


Биполярный NPN транзистор общего назначения в корпусе TO‑92 с высокой группой усиления D, пригоден для усилительных каскадов и коммутации в маломощных схемах в пределах указанных характеристик.
Классификация hFE D: 160–300 при VCE=1 В, IC=50 мА — упрощает достижение требуемого коэффициента усиления в типовом включении.
VCE(sat) ≈ 0.6 В при IC=500 мА, IB=50 мА — меньшие потери в режиме ключа.
Предельная частота fT около 150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц) — стабильная работа в широкой полосе.
Рабочий/хранение: −55…+150 °C — пригоден для большинства бытовых и промышленных условий.
Полярность: | NPN |
---|---|
Корпус: | TO‑92 |
Распиновка TO‑92: | 1‑Эмиттер (E), 2‑База (B), 3‑Коллектор (C) |
Макс. ток коллектора IC: | 500 мА |
Макс. напряжение коллектор‑эмиттер VCEO: | 25 В |
Макс. напряжение коллектор‑база VCBO: | 40 В |
Макс. напряжение эмиттер‑база VEBO: | 5 В |
Рассеиваемая мощность (TA=25 °C): | 625 мВт |
Коэффициент усиления hFE (группа D): | 160–300 @ VCE=1 В, IC=50 мА |
hFE при высоком токе: | ≥50 @ VCE=1 В, IC=500 мА |
Предельная частота fT: | ≈150 МГц @ VCE=6 В, IC=20 мА |
VCE(sat): | ≈0.6 В @ IC=500 мА, IB=50 мА |
VBE(sat): | ≈1.2 В @ IC=500 мА, IB=50 мА |
Токи утечки (типичные пределы): | ICBO, ICEO, IEBO ≤ 0.1 µА при условиях, приведённых в даташите |
Тепловое сопротивление RθJA: | ≈200 °C/Вт |
Диапазон температур: | −55…+150 °C |
Маркировка на корпусе: | “S8050” |
Согласно даташиту: 1‑E (эмиттер), 2‑B (база), 3‑C (коллектор).
Нет. 40 В — это предел VCBO (коллектор‑база). Максимальное напряжение коллектор‑эмиттер VCEO составляет 25 В.
Это группа усиления тока hFE “D”, соответствующая диапазону 160–300 при VCE=1 В и IC=50 мА.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.