

IRLZ44N — логіко-рівневий N‑канальний MOSFET на 55 В у корпусі TO‑220, призначений для високострумових ключових застосувань зі зниженими втратами та швидким перемиканням.
Надійне керування від низьковольтних драйверів/МК завдяки малому порогу VGS(th) ≈ 1–2 В і гарантованим параметрам при низьких напругах затвора.
RDS(on) до 0,022 Ω (VGS=10 В) зменшує тепловиділення й підвищує ККД силових вузлів.
Робота до 175 °C, повна аваланш‑стійкість та dV/dt‑рейтинги для жорстких режимів комутації.
Типові малі заряди/часи перемикання та оптимізовані ємності для ефективної ШИМ‑комутації.
Тип транзистора: | N‑канальний логіко‑рівневий MOSFET |
---|---|
Корпус: | TO‑220 (TO‑220AB) |
VDSS (макс.): | 55 В |
ID (безперервний, при TC=25 °C): | 47 А |
RDS(on) (макс., VGS=10 В): | 0,022 Ω |
RDS(on) (макс., VGS=4,0 В): | 0,035 Ω |
VGS(th) (мін./макс.): | 1,0…2,0 В |
VGS (макс.): | ±16 В |
Розсіювання потужності Ptot (TC=25 °C): | 83 Вт |
Тепловий опір RθJC (макс.): | 1,8 °C/Вт |
Так. Це логіко‑рівневий MOSFET із низьким VGS(th) і специфікаціями RDS(on) при низьких VGS, тому він підходить для драйву від типових МК за умови дотримання струмів/теплового режиму.
Якщо розсіювана потужність перевищує можливості корпусу без охолодження. Орієнтуйтеся на Ptot=83 Вт (TC=25 °C) та RθJC=1,8 °C/Вт; при значних струмах використовуйте радіатор і термоінтерфейс.
IRLZ44N має логіко‑рівневий затвор і гарантований низький RDS(on) при нижчих VGS, тоді як IRFZ44N потребує вищої напруги керування для повного відкривання.
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.