Транзистор NCE82H140 корпус ТО-220
NCE82H140 TO-220-3L
NCE82H140 — потужний N-канальний MOSFET зі збагаченням (Enhancement Mode) на 82 В і 140 А у корпусі TO‑220‑3L, оптимізований для низьких втрат провідності та швидкого перемикання.
Основні переваги
Типове 4.3 мОм (макс. 6.0 мОм) при VGS = 10 В, ID = 20 А — мінімізує втрати провідності у силових перетворювачах.
До 140 А при TC = 25°C і 99 А при TC = 100°C — придатний для важких навантажень.
Типові часи: td(on) 23 нс, tr 42 нс, td(off) 75 нс, tf 26 нс (VDD = 30 В, VGS = 10 В, RGEN = 2.5 Ω) — зменшують динамічні втрати.
Повністю охарактеризована лавинна витривалість (EAS 1200 мДж), 100% UIS тестування; гранична Tj до 175°C та низький RθJC 0.68 °C/Вт.
Ключові характеристики
| Виробник: | Wuxi NCE Power Semiconductor |
|---|---|
| Тип компонента: | N-канальний MOSFET, Enhancement Mode |
| Корпус: | TO-220-3L |
| Напруга стік–витік (VDS): | 82 В |
| Струм стоку безперервний (ID, TC=25°C): | 140 А |
| Струм стоку (ID, TC=100°C): | 99 А |
| Макс. напруга затвор–витік (VGS): | ±20 В |
| Поріг VGS(th): | 2–4 В (тип. 3 В) |
| RDS(on): | тип. 4.3 мОм, макс. 6.0 мОм (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Потужність розсіювання (PD, TC=25°C): | 220 Вт |
| Тепловий опір перехід–корпус (RθJC): | 0.68 °C/Вт |
| Вхідна ємність (Ciss): | 7900 пФ (VDS=40 В) |
| Вихідна/зворотна ємність (Coss/Crss): | 445 пФ / 384 пФ (VDS=40 В) |
| Загальний заряд затвора (Qg): | 158 нКл (VDS=40 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Часи перемикання (td(on)/tr/td(off)/tf): | 23 / 42 / 75 / 26 нс |
| Діод: VSD / trr: | ≤ 1.2 В @ IS=140 А / 50 нс (IF=20 А, di/dt=100 А/мкс) |
| Лавинна енергія (EAS): | 1200 мДж |
| Діапазон температур переходу (Tj): | −55…+175 °C |
Детальні технічні параметри
- Макс. імпульсний струм стоку IDM: 480 А.
- Дерейтинг потужності: 1.47 Вт/°C (від TC = 25°C).
- Параметри перемикання виміряні при VDD = 30 В, RL = 1 Ω, VGS = 10 В, RGEN = 2.5 Ω.
- Заряд затвора: Qg 158 нКл, Qgs 32 нКл, Qgd 51 нКл (VDS = 40 В, ID = 20 А, VGS = 10 В).
- Ємності при f = 1 МГц, VDS = 40 В: Ciss 7900 пФ, Coss 445 пФ, Crss 384 пФ.
- Вбудований діод: VSD ≤ 1.2 В (VGS = 0 В, IS = 140 А); trr 50 нс, Qrr 110 нКл (IF = 20 А, di/dt = 100 А/μс).
- Маркування та виводи — корпус TO‑220‑3L; схема увімкнення та тестові схеми наведені в паспорті.
Основні сфери застосування
- Силові ключові застосування.
- Кола жорсткого перемикання та високочастотні перетворювачі.
- Джерела безперебійного живлення (UPS).
Сумісні позначення та альтернативи
Питання-відповіді (FAQ)
Паспорт надає гарантоване RDS(on) при VGS = 10 В (ID = 20 А). Поріг VGS(th) 2–4 В не означає повного відкривання каналу, тому для мінімальних втрат виробник характеризує пристрій при 10 В на затворі.
Tj = −55…+175°C; максимальна PD = 220 Вт (TC = 25°C) з дерейтингом 1.47 Вт/°C; тепловий опір RθJC = 0.68 °C/Вт.
Так, є інтегрований діод: VSD ≤ 1.2 В при IS = 140 А; типове trr 50 нс (IF = 20 А, di/dt = 100 А/мкс).
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.
⚡ Інструкція з підключення транзистора NCE82H140
N-канальний MOSFET, корпус TO-220
NCE82H140 — це N-канальний MOSFET у корпусі TO-220-3L, який використовується в комутаційних схемах, імпульсних джерелах живлення, драйверах двигунів та інших системах управління навантаженням.
