Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

NCE82H140 транзистор корпус ТО-220

Страна-производитель: Китай Код товара: 5574
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы0
Инструкция
Есть в наличии
Код товара: 5574
34.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Полярность:NPN
Тип корпуса:TO-220
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы
Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине
Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express
Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
NCE82H140 транзистор корпус ТО-220
Код товара: 5574
34.00 грн
Описание

NCE82H140 TO-220-3L

NCE82H140 — мощный N-канальный MOSFET с обогащением (Enhancement Mode) на 82 В и 140 А в корпусе TO‑220‑3L, оптимизирован для низких потерь проводимости и быстрого переключения.

Основные преимущества

Очень низкий RDS(on)

Типовое 4.3 мОм (макс. 6.0 мОм) при VGS = 10 В, ID = 20 А — минимизирует потери проводимости в силовых преобразователях.

Высокая токовая способность

До 140 А при TC = 25°C и 99 А при TC = 100°C — пригоден для тяжелых нагрузок.

Быстрые переключения

Типичные времена: td(on) 23 нс, tr 42 нс, td(off) 75 нс, tf 26 нс (VDD = 30 В, VGS = 10 В, RGEN = 2.5 Ω) — уменьшают динамические потери.

Надежность и термостойкость

Полностью охарактеризована лавинная стойкость (EAS 1200 мДж), 100% тестирование UIS; предельная Tj до 175°C и низкое RθJC 0.68 °C/Вт.

Ключевые характеристики

Производитель:Wuxi NCE Power Semiconductor
Тип компонента:N-канальный MOSFET, Enhancement Mode
Корпус:TO-220-3L
Напряжение сток–исток (VDS):82 В
Непрерывный ток стока (ID, TC=25°C):140 А
Ток стока (ID, TC=100°C):99 А
Макс. напряжение затвор–исток (VGS):±20 В
Порог VGS(th):2–4 В (тип. 3 В)
RDS(on):тип. 4.3 мОм, макс. 6.0 мОм (VGS=10 В, ID=20 А)
Мощность рассеяния (PD, TC=25°C):220 Вт
Тепловое сопротивление переход–корпус (RθJC):0.68 °C/Вт
Входная емкость (Ciss):7900 пФ (VDS=40 В)
Выходная/обратная емкость (Coss/Crss):445 пФ / 384 пФ (VDS=40 В)
Общий заряд затвора (Qg):158 нКл (VDS=40 В, ID=20 А, VGS=10 В)
Времена переключения (td(on)/tr/td(off)/tf):23 / 42 / 75 / 26 нс
Диод: VSD / trr:≤ 1.2 В @ IS=140 А / 50 нс (IF=20 А, di/dt=100 А/мкс)
Лавинная энергия (EAS):1200 мДж
Диапазон температур перехода (Tj):−55…+175 °C

Детальные технические параметры

  • Макс. импульсный ток стока IDM: 480 А.
  • Дерейтинг мощности: 1.47 Вт/°C (от TC = 25°C).
  • Параметры переключения измерены при VDD = 30 В, RL = 1 Ω, VGS = 10 В, RGEN = 2.5 Ω.
  • Заряд затвора: Qg 158 нКл, Qgs 32 нКл, Qgd 51 нКл (VDS = 40 В, ID = 20 А, VGS = 10 В).
  • Емкости при f = 1 МГц, VDS = 40 В: Ciss 7900 пФ, Coss 445 пФ, Crss 384 пФ.
  • Встроенный диод: VSD ≤ 1.2 В (VGS = 0 В, IS = 140 А); trr 50 нс, Qrr 110 нКл (IF = 20 А, di/dt = 100 А/μс).
  • Маркировка и выводы — корпус TO‑220‑3L; схема включения и тестовые схемы приведены в паспорте.
Примечание: параметры основаны на документации Wuxi NCE Power Semiconductor для NCE82H140. Источник: Wuxi NCE Power Semiconductor Datasheet (PDF).

