Ви дивилися
Каталог товарів
Клієнту
Тема сайту:
+38 (066) 305-77-25
Наша адреса
Харків, тимчасово - доставка тільки Новою Поштою, УкрПоштою, МістЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефони
Графік роботи
  • Пн-Пт: з 9 до 18
  • Сб: з 10 до 17
  • Нд: з 11 до 16
E-mail
Ми в соцмережах
Перейти до контактів
0 0
Каталог
Головна
Дивилися
1
Закладки
0
Порівняти
0
Контакти

Транзистор NPN біполярний BU508AF (700V 8A 34W) корпус TO-3PF

Країна-виробник: Китай Код товару: 5559
0
Все про товар
Опис
Характеристики
Відгуки 0
Питання0
В наявності
Код товару: 5559
60.00 грн
Знайшли дешевше?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Максимальна напруга:700 В
Максимальний струм:8 А
Полярність:NPN
Тип корпусу:TO-3PF
Доставка
Новою Поштою у відділення та поштомати
Новою Поштою у відділення та поштомати
від 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фіксована 49грн
Укрпоштою у відділення по Україні
Укрпоштою у відділення по Україні
від 45 ₴
Meest Express
Meest Express
від 60 ₴
Оплата
Оплата карткою Оплата карткою
Переказ на картку Переказ на картку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безготівковий розрахунок Безготівковий розрахунок
Післяплата Післяплата
Гарантійні положення
Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються
Транзистор NPN біполярний BU508AF (700V 8A 34W) корпус TO-3PF
Код товару: 5559
60.00 грн
Опис

Транзистор NPN біполярний BU508AF (700В 8А 50Вт) корпус TO-3PF

Високовольтний потужний NPN‑транзистор для рядкової розгортки стандартної чіткості CRT та імпульсних джерел живлення. Виконання в повністю ізольованому корпусі TO‑3PF (ISOWATT218FX) забезпечує електробезпеку та спрощує монтаж на радіатор.

Основні переваги

Ізольований корпус

Корпус ISOWATT218FX (TO‑3PF) повністю ізольований; витримує 2500 В RMS між виводами та радіатором, що спрощує кріплення на радіатор без ізолювальних прокладок.

Стабільні параметри

Стійкі характеристики при зміні температури та висока надійність у важких режимах горизонтального відхилення.

Низький базовий струм

Невисокі вимоги до струму керування базою зменшують навантаження на драйвер.

Контрольований hFE

Вузький розкид коефіцієнта підсилення струму в робочій області полегшує проєктування та забезпечує повторюваність.

Ключові характеристики

Тип:NPN біполярний потужний транзистор
Корпус:TO‑3PF (ISOWATT218FX)
VCEO (sustaining):700 В
VCES (VBE=0):1500 В
VEBO:9 В
IC (безперервний):8 А
ICM (піковий, tP < 5 мс):15 А
IB (макс.):4 А
Розсіювана потужність Ptot:50 Вт (при Tc = 25°C)
Тепловий опір Rth(j‑c):2.5 °C/Вт (макс.)
Ізоляція корпус‑радіатор:2500 В RMS
hFE (DC, типові межі):10…30 (IC = 0.1 А, VCE = 5 В); ≥5 (IC = 4.5 А, VCE = 5 В)
VCE(sat) (макс.):1 В (IC = 4.5 А, IB = 1.6 А)
VBE(sat) (тип.):1.1 В (IC = 4.5 А, IB = 2 А)
I CES (витік колектора):0.2 мА (VCE = 1500 В, 25°C); 2 мА (VCE = 1500 В, Tc = 125°C)
Час зберігання ts:2.5 мкс (індуктивне навантаження, умови за даташитом)
Час спаду tf:0.2 мкс (індуктивне навантаження, умови за даташитом)
Діапазон температур:Tj до +150°C; Tstg −65…+150°C

Детальні технічні параметри

  • Призначення: горизонтальний вихід (рядкова розгортка) для CRT‑ТВ; SMPS для CRT‑ТВ.
  • Технологія: planar із дифузійним колектором (“Enhanced generation”).
  • Внутрішня схема: однотранзисторна структура без інтегрованого демпферного діода.
  • Безпека: повністю ізольований фланець; випробувальна напруга ізоляції 2500 В RMS.
  • Електричні межі: VCES 1500 В; VCEO(sus) 700 В; VEBO 9 В.
  • Струми: IC 8 А пост.; ICM 15 А (tP < 5 мс); IB макс. 4 А.
  • Втрати та насичення: VCE(sat) ≤ 1 В при IC = 4.5 А, IB = 1.6 А; VBE(sat) ≈ 1.1 В при IC = 4.5 А, IB = 2 А.
  • Перемикання (індуктивне навантаження, f ≈ 16 кГц): ts ≈ 2.5 мкс; tf ≈ 0.2 мкс.
  • Термопараметри: Ptot 50 Вт (Tc = 25°C); Rth(j‑c) 2.5 °C/Вт.
Примітка: параметри базуються на документації STMicroelectronics для BU508AF. Джерело: STMicroelectronics Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

  • Рядкова розгортка стандартної чіткості в кольорових телевізорах (CRT).
  • Імпульсні блоки живлення в апаратурі з ЕПТ.

Сумісні позначення та альтернативи

Прямих офіційних замін у даташиті не вказано. Підбір альтернатив виконуйте за ключовими параметрами (VCEO 700 В, IC 8 А, Ptot 50 Вт) та ідентичним ізольованим корпусом ISOWATT218FX/TO‑3PF.

Питання-відповіді (FAQ)

Чи є у BU508AF вбудований демпферний діод?

Ні. Згідно з внутрішньою схемою в даташиті, інтегрованого діода немає; демпфер реалізують зовнішніми елементами схеми.

Чи потрібен радіатор для 50 Вт?

Значення Ptot = 50 Вт наведене для Tc = 25°C, тому для роботи поблизу цієї потужності необхідне ефективне тепловідведення та контроль температури корпуса.

Чи ізольований фланець від електричних виводів?

Так, корпус повністю ізольований; випробувальна напруга ізоляції становить 2500 В RMS між виводами та радіатором.

Характеристики
Основні
Максимальна напруга
700 В
Максимальний струм
8 А
Полярність
NPN
Тип корпусу
TO-3PF
Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді
Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.

Ви дивилися
Транзистор NPN біполярний BC547 (45V 100mA) корпус TO-92
Код товару: 5557
В наявності
0
2.00 грн