

NCE82H140 — потужний N-канальний MOSFET зі збагаченням (Enhancement Mode) на 82 В і 140 А у корпусі TO‑220‑3L, оптимізований для низьких втрат провідності та швидкого перемикання.
Типове 4.3 мОм (макс. 6.0 мОм) при VGS = 10 В, ID = 20 А — мінімізує втрати провідності у силових перетворювачах.
До 140 А при TC = 25°C і 99 А при TC = 100°C — придатний для важких навантажень.
Типові часи: td(on) 23 нс, tr 42 нс, td(off) 75 нс, tf 26 нс (VDD = 30 В, VGS = 10 В, RGEN = 2.5 Ω) — зменшують динамічні втрати.
Повністю охарактеризована лавинна витривалість (EAS 1200 мДж), 100% UIS тестування; гранична Tj до 175°C та низький RθJC 0.68 °C/Вт.
Виробник: | Wuxi NCE Power Semiconductor |
---|---|
Тип компонента: | N-канальний MOSFET, Enhancement Mode |
Корпус: | TO-220-3L |
Напруга стік–витік (VDS): | 82 В |
Струм стоку безперервний (ID, TC=25°C): | 140 А |
Струм стоку (ID, TC=100°C): | 99 А |
Макс. напруга затвор–витік (VGS): | ±20 В |
Поріг VGS(th): | 2–4 В (тип. 3 В) |
RDS(on): | тип. 4.3 мОм, макс. 6.0 мОм (VGS=10 В, ID=20 А) |
Потужність розсіювання (PD, TC=25°C): | 220 Вт |
Тепловий опір перехід–корпус (RθJC): | 0.68 °C/Вт |
Вхідна ємність (Ciss): | 7900 пФ (VDS=40 В) |
Вихідна/зворотна ємність (Coss/Crss): | 445 пФ / 384 пФ (VDS=40 В) |
Загальний заряд затвора (Qg): | 158 нКл (VDS=40 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
Часи перемикання (td(on)/tr/td(off)/tf): | 23 / 42 / 75 / 26 нс |
Діод: VSD / trr: | ≤ 1.2 В @ IS=140 А / 50 нс (IF=20 А, di/dt=100 А/мкс) |
Лавинна енергія (EAS): | 1200 мДж |
Діапазон температур переходу (Tj): | −55…+175 °C |
Паспорт надає гарантоване RDS(on) при VGS = 10 В (ID = 20 А). Поріг VGS(th) 2–4 В не означає повного відкривання каналу, тому для мінімальних втрат виробник характеризує пристрій при 10 В на затворі.
Tj = −55…+175°C; максимальна PD = 220 Вт (TC = 25°C) з дерейтингом 1.47 Вт/°C; тепловий опір RθJC = 0.68 °C/Вт.
Так, є інтегрований діод: VSD ≤ 1.2 В при IS = 140 А; типове trr 50 нс (IF = 20 А, di/dt = 100 А/мкс).
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.
N-канальний MOSFET, корпус TO-220
NCE82H140 — це N-канальний MOSFET у корпусі TO-220-3L, який використовується в комутаційних схемах, імпульсних джерелах живлення, драйверах двигунів та інших системах управління навантаженням.
flowchart TD subgraph TO220["Корпус TO-220 (вигляд спереду)"] Metal["Металева пластина
(радіатор)"] direction TB subgraph Pins["Виводи"] direction LR G["1
Затвор
(Gate, G)"] --- D["2
Стік
(Drain, D)"] --- S["3
Витік
(Source, S)"] end Metal --- Pins end classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px class G,D,S pin
Транзистор NCE82H140 має три виводи:
flowchart TD VDD["+ Живлення (V_DD)"] --> Load["Навантаження"] Load --> D["Стік (Drain)"] G["Затвор (Gate)"] --> RG["Резистор затвора
R_G: 10-100 Ом"] RG --> MCU["Керуючий сигнал
(мікроконтролер)"] D --> S["Витік (Source)"] S --> GND["Земля (GND)"] RPD["Підтягуючий резистор
10 кОм"] --> G RPD --> S subgraph Protection["Захист (для індуктивного навантаження)"] D1["Захисний діод
1N4007"] --> D D1 --> VDD end
Базова схема підключення для комутації навантаження:
Для швидкого перемикання при ємності затвора 7900 пФ:
R_G = 10–47 Ом
P = I_D × V_DS
Де: I_D - струм стоку, V_DS - напруга стік-витік
Максимальна потужність: 215 Вт
T_J = T_A + (P × R_θJA)
Де: T_J - температура переходу, T_A - температура навколишнього середовища, P - розсіювана потужність, R_θJA - тепловий опір перехід-середовище
Максимальна температура переходу: 175°C
Параметр | Значення | Одиниця |
---|---|---|
Максимальна напруга стік-витік (V_DS) | 82 | В |
Максимальна напруга затвор-витік (V_GS) | ±20 | В |
Максимальний струм стоку (I_D) при T_C = 25°C | 140 | А |
Максимальна потужність (P_D) | 215 | Вт |
Максимальна температура переходу (T_J) | 175 | °C |
Поріг напруги затвор-витік (V_GS(th)) | 2.0–4.0 | В |
Рекомендована напруга затвор-витік для повного відкриття | 10 | В |
flowchart LR subgraph Off["Вимкнений стан (V_GS = 0В)"] direction TB VDD1["V_DD"] --> Load1["Навантаження"] Load1 --> D1["Drain"] D1 -.- S1["Source"] S1 --> GND1["GND"] G1["Gate (0В)"] -.- D1 end subgraph On["Увімкнений стан (V_GS = 10В)"] direction TB VDD2["V_DD"] --> Load2["Навантаження"] Load2 --> D2["Drain"] D2 --> S2["Source"] S2 --> GND2["GND"] G2["Gate (10В)"] -.- D2 end Off --> On classDef current fill:#0f0,stroke:#333,stroke-width:2px class D2,S2 current