Каталог товарів
Клієнту
Тема сайту:
+38 (066) 305-77-25
Наша адреса
Харків, тимчасово - доставка тільки Новою Поштою, УкрПоштою, МістЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефони
Графік роботи
  • Пн-Пт: з 9 до 18
  • Сб: з 10 до 17
  • Нд: з 11 до 16
E-mail
Ми в соцмережах
Перейти до контактів
0 0
Каталог
Головна
Закладки
0
Порівняти
0
Контакти

Транзистор IRFZ44N корпус TO-220

Країна-виробник: Китай Код товару: 5577
0
Все про товар
Опис
Характеристики
Відгуки 0
Питання0
Інструкція
В наявності
Код товару: 5577
17.00 грн
Знайшли дешевше?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Полярність:N-канальний MOSFET
Тип корпусу:TO-220
Доставка
Новою Поштою у відділення та поштомати
Новою Поштою у відділення та поштомати
від 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фіксована 49грн
Укрпоштою у відділення по Україні
Укрпоштою у відділення по Україні
від 45 ₴
Meest Express
Meest Express
від 60 ₴
Оплата
Оплата карткою Оплата карткою
Переказ на картку Переказ на картку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безготівковий розрахунок Безготівковий розрахунок
Післяплата Післяплата
Гарантійні положення
Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються
Транзистор IRFZ44N корпус TO-220
Код товару: 5577
17.00 грн
Опис

IRFZ44N TO-220AB

N-канальний HEXFET MOSFET 55 В, 49 А у корпусі TO-220AB для силових комутацій та імпульсних схем.

Основні переваги

Низький опір каналу

RDS(on) 17.5 мОм (макс) при VGS = 10 В, ID = 25 А — зменшення втрат провідності у силових ключах.

Швидке перемикання

Типові часи td(on)/tr = 12/60 нс і td(off)/tf = 44/45 нс для ефективної роботи в імпульсних топологіях.

Висока термостійкість

Допустима температура переходу до 175°C і RθJC 1.5 °C/Вт забезпечують надійність за належного охолодження.

Лавинна стійкість

Повністю лавинно-стійкий MOSFET із типовим dv/dt 5.0 В/нс для надійної комутації індуктивних навантажень.

Ключові характеристики

Тип:N-канальний HEXFET Power MOSFET
Корпус:TO-220AB
Макс. напруга стік–витік VDS:55 В
Струм стоку ID (TC = 25°C):49 А
Струм стоку ID (TC = 100°C):35 А
Імпульсний струм IDM:160 А
Макс. напруга затвор–витік VGS:±20 В
RDS(on) (VGS = 10 В, ID = 25 А):17.5 мОм (макс)
Поріг VGS(th):2.0–4.0 В
Сумарний заряд затвора Qg:63 нКл (VGS = 10 В, VDS = 44 В, ID = 25 А)
Ємності (Ciss/Coss/Crss):1470 пФ / 360 пФ / 88 пФ (VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц)
Часи перемикання:td(on)/tr = 12/60 нс; td(off)/tf = 44/45 нс (VDD = 28 В, ID = 25 А, RG = 12 Ω, VGS = 10 В)
Діод: пряма напруга VSD:1.3 В (макс) при IS = 25 А, VGS = 0 В
Діод: trr / Qrr:63–95 нс / 170–260 нКл (TJ = 25°C, IF = 25 А, di/dt = 100 А/мкс)
Розсіювана потужність PD (TC = 25°C):94 Вт (дерейтинг 0.63 Вт/°C)
Тепловий опір RθJC / RθJA:1.5 °C/Вт / 62 °C/Вт
Діапазон температур переходу TJ:−55…+175 °C
Виводи та майданчик:1–Gate, 2–Drain, 3–Source; металевий майданчик (tab) з’єднаний зі стоком

Детальні технічні параметри

  • Пробивна напруга V(BR)DSS: 55 В; температурний коефіцієнт ≈ 0.058 В/°C.
  • Граничні лавинні параметри: IAR = 25 А; EAR (повторювана) ≈ 9.4 мДж; dv/dt (діод) до 5.0 В/нс.
  • Витоки: IDSS ≤ 25 мкА (VDS = 55 В, VGS = 0 В); до 250 мкА при TJ = 150 °C.
  • Струм затвора: IGSS ≤ ±100 нА при VGS = ±20 В.
  • Внутрішні індуктивності: LD ≈ 4.5 нГн; LS ≈ 7.5 нГн (між виводом та центром кристалу).
  • Теплові параметри: RθCS (кристал–радіатор, рівна змащена поверхня) тип. 0.50 °C/Вт.
Примітка: параметри базуються на документації International Rectifier для IRFZ44N. Джерело: International Rectifier Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

  • Силові ключові каскади низьковольтних імпульсних перетворювачів.
  • Комутація індуктивних навантажень та загальні силові комутаційні схеми.
  • Пристрої, де потрібні низькі втрати провідності та швидке перемикання.

