

NPN епітаксіальний силіконовий транзистор у корпусі TO‑220‑3, призначений зокрема для виходу вертикальної розгортки телевізорів; комплементарний до KSA940.
VCBO = 150 В та VCEO = 150 В забезпечують роботу у високовольтних каскадах.
Розсіювання колектора до 25 Вт (TC = 25°C) дає теплову стійкість у корпусі TO‑220‑3.
VCE(sat) ≤ 1 В при IC = 0.5 А, IB = 50 мА знижує тепловиділення у ключових режимах.
Коефіцієнт hFE 40…140 (класи H1/H2) для узгодження з різними схемами.
Полярність: | NPN |
---|---|
Технологія: | Епітаксіальний кремній |
Корпус: | TO‑220‑3LD (Case 340AT) |
Розташування виводів: | 1‑B, 2‑C, 3‑E |
VCEO (мін): | 150 В |
VCBO (макс): | 150 В |
VEBO (макс): | 5 В |
IC (макс): | 1.5 А |
PC (TC = 25°C): | 25 Вт |
VCE(sat) (макс): | 1 В (IC = 0.5 А, IB = 50 мА) |
hFE (VCE = 10 В, IC = 0.5 А): | мін 40, тип 75, макс 140 |
fT (типове): | 4 МГц |
Cob (типове): | 50 пФ (VCB = 10 В, f = 1 МГц) |
TJ (макс): | 150°C |
Tзбер: | −55…150°C |
Особливість: | Призначений для TV Vertical Deflection Output |
Для корпусу TO‑220‑3LD: 1 — база, 2 — колектор, 3 — емітер.
Так, BVCEO (мінімальне) становить 150 В за умовами випробування IC = 10 мА, IB = 0.
PC = 25 Вт при TC = 25°C; максимальна температура переходу TJ = 150°C.
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.