Основные области применения

  • Силовые ключевые применения.
  • Схемы жесткого переключения и высокочастотные преобразователи.
  • Источники бесперебойного питания (UPS).

Совместимые обозначения и альтернативы

Согласно паспорту приведена позиция NCE82H140 в корпусе TO‑220‑3L. Для подбора замены ориентируйтесь на ключевые параметры: VDS ≈ 82 В, RDS(on) ≤ 6 мОм при VGS = 10 В, VGS(max) = ±20 В, соответствующий корпус и тепловые условия.

Вопросы-ответы (FAQ)

Подходит ли NCE82H140 для управления от логического уровня 5 В?

Паспорт дает гарантированное RDS(on) при VGS = 10 В (ID = 20 А). Порог VGS(th) 2–4 В не означает полного открывания канала, поэтому для минимальных потерь производитель характеризует устройство при 10 В на затворе.

Каковы предельные температурные и мощностные режимы?

Tj = −55…+175°C; максимальная PD = 220 Вт (TC = 25°C) с дерейтингом 1.47 Вт/°C; тепловое сопротивление RθJC = 0.68 °C/Вт.

Есть ли в транзисторе встроенный защитный диод и каковы его параметры?

Да, встроенный диод: VSD ≤ 1.2 В при IS = 140 А; типичное trr 50 нс (IF = 20 А, di/dt = 100 А/мкс).

Характеристики
Основные
Полярность
NPN
Тип корпуса
TO-220
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Инструкция

⚡ Инструкция по подключению транзистора NCE82H140

N-канальный MOSFET, корпус TO-220

NCE82H140 — это N-канальный MOSFET в корпусе TO-220-3L, который используется в коммутационных схемах, импульсных источниках питания, драйверах двигателей и других системах управления нагрузкой.

1. Идентификация и основные компоненты

flowchart TD
    subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"]
      Metal["Металлическая пластина
(радиатор)"] direction TB subgraph Pins["Выводы"] direction LR G["1
Затвор
(Gate, G)"] --- D["2
Сток
(Drain, D)"] --- S["3
Исток
(Source, S)"] end Metal --- Pins end classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px class G,D,S pin

Транзистор NCE82H140 имеет три вывода:

  • Вывод 1 (Gate, G): Управляющий вход для включения/выключения транзистора.
  • Вывод 2 (Drain, D): Выход тока, подключается к нагрузке.
  • Вывод 3 (Source, S): Вход тока, обычно соединяется с землей (GND).
Перед подключением проверьте маркировку на корпусе или обратитесь к даташиту для правильной идентификации выводов.

2. Схема подключения

flowchart TD
    VDD["+ Питание (V_DD)"] --> Load["Нагрузка"]
    Load --> D["Сток (Drain)"]
    G["Затвор (Gate)"] --> RG["Резистор затвора
R_G: 10-100 Ом"] RG --> MCU["Управляющий сигнал
(микроконтроллер)"] D --> S["Исток (Source)"] S --> GND["Земля (GND)"] RPD["Подтягивающий резистор
10 кОм"] --> G RPD --> S subgraph Protection["Защита (для индуктивной нагрузки)"] D1["Защитный диод
1N4007"] --> D D1 --> VDD end

Базовая схема подключения для коммутации нагрузки:

  • Исток (Source): Подключите к земле (GND).
  • Сток (Drain): Подключите к одному концу нагрузки (например, двигателя, лампы или резистора).
  • Второй конец нагрузки соедините с положительным источником питания (V_DD).
  • Затвор (Gate): Подключите через резистор (R_G, 10–100 Ом) к источнику управляющего сигнала (например, микроконтроллеру).