Сумісні позначення та альтернативи

Альтернативи з тієї ж родини: IRLZ44N (логік-рівневий у TO-220), IRFZ44NS (D2PAK), IRFIZ44N (ізольований TO-220 FullPAK). Перед заміною перевіряйте даташити на відповідність параметрів і корпусів.

Питання-відповіді (FAQ)

Чи можна керувати IRFZ44N безпосередньо від 5 В (логіки)?

RDS(on) нормується при VGS = 10 В; поріг VGS(th) 2.0–4.0 В. Для мінімальних втрат рекомендується драйвер затвора з напругою керування близько 10–12 В.

Чи потрібна електроізоляція радіатора?

Так, металева пластина/майданчик корпусу TO-220AB електрично з’єднана зі стоком (Drain). Якщо радіатор має інший потенціал — використовуйте ізолювальні прокладки.

Які граничні потужність і температура?

PD = 94 Вт при TC = 25°C (дерейтинг 0.63 Вт/°C); робочий діапазон TJ від −55°C до +175°C за умови належного тепловідводу.

Характеристики
Основні
Полярність
N-канальний MOSFET
Тип корпусу
TO-220
Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді
Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.

Інструкція

⚡ Інструкція з підключення транзистора IRFZ44N

N-канальний MOSFET силовий транзистор корпус TO-220

1. Ідентифікація виводів

Транзистор IRFZ44N має корпус TO-220 із трьома виводами, які розташовані наступним чином (якщо дивитися на лицьову сторону транзистора з написами, виводи внизу):

flowchart TD
    subgraph TO220["Корпус TO-220 (вигляд спереду)"]
      Metal["Металева пластина
(з'єднана зі Стоком)"] direction TB subgraph Pins["Виводи"] direction LR G["1
Затвор
(Gate)"] --- D["2
Стік
(Drain)"] --- S["3
Витік
(Source)"] end Metal --- Pins end classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px class G,D,S pin
Завжди перевіряйте маркування на корпусі або даташит для точного визначення виводів. У деяких транзисторах розташування виводів може відрізнятися.

2. Основна схема підключення

Транзистор IRFZ44N є N-канальним MOSFET і зазвичай використовується для комутації навантаження. Базова схема виглядає так:

flowchart TD
    VDD["+ Живлення (V_DD)"] --> Load["Навантаження"]
    Load --> D["Стік (Drain)
    IRFZ44N"]
    G["Затвор (Gate)
    IRFZ44N"] --> RG["Резистор затвора
    R_G (10-47 Ом)"]
    RG --> Signal["Керуючий сигнал
    (Мікроконтролер)"]
    
    D --> S["Витік (Source)
    IRFZ44N"]
    S --> GND["Земля (GND)"]
    
    G --> Rpd["Захисний резистор
    10 кОм"]
    Rpd --> S
    
    %% Захисний діод для індуктивного навантаження
    Diode["Діод
    (1N4007)"] --> VDD
    D --> Diode
  

3. Вибір резистора затвора (R_G)

Резистор затвора обмежує пікові струми при перемиканні та захищає затвор.

Рекомендації для вибору резистора затвора:
  • Оптимальний діапазон: 10-100 Ом
  • Для швидкого перемикання: 10-47 Ом
  • Для зменшення електромагнітних завад: 47-100 Ом

Розрахунок резистора затвора:

R_G = V_керування / I_затвора

Приклад: Якщо керуюча напруга 10В, а максимальний струм затвора 20мА:
R_G = 10В / 0,02А = 500 Ом

Для більшості застосувань достатньо резистора 10-47 Ом. При використанні високих частот перемикання або довгих ліній керування рекомендується збільшити значення резистора до 100 Ом.

