Транзистор MJD122G корпус TO-252 (100V 8А)
Транзистор MJD122G TO-252 (DPAK)
NPN дарлінгтон-транзистор потужності для підсилювачів загального призначення та низькошвидкісного комутування, розрахований на 100 В і 8 А у компактному корпусі TO‑252 (DPAK).
Основні переваги
Типовий hFE ≈ 2500 при IC = 4 А забезпечує малу потребу в базовому струмі при керуванні навантаженнями.
Монолітна дарлінгтон-структура з резисторами між базою та емітером спрощує обв’язку та підвищує надійність.
Стійкість до електростатичних розрядів: HBM > 8 кВ, MM > 400 В, що зменшує ризик пошкодження під час монтажу.
Рекомендований як поверхневий замінник серій TIP120–TIP122, зберігаючи знайомі електричні параметри в DPAK.
Ключові характеристики
| Тип транзистора: | NPN, дарлінгтон |
|---|---|
| Корпус: | TO‑252 (DPAK), Case 369C |
| VCEO (мін.): | 100 В |
| IC (безперервний): | 8 А |
| IC (піковий): | 16 А |
| Розсіювана потужність (TC = 25°C): | 20 Вт, дерейтинг 0.16 Вт/°C |
| Розсіювана потужність (TA = 25°C): | 1.75 Вт, дерейтинг 0.014 Вт/°C |
| VCE(sat) (макс.): | 2 В @ IC = 4 А, IB = 16 мА; 4 В @ IC = 8 А, IB = 80 мА |
| hFE: | 1000–12000 @ IC = 4 А; ≥100 @ IC = 8 А |
| fT (мін.): | 4 МГц |
| RθJC / RθJA (макс.): | 6.25 °C/Вт / 71.4 °C/Вт |
| Температура експл./зберігання: | −65…+150 °C |
| Pinout (DPAK): | 1—База, 2/4—Колектор, 3—Емітер |
Детальні технічні параметри
- VCB (макс.): 100 В; VEB (макс.): 5 В.
- IB (макс.): 120 мА.
- VBE(on) (тип.): 2.8 В @ IC = 4 А, VCE = 4 В.
- VBE(sat) (макс.): 4.5 В @ IC = 8 А, IB = 80 мА.
- Вихідна ємність Cob (макс.): 200 пФ (для MJD122 при VCB = 10 В, f = 0.1 МГц).
- Малосигнальний коефіцієнт підсилення hfe (мін.): 300 @ IC = 3 А, VCE = 4 В, f = 1 кГц.
- ESD: HBM клас 3B > 8000 В; MM клас C > 400 В.
- Матеріал корпусу: епоксид UL 94 V‑0; без свинцю, Halogen/BFR‑Free; RoHS‑сумісний.
- Дарлінгтон‑схема з вбудованими резисторами між базою та емітером (≈8 кОм та ≈120 Ω).
Основні сфери застосування
- Підсилювачі загального призначення.
- Низькошвидкісні комутаційні вузли.
- Поверхневий SMD‑замінник для TIP120–TIP122 у відповідних схемах.
Сумісні позначення та альтернативи
Питання-відповіді (FAQ)
Так. У даташиті зазначено, що MJD122 є поверхневим замінником для серій TIP120–TIP122, забезпечуючи подібні електричні характеристики у корпусі DPAK.
MJD122G постачається в рейках (Rail), MJD122T4G — у стрічці‑на‑котушці (Tape&Reel), а NJVMJD122T4G — це автомобільна версія з префіксом NJV (AEC‑Q101).
За TC = 25°C максимальна розсіювана потужність становить 20 Вт (дерейтинг 0.16 Вт/°C); тепловий опір RθJC = 6.25 °C/Вт, RθJA = 71.4 °C/Вт.
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.