Транзистор NPN біполярний SS8050D (40V 0.5A) корпус TO-92
SS8050D транзистор NPN TO-92
Біполярний NPN транзистор загального призначення у корпусі TO‑92 з високою групою підсилення D, придатний для підсилювальних каскадів і комутації у малопотужних схемах у межах зазначених характеристик.
Основні переваги
Класифікація hFE D: 160–300 при VCE=1 В, IC=50 мА — полегшує досягнення потрібного коефіцієнта підсилення у типовому ввімкненні.
VCE(sat) ≈ 0.6 В за IC=500 мА, IB=50 мА — менші втрати у режимі ключа.
Гранична частота fT близько 150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц) — стабільна робота у широкій смузі.
Робочий/зберігання: −55…+150 °C — придатний для більшості побутових і промислових умов.
Ключові характеристики
| Полярність: | NPN |
|---|---|
| Корпус: | TO‑92 |
| Розпиновка TO‑92: | 1‑Emitter (E), 2‑Base (B), 3‑Collector (C) |
| Макс. струм колектора IC: | 500 мА |
| Макс. напруга колектор‑емітер VCEO: | 25 В |
| Макс. напруга колектор‑база VCBO: | 40 В |
| Макс. напруга емітер‑база VEBO: | 5 В |
| Розсіювана потужність (TA=25 °C): | 625 мВт |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група D): | 160–300 @ VCE=1 В, IC=50 мА |
| hFE при високому струмі: | ≥50 @ VCE=1 В, IC=500 мА |
| Гранична частота fT: | ≈150 МГц @ VCE=6 В, IC=20 мА |
| VCE(sat): | ≈0.6 В @ IC=500 мА, IB=50 мА |
| VBE(sat): | ≈1.2 В @ IC=500 мА, IB=50 мА |
| Струми витоку (типові межі): | ICBO, ICEO, IEBO ≤ 0.1 µА за умов, наведених у даташиті |
| Тепловий опір RθJA: | ≈200 °C/Вт |
| Діапазон температур: | −55…+150 °C |
| Маркування на корпусі: | “S8050” |
Детальні технічні параметри
- Класифікація підсилення: B (85–150), C (120–200), D (160–300); дана позиція відповідає групі D.
- V(BR)CEO = 25 В (IC=0.1 мА, IB=0); V(BR)CBO = 40 В (IC=100 µА, IE=0); V(BR)EBO = 5 В (IE=100 µА, IC=0).
- Leakage: ICEO ≤ 0.1 µА @ VCE=20 В, IB=0; ICBO ≤ 0.1 µА @ VCB=40 В; IEBO ≤ 0.1 µА @ VEB=3 В.
- Робочі графіки: наведені криві для β, VCE(sat), VBE(sat) та дерейтінгу потужності (див. розділ “Curve Characteristics”).
- Матеріал і конструкція: кремнієвий біполярний транзистор у пластиковому корпусі TO‑92.
Основні сфери застосування
- Підсилювальні каскади малих сигналів у загального призначення схемах (відповідно до параметрів hFE та fT).
- Комутація навантажень до 0.5 А в межах лімітів VCEO/PD.
- Транзисторні ключі, драйвери індикаторів та інші дискретні вузли.
Сумісні позначення та альтернативи
Питання-відповіді (FAQ)
Згідно з даташитом: 1‑E (емітер), 2‑B (база), 3‑C (колектор).
Ні. 40 В — це межа VCBO (колектор‑база). Максимальна напруга колектор‑емітер VCEO становить 25 В.
Це група підсилення струму hFE “D”, що відповідає діапазону 160–300 при VCE=1 В та IC=50 мА.
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.