4. Захист затвора та схема з індуктивним навантаженням

При підключенні індуктивних навантажень (двигунів, реле, соленоїдів) необхідно використовувати додатковий захист.

flowchart TD
    VDD["+ Живлення (V_DD)"] --> Motor["Двигун"]
    Motor --> D["Стік (Drain)
    IRFZ44N"]
    
    G["Затвор (Gate)
    IRFZ44N"] --> RG["Резистор
    10-47 Ом"]
    RG --> MCU["Вихід
    мікроконтролера"]
    
    D --> S["Витік (Source)
    IRFZ44N"]
    S --> GND1["Земля (GND)"]
    
    G --> Rpd["Резистор
    10 кОм"]
    Rpd --> S
    
    %% Захисний діод
    Diode["Діод
    1N4007"] --> VDD
    D --> Diode
    
    %% Підключення живлення мікроконтролера
    MCU_VDD["Живлення MCU"] --> MCU
    MCU --> GND2["Земля (GND)"]
  

Компоненти захисту:

Компонент Призначення Рекомендоване значення
Резистор затвор-витік Захист від випадкового відкриття, утримання закритого стану 10 кОм
Резистор затвора Обмеження струму затвора, зменшення електромагнітних завад 10-47 Ом
Захисний діод Захист від зворотної напруги при вимкненні індуктивного навантаження 1N4007 або інший швидкий діод

5. Напруга керування

Для правильної роботи IRFZ44N необхідно забезпечити відповідну напругу керування.

  • Поріг увімкнення (V_GS(th)): 2.0-4.0В - транзистор починає відкриватись
  • Оптимальна напруга керування: 10В - повне відкриття з мінімальним опором
  • Максимальна напруга затвор-витік: ±20В - не перевищувати
При керуванні від мікроконтролера з виходом 3.3В або 5В транзистор відкриється не повністю, що призведе до підвищеного нагрівання. Для повного відкриття рекомендується використовувати драйвер затвора або логічний перетворювач рівнів.

6. Покрокова інструкція підключення

  1. Підключіть витік (Source) транзистора IRFZ44N до землі (GND).
  2. З'єднайте стік (Drain) транзистора з одним кінцем навантаження, а інший кінець навантаження — з позитивною напругою живлення (V_DD).
  3. Підключіть затвор (Gate) через резистор 10-47 Ом до джерела керуючого сигналу (наприклад, виходу мікроконтролера).
  4. Додайте резистор 10 кОм між затвором та витоком для надійного закриття транзистора у стані спокою.
  5. Для індуктивного навантаження (двигун, реле) підключіть захисний діод паралельно до навантаження: анод до стоку, катод до V_DD.
  6. При роботі зі струмом понад 5А встановіть радіатор на транзистор.

7. Принцип роботи схеми

Відкриття транзистора (вмикання навантаження):

Коли на затвор подається високий рівень (10В):

  1. Між затвором і витоком створюється електричне поле
  2. В каналі транзистора формується провідний шар
  3. Транзистор відкривається, дозволяючи струму проходити від стоку до витоку через навантаження

Закриття транзистора (вимикання навантаження):

Коли на затвор подається низький рівень (0В):

  1. Електричне поле зникає
  2. Провідний канал закривається
  3. Транзистор закривається, струм через навантаження припиняється
  4. Резистор 10 кОм допомагає швидко розрядити ємність затвора

8. Практичні застосування

Керування двигуном постійного струму:

Використовуйте PWM сигнал на затворі для регулювання швидкості обертання. Додайте захисний діод паралельно до двигуна для захисту від зворотної напруги.

Керування світлодіодними стрічками:

Транзистор IRFZ44N ідеально підходить для комутації світлодіодних стрічок завдяки низькому опору у відкритому стані. Використовуйте PWM для регулювання яскравості.

9. Обмеження та граничні параметри

Параметр Значення
Максимальна напруга стік-витік (V_DS) 55 В
Максимальна напруга затвор-витік (V_GS) ±20 В
Максимальний постійний струм стоку (I_D) при 25°C 49 A
Максимальний постійний струм стоку (I_D) при 100°C 35 A
Максимальна розсіювана потужність (P_D) 110 Вт
Опір у відкритому стані (R_DS(on)) при V_GS=10В 17.5 мОм
Максимальна температура переходу (T_J) 175°C
Не перевищуйте граничні параметри транзистора. При роботі з високими струмами (понад 5А) обов'язково використовуйте радіатор. Перевірте необхідність ізолюючої прокладки між транзистором та радіатором, оскільки металева основа корпусу TO-220 з'єднана зі стоком.
Важливе зауваження: Ми доклали зусиль, щоб ця інструкція була точною та корисною. Однак, ця інструкція надається як довідковий матеріал. Електронні компоненти можуть мати варіації, а схеми підключення залежать від конкретних умов та вашого обладнання. Ця інформація надається "як є", без гарантій повноти чи безпомилковості. Наполегливо рекомендуємо перевіряти специфікації вашого модуля (datasheet), звірятися з іншими джерелами та, за найменших сумнівів, звертатися до кваліфікованих фахівців, особливо при роботі з напругою 220В.