Транзистор IRFZ44N корпус TO-220
IRFZ44N TO-220AB
N-канальний HEXFET MOSFET 55 В, 49 А у корпусі TO-220AB для силових комутацій та імпульсних схем.
Основні переваги
RDS(on) 17.5 мОм (макс) при VGS = 10 В, ID = 25 А — зменшення втрат провідності у силових ключах.
Типові часи td(on)/tr = 12/60 нс і td(off)/tf = 44/45 нс для ефективної роботи в імпульсних топологіях.
Допустима температура переходу до 175°C і RθJC 1.5 °C/Вт забезпечують надійність за належного охолодження.
Повністю лавинно-стійкий MOSFET із типовим dv/dt 5.0 В/нс для надійної комутації індуктивних навантажень.
Ключові характеристики
| Тип: | N-канальний HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Корпус: | TO-220AB |
| Макс. напруга стік–витік VDS: | 55 В |
| Струм стоку ID (TC = 25°C): | 49 А |
| Струм стоку ID (TC = 100°C): | 35 А |
| Імпульсний струм IDM: | 160 А |
| Макс. напруга затвор–витік VGS: | ±20 В |
| RDS(on) (VGS = 10 В, ID = 25 А): | 17.5 мОм (макс) |
| Поріг VGS(th): | 2.0–4.0 В |
| Сумарний заряд затвора Qg: | 63 нКл (VGS = 10 В, VDS = 44 В, ID = 25 А) |
| Ємності (Ciss/Coss/Crss): | 1470 пФ / 360 пФ / 88 пФ (VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц) |
| Часи перемикання: | td(on)/tr = 12/60 нс; td(off)/tf = 44/45 нс (VDD = 28 В, ID = 25 А, RG = 12 Ω, VGS = 10 В) |
| Діод: пряма напруга VSD: | 1.3 В (макс) при IS = 25 А, VGS = 0 В |
| Діод: trr / Qrr: | 63–95 нс / 170–260 нКл (TJ = 25°C, IF = 25 А, di/dt = 100 А/мкс) |
| Розсіювана потужність PD (TC = 25°C): | 94 Вт (дерейтинг 0.63 Вт/°C) |
| Тепловий опір RθJC / RθJA: | 1.5 °C/Вт / 62 °C/Вт |
| Діапазон температур переходу TJ: | −55…+175 °C |
| Виводи та майданчик: | 1–Gate, 2–Drain, 3–Source; металевий майданчик (tab) з’єднаний зі стоком |
Детальні технічні параметри
- Пробивна напруга V(BR)DSS: 55 В; температурний коефіцієнт ≈ 0.058 В/°C.
- Граничні лавинні параметри: IAR = 25 А; EAR (повторювана) ≈ 9.4 мДж; dv/dt (діод) до 5.0 В/нс.
- Витоки: IDSS ≤ 25 мкА (VDS = 55 В, VGS = 0 В); до 250 мкА при TJ = 150 °C.
- Струм затвора: IGSS ≤ ±100 нА при VGS = ±20 В.
- Внутрішні індуктивності: LD ≈ 4.5 нГн; LS ≈ 7.5 нГн (між виводом та центром кристалу).
- Теплові параметри: RθCS (кристал–радіатор, рівна змащена поверхня) тип. 0.50 °C/Вт.
Основні сфери застосування
- Силові ключові каскади низьковольтних імпульсних перетворювачів.
- Комутація індуктивних навантажень та загальні силові комутаційні схеми.
- Пристрої, де потрібні низькі втрати провідності та швидке перемикання.
Сумісні позначення та альтернативи
Альтернативи з тієї ж родини: IRLZ44N (логік-рівневий у TO-220), IRFZ44NS (D2PAK), IRFIZ44N (ізольований TO-220 FullPAK). Перед заміною перевіряйте даташити на відповідність параметрів і корпусів.
Питання-відповіді (FAQ)
RDS(on) нормується при VGS = 10 В; поріг VGS(th) 2.0–4.0 В. Для мінімальних втрат рекомендується драйвер затвора з напругою керування близько 10–12 В.
Так, металева пластина/майданчик корпусу TO-220AB електрично з’єднана зі стоком (Drain). Якщо радіатор має інший потенціал — використовуйте ізолювальні прокладки.
PD = 94 Вт при TC = 25°C (дерейтинг 0.63 Вт/°C); робочий діапазон TJ від −55°C до +175°C за умови належного тепловідводу.
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.
