


IRLZ44N — логико‑уровневый N‑канальный MOSFET на 55 В в корпусе TO‑220, предназначен для высокотоковых ключевых применений с пониженными потерями и быстрым переключением.
Надежное управление от низковольтных драйверов/МК благодаря низкому порогу VGS(th) ≈ 1–2 В и гарантированным параметрам при низких напряжениях затвора.
RDS(on) до 0,022 Ω (VGS=10 В) снижает тепловыделение и повышает КПД силовых узлов.
Работа до 175 °C, полная лавинная стойкость и dV/dt‑рейтинги для жестких режимов коммутации.
Типовые малые заряды/времена переключения и оптимизированные емкости для эффективной ШИМ‑коммутации.
Тип транзистора: | N‑канальный логико‑уровневый MOSFET |
---|---|
Корпус: | TO‑220 (TO‑220AB) |
VDSS (макс.): | 55 В |
ID (непрерывный, при TC=25 °C): | 47 А |
RDS(on) (макс., VGS=10 В): | 0,022 Ω |
RDS(on) (макс., VGS=4,0 В): | 0,035 Ω |
VGS(th) (мин./макс.): | 1,0…2,0 В |
VGS (макс.): | ±16 В |
Рассеиваемая мощность Ptot (TC=25 °C): | 83 Вт |
Тепловое сопротивление RθJC (макс.): | 1,8 °C/Вт |
Да. Это логико‑уровневый MOSFET с низким VGS(th) и спецификациями RDS(on) при низких VGS, поэтому он подходит для драйва от типичных МК при соблюдении токов/теплового режима.
Если рассеиваемая мощность превышает возможности корпуса без охлаждения. Ориентируйтесь на Ptot=83 Вт (TC=25 °C) и RθJC=1,8 °C/Вт; при значительных токах используйте радиатор и термоинтерфейс.
IRLZ44N имеет логико‑уровневый затвор и гарантированно низкий RDS(on) при более низких VGS, тогда как IRFZ44N требует более высокого управляющего напряжения для полного открытия.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.