Транзистор NCE82H140 корпус ТО-220

Name: Транзистор NCE82H140 корпус ТО-220
Brand: Китай
Price: 34.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Китай Код товару: 5574

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки 0

Питання0

Інструкція

новинка

В наявності

Код товару: 5574

34.00 грн

Знайшли дешевше?

Полярність:NPN

Тип корпусу:TO-220

Доставка

Новою Поштою у відділення та поштомати

від 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фіксована 49грн

Укрпоштою у відділення по Україні

від 45 ₴

Meest Express

від 60 ₴

Оплата

Оплата карткою

Переказ на картку

Оплата на IBAN

Безготівковий розрахунок

Післяплата

Гарантійні положення

Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються

Транзистор NCE82H140 корпус ТО-220

34.00 грн

Опис

🔌 Транзистор NCE82H140 корпус TO-220

N-канальний MOSFET 82В 140А, Ультранизький Опір 4.3мОм для Високоефективних Перетворювачів

Загальний опис

Транзистор NCE82H140 – це високопродуктивний N-канальний MOSFET, розроблений компанією NCE Power із використанням передової траншейної технології (Trench Technology). Цей потужний транзистор поєднує рекордно низький опір відкритого каналу (всього 4.3 мОм типово), надзвичайно високий струм стоку до 140А та оптимізовані параметри перемикання для максимальної енергоефективності. З робочою напругою 82В, NCE82H140 ідеально підходить для вимогливих застосувань, таких як високочастотні імпульсні джерела живлення, промислові інвертори, потужні драйвери двигунів та системи безперебійного живлення, де критично важливі мінімальні втрати потужності. Завдяки корпусу TO-220 з високою теплопровідністю та розсіюваною потужністю до 215 Вт, цей транзистор забезпечує оптимальний тепловий режим при максимальних навантаженнях, гарантуючи надійність та ефективність у найвимогливіших електронних системах.

✅ Технічні переваги:

• Рекордно низький опір відкритого каналу – всього 4.3 мОм (типово) при V_GS = 10В забезпечує мінімальні втрати потужності, підвищуючи ККД пристроїв до 98% та суттєво зменшуючи тепловиділення при високих струмах
• Надзвичайно високий струм стоку 140А – дозволяє комутувати потужні навантаження одним транзистором, спрощуючи конструкцію та підвищуючи надійність силових перетворювачів потужністю до 10 кВт без необхідності паралельного з'єднання
• Оптимізоване співвідношення ємностей – низьке співвідношення C_rss/C_iss (384пФ/7900пФ) мінімізує ефект Міллера, забезпечуючи швидше перемикання, менші динамічні втрати та ефективну роботу на високих частотах до 200 кГц
• Висока потужність розсіювання 215 Вт – забезпечує надійну роботу під значним навантаженням, а низький тепловий опір 0.68 °C/Вт гарантує ефективне відведення тепла при використанні відповідного радіатора
• Швидкодіючий зворотний діод – вбудований діод з часом відновлення лише 50 нс та струмом до 140А ідеально підходить для комутації індуктивних навантажень, зменшуючи потребу в додаткових захисних компонентах

🔧 Ідеальне рішення для:

Високоефективні DC-DC перетворювачі

Потужні серверні блоки живлення

Системи безперебійного живлення

Електромобільний транспорт

Промислові інвертори

H-мости для драйверів двигунів

Сонячні системи накопичення енергії

Аудіопідсилювачі класу D

💡 Широкі можливості застосування:

