NCE82H140 транзистор корпус ТО-220
NCE82H140 TO-220-3L
NCE82H140 — мощный N-канальный MOSFET с обогащением (Enhancement Mode) на 82 В и 140 А в корпусе TO‑220‑3L, оптимизирован для низких потерь проводимости и быстрого переключения.
Основные преимущества
Типовое 4.3 мОм (макс. 6.0 мОм) при VGS = 10 В, ID = 20 А — минимизирует потери проводимости в силовых преобразователях.
До 140 А при TC = 25°C и 99 А при TC = 100°C — пригоден для тяжелых нагрузок.
Типичные времена: td(on) 23 нс, tr 42 нс, td(off) 75 нс, tf 26 нс (VDD = 30 В, VGS = 10 В, RGEN = 2.5 Ω) — уменьшают динамические потери.
Полностью охарактеризована лавинная стойкость (EAS 1200 мДж), 100% тестирование UIS; предельная Tj до 175°C и низкое RθJC 0.68 °C/Вт.
Ключевые характеристики
| Производитель: | Wuxi NCE Power Semiconductor |
|---|---|
| Тип компонента: | N-канальный MOSFET, Enhancement Mode |
| Корпус: | TO-220-3L |
| Напряжение сток–исток (VDS): | 82 В |
| Непрерывный ток стока (ID, TC=25°C): | 140 А |
| Ток стока (ID, TC=100°C): | 99 А |
| Макс. напряжение затвор–исток (VGS): | ±20 В |
| Порог VGS(th): | 2–4 В (тип. 3 В) |
| RDS(on): | тип. 4.3 мОм, макс. 6.0 мОм (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Мощность рассеяния (PD, TC=25°C): | 220 Вт |
| Тепловое сопротивление переход–корпус (RθJC): | 0.68 °C/Вт |
| Входная емкость (Ciss): | 7900 пФ (VDS=40 В) |
| Выходная/обратная емкость (Coss/Crss): | 445 пФ / 384 пФ (VDS=40 В) |
| Общий заряд затвора (Qg): | 158 нКл (VDS=40 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Времена переключения (td(on)/tr/td(off)/tf): | 23 / 42 / 75 / 26 нс |
| Диод: VSD / trr: | ≤ 1.2 В @ IS=140 А / 50 нс (IF=20 А, di/dt=100 А/мкс) |
| Лавинная энергия (EAS): | 1200 мДж |
| Диапазон температур перехода (Tj): | −55…+175 °C |
Детальные технические параметры
- Макс. импульсный ток стока IDM: 480 А.
- Дерейтинг мощности: 1.47 Вт/°C (от TC = 25°C).
- Параметры переключения измерены при VDD = 30 В, RL = 1 Ω, VGS = 10 В, RGEN = 2.5 Ω.
- Заряд затвора: Qg 158 нКл, Qgs 32 нКл, Qgd 51 нКл (VDS = 40 В, ID = 20 А, VGS = 10 В).
- Емкости при f = 1 МГц, VDS = 40 В: Ciss 7900 пФ, Coss 445 пФ, Crss 384 пФ.
- Встроенный диод: VSD ≤ 1.2 В (VGS = 0 В, IS = 140 А); trr 50 нс, Qrr 110 нКл (IF = 20 А, di/dt = 100 А/μс).
- Маркировка и выводы — корпус TO‑220‑3L; схема включения и тестовые схемы приведены в паспорте.
Основные области применения
- Силовые ключевые применения.
- Схемы жесткого переключения и высокочастотные преобразователи.
- Источники бесперебойного питания (UPS).
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы-ответы (FAQ)
Паспорт дает гарантированное RDS(on) при VGS = 10 В (ID = 20 А). Порог VGS(th) 2–4 В не означает полного открывания канала, поэтому для минимальных потерь производитель характеризует устройство при 10 В на затворе.
Tj = −55…+175°C; максимальная PD = 220 Вт (TC = 25°C) с дерейтингом 1.47 Вт/°C; тепловое сопротивление RθJC = 0.68 °C/Вт.
Да, встроенный диод: VSD ≤ 1.2 В при IS = 140 А; типичное trr 50 нс (IF = 20 А, di/dt = 100 А/мкс).
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.
⚡ Инструкция по подключению транзистора NCE82H140
N-канальный MOSFET, корпус TO-220
NCE82H140 — это N-канальный MOSFET в корпусе TO-220-3L, который используется в коммутационных схемах, импульсных источниках питания, драйверах двигателей и других системах управления нагрузкой.
