Увага! 01.11.25(субота ) та 02.11.25(неділя) - вихідні, відвантаженння товару не буде. 
Каталог товарів
Клієнту
Тема сайту:
+38 (066) 305-77-25
Наша адреса
Харків, тимчасово - доставка тільки Новою Поштою, УкрПоштою, МістЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефони
Графік роботи
  • Пн-Пт: з 9 до 18
  • Сб: з 10 до 17
  • Нд: з 11 до 16
E-mail
Ми в соцмережах
Перейти до контактів
0 0
Каталог
Головна
Закладки
0
Порівняти
0
Контакти

Транзистор NPN біполярний S8050D (40V 0.5A) корпус TO-92

Країна-виробник: Китай Код товару: 5566
0
Все про товар
Опис
Характеристики
Відгуки 0
Питання0
В наявності
Код товару: 5566
1.50 грн
Знайшли дешевше?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Максимальна напруга:40 В
Максимальний струм:0.5 А
Полярність:NPN
Тип корпусу:TO-92
Доставка
Новою Поштою у відділення та поштомати
Новою Поштою у відділення та поштомати
від 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фіксована 49грн
Укрпоштою у відділення по Україні
Укрпоштою у відділення по Україні
від 45 ₴
Meest Express
Meest Express
від 60 ₴
Оплата
Оплата карткою Оплата карткою
Переказ на картку Переказ на картку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безготівковий розрахунок Безготівковий розрахунок
Післяплата Післяплата
Гарантійні положення
Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються
Транзистор NPN біполярний S8050D (40V 0.5A) корпус TO-92
Код товару: 5566
1.50 грн
Опис

Транзистор NPN S8050D TO-92

Кремнієвий біполярний NPN-транзистор у корпусі TO‑92 з класифікацією коефіцієнта підсилення за струмом hFE групи D, розрахований на безперервний колекторний струм до 0.5 А та VCEO 25 В.

Основні переваги

Висока група підсилення (ранг D)

Класифікація hFE: 160–300 при VCE=1 В, IC=50 мА — зручно для вибору транзистора з потрібним коефіцієнтом підсилення.

Низька напруга насичення

VCE(sat) 0.6 В при IC=500 мА, IB=50 мА — менші втрати й нижчий нагрів у ключових режимах.

Висока гранична частота

fT 150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц) забезпечує роботу в широкому частотному діапазоні малосигнальних схем.

Надійність та відповідність стандартам

Робочий діапазон температур −55…+150 °C, MSL 1, безсвинцеве RoHS‑покриття; доступна безгалогенова версія «‑HF», епоксид UL 94 V‑0.

Ключові характеристики

ТипNPN біполярний транзистор
КорпусTO‑92
Розташування виводів (пласкою стороною до себе)1‑Емітер, 2‑База, 3‑Колектор
VCEO (макс.)25 В
VCBO (макс.)40 В
VEBO (макс.)5 В
IC (безперервний, макс.)0.5 А
Розсіювана потужність Pc (Ta=25 °C)0.625 Вт
fT (тип.)150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц)
VCE(sat) (макс.)0.6 В @ IC=500 мА, IB=50 мА
VBE(sat) (макс.)1.2 В @ IC=500 мА, IB=50 мА
hFE, ранг D160–300 @ VCE=1 В, IC=50 мА
hFE при високому струмі50 @ VCE=1 В, IC=500 мА
ICBO / ICEO / IEBO (макс.)0.1 μА / 0.1 μА / 0.1 μА
Тепловий опір RθJA200 °C/Вт
Діапазон температур−55…+150 °C (робоча та зберігання)
Маркування на корпусі«S8050»

Детальні технічні параметри

  • Класифікація hFE: B (85–150), C (120–200), D (160–300) при VCE=1 В, IC=50 мА.
  • Гранична частота передачі: fT=150 МГц при VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц.
  • Насичення колектор‑емітер: VCE(sat)≤0.6 В при IC=500 мА, IB=50 мА.
  • Насичення база‑емітер: VBE(sat)≤1.2 В при IC=500 мА, IB=50 мА.
  • Струми витоків: ICBO≤0.1 μА (VCB=40 В), ICEO≤0.1 μА (VCE=20 В, IB=0), IEBO≤0.1 μА (VEB=3 В).
  • Макс. напруги пробою: V(BR)CEO=25 В (IC=0.1 мА, IB=0), V(BR)CBO=40 В, V(BR)EBO=5 В (IE=100 μА).
  • Робочий/складський температурний діапазон: −55…+150 °C; RθJA=200 °C/Вт.
  • Корпус TO‑92; виводи: 1‑E, 2‑B, 3‑C (згідно креслення корпусу у даташиті).
  • Відповідність: RoHS (безсвинцеве покриття), MSL 1; опція безгалогенового виконання «‑HF»; епоксид UL 94 V‑0.
Примітка: параметри базуються на документації Micro Commercial Components (MCC) для S8050 (ранг підсилення D). Джерело: MCC Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

  • Вузли, що вимагають VCEO до 25 В та колекторного струму до 0.5 А у корпусі TO‑92.
  • Схеми, де потрібен коефіцієнт підсилення hFE 160–300 (клас D) за умов VCE=1 В, IC=50 мА.
  • Малосигнальні кола з частотами до 150 МГц відповідно до fT.

Сумісні позначення та альтернативи

У даташиті виробника альтернативні або сумісні позначення не наведені; добір можливих замін слід виконувати за параметрами цього документа.

Питання-відповіді (FAQ)

Що означає «S8050D» у назві?

Літера «D» відповідає класифікації підсилення hFE рангу D: 160–300 при VCE=1 В, IC=50 мА (за таблицею класифікації hFE).

Які граничні напруга та струм для цього транзистора?

Максимальна безперервна IC=0.5 А; VCEO=25 В, VCBO=40 В, VEBO=5 В (Ta=25 °C).

Яка типова швидкодія та напруга насичення?

Перехідна частота fT=150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц); VCE(sat)≤0.6 В при IC=500 мА, IB=50 мА.

Характеристики
Основні
Максимальна напруга
40 В
Максимальний струм
0.5 А
Полярність
NPN
Тип корпусу
TO-92
Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді
Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.