные технические параметры

Группы усиления по постоянному току: B (85–150), C (120–200), D (160–300); hFE(1) измеряется при VCE = −1 В, IC = −50 мА.
ICBO (макс.): −0.1 μА @ VCB = −40 В; ICEO (макс.): −0.2 μА @ VCE = −20 В; IEBO (макс.): −0.1 μА @ VEB = −3 В.
Транзитная частота измеряется при VCE = −6 В, IC = −20 мА; f = 30 МГц (условия измерения для fT).
Примечание относительно напряжений: VCBO = −40 В (база открыта), тогда как рабочая VCEO = −25 В; превышение VCEO в коллектор‑эмиттерном режиме недопустимо.

Примечание: параметры основаны на документации Micro Commercial Components для S8550 (TO‑92). Источник: Micro Commercial Components Datasheet (PDF).

Основные области применения

Малосигнальные усилительные каскады общего назначения.
Коммутация нагрузок в низковольтных схемах при токах до 0.5 А.
Общие дискретные решения в бытовой и учебной электронике.

Совместимые обозначения и альтернативы

Транзисторы с маркировкой S8550 от других производителей в корпусе TO‑92 обычно имеют схожие предельные параметры (VCEO ≈ −25 В, IC ≈ −0.5 А). Перед заменой обязательно сверяйте конкретные значения VCEO, hFE и условия измерения в их даташитах.

Вопросы-ответы (FAQ)

Можно ли использовать транзистор при 40 В между коллектором и эмиттером?

Нет. 40 В (VCBO) допускается только между коллектором и базой при открытой базе. Рабочее предельное напряжение коллектор‑эмиттер (VCEO) составляет −25 В.

Какова распайка выводов в корпусе TO‑92?

По даташиту: 1 — Эмиттер, 2 — База, 3 — Коллектор.

Каковы типичные показатели усиления?

Для группы D hFE составляет 160–300 при VCE = −1 В и IC = −50 мА; доступны также группы B и C с более низкими диапазонами.

Характеристики

Основные

Максимальное напряжение

40 В

Максимальный ток

0.5 А

Полярность

PNP