1. Идентификация и основные компоненты
flowchart TD
subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"]
Metal["Металлическая пластина
(радиатор)"]
direction TB
subgraph Pins["Выводы"]
direction LR
G["1
Затвор
(Gate, G)"] --- D["2
Сток
(Drain, D)"] --- S["3
Исток
(Source, S)"]
end
Metal --- Pins
end
classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px
class G,D,S pin
Транзистор NCE82H140 имеет три вывода:
- Вывод 1 (Gate, G): Управляющий вход для включения/выключения транзистора.
- Вывод 2 (Drain, D): Выход тока, подключается к нагрузке.
- Вывод 3 (Source, S): Вход тока, обычно соединяется с землей (GND).
2. Схема подключения
flowchart TD
VDD["+ Питание (V_DD)"] --> Load["Нагрузка"]
Load --> D["Сток (Drain)"]
G["Затвор (Gate)"] --> RG["Резистор затвора
R_G: 10-100 Ом"]
RG --> MCU["Управляющий сигнал
(микроконтроллер)"]
D --> S["Исток (Source)"]
S --> GND["Земля (GND)"]
RPD["Подтягивающий резистор
10 кОм"] --> G
RPD --> S
subgraph Protection["Защита (для индуктивной нагрузки)"]
D1["Защитный диод
1N4007"] --> D
D1 --> VDD
end
Базовая схема подключения для коммутации нагрузки:
- Исток (Source): Подключите к земле (GND).
- Сток (Drain): Подключите к одному концу нагрузки (например, двигателя, лампы или резистора).
- Второй конец нагрузки соедините с положительным источником питания (V_DD).
- Затвор (Gate): Подключите через резистор (R_G, 10–100 Ом) к источнику управляющего сигнала (например, микроконтроллеру).
3. Расчеты параметров
Расчет резистора затвора:
Для быстрого переключения при емкости затвора 7900 пФ:
R_G = 10–47 Ом
Расчет максимальной мощности транзистора:
P = I_D × V_DS
Где: I_D - ток стока, V_DS - напряжение сток-исток
Максимальная мощность: 215 Вт
Расчет теплового режима:
T_J = T_A + (P × R_θJA)
Где: T_J - температура перехода, T_A - температура окружающей среды, P - рассеиваемая мощность, R_θJA - тепловое сопротивление переход-среда
Максимальная температура перехода: 175°C
4. Практические советы
5. Пошаговая инструкция подключения (пример: драйвер двигателя)
- Исток (Source): Соедините с землей (GND).
- Сток (Drain): Подключите к одному концу двигателя.
- Второй конец двигателя соедините с V_DD (например, 12 В).
- Затвор (Gate): Через резистор R_G (10–47 Ом) подключите к источнику сигнала (например, микроконтроллеру).
- Добавьте резистор 10 кОм между затвором и истоком.
- Для индуктивной нагрузки: Установите защитный диод (например, 1N4007) параллельно двигателю:
- Анод — к стоку (Drain)
- Катод — к V_DD
- Если нужно, установите радиатор на металлическую пластину транзистора с термопастой.
- Проверьте все соединения перед подачей питания.
6. Ограничения и предельные параметры
| Параметр | Значение | Единица |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DS) | 82 | В |
| Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 | В |
| Максимальный ток стока (I_D) при T_C = 25°C | 140 | А |
| Максимальная мощность (P_D) | 215 | Вт |
| Максимальная температура перехода (T_J) | 175 | °C |
| Порог напряжения затвор-исток (V_GS(th)) | 2.0–4.0 | В |
| Рекомендуемое напряжение затвор-исток для полного открытия | 10 | В |
7. Принцип работы
- Включение: При V_GS ≥ 10 В транзистор открывается, ток течет от стока к истоку через нагрузку.
- Выключение: При V_GS < V_GS(th) (например, 0 В) транзистор закрывается, ток прекращается.
flowchart LR
subgraph Off["Выключенное состояние (V_GS = 0В)"]
direction TB
VDD1["V_DD"] --> Load1["Нагрузка"]
Load1 --> D1["Drain"]
D1 -.- S1["Source"]
S1 --> GND1["GND"]
G1["Gate (0В)"] -.- D1
end
subgraph On["Включенное состояние (V_GS = 10В)"]
direction TB
VDD2["V_DD"] --> Load2["Нагрузка"]
Load2 --> D2["Drain"]
D2 --> S2["Source"]
S2 --> GND2["GND"]
G2["Gate (10В)"] -.- D2
end
Off --> On
classDef current fill:#0f0,stroke:#333,stroke-width:2px
class D2,S2 current