Надпотужні серверні блоки живлення – використовуйте NCE82H140 в синхронних понижуючих (buck) перетворювачах для серверних блоків живлення потужністю до 3 кВт. Завдяки надзвичайно низькому опору відкритого каналу (4.3 мОм) та високому струму (140А), цей транзистор дозволяє досягти ККД перетворення понад 96% навіть при високих струмах навантаження. Це суттєво знижує тепловиділення, підвищує щільність потужності та скорочує витрати на системи охолодження серверних стійок.
Електропривод для промислових та електротранспортних систем – створюйте високоефективні H-мостові інвертори для керування високопотужними BLDC-двигунами з напругою до 80В та струмом до 100А. Швидке перемикання та низькі втрати транзистора дозволяють реалізувати драйвери з частотою ШІМ до 50 кГц, що забезпечує плавне керування, високий крутний момент та мінімальне нагрівання в системах електромобілів, промислових автоматизованих лініях та робототехніці.
Високоефективні ДБЖ з подвійним перетворенням – імплементуйте NCE82H140 у інвертори систем безперебійного живлення з подвійним перетворенням потужністю 1-10 кВт. Завдяки високому струму та швидкодії транзистора можливо забезпечити миттєве перемикання між мережевим та батарейним живленням без просадок напруги, а також реалізувати активну корекцію потужності з ККД до 97%, що критично важливо для центрів обробки даних та медичного обладнання.
Зарядні станції для електромобілів – інтегруйте транзистор у високочастотні резонансні перетворювачі для зарядних станцій електромобілів з потужністю до 22 кВт. Низький опір відкритого каналу та висока здатність до розсіювання потужності забезпечують ефективне перетворення енергії навіть при тривалих циклах заряду, а висока напруга пробою 82В гарантує надійну роботу з урахуванням перехідних процесів у мережі.
Високоякісні аудіопідсилювачі класу D – розробляйте потужні цифрові аудіопідсилювачі з використанням NCE82H140 як ключового елементу вихідних каскадів. Швидке перемикання та малий опір відкритого каналу забезпечують мінімальні спотворення при частотах ШІМ до 500 кГц, а висока потужність розсіювання дозволяє створювати аудіосистеми потужністю до 1000 Вт на канал з ККД понад 92% без складних систем охолодження.

📦 Детальні технічні характеристики:

Тип транзистора: N-канальний MOSFET
Технологія: Траншейна (Trench)
Корпус: TO-220-3L
Максимальні параметри:
- Напруга стік-витік (V_DS): 82 В
- Напруга затвор-витік (V_GS): ±20 В
- Струм стоку (I_D): 140 А (при T_C = 25°C)
- Розсіювана потужність (P_D): 215 Вт (при T_C = 25°C)
- Температура переходу (T_J): 175°C
Електричні характеристики:
- Опір у відкритому стані (R_DS(on)): типово 4.3 мОм, максимум 6 мОм (при V_GS = 10 В, I_D = 20 А)
- Поріг увімкнення (V_GS(th)): 2.0–4.0 В
- Струм витоку стоку (I_DSS): ≤ 1 мкА (при V_DS = 82 В, V_GS = 0 В)
- Струм витоку затвора (I_GSS): ±100 нА (при V_GS = ±20 В)
- Вхідна ємність (C_iss): 7900 пФ (при V_DS = 40 В)
- Вихідна ємність (C_oss): 445 пФ
- Зворотна ємність (C_rss): 384 пФ
- Загальний заряд затвора (Q_g): 158 нКл
Часові характеристики перемикання:
- Затримка увімкнення (t_d(on)): 23 нс
- Час наростання (t_r): 42 нс
- Затримка вимкнення (t_d(off)): 75 нс
- Час спадання (t_f): 26 нс
Теплові характеристики:
- Тепловий опір перехід-корпус (R_θJC): 0.68 °C/Вт
- Діапазон робочих температур: від -55°C до +175°C
Характеристики вбудованого зворотного діода:
- Максимальний струм (I_S): 140 А
- Пряма напруга (V_SD): ≤ 1.2 В (при I_S = 140 А, V_GS = 0 В)
- Час відновлення (t_rr): 50 нс (при I_F = 20 А, di/dt = 100 А/мкс)
Розташування виводів TO-220-3L:
- 1 - Затвор (Gate)
- 2 - Стік (Drain)
- 3 - Витік (Source)

⚠️ Важливі аспекти використання:

Профессійне охолодження при максимальних струмах – при струмах понад 80А ОБОВ'ЯЗКОВО використовуйте високоефективний радіатор з примусовим повітряним або рідинним охолодженням. Хоча теоретично транзистор може проводити до 140А, при такому струмі потужність розсіювання складає P = I² × R = 140² × 0.0043 = 84 Вт, що вимагає радіатора з тепловим опором менше 1°C/Вт для підтримки безпечної температури переходу.
Оптимізація кіл керування затвором – висока вхідна ємність (7900 пФ) вимагає застосування потужних драйверів затвора з піковим струмом не менше 2А для швидкого перемикання. Для зменшення динамічних втрат використовуйте окремі ланцюги вмикання та вимикання: під час вмикання – резистор 5-10 Ом, під час вимикання – 2-5 Ом. Додатково встановіть чіткерний діод між затвором і витоком для захисту від негативних викидів напруги.
Захист від перенапруг в індуктивних колах – напруга пробою 82В може виявитися недостатньою для індуктивних навантажень з високою швидкістю зміни струму (di/dt). Для ефективного захисту встановіть TVS-діод між стоком і витоком з напругою обмеження 85-90В та потужністю, відповідною до енергії індуктивності. Альтернативно, використовуйте RCD-снабер для контрольованого розсіювання енергії при вимкненні.
Розводка плати для високочастотних застосувань – при роботі на частотах понад 100 кГц розводка друкованої плати стає критично важливою. Використовуйте максимально короткі та широкі доріжки для силових кіл (15-20 мм ширини на 2 унції міді для струмів 50А+). Затворний контур повинен бути мінімальної площі для зменшення паразитної індуктивності, яка може викликати коливання (звичайне явище для швидких Trench MOSFET). Під'єднуйте драйвер затвора безпосередньо до виводів транзистора.
Врахування температурної залежності параметрів – R_DS(on) значно зростає з підвищенням температури. При 100°C опір каналу може бути в 1.5-1.7 рази вищим, ніж при 25°C. В високонавантажених системах завжди розраховуйте втрати потужності та тепловий режим з урахуванням цього підвищення опору. Наприклад, для безперервного струму 100А при 100°C реальні втрати можуть складати P = 100² × 0.0043 × 1.7 = 73 Вт, що значно вище, ніж розрахунок для кімнатної температури.

Транзистор NCE82H140 – це передове рішення для високоефективних силових перетворювачів з унікальним поєднанням надзвичайно низького опору каналу (4.3 мОм), високого струму (140А) та оптимізованих характеристик перемикання. Забезпечте максимальну енергоефективність, надійність та компактність ваших імпульсних перетворювачів, драйверів двигунів та систем безперебійного живлення з цим високотехнологічним MOSFET-транзистором.

ЗАМОВТЕ ЗАРАЗ

#NCE82H140 #MOSFET #НадНизькийОпір #Високоефективний #СиловаЕлектроніка #140Ампер

Характеристики

Основні

Полярність

NPN

Тип корпусу

TO-220

Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.

Інструкція

⚡ Інструкція з підключення транзистора NCE82H140

N-канальний MOSFET, корпус TO-220

NCE82H140 — це N-канальний MOSFET у корпусі TO-220-3L, який використовується в комутаційних схемах, імпульсних джерелах живлення, драйверах двигунів та інших системах управління навантаженням.

1. Ідентифікація та основні компоненти

flowchart TD
    subgraph TO220["Корпус TO-220 (вигляд спереду)"]
      Metal["Металева пластина
(радіатор)"]
      direction TB
      
      subgraph Pins["Виводи"]
        direction LR
        G["1
Затвор
(Gate, G)"] --- D["2
Стік
(Drain, D)"] --- S["3
Витік
(Source, S)"]
      end
      
      Metal --- Pins
    end
    
    classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px
    class G,D,S pin

Транзистор NCE82H140 має три виводи:

Вивід 1 (Gate, G): Керуючий вхід для увімкнення/вимкнення транзистора.
Вивід 2 (Drain, D): Вихід струму, підключається до навантаження.
Вивід 3 (Source, S): Вхід струму, зазвичай з'єднується з землею (GND).

Перед підключенням перевірте маркування на корпусі або зверніться до даташиту для правильної ідентифікації виводів.

2. Схема підключення

flowchart TD
    VDD["+ Живлення (V_DD)"] --> Load["Навантаження"]
    Load --> D["Стік (Drain)"]
    G["Затвор (Gate)"] --> RG["Резистор затвора
R_G: 10-100 Ом"]
    RG --> MCU["Керуючий сигнал
(мікроконтролер)"]
    
    D --> S["Витік (Source)"]
    S --> GND["Земля (GND)"]
    
    RPD["Підтягуючий резистор
10 кОм"] --> G
    RPD --> S
    
    subgraph Protection["Захист (для індуктивного навантаження)"]
      D1["Захисний діод
1N4007"] --> D
      D1 --> VDD
    end

Базова схема підключення для комутації навантаження:

Витік (Source): Підключіть до землі (GND).
Стік (Drain): Підключіть до одного кінця навантаження (наприклад, двигуна, лампи чи резистора).
Другий кінець навантаження з'єднайте з позитивним джерелом живлення (V_DD).
Затвор (Gate): Підключіть через резистор (R_G, 10–100 Ом) до джерела керуючого сигналу (наприклад, мікроконтролера).

