


NCE82H140 — мощный N-канальный MOSFET с обогащением (Enhancement Mode) на 82 В и 140 А в корпусе TO‑220‑3L, оптимизирован для низких потерь проводимости и быстрого переключения.
Типовое 4.3 мОм (макс. 6.0 мОм) при VGS = 10 В, ID = 20 А — минимизирует потери проводимости в силовых преобразователях.
До 140 А при TC = 25°C и 99 А при TC = 100°C — пригоден для тяжелых нагрузок.
Типичные времена: td(on) 23 нс, tr 42 нс, td(off) 75 нс, tf 26 нс (VDD = 30 В, VGS = 10 В, RGEN = 2.5 Ω) — уменьшают динамические потери.
Полностью охарактеризована лавинная стойкость (EAS 1200 мДж), 100% тестирование UIS; предельная Tj до 175°C и низкое RθJC 0.68 °C/Вт.
Производитель: | Wuxi NCE Power Semiconductor |
---|---|
Тип компонента: | N-канальный MOSFET, Enhancement Mode |
Корпус: | TO-220-3L |
Напряжение сток–исток (VDS): | 82 В |
Непрерывный ток стока (ID, TC=25°C): | 140 А |
Ток стока (ID, TC=100°C): | 99 А |
Макс. напряжение затвор–исток (VGS): | ±20 В |
Порог VGS(th): | 2–4 В (тип. 3 В) |
RDS(on): | тип. 4.3 мОм, макс. 6.0 мОм (VGS=10 В, ID=20 А) |
Мощность рассеяния (PD, TC=25°C): | 220 Вт |
Тепловое сопротивление переход–корпус (RθJC): | 0.68 °C/Вт |
Входная емкость (Ciss): | 7900 пФ (VDS=40 В) |
Выходная/обратная емкость (Coss/Crss): | 445 пФ / 384 пФ (VDS=40 В) |
Общий заряд затвора (Qg): | 158 нКл (VDS=40 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
Времена переключения (td(on)/tr/td(off)/tf): | 23 / 42 / 75 / 26 нс |
Диод: VSD / trr: | ≤ 1.2 В @ IS=140 А / 50 нс (IF=20 А, di/dt=100 А/мкс) |
Лавинная энергия (EAS): | 1200 мДж |
Диапазон температур перехода (Tj): | −55…+175 °C |
Паспорт дает гарантированное RDS(on) при VGS = 10 В (ID = 20 А). Порог VGS(th) 2–4 В не означает полного открывания канала, поэтому для минимальных потерь производитель характеризует устройство при 10 В на затворе.
Tj = −55…+175°C; максимальная PD = 220 Вт (TC = 25°C) с дерейтингом 1.47 Вт/°C; тепловое сопротивление RθJC = 0.68 °C/Вт.
Да, встроенный диод: VSD ≤ 1.2 В при IS = 140 А; типичное trr 50 нс (IF = 20 А, di/dt = 100 А/мкс).
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.
N-канальный MOSFET, корпус TO-220
NCE82H140 — это N-канальный MOSFET в корпусе TO-220-3L, который используется в коммутационных схемах, импульсных источниках питания, драйверах двигателей и других системах управления нагрузкой.
flowchart TD subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"] Metal["Металлическая пластина
(радиатор)"] direction TB subgraph Pins["Выводы"] direction LR G["1
Затвор
(Gate, G)"] --- D["2
Сток
(Drain, D)"] --- S["3
Исток
(Source, S)"] end Metal --- Pins end classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px class G,D,S pin
Транзистор NCE82H140 имеет три вывода:
flowchart TD VDD["+ Питание (V_DD)"] --> Load["Нагрузка"] Load --> D["Сток (Drain)"] G["Затвор (Gate)"] --> RG["Резистор затвора
R_G: 10-100 Ом"] RG --> MCU["Управляющий сигнал
(микроконтроллер)"] D --> S["Исток (Source)"] S --> GND["Земля (GND)"] RPD["Подтягивающий резистор
10 кОм"] --> G RPD --> S subgraph Protection["Защита (для индуктивной нагрузки)"] D1["Защитный диод
1N4007"] --> D D1 --> VDD end
Базовая схема подключения для коммутации нагрузки:
Для быстрого переключения при емкости затвора 7900 пФ:
R_G = 10–47 Ом
P = I_D × V_DS
Где: I_D - ток стока, V_DS - напряжение сток-исток
Максимальная мощность: 215 Вт
T_J = T_A + (P × R_θJA)
Где: T_J - температура перехода, T_A - температура окружающей среды, P - рассеиваемая мощность, R_θJA - тепловое сопротивление переход-среда
Максимальная температура перехода: 175°C
Параметр | Значение | Единица |
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток (V_DS) | 82 | В |
Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 | В |
Максимальный ток стока (I_D) при T_C = 25°C | 140 | А |
Максимальная мощность (P_D) | 215 | Вт |
Максимальная температура перехода (T_J) | 175 | °C |
Порог напряжения затвор-исток (V_GS(th)) | 2.0–4.0 | В |
Рекомендуемое напряжение затвор-исток для полного открытия | 10 | В |
flowchart LR subgraph Off["Выключенное состояние (V_GS = 0В)"] direction TB VDD1["V_DD"] --> Load1["Нагрузка"] Load1 --> D1["Drain"] D1 -.- S1["Source"] S1 --> GND1["GND"] G1["Gate (0В)"] -.- D1 end subgraph On["Включенное состояние (V_GS = 10В)"] direction TB VDD2["V_DD"] --> Load2["Нагрузка"] Load2 --> D2["Drain"] D2 --> S2["Source"] S2 --> GND2["GND"] G2["Gate (10В)"] -.- D2 end Off --> On classDef current fill:#0f0,stroke:#333,stroke-width:2px class D2,S2 current