IRLZ44N транзистор корпус TO-220
IRLZ44N TO-220
IRLZ44N — логико‑уровневый N‑канальный MOSFET на 55 В в корпусе TO‑220, предназначен для высокотоковых ключевых применений с пониженными потерями и быстрым переключением.
Основные преимущества
Надежное управление от низковольтных драйверов/МК благодаря низкому порогу VGS(th) ≈ 1–2 В и гарантированным параметрам при низких напряжениях затвора.
RDS(on) до 0,022 Ω (VGS=10 В) снижает тепловыделение и повышает КПД силовых узлов.
Работа до 175 °C, полная лавинная стойкость и dV/dt‑рейтинги для жестких режимов коммутации.
Типовые малые заряды/времена переключения и оптимизированные емкости для эффективной ШИМ‑коммутации.
Ключевые характеристики
| Тип транзистора: | N‑канальный логико‑уровневый MOSFET |
|---|---|
| Корпус: | TO‑220 (TO‑220AB) |
| VDSS (макс.): | 55 В |
| ID (непрерывный, при TC=25 °C): | 47 А |
| RDS(on) (макс., VGS=10 В): | 0,022 Ω |
| RDS(on) (макс., VGS=4,0 В): | 0,035 Ω |
| VGS(th) (мин./макс.): | 1,0…2,0 В |
| VGS (макс.): | ±16 В |
| Рассеиваемая мощность Ptot (TC=25 °C): | 83 Вт |
| Тепловое сопротивление RθJC (макс.): | 1,8 °C/Вт |
Подробные технические параметры
- RDS(on) (макс., VGS=5,0 В): 0,025 Ω (ID=25 А).
- Заряд затвора Qg (макс.): 48 нКл (ID=25 А, VDS=44 В, VGS=5,0 В).
- Входная емкость Ciss (тип.): 1700 пФ (VDS=25 В, VGS=0 В, f=1 МГц).
- Диод тела: IS (непрерывный) 47 А; ISM (импульсный) 160 А.
- Падение на диоде VSD (макс.): 1,3 В (IS=25 А, VGS=0 В).
- Обратное восстановление диода trr: тип. 80 нс, макс. 120 нс (IF=25 А, di/dt=100 А/мкс).
- Рабочий диапазон температур перехода: −55…+175 °C.
- Полная лавинная стойкость; заявленный dV/dt‑рейтинг для режимов жесткой коммутации.
Основные области применения
- Управление DC‑двигателями, соленоидами, нагревателями и нагрузками большой мощности.
- Импульсные источники питания, понижающие преобразователи и выпрямители синхронного типа.
- Коммутаторы нагрузок, автомобильные и промышленные силовые узлы до 55 В.
- ШИМ‑управление светодиодными и индуктивными нагрузками.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы‑ответы (FAQ)
Да. Это логико‑уровневый MOSFET с низким VGS(th) и спецификациями RDS(on) при низких VGS, поэтому он подходит для драйва от типичных МК при соблюдении токов/теплового режима.
Если рассеиваемая мощность превышает возможности корпуса без охлаждения. Ориентируйтесь на Ptot=83 Вт (TC=25 °C) и RθJC=1,8 °C/Вт; при значительных токах используйте радиатор и термоинтерфейс.
IRLZ44N имеет логико‑уровневый затвор и гарантированно низкий RDS(on) при более низких VGS, тогда как IRFZ44N требует более высокого управляющего напряжения для полного открытия.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.