Транзистор NPN биполярный S8050D (40V 0.5A) корпус TO-92

Страна-производитель: Китай Код товара: 5566

Все о товаре

Описание

Характеристики

Отзывы 0

Вопросы0

Транзистор NPN биполярный S8050D (40V 0.5A) корпус TO-92

Есть в наличии

Код товара: 5566

1.50 грн

Нашли дешевле?

Максимальное напряжение:40 В

Максимальный ток:0.5 А

Полярность:NPN

Тип корпуса:TO-92

Доставка

Новой почтой в отделения и почтоматы

от 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фиксировано 49 грн

Укрпочтой в отделение по Украине

от 45 ₴

Meest Express

от 60 ₴

Оплата

Оплата картой

Перевод на карточку

Оплата на IBAN

Безналичный расчет

Наложенный платеж

Гарантийные положения

Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются

Транзистор NPN биполярный S8050D (40V 0.5A) корпус TO-92

Код товара: 5566

1.50 грн

Описание

Транзистор NPN S8050D TO-92

Кремниевый биполярный NPN-транзистор в корпусе TO‑92 с классификацией коэффициента усиления по току hFE группы D, рассчитанный на непрерывный коллекторный ток до 0.5 А и VCEO 25 В.

Основные преимущества

Высокая группа усиления (ранг D)

Классификация hFE: 160–300 при VCE=1 В, IC=50 мА — удобно для выбора транзистора с требуемым коэффициентом усиления.

Низкое напряжение насыщения

VCE(sat) 0.6 В при IC=500 мА, IB=50 мА — меньшие потери и более низкий нагрев в ключевых режимах.

Высокая граничная частота

fT 150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц) обеспечивает работу в широком частотном диапазоне малосигнальных схем.

Надежность и соответствие стандартам

Рабочий диапазон температур −55…+150 °C, MSL 1, бессвинцовое RoHS‑покрытие; доступна безгалогеновая версия «‑HF», эпоксид UL 94 V‑0.

Ключевые характеристики

Тип	NPN биполярный транзистор
Корпус	TO‑92
Расположение выводов (плоской стороной к себе)	1‑Эмиттер, 2‑База, 3‑Коллектор
VCEO (макс.)	25 В
VCBO (макс.)	40 В
VEBO (макс.)	5 В
IC (непрерывный, макс.)	0.5 А
Рассеиваемая мощность Pc (Ta=25 °C)	0.625 Вт
fT (тип.)	150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц)
VCE(sat) (макс.)	0.6 В @ IC=500 мА, IB=50 мА
VBE(sat) (макс.)	1.2 В @ IC=500 мА, IB=50 мА
hFE, ранг D	160–300 @ VCE=1 В, IC=50 мА
hFE при высоком токе	50 @ VCE=1 В, IC=500 мА
ICBO / ICEO / IEBO (макс.)	0.1 μА / 0.1 μА / 0.1 μА
Тепловое сопротивление RθJA	200 °C/Вт
Диапазон температур	−55…+150 °C (рабочая и хранение)
Маркировка на корпусе	«S8050»

Детальные технические параметры

Классификация hFE: B (85–150), C (120–200), D (160–300) при VCE=1 В, IC=50 мА.
Предельная частота передачи: fT=150 МГц при VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц.
Насыщение коллектор‑эмиттер: VCE(sat)≤0.6 В при IC=500 мА, IB=50 мА.
Насыщение база‑эмиттер: VBE(sat)≤1.2 В при IC=500 мА, IB=50 мА.
Токи утечек: ICBO≤0.1 μА (VCB=40 В), ICEO≤0.1 μА (VCE=20 В, IB=0), IEBO≤0.1 μА (VEB=3 В).
Макс. напряжения пробоя: V(BR)CEO=25 В (IC=0.1 мА, IB=0), V(BR)CBO=40 В, V(BR)EBO=5 В (IE=100 μА).
Рабочий/складской температурный диапазон: −55…+150 °C; RθJA=200 °C/Вт.
Корпус TO‑92; выводы: 1‑E, 2‑B, 3‑C (согласно чертежу корпуса в даташите).
Соответствие: RoHS (бессвинцовое покрытие), MSL 1; опция безгалогенового исполнения «‑HF»; эпоксид UL 94 V‑0.

Примечание: параметры основаны на документации Micro Commercial Components (MCC) для S8050 (ранг усиления D). Источник: MCC Datasheet (PDF).

Основные области применения

Узлы, требующие VCEO до 25 В и коллекторного тока до 0.5 А в корпусе TO‑92.
Схемы, где требуется коэффициент усиления hFE 160–300 (класс D) при условиях VCE=1 В, IC=50 мА.
Малосигнальные цепи с частотами до 150 МГц в соответствии с fT.

Совместимые обозначения и альтернативы

В даташите производителя альтернативные или совместимые обозначения не приведены; подбор возможных замен следует выполнять по параметрам данного документа.

Вопросы-ответы (FAQ)

Что означает «S8050D» в названии?

Буква «D» соответствует классификации усиления hFE ранга D: 160–300 при VCE=1 В, IC=50 мА (по таблице классификации hFE).

Каковы предельные напряжение и ток для этого транзистора?

Максимальный непрерывный IC=0.5 А; VCEO=25 В, VCBO=40 В, VEBO=5 В (Ta=25 °C).

Каковы типовые быстродействие и напряжение насыщения?

Переходная частота fT=150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц); VCE(sat)≤0.6 В при IC=500 мА, IB=50 мА.

SEO-метаданные (только если description = meta_title или meta_description): - meta_title: выведи ОДНУ строку БЕЗ пояснений; сохрани длину и структуру как в оригинале; НЕ добавляй и НЕ убирай ⭐ или другие символы. - meta_description: выведи ОДНУ строку БЕЗ пояснений; сохрани количество ⭐, структуру и длину максимально близко к оригиналу; ничего не добавляй и не выбрасывай. Формальные ограничения: - ВЫХОД: только переведенный текст (никаких комментариев или пояснений). - Если встречаются непереводимые токены (модель, код, артикул) — оставь их как есть. ОЧЕНЬ ВАЖНО!!! ВЫХОДНОЙ ТЕКСТ НЕ МОЖЕТ БЫТЬ ИДЕНТИЧНЫМ КАК НА ЯЗЫКЕ ОРИГИНАЛА, В ТАКОМ СЛУЧАЕ ПОМЕНЯЙ МЕСТАМИ ДАННЫЕ.

Характеристики

Основные

Максимальное напряжение

40 В

Максимальный ток

0.5 А

Полярность

NPN

Тип корпуса

TO-92

Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы

Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Транзистор NPN биполярный S8050D (40V 0.5A) корпус TO-92

Транзистор NPN S8050D TO-92

Основные преимущества

Ключевые характеристики

Детальные технические параметры

Основные области применения

Совместимые обозначения и альтернативы

Вопросы-ответы (FAQ)

Продовжимо солов'їною?