3. Розрахунки параметрів

Розрахунок резистора затвора:

Для швидкого перемикання при ємності затвора 7900 пФ:
R_G = 10–47 Ом

Розрахунок максимальної потужності транзистора:

P = I_D × V_DS
Де: I_D - струм стоку, V_DS - напруга стік-витік
Максимальна потужність: 215 Вт

Розрахунок теплового режиму:

T_J = T_A + (P × R_θJA)
Де: T_J - температура переходу, T_A - температура навколишнього середовища, P - розсіювана потужність, R_θJA - тепловий опір перехід-середовище
Максимальна температура переходу: 175°C

4. Практичні поради

Додайте резистор 10 кОм між затвором і витоком — це утримує транзистор вимкненим за відсутності сигналу. Дотримуйтесь правил роботи з ESD (захист від статичного розряду).

При комутації двигунів, реле та інших індуктивних навантажень обов'язково встановіть захисний діод (наприклад, 1N4007) паралельно до навантаження: анод — до стоку (Drain), катод — до V_DD. Це захистить транзистор від зворотної напруги, яка виникає при вимкненні індуктивного навантаження.

При роботі з струмами більше 10А використовуйте радіатор. Нанесіть термопасту між транзистором і радіатором. Забезпечте належну вентиляцію.

5. Покрокова інструкція підключення (приклад: драйвер двигуна)

Витік (Source): З'єднайте з землею (GND).
Стік (Drain): Підключіть до одного кінця двигуна.
Другий кінець двигуна з'єднайте з V_DD (наприклад, 12 В).
Затвор (Gate): Через резистор R_G (10–47 Ом) підключіть до джерела сигналу (наприклад, мікроконтролера).
Додайте резистор 10 кОм між затвором і витоком.
Для індуктивного навантаження: Встановіть захисний діод (наприклад, 1N4007) паралельно до двигуна:
- Анод — до стоку (Drain)
- Катод — до V_DD
Якщо потрібно, встановіть радіатор на металеву пластину транзистора з термопастою.
Перевірте всі з'єднання перед подачею живлення.

6. Обмеження та граничні параметри

Параметр	Значення	Одиниця
Максимальна напруга стік-витік (V_DS)	82	В
Максимальна напруга затвор-витік (V_GS)	±20	В
Максимальний струм стоку (I_D) при T_C = 25°C	140	А
Максимальна потужність (P_D)	215	Вт
Максимальна температура переходу (T_J)	175	°C
Поріг напруги затвор-витік (V_GS(th))	2.0–4.0	В
Рекомендована напруга затвор-витік для повного відкриття	10	В

7. Принцип роботи

Увімкнення: При V_GS ≥ 10 В транзистор відкривається, струм тече від стоку до витоку через навантаження.
Вимкнення: При V_GS < V_GS(th) (наприклад, 0 В) транзистор закривається, струм припиняється.

flowchart LR
    subgraph Off["Вимкнений стан (V_GS = 0В)"]
      direction TB
      VDD1["V_DD"] --> Load1["Навантаження"]
      Load1 --> D1["Drain"]
      D1 -.- S1["Source"]
      S1 --> GND1["GND"]
      G1["Gate (0В)"] -.- D1
    end
    
    subgraph On["Увімкнений стан (V_GS = 10В)"]
      direction TB
      VDD2["V_DD"] --> Load2["Навантаження"]
      Load2 --> D2["Drain"]
      D2 --> S2["Source"]
      S2 --> GND2["GND"]
      G2["Gate (10В)"] -.- D2
    end
    
    Off --> On
    
    classDef current fill:#0f0,stroke:#333,stroke-width:2px
    class D2,S2 current

Важливе зауваження: Ми доклали зусиль, щоб ця інструкція була точною та корисною. Однак, ця інструкція надається як довідковий матеріал. Електронні компоненти можуть мати варіації, а схеми підключення залежать від конкретних умов та вашого обладнання. Ця інформація надається "як є", без гарантій повноти чи безпомилковості. Наполегливо рекомендуємо перевіряти специфікації вашого модуля (datasheet), звірятися з іншими джерелами та, за найменших сумнівів, звертатися до кваліфікованих фахівців, особливо при роботі з напругою 220В.