


NPN дарлингтон-транзистор мощности для усилителей общего назначения и низкоскоростной коммутации, рассчитанный на 100 В и 8 А в компактном корпусе TO‑252 (DPAK).
Типичный hFE ≈ 2500 при IC = 4 А обеспечивает малую потребность в базовом токе при управлении нагрузками.
Монолитная дарлингтон-структура с резисторами между базой и эмиттером упрощает обвязку и повышает надежность.
Устойчивость к электростатическим разрядам: HBM > 8 кВ, MM > 400 В, что снижает риск повреждения при монтаже.
Рекомендуется как поверхностный заменитель серий TIP120–TIP122, сохраняя знакомые электрические параметры в DPAK.
Тип транзистора: | NPN, дарлингтон |
---|---|
Корпус: | TO‑252 (DPAK), Case 369C |
VCEO (мин.): | 100 В |
IC (непрерывный): | 8 А |
IC (пиковый): | 16 А |
Рассеиваемая мощность (TC = 25°C): | 20 Вт, дерейтинг 0.16 Вт/°C |
Рассеиваемая мощность (TA = 25°C): | 1.75 Вт, дерейтинг 0.014 Вт/°C |
VCE(sat) (макс.): | 2 В @ IC = 4 А, IB = 16 мА; 4 В @ IC = 8 А, IB = 80 мА |
hFE: | 1000–12000 @ IC = 4 А; ≥100 @ IC = 8 А |
fT (мин.): | 4 МГц |
RθJC / RθJA (макс.): | 6.25 °C/Вт / 71.4 °C/Вт |
Температура экспл./хранения: | −65…+150 °C |
Pinout (DPAK): | 1—База, 2/4—Коллектор, 3—Эмиттер |
Да. В даташите указано, что MJD122 является поверхностным заменителем для серий TIP120–TIP122, обеспечивая подобные электрические характеристики в корпусе DPAK.
MJD122G поставляется в рейках (Rail), MJD122T4G — в ленте‑на‑катушке (Tape&Reel), а NJVMJD122T4G — это автомобильная версия с префиксом NJV (AEC‑Q101).
При TC = 25°C максимальная рассеиваемая мощность составляет 20 Вт (дерейтинг 0.16 Вт/°C); тепловое сопротивление RθJC = 6.25 °C/Вт, RθJA = 71.4 °C/Вт.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.