Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
[email protected]
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

Транзистор NPN биполярный BU508AF (700V 8A 34W) корпус TO-3PF

Страна-производитель: Китай Код товара: 5559
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы0
Транзистор NPN биполярный BU508AF (700V 8A 34W) корпус TO-3PF
Есть в наличии
Код товара: 5559
60.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Максимальное напряжение:700 В
Максимальный ток:8 А
Полярность:NPN
Тип корпуса:TO-3PF
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы
Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине
Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express
Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
Транзистор NPN биполярный BU508AF (700V 8A 34W) корпус TO-3PF
Код товара: 5559
60.00 грн
Описание

Транзистор NPN биполярный BU508AF (700В 8А 50Вт) корпус TO-3PF

Высоковольтный мощный NPN‑транзистор для строчной развертки стандартной четкости CRT и импульсных источников питания. Исполнение в полностью изолированном корпусе TO‑3PF (ISOWATT218FX) обеспечивает электробезопасность и упрощает монтаж на радиатор.

Основные преимущества

Изолированный корпус

Корпус ISOWATT218FX (TO‑3PF) полностью изолирован; выдерживает 2500 В RMS между выводами и радиатором, что упрощает крепление на радиатор без изолирующих прокладок.

Стабильные параметры

Устойчивые характеристики при изменении температуры и высокая надежность в тяжелых режимах горизонтального отклонения.

Низкий базовый ток

Невысокие требования к току управления базой уменьшают нагрузку на драйвер.

Контролируемый hFE

Узкий разброс коэффициента усиления тока в рабочей области облегчает проектирование и обеспечивает повторяемость.

Ключевые характеристики

Тип:NPN биполярный мощный транзистор
Корпус:TO‑3PF (ISOWATT218FX)
VCEO (sustaining):700 В
VCES (VBE=0):1500 В
VEBO:9 В
IC (непрерывный):8 А
ICM (пиковый, tP < 5 мс):15 А
IB (макс.):4 А
Рассеиваемая мощность Ptot:50 Вт (при Tc = 25°C)
Тепловое сопротивление Rth(j‑c):2.5 °C/Вт (макс.)
Изоляция корпус‑радиатор:2500 В RMS
hFE (DC, типовые пределы):10…30 (IC = 0.1 А, VCE = 5 В); ≥5 (IC = 4.5 А, VCE = 5 В)
VCE(sat) (макс.):1 В (IC = 4.5 А, IB = 1.6 А)
VBE(sat) (тип.):1.1 В (IC = 4.5 А, IB = 2 А)
I CES (ток утечки коллектора):0.2 мА (VCE = 1500 В, 25°C); 2 мА (VCE = 1500 В, Tc = 125°C)
Время хранения ts:2.5 мкс (индуктивная нагрузка, условия по даташиту)
Время спада tf:0.2 мкс (индуктивная нагрузка, условия по даташиту)
Диапазон температур:Tj до +150°C; Tstg −65…+150°C

Детальные технические параметры

  • Назначение: горизонтальный выход (строчная развертка) для CRT‑ТВ; SMPS для CRT‑ТВ.
  • Технология: planar с диффузионным коллектором (“Enhanced generation”).
  • Внутренняя схема: однотранзисторная структура без интегрированного демпферного диода.
  • Безопасность: полностью изолированный фланец; испытательное напряжение изоляции 2500 В RMS.
  • Электрические пределы: VCES 1500 В; VCEO(sus) 700 В; VEBO 9 В.
  • Токи: IC 8 А пост.; ICM 15 А (tP < 5 мс); IB макс. 4 А.
  • Потери и насыщение: VCE(sat) ≤ 1 В при IC = 4.5 А, IB = 1.6 А; VBE(sat) ≈ 1.1 В при IC = 4.5 А, IB = 2 А.
  • Переключение (индуктивная нагрузка, f ≈ 16 кГц): ts ≈ 2.5 мкс; tf ≈ 0.2 мкс.
  • Термопараметры: Ptot 50 Вт (Tc = 25°C); Rth(j‑c) 2.5 °C/Вт.
Примечание: параметры базируются на документации STMicroelectronics для BU508AF. Источник: STMicroelectronics Datasheet (PDF).

Основные области применения

  • Строчная развертка стандартной четкости в цветных телевизорах (CRT).
  • Импульсные блоки питания в аппаратуре с ЭЛТ.

Совместимые обозначения и альтернативы

Прямых официальных замен в даташите не указано. Подбор альтернатив выполняйте по ключевым параметрам (VCEO 700 В, IC 8 А, Ptot 50 Вт) и идентичному изолированному корпусу ISOWATT218FX/TO‑3PF.

Вопросы-ответы (FAQ)

Есть ли у BU508AF встроенный демпферный диод?

Нет. Согласно внутренней схеме в даташите, интегрированного диода нет; демпфер реализуют внешними элементами схемы.

Нужен ли радиатор для 50 Вт?

Значение Ptot = 50 Вт приведено для Tc = 25°C, поэтому для работы вблизи этой мощности необходим эффективный теплоотвод и контроль температуры корпуса.

Изолирован ли фланец от электрических выводов?

Да, корпус полностью изолирован; испытательное напряжение изоляции составляет 2500 В RMS между выводами и радиатором.

Характеристики
Основные
Максимальное напряжение
700 В
Максимальный ток
8 А
Полярность
NPN
Тип корпуса
TO-3PF
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Продовжимо солов'їною?

Оберіть мову