3. Расчеты параметров

Расчет резистора затвора:

Для быстрого переключения при емкости затвора 7900 пФ:

R_G = 10–47 Ом

Расчет максимальной мощности транзистора:

P = I_D × V_DS

Где: I_D - ток стока, V_DS - напряжение сток-исток

Максимальная мощность: 215 Вт

Расчет теплового режима:

T_J = T_A + (P × R_θJA)

Где: T_J - температура перехода, T_A - температура окружающей среды, P - рассеиваемая мощность, R_θJA - тепловое сопротивление переход-среда

Максимальная температура перехода: 175°C

4. Практические советы

Добавьте резистор 10 кОм между затвором и истоком — это удерживает транзистор выключенным при отсутствии сигнала. Соблюдайте правила работы с ESD (защита от статического разряда).
При коммутации двигателей, реле и других индуктивных нагрузок обязательно установите защитный диод (например, 1N4007) параллельно нагрузке: анод — к стоку (Drain), катод — к V_DD. Это защитит транзистор от обратного напряжения, возникающего при выключении индуктивной нагрузки.
При работе с токами более 10А используйте радиатор. Нанесите термопасту между транзистором и радиатором. Обеспечьте надлежащую вентиляцию.

5. Пошаговая инструкция подключения (пример: драйвер двигателя)

  1. Исток (Source): Соедините с землей (GND).
  2. Сток (Drain): Подключите к одному концу двигателя.
  3. Второй конец двигателя соедините с V_DD (например, 12 В).
  4. Затвор (Gate): Через резистор R_G (10–47 Ом) подключите к источнику сигнала (например, микроконтроллеру).
  5. Добавьте резистор 10 кОм между затвором и истоком.
  6. Для индуктивной нагрузки: Установите защитный диод (например, 1N4007) параллельно двигателю:
    • Анод — к стоку (Drain)
    • Катод — к V_DD
  7. Если нужно, установите радиатор на металлическую пластину транзистора с термопастой.
  8. Проверьте все соединения перед подачей питания.

6. Ограничения и предельные параметры

Параметр Значение Единица
Максимальное напряжение сток-исток (V_DS) 82 В
Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) ±20 В
Максимальный ток стока (I_D) при T_C = 25°C 140 А
Максимальная мощность (P_D) 215 Вт
Максимальная температура перехода (T_J) 175 °C
Порог напряжения затвор-исток (V_GS(th)) 2.0–4.0 В
Рекомендуемое напряжение затвор-исток для полного открытия 10 В

7. Принцип работы

  • Включение: При V_GS ≥ 10 В транзистор открывается, ток течет от стока к истоку через нагрузку.
  • Выключение: При V_GS < V_GS(th) (например, 0 В) транзистор закрывается, ток прекращается.
flowchart LR
    subgraph Off["Выключенное состояние (V_GS = 0В)"]
      direction TB
      VDD1["V_DD"] --> Load1["Нагрузка"]
      Load1 --> D1["Drain"]
      D1 -.- S1["Source"]
      S1 --> GND1["GND"]
      G1["Gate (0В)"] -.- D1
    end
    
    subgraph On["Включенное состояние (V_GS = 10В)"]
      direction TB
      VDD2["V_DD"] --> Load2["Нагрузка"]
      Load2 --> D2["Drain"]
      D2 --> S2["Source"]
      S2 --> GND2["GND"]
      G2["Gate (10В)"] -.- D2
    end
    
    Off --> On
    
    classDef current fill:#0f0,stroke:#333,stroke-width:2px
    class D2,S2 current
  
Важное замечание: Мы приложили усилия, чтобы эта инструкция была точной и полезной. Однако эта инструкция предоставляется как справочный материал. Электронные компоненты могут иметь вариации, а схемы подключения зависят от конкретных условий и вашего оборудования. Эта информация предоставляется "как есть", без гарантий полноты или безошибочности. Настоятельно рекомендуем проверять спецификации вашего модуля (datasheet), сверяться с другими источниками и, при малейших сомнениях, обращаться к квалифицированным специалистам, особенно при работе с напряжением 220В.

Продовжимо солов'їною?

Оберіть мову