⚡ Інструкція з підключення транзистора IRFZ44N
N-канальний MOSFET силовий транзистор корпус TO-220
1. Ідентифікація виводів
Транзистор IRFZ44N має корпус TO-220 із трьома виводами, які розташовані наступним чином (якщо дивитися на лицьову сторону транзистора з написами, виводи внизу):
flowchart TD
subgraph TO220["Корпус TO-220 (вигляд спереду)"]
Metal["Металева пластина
(з'єднана зі Стоком)"]
direction TB
subgraph Pins["Виводи"]
direction LR
G["1
Затвор
(Gate)"] --- D["2
Стік
(Drain)"] --- S["3
Витік
(Source)"]
end
Metal --- Pins
end
classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px
class G,D,S pin
2. Основна схема підключення
Транзистор IRFZ44N є N-канальним MOSFET і зазвичай використовується для комутації навантаження. Базова схема виглядає так:
flowchart TD
VDD["+ Живлення (V_DD)"] --> Load["Навантаження"]
Load --> D["Стік (Drain)
IRFZ44N"]
G["Затвор (Gate)
IRFZ44N"] --> RG["Резистор затвора
R_G (10-47 Ом)"]
RG --> Signal["Керуючий сигнал
(Мікроконтролер)"]
D --> S["Витік (Source)
IRFZ44N"]
S --> GND["Земля (GND)"]
G --> Rpd["Захисний резистор
10 кОм"]
Rpd --> S
%% Захисний діод для індуктивного навантаження
Diode["Діод
(1N4007)"] --> VDD
D --> Diode
3. Вибір резистора затвора (R_G)
Резистор затвора обмежує пікові струми при перемиканні та захищає затвор.
- Оптимальний діапазон: 10-100 Ом
- Для швидкого перемикання: 10-47 Ом
- Для зменшення електромагнітних завад: 47-100 Ом
Розрахунок резистора затвора:
Приклад: Якщо керуюча напруга 10В, а максимальний струм затвора 20мА:
R_G = 10В / 0,02А = 500 Ом
4. Захист затвора та схема з індуктивним навантаженням
При підключенні індуктивних навантажень (двигунів, реле, соленоїдів) необхідно використовувати додатковий захист.
flowchart TD
VDD["+ Живлення (V_DD)"] --> Motor["Двигун"]
Motor --> D["Стік (Drain)
IRFZ44N"]
G["Затвор (Gate)
IRFZ44N"] --> RG["Резистор
10-47 Ом"]
RG --> MCU["Вихід
мікроконтролера"]
D --> S["Витік (Source)
IRFZ44N"]
S --> GND1["Земля (GND)"]
G --> Rpd["Резистор
10 кОм"]
Rpd --> S
%% Захисний діод
Diode["Діод
1N4007"] --> VDD
D --> Diode
%% Підключення живлення мікроконтролера
MCU_VDD["Живлення MCU"] --> MCU
MCU --> GND2["Земля (GND)"]
Компоненти захисту:
| Компонент | Призначення | Рекомендоване значення |
|---|---|---|
| Резистор затвор-витік | Захист від випадкового відкриття, утримання закритого стану | 10 кОм |
| Резистор затвора | Обмеження струму затвора, зменшення електромагнітних завад | 10-47 Ом |
| Захисний діод | Захист від зворотної напруги при вимкненні індуктивного навантаження | 1N4007 або інший швидкий діод |
5. Напруга керування
Для правильної роботи IRFZ44N необхідно забезпечити відповідну напругу керування.
- Поріг увімкнення (V_GS(th)): 2.0-4.0В - транзистор починає відкриватись
- Оптимальна напруга керування: 10В - повне відкриття з мінімальним опором
- Максимальна напруга затвор-витік: ±20В - не перевищувати
6. Покрокова інструкція підключення
- Підключіть витік (Source) транзистора IRFZ44N до землі (GND).
- З'єднайте стік (Drain) транзистора з одним кінцем навантаження, а інший кінець навантаження — з позитивною напругою живлення (V_DD).
- Підключіть затвор (Gate) через резистор 10-47 Ом до джерела керуючого сигналу (наприклад, виходу мікроконтролера).
- Додайте резистор 10 кОм між затвором та витоком для надійного закриття транзистора у стані спокою.
- Для індуктивного навантаження (двигун, реле) підключіть захисний діод паралельно до навантаження: анод до стоку, катод до V_DD.
- При роботі зі струмом понад 5А встановіть радіатор на транзистор.
7. Принцип роботи схеми
Відкриття транзистора (вмикання навантаження):
Коли на затвор подається високий рівень (10В):
- Між затвором і витоком створюється електричне поле
- В каналі транзистора формується провідний шар
- Транзистор відкривається, дозволяючи струму проходити від стоку до витоку через навантаження
Закриття транзистора (вимикання навантаження):
Коли на затвор подається низький рівень (0В):
- Електричне поле зникає
- Провідний канал закривається
- Транзистор закривається, струм через навантаження припиняється
- Резистор 10 кОм допомагає швидко розрядити ємність затвора
8. Практичні застосування
Керування двигуном постійного струму:
Використовуйте PWM сигнал на затворі для регулювання швидкості обертання. Додайте захисний діод паралельно до двигуна для захисту від зворотної напруги.
Керування світлодіодними стрічками:
Транзистор IRFZ44N ідеально підходить для комутації світлодіодних стрічок завдяки низькому опору у відкритому стані. Використовуйте PWM для регулювання яскравості.
9. Обмеження та граничні параметри
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна напруга стік-витік (V_DS) | 55 В |
| Максимальна напруга затвор-витік (V_GS) | ±20 В |
| Максимальний постійний струм стоку (I_D) при 25°C | 49 A |
| Максимальний постійний струм стоку (I_D) при 100°C | 35 A |
| Максимальна розсіювана потужність (P_D) | 110 Вт |
| Опір у відкритому стані (R_DS(on)) при V_GS=10В | 17.5 мОм |
| Максимальна температура переходу (T_J) | 175°C |