

N-канальний HEXFET MOSFET 55 В, 49 А у корпусі TO-220AB для силових комутацій та імпульсних схем.
RDS(on) 17.5 мОм (макс) при VGS = 10 В, ID = 25 А — зменшення втрат провідності у силових ключах.
Типові часи td(on)/tr = 12/60 нс і td(off)/tf = 44/45 нс для ефективної роботи в імпульсних топологіях.
Допустима температура переходу до 175°C і RθJC 1.5 °C/Вт забезпечують надійність за належного охолодження.
Повністю лавинно-стійкий MOSFET із типовим dv/dt 5.0 В/нс для надійної комутації індуктивних навантажень.
Тип: | N-канальний HEXFET Power MOSFET |
---|---|
Корпус: | TO-220AB |
Макс. напруга стік–витік VDS: | 55 В |
Струм стоку ID (TC = 25°C): | 49 А |
Струм стоку ID (TC = 100°C): | 35 А |
Імпульсний струм IDM: | 160 А |
Макс. напруга затвор–витік VGS: | ±20 В |
RDS(on) (VGS = 10 В, ID = 25 А): | 17.5 мОм (макс) |
Поріг VGS(th): | 2.0–4.0 В |
Сумарний заряд затвора Qg: | 63 нКл (VGS = 10 В, VDS = 44 В, ID = 25 А) |
Ємності (Ciss/Coss/Crss): | 1470 пФ / 360 пФ / 88 пФ (VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц) |
Часи перемикання: | td(on)/tr = 12/60 нс; td(off)/tf = 44/45 нс (VDD = 28 В, ID = 25 А, RG = 12 Ω, VGS = 10 В) |
Діод: пряма напруга VSD: | 1.3 В (макс) при IS = 25 А, VGS = 0 В |
Діод: trr / Qrr: | 63–95 нс / 170–260 нКл (TJ = 25°C, IF = 25 А, di/dt = 100 А/мкс) |
Розсіювана потужність PD (TC = 25°C): | 94 Вт (дерейтинг 0.63 Вт/°C) |
Тепловий опір RθJC / RθJA: | 1.5 °C/Вт / 62 °C/Вт |
Діапазон температур переходу TJ: | −55…+175 °C |
Виводи та майданчик: | 1–Gate, 2–Drain, 3–Source; металевий майданчик (tab) з’єднаний зі стоком |
Альтернативи з тієї ж родини: IRLZ44N (логік-рівневий у TO-220), IRFZ44NS (D2PAK), IRFIZ44N (ізольований TO-220 FullPAK). Перед заміною перевіряйте даташити на відповідність параметрів і корпусів.
RDS(on) нормується при VGS = 10 В; поріг VGS(th) 2.0–4.0 В. Для мінімальних втрат рекомендується драйвер затвора з напругою керування близько 10–12 В.
Так, металева пластина/майданчик корпусу TO-220AB електрично з’єднана зі стоком (Drain). Якщо радіатор має інший потенціал — використовуйте ізолювальні прокладки.
PD = 94 Вт при TC = 25°C (дерейтинг 0.63 Вт/°C); робочий діапазон TJ від −55°C до +175°C за умови належного тепловідводу.
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.
N-канальний MOSFET силовий транзистор корпус TO-220
Транзистор IRFZ44N
має корпус TO-220 із трьома виводами, які розташовані наступним чином (якщо дивитися на лицьову сторону транзистора з написами, виводи внизу):
flowchart TD subgraph TO220["Корпус TO-220 (вигляд спереду)"] Metal["Металева пластина
(з'єднана зі Стоком)"] direction TB subgraph Pins["Виводи"] direction LR G["1
Затвор
(Gate)"] --- D["2
Стік
(Drain)"] --- S["3
Витік
(Source)"] end Metal --- Pins end classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px class G,D,S pin
Транзистор IRFZ44N
є N-канальним MOSFET і зазвичай використовується для комутації навантаження. Базова схема виглядає так:
flowchart TD VDD["+ Живлення (V_DD)"] --> Load["Навантаження"] Load --> D["Стік (Drain) IRFZ44N"] G["Затвор (Gate) IRFZ44N"] --> RG["Резистор затвора R_G (10-47 Ом)"] RG --> Signal["Керуючий сигнал (Мікроконтролер)"] D --> S["Витік (Source) IRFZ44N"] S --> GND["Земля (GND)"] G --> Rpd["Захисний резистор 10 кОм"] Rpd --> S %% Захисний діод для індуктивного навантаження Diode["Діод (1N4007)"] --> VDD D --> Diode
Резистор затвора обмежує пікові струми при перемиканні та захищає затвор.
Приклад: Якщо керуюча напруга 10В, а максимальний струм затвора 20мА:
R_G = 10В / 0,02А = 500 Ом
При підключенні індуктивних навантажень (двигунів, реле, соленоїдів) необхідно використовувати додатковий захист.
flowchart TD VDD["+ Живлення (V_DD)"] --> Motor["Двигун"] Motor --> D["Стік (Drain) IRFZ44N"] G["Затвор (Gate) IRFZ44N"] --> RG["Резистор 10-47 Ом"] RG --> MCU["Вихід мікроконтролера"] D --> S["Витік (Source) IRFZ44N"] S --> GND1["Земля (GND)"] G --> Rpd["Резистор 10 кОм"] Rpd --> S %% Захисний діод Diode["Діод 1N4007"] --> VDD D --> Diode %% Підключення живлення мікроконтролера MCU_VDD["Живлення MCU"] --> MCU MCU --> GND2["Земля (GND)"]
Компонент | Призначення | Рекомендоване значення |
---|---|---|
Резистор затвор-витік | Захист від випадкового відкриття, утримання закритого стану | 10 кОм |
Резистор затвора | Обмеження струму затвора, зменшення електромагнітних завад | 10-47 Ом |
Захисний діод | Захист від зворотної напруги при вимкненні індуктивного навантаження | 1N4007 або інший швидкий діод |
Для правильної роботи IRFZ44N необхідно забезпечити відповідну напругу керування.
Коли на затвор подається високий рівень (10В):
Коли на затвор подається низький рівень (0В):
Використовуйте PWM сигнал на затворі для регулювання швидкості обертання. Додайте захисний діод паралельно до двигуна для захисту від зворотної напруги.
Транзистор IRFZ44N ідеально підходить для комутації світлодіодних стрічок завдяки низькому опору у відкритому стані. Використовуйте PWM для регулювання яскравості.
Параметр | Значення |
---|---|
Максимальна напруга стік-витік (V_DS) | 55 В |
Максимальна напруга затвор-витік (V_GS) | ±20 В |
Максимальний постійний струм стоку (I_D) при 25°C | 49 A |
Максимальний постійний струм стоку (I_D) при 100°C | 35 A |
Максимальна розсіювана потужність (P_D) | 110 Вт |
Опір у відкритому стані (R_DS(on)) при V_GS=10В | 17.5 мОм |
Максимальна температура переходу (T_J) | 175°C |