1. Ідентифікація та основні компоненти
flowchart TD
subgraph TO220["Корпус TO-220 (вигляд спереду)"]
Metal["Металева пластина
(радіатор)"]
direction TB
subgraph Pins["Виводи"]
direction LR
G["1
Затвор
(Gate, G)"] --- D["2
Стік
(Drain, D)"] --- S["3
Витік
(Source, S)"]
end
Metal --- Pins
end
classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px
class G,D,S pin
Транзистор NCE82H140 має три виводи:
- Вивід 1 (Gate, G): Керуючий вхід для увімкнення/вимкнення транзистора.
- Вивід 2 (Drain, D): Вихід струму, підключається до навантаження.
- Вивід 3 (Source, S): Вхід струму, зазвичай з'єднується з землею (GND).
2. Схема підключення
flowchart TD
VDD["+ Живлення (V_DD)"] --> Load["Навантаження"]
Load --> D["Стік (Drain)"]
G["Затвор (Gate)"] --> RG["Резистор затвора
R_G: 10-100 Ом"]
RG --> MCU["Керуючий сигнал
(мікроконтролер)"]
D --> S["Витік (Source)"]
S --> GND["Земля (GND)"]
RPD["Підтягуючий резистор
10 кОм"] --> G
RPD --> S
subgraph Protection["Захист (для індуктивного навантаження)"]
D1["Захисний діод
1N4007"] --> D
D1 --> VDD
end
Базова схема підключення для комутації навантаження:
- Витік (Source): Підключіть до землі (GND).
- Стік (Drain): Підключіть до одного кінця навантаження (наприклад, двигуна, лампи чи резистора).
- Другий кінець навантаження з'єднайте з позитивним джерелом живлення (V_DD).
- Затвор (Gate): Підключіть через резистор (R_G, 10–100 Ом) до джерела керуючого сигналу (наприклад, мікроконтролера).
3. Розрахунки параметрів
Розрахунок резистора затвора:
Для швидкого перемикання при ємності затвора 7900 пФ:
R_G = 10–47 Ом
Розрахунок максимальної потужності транзистора:
P = I_D × V_DS
Де: I_D - струм стоку, V_DS - напруга стік-витік
Максимальна потужність: 215 Вт
Розрахунок теплового режиму:
T_J = T_A + (P × R_θJA)
Де: T_J - температура переходу, T_A - температура навколишнього середовища, P - розсіювана потужність, R_θJA - тепловий опір перехід-середовище
Максимальна температура переходу: 175°C
4. Практичні поради
5. Покрокова інструкція підключення (приклад: драйвер двигуна)
- Витік (Source): З'єднайте з землею (GND).
- Стік (Drain): Підключіть до одного кінця двигуна.
- Другий кінець двигуна з'єднайте з V_DD (наприклад, 12 В).
- Затвор (Gate): Через резистор R_G (10–47 Ом) підключіть до джерела сигналу (наприклад, мікроконтролера).
- Додайте резистор 10 кОм між затвором і витоком.
- Для індуктивного навантаження: Встановіть захисний діод (наприклад, 1N4007) паралельно до двигуна:
- Анод — до стоку (Drain)
- Катод — до V_DD
- Якщо потрібно, встановіть радіатор на металеву пластину транзистора з термопастою.
- Перевірте всі з'єднання перед подачею живлення.
6. Обмеження та граничні параметри
| Параметр | Значення | Одиниця |
|---|---|---|
| Максимальна напруга стік-витік (V_DS) | 82 | В |
| Максимальна напруга затвор-витік (V_GS) | ±20 | В |
| Максимальний струм стоку (I_D) при T_C = 25°C | 140 | А |
| Максимальна потужність (P_D) | 215 | Вт |
| Максимальна температура переходу (T_J) | 175 | °C |
| Поріг напруги затвор-витік (V_GS(th)) | 2.0–4.0 | В |
| Рекомендована напруга затвор-витік для повного відкриття | 10 | В |
7. Принцип роботи
- Увімкнення: При V_GS ≥ 10 В транзистор відкривається, струм тече від стоку до витоку через навантаження.
- Вимкнення: При V_GS < V_GS(th) (наприклад, 0 В) транзистор закривається, струм припиняється.
flowchart LR
subgraph Off["Вимкнений стан (V_GS = 0В)"]
direction TB
VDD1["V_DD"] --> Load1["Навантаження"]
Load1 --> D1["Drain"]
D1 -.- S1["Source"]
S1 --> GND1["GND"]
G1["Gate (0В)"] -.- D1
end
subgraph On["Увімкнений стан (V_GS = 10В)"]
direction TB
VDD2["V_DD"] --> Load2["Навантаження"]
Load2 --> D2["Drain"]
D2 --> S2["Source"]
S2 --> GND2["GND"]
G2["Gate (10В)"] -.- D2
end
Off --> On
classDef current fill:#0f0,stroke:#333,stroke-width:2px
class D2,S2 current