Транзистор NPN биполярный SS8050D (40V 0.5A) корпус TO-92
SS8050D транзистор NPN TO-92
Биполярный NPN транзистор общего назначения в корпусе TO‑92 с высокой группой усиления D, пригоден для усилительных каскадов и коммутации в маломощных схемах в пределах указанных характеристик.
Основные преимущества
Классификация hFE D: 160–300 при VCE=1 В, IC=50 мА — упрощает достижение требуемого коэффициента усиления в типовом включении.
VCE(sat) ≈ 0.6 В при IC=500 мА, IB=50 мА — меньшие потери в режиме ключа.
Предельная частота fT около 150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц) — стабильная работа в широкой полосе.
Рабочий/хранение: −55…+150 °C — пригоден для большинства бытовых и промышленных условий.
Ключевые характеристики
| Полярность: | NPN |
|---|---|
| Корпус: | TO‑92 |
| Распиновка TO‑92: | 1‑Эмиттер (E), 2‑База (B), 3‑Коллектор (C) |
| Макс. ток коллектора IC: | 500 мА |
| Макс. напряжение коллектор‑эмиттер VCEO: | 25 В |
| Макс. напряжение коллектор‑база VCBO: | 40 В |
| Макс. напряжение эмиттер‑база VEBO: | 5 В |
| Рассеиваемая мощность (TA=25 °C): | 625 мВт |
| Коэффициент усиления hFE (группа D): | 160–300 @ VCE=1 В, IC=50 мА |
| hFE при высоком токе: | ≥50 @ VCE=1 В, IC=500 мА |
| Предельная частота fT: | ≈150 МГц @ VCE=6 В, IC=20 мА |
| VCE(sat): | ≈0.6 В @ IC=500 мА, IB=50 мА |
| VBE(sat): | ≈1.2 В @ IC=500 мА, IB=50 мА |
| Токи утечки (типичные пределы): | ICBO, ICEO, IEBO ≤ 0.1 µА при условиях, приведённых в даташите |
| Тепловое сопротивление RθJA: | ≈200 °C/Вт |
| Диапазон температур: | −55…+150 °C |
| Маркировка на корпусе: | “S8050” |
Детальные технические параметры
- Классификация усиления: B (85–150), C (120–200), D (160–300); данная позиция соответствует группе D.
- V(BR)CEO = 25 В (IC=0.1 мА, IB=0); V(BR)CBO = 40 В (IC=100 µА, IE=0); V(BR)EBO = 5 В (IE=100 µА, IC=0).
- Утечки: ICEO ≤ 0.1 µА @ VCE=20 В, IB=0; ICBO ≤ 0.1 µА @ VCB=40 В; IEBO ≤ 0.1 µА @ VEB=3 В.
- Рабочие графики: приведены кривые для β, VCE(sat), VBE(sat) и дерейтинга мощности (см. раздел “Curve Characteristics”).
- Материал и конструкция: кремниевый биполярный транзистор в пластиковом корпусе TO‑92.
Основные области применения
- Усилительные каскады малых сигналов в схемах общего назначения (в соответствии с параметрами hFE и fT).
- Коммутация нагрузок до 0.5 А в пределах лимитов VCEO/PD.
- Транзисторные ключи, драйверы индикаторов и другие дискретные узлы.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы-ответы (FAQ)
Согласно даташиту: 1‑E (эмиттер), 2‑B (база), 3‑C (коллектор).
Нет. 40 В — это предел VCBO (коллектор‑база). Максимальное напряжение коллектор‑эмиттер VCEO составляет 25 В.
Это группа усиления тока hFE “D”, соответствующая диапазону 160–300 при VCE=1 В и IC=50 мА.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.