Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

Транзистор MJD122G TO-252 корпус (100V 8А)

Страна-производитель: Китай Код товара: 5448
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы0
Есть в наличии
Код товара: 5448
11.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Максимальное напряжение:100 V
Максимальный ток:8 А
Полярность:NPN
Тип корпуса:TO-252
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы
Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине
Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express
Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
Транзистор MJD122G TO-252 корпус (100V 8А)
Код товара: 5448
11.00 грн
Описание

Транзистор MJD122G TO-252 (DPAK)

NPN дарлингтон-транзистор мощности для усилителей общего назначения и низкоскоростной коммутации, рассчитанный на 100 В и 8 А в компактном корпусе TO‑252 (DPAK).

Основные преимущества

Высокий коэффициент усиления

Типичный hFE ≈ 2500 при IC = 4 А обеспечивает малую потребность в базовом токе при управлении нагрузками.

Встроенные шунтирующие резисторы

Монолитная дарлингтон-структура с резисторами между базой и эмиттером упрощает обвязку и повышает надежность.

Защита от ESD

Устойчивость к электростатическим разрядам: HBM > 8 кВ, MM > 400 В, что снижает риск повреждения при монтаже.

SMD‑заменитель популярных серий

Рекомендуется как поверхностный заменитель серий TIP120–TIP122, сохраняя знакомые электрические параметры в DPAK.

Ключевые характеристики

Тип транзистора:NPN, дарлингтон
Корпус:TO‑252 (DPAK), Case 369C
VCEO (мин.):100 В
IC (непрерывный):8 А
IC (пиковый):16 А
Рассеиваемая мощность (TC = 25°C):20 Вт, дерейтинг 0.16 Вт/°C
Рассеиваемая мощность (TA = 25°C):1.75 Вт, дерейтинг 0.014 Вт/°C
VCE(sat) (макс.):2 В @ IC = 4 А, IB = 16 мА; 4 В @ IC = 8 А, IB = 80 мА
hFE:1000–12000 @ IC = 4 А; ≥100 @ IC = 8 А
fT (мин.):4 МГц
RθJC / RθJA (макс.):6.25 °C/Вт / 71.4 °C/Вт
Температура экспл./хранения:−65…+150 °C
Pinout (DPAK):1—База, 2/4—Коллектор, 3—Эмиттер

Детальные технические параметры

  • VCB (макс.): 100 В; VEB (макс.): 5 В.
  • IB (макс.): 120 мА.
  • VBE(on) (тип.): 2.8 В @ IC = 4 А, VCE = 4 В.
  • VBE(sat) (макс.): 4.5 В @ IC = 8 А, IB = 80 мА.
  • Выходная емкость Cob (макс.): 200 пФ (для MJD122 при VCB = 10 В, f = 0.1 МГц).
  • Малосигнальный коэффициент усиления hfe (мин.): 300 @ IC = 3 А, VCE = 4 В, f = 1 кГц.
  • ESD: HBM класс 3B > 8000 В; MM класс C > 400 В.
  • Материал корпуса: эпоксид UL 94 V‑0; без свинца, Halogen/BFR‑Free; совместим с RoHS.
  • Дарлингтон‑схема с встроенными резисторами между базой и эмиттером (≈8 кОм и ≈120 Ω).
Примечание: параметры основаны на документации onsemi для MJD122/MJD122G. Источник: onsemi Datasheet (PDF).

Основные области применения

  • Усилители общего назначения.
  • Низкоскоростные коммутационные узлы.
  • Поверхностный SMD‑заменитель для TIP120–TIP122 в соответствующих схемах.

Совместимые обозначения и альтернативы

Комплементарный PNP‑аналог: MJD127. Близкие варианты этой же серии: MJD122T4G (Tape&Reel) и NJVMJD122T4G (автомобильная версия, AEC‑Q101).

Вопросы-ответы (FAQ)

Можно ли использовать MJD122G как SMD‑замену TIP122?

Да. В даташите указано, что MJD122 является поверхностным заменителем для серий TIP120–TIP122, обеспечивая подобные электрические характеристики в корпусе DPAK.

Чем отличаются MJD122G, MJD122T4G и NJVMJD122T4G?

MJD122G поставляется в рейках (Rail), MJD122T4G — в ленте‑на‑катушке (Tape&Reel), а NJVMJD122T4G — это автомобильная версия с префиксом NJV (AEC‑Q101).

Какова допустимая мощность и тепловые параметры?

При TC = 25°C максимальная рассеиваемая мощность составляет 20 Вт (дерейтинг 0.16 Вт/°C); тепловое сопротивление RθJC = 6.25 °C/Вт, RθJA = 71.4 °C/Вт.

Характеристики
Основные
Максимальное напряжение
100 V
Максимальный ток
8 А
Полярность
NPN
Тип корпуса
TO-252
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Продовжимо солов'їною?

Оберіть мову