⚠️ УВАГА 🔧 ТИМЧАСОВА ПЕРЕРВА: з 10.05.2026 по 18.05.2026

💛 Колеги по паяльнику, нам потрібна пауза! За останні 3 роки ми працювали для вас майже без жодного вихідного (uptime 99,99%!). Але навіть найстійкіші мікросхеми потребують cooldown😅Тому ми беремо свою першу відпустку, щоб відпочити, провітрити склад від каніфолі та повернутися з новими силами 🌴
📦 Як ми працюємо у ці дні: Сайт приймає замовлення та повідомлення 24/7 у звичайному режимі, але відправляти посилки ми почнемо 19.05.2026.
Просимо зрозуміти,  та вибачити за тимчасові незручності 😉. Ваша підтримка – наш головний «стабілізатор напруги»! ⚡ Скоро знову паяємо разом!
Ваша команда «МІЙ ПРОЕКТ»
Каталог товарів
Клієнту
Тема сайту:
+38 (066) 305-77-25
Наша адреса
Україна, тимчасово - доставка тільки Новою Поштою, УкрПоштою, МістПошта, ROZETKA Delivery
Телефони
Графік роботи
  • Пн-Пт: з 9 до 18
  • Сб: з 10 до 17
  • Нд: з 11 до 16
E-mail
Ми в соцмережах
Перейти до контактів
0 0
Каталог
Головна
Закладки
0
Порівняти
0
Контакти

Транзистор MJD122G корпус TO-252 (100V 8А)

Країна-виробник: Китай Код товару: 5448
0
Все про товар
Опис
Характеристики
Відгуки 0
Питання0
В наявності
Код товару: 5448
11.00 грн
Знайшли дешевше?
🚚 Відправка відновиться 19.05.2026
Максимальна напруга:100 V
Максимальний струм:8 А
Полярність:NPN
Тип корпусу:TO-252
Доставка
Новою Поштою у відділення та поштомати
Новою Поштою у відділення та поштомати
від 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фіксована 49грн
Укрпоштою у відділення по Україні
Укрпоштою у відділення по Україні
від 55 ₴
Meest Пошта
Meest Пошта
від 80 ₴
Оплата
Оплата карткою Оплата карткою
Переказ на картку Переказ на картку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безготівковий розрахунок Безготівковий розрахунок
Післяплата Післяплата
Гарантійні положення
Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються
Транзистор MJD122G корпус TO-252 (100V 8А)
Код товару: 5448
11.00 грн
Опис

Транзистор MJD122G TO-252 (DPAK)

NPN дарлінгтон-транзистор потужності для підсилювачів загального призначення та низькошвидкісного комутування, розрахований на 100 В і 8 А у компактному корпусі TO‑252 (DPAK).

Основні переваги

Високий коефіцієнт підсилення

Типовий hFE ≈ 2500 при IC = 4 А забезпечує малу потребу в базовому струмі при керуванні навантаженнями.

Вбудовані шунтуючі резистори

Монолітна дарлінгтон-структура з резисторами між базою та емітером спрощує обв’язку та підвищує надійність.

Захист від ESD

Стійкість до електростатичних розрядів: HBM > 8 кВ, MM > 400 В, що зменшує ризик пошкодження під час монтажу.

SMD‑замінник популярних серій

Рекомендований як поверхневий замінник серій TIP120–TIP122, зберігаючи знайомі електричні параметри в DPAK.

Ключові характеристики

Тип транзистора:NPN, дарлінгтон
Корпус:TO‑252 (DPAK), Case 369C
VCEO (мін.):100 В
IC (безперервний):8 А
IC (піковий):16 А
Розсіювана потужність (TC = 25°C):20 Вт, дерейтинг 0.16 Вт/°C
Розсіювана потужність (TA = 25°C):1.75 Вт, дерейтинг 0.014 Вт/°C
VCE(sat) (макс.):2 В @ IC = 4 А, IB = 16 мА; 4 В @ IC = 8 А, IB = 80 мА
hFE:1000–12000 @ IC = 4 А; ≥100 @ IC = 8 А
fT (мін.):4 МГц
RθJC / RθJA (макс.):6.25 °C/Вт / 71.4 °C/Вт
Температура експл./зберігання:−65…+150 °C
Pinout (DPAK):1—База, 2/4—Колектор, 3—Емітер

Детальні технічні параметри

  • VCB (макс.): 100 В; VEB (макс.): 5 В.
  • IB (макс.): 120 мА.
  • VBE(on) (тип.): 2.8 В @ IC = 4 А, VCE = 4 В.
  • VBE(sat) (макс.): 4.5 В @ IC = 8 А, IB = 80 мА.
  • Вихідна ємність Cob (макс.): 200 пФ (для MJD122 при VCB = 10 В, f = 0.1 МГц).
  • Малосигнальний коефіцієнт підсилення hfe (мін.): 300 @ IC = 3 А, VCE = 4 В, f = 1 кГц.
  • ESD: HBM клас 3B > 8000 В; MM клас C > 400 В.
  • Матеріал корпусу: епоксид UL 94 V‑0; без свинцю, Halogen/BFR‑Free; RoHS‑сумісний.
  • Дарлінгтон‑схема з вбудованими резисторами між базою та емітером (≈8 кОм та ≈120 Ω).
Примітка: параметри базуються на документації onsemi для MJD122/MJD122G. Джерело: onsemi Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

  • Підсилювачі загального призначення.
  • Низькошвидкісні комутаційні вузли.
  • Поверхневий SMD‑замінник для TIP120–TIP122 у відповідних схемах.

Сумісні позначення та альтернативи

Комплементарний PNP‑аналог: MJD127. Близькі варіанти цієї ж серії: MJD122T4G (Tape&Reel) та NJVMJD122T4G (автомобільна версія, AEC‑Q101).

Питання-відповіді (FAQ)

Чи можна використовувати MJD122G як SMD‑заміну TIP122?

Так. У даташиті зазначено, що MJD122 є поверхневим замінником для серій TIP120–TIP122, забезпечуючи подібні електричні характеристики у корпусі DPAK.

Чим відрізняються MJD122G, MJD122T4G та NJVMJD122T4G?

MJD122G постачається в рейках (Rail), MJD122T4G — у стрічці‑на‑котушці (Tape&Reel), а NJVMJD122T4G — це автомобільна версія з префіксом NJV (AEC‑Q101).

Яка допустима потужність і теплові параметри?

За TC = 25°C максимальна розсіювана потужність становить 20 Вт (дерейтинг 0.16 Вт/°C); тепловий опір RθJC = 6.25 °C/Вт, RθJA = 71.4 °C/Вт.

Характеристики
Основні
Максимальна напруга
100 V
Максимальний струм
8 А
Полярність
NPN
Тип корпусу
TO-252
Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді
Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.