Транзистор NPN біполярний S8050D (40V 0.5A) корпус TO-92
Транзистор NPN S8050D TO-92
Кремнієвий біполярний NPN-транзистор у корпусі TO‑92 з класифікацією коефіцієнта підсилення за струмом hFE групи D, розрахований на безперервний колекторний струм до 0.5 А та VCEO 25 В.
Основні переваги
Класифікація hFE: 160–300 при VCE=1 В, IC=50 мА — зручно для вибору транзистора з потрібним коефіцієнтом підсилення.
VCE(sat) 0.6 В при IC=500 мА, IB=50 мА — менші втрати й нижчий нагрів у ключових режимах.
fT 150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц) забезпечує роботу в широкому частотному діапазоні малосигнальних схем.
Робочий діапазон температур −55…+150 °C, MSL 1, безсвинцеве RoHS‑покриття; доступна безгалогенова версія «‑HF», епоксид UL 94 V‑0.
Ключові характеристики
| Тип | NPN біполярний транзистор |
|---|---|
| Корпус | TO‑92 |
| Розташування виводів (пласкою стороною до себе) | 1‑Емітер, 2‑База, 3‑Колектор |
| VCEO (макс.) | 25 В |
| VCBO (макс.) | 40 В |
| VEBO (макс.) | 5 В |
| IC (безперервний, макс.) | 0.5 А |
| Розсіювана потужність Pc (Ta=25 °C) | 0.625 Вт |
| fT (тип.) | 150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц) |
| VCE(sat) (макс.) | 0.6 В @ IC=500 мА, IB=50 мА |
| VBE(sat) (макс.) | 1.2 В @ IC=500 мА, IB=50 мА |
| hFE, ранг D | 160–300 @ VCE=1 В, IC=50 мА |
| hFE при високому струмі | 50 @ VCE=1 В, IC=500 мА |
| ICBO / ICEO / IEBO (макс.) | 0.1 μА / 0.1 μА / 0.1 μА |
| Тепловий опір RθJA | 200 °C/Вт |
| Діапазон температур | −55…+150 °C (робоча та зберігання) |
| Маркування на корпусі | «S8050» |
Детальні технічні параметри
- Класифікація hFE: B (85–150), C (120–200), D (160–300) при VCE=1 В, IC=50 мА.
- Гранична частота передачі: fT=150 МГц при VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц.
- Насичення колектор‑емітер: VCE(sat)≤0.6 В при IC=500 мА, IB=50 мА.
- Насичення база‑емітер: VBE(sat)≤1.2 В при IC=500 мА, IB=50 мА.
- Струми витоків: ICBO≤0.1 μА (VCB=40 В), ICEO≤0.1 μА (VCE=20 В, IB=0), IEBO≤0.1 μА (VEB=3 В).
- Макс. напруги пробою: V(BR)CEO=25 В (IC=0.1 мА, IB=0), V(BR)CBO=40 В, V(BR)EBO=5 В (IE=100 μА).
- Робочий/складський температурний діапазон: −55…+150 °C; RθJA=200 °C/Вт.
- Корпус TO‑92; виводи: 1‑E, 2‑B, 3‑C (згідно креслення корпусу у даташиті).
- Відповідність: RoHS (безсвинцеве покриття), MSL 1; опція безгалогенового виконання «‑HF»; епоксид UL 94 V‑0.
Основні сфери застосування
- Вузли, що вимагають VCEO до 25 В та колекторного струму до 0.5 А у корпусі TO‑92.
- Схеми, де потрібен коефіцієнт підсилення hFE 160–300 (клас D) за умов VCE=1 В, IC=50 мА.
- Малосигнальні кола з частотами до 150 МГц відповідно до fT.
Сумісні позначення та альтернативи
Питання-відповіді (FAQ)
Літера «D» відповідає класифікації підсилення hFE рангу D: 160–300 при VCE=1 В, IC=50 мА (за таблицею класифікації hFE).
Максимальна безперервна IC=0.5 А; VCEO=25 В, VCBO=40 В, VEBO=5 В (Ta=25 °C).
Перехідна частота fT=150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц); VCE(sat)≤0.6 В при IC=500 мА, IB=50 мА.
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.