Транзистор MJD122G TO-252 корпус (100V 8А)
Транзистор MJD122G TO-252 (DPAK)
NPN дарлингтон-транзистор мощности для усилителей общего назначения и низкоскоростной коммутации, рассчитанный на 100 В и 8 А в компактном корпусе TO‑252 (DPAK).
Основные преимущества
Типичный hFE ≈ 2500 при IC = 4 А обеспечивает малую потребность в базовом токе при управлении нагрузками.
Монолитная дарлингтон-структура с резисторами между базой и эмиттером упрощает обвязку и повышает надежность.
Устойчивость к электростатическим разрядам: HBM > 8 кВ, MM > 400 В, что снижает риск повреждения при монтаже.
Рекомендуется как поверхностный заменитель серий TIP120–TIP122, сохраняя знакомые электрические параметры в DPAK.
Ключевые характеристики
| Тип транзистора: | NPN, дарлингтон |
|---|---|
| Корпус: | TO‑252 (DPAK), Case 369C |
| VCEO (мин.): | 100 В |
| IC (непрерывный): | 8 А |
| IC (пиковый): | 16 А |
| Рассеиваемая мощность (TC = 25°C): | 20 Вт, дерейтинг 0.16 Вт/°C |
| Рассеиваемая мощность (TA = 25°C): | 1.75 Вт, дерейтинг 0.014 Вт/°C |
| VCE(sat) (макс.): | 2 В @ IC = 4 А, IB = 16 мА; 4 В @ IC = 8 А, IB = 80 мА |
| hFE: | 1000–12000 @ IC = 4 А; ≥100 @ IC = 8 А |
| fT (мин.): | 4 МГц |
| RθJC / RθJA (макс.): | 6.25 °C/Вт / 71.4 °C/Вт |
| Температура экспл./хранения: | −65…+150 °C |
| Pinout (DPAK): | 1—База, 2/4—Коллектор, 3—Эмиттер |
Детальные технические параметры
- VCB (макс.): 100 В; VEB (макс.): 5 В.
- IB (макс.): 120 мА.
- VBE(on) (тип.): 2.8 В @ IC = 4 А, VCE = 4 В.
- VBE(sat) (макс.): 4.5 В @ IC = 8 А, IB = 80 мА.
- Выходная емкость Cob (макс.): 200 пФ (для MJD122 при VCB = 10 В, f = 0.1 МГц).
- Малосигнальный коэффициент усиления hfe (мин.): 300 @ IC = 3 А, VCE = 4 В, f = 1 кГц.
- ESD: HBM класс 3B > 8000 В; MM класс C > 400 В.
- Материал корпуса: эпоксид UL 94 V‑0; без свинца, Halogen/BFR‑Free; совместим с RoHS.
- Дарлингтон‑схема с встроенными резисторами между базой и эмиттером (≈8 кОм и ≈120 Ω).
Основные области применения
- Усилители общего назначения.
- Низкоскоростные коммутационные узлы.
- Поверхностный SMD‑заменитель для TIP120–TIP122 в соответствующих схемах.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы-ответы (FAQ)
Да. В даташите указано, что MJD122 является поверхностным заменителем для серий TIP120–TIP122, обеспечивая подобные электрические характеристики в корпусе DPAK.
MJD122G поставляется в рейках (Rail), MJD122T4G — в ленте‑на‑катушке (Tape&Reel), а NJVMJD122T4G — это автомобильная версия с префиксом NJV (AEC‑Q101).
При TC = 25°C максимальная рассеиваемая мощность составляет 20 Вт (дерейтинг 0.16 Вт/°C); тепловое сопротивление RθJC = 6.25 °C/Вт, RθJA = 71.4 °C/Вт.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.