IRFZ44N транзистор корпус TO-220
IRFZ44N TO-220AB
N-канальный HEXFET MOSFET 55 В, 49 А в корпусе TO-220AB для силовой коммутации и импульсных схем.
Основные преимущества
RDS(on) 17.5 мОм (макс) при VGS = 10 В, ID = 25 А — снижение потерь проводимости в силовых ключах.
Типовые времена td(on)/tr = 12/60 нс и td(off)/tf = 44/45 нс для эффективной работы в импульсных топологиях.
Допустимая температура перехода до 175°C и RθJC 1.5 °C/Вт обеспечивают надежность при надлежащем охлаждении.
Полностью лавинно-стойкий MOSFET с типичным dv/dt 5.0 В/нс для надежной коммутации индуктивных нагрузок.
Ключевые характеристики
| Тип: | N-канальный HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Корпус: | TO-220AB |
| Макс. напряжение сток–исток VDS: | 55 В |
| Ток стока ID (TC = 25°C): | 49 А |
| Ток стока ID (TC = 100°C): | 35 А |
| Импульсный ток IDM: | 160 А |
| Макс. напряжение затвор–исток VGS: | ±20 В |
| RDS(on) (VGS = 10 В, ID = 25 А): | 17.5 мОм (макс) |
| Порог VGS(th): | 2.0–4.0 В |
| Суммарный заряд затвора Qg: | 63 нКл (VGS = 10 В, VDS = 44 В, ID = 25 А) |
| Емкости (Ciss/Coss/Crss): | 1470 пФ / 360 пФ / 88 пФ (VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц) |
| Времена переключения: | td(on)/tr = 12/60 нс; td(off)/tf = 44/45 нс (VDD = 28 В, ID = 25 А, RG = 12 Ω, VGS = 10 В) |
| Диод: прямое напряжение VSD: | 1.3 В (макс) при IS = 25 А, VGS = 0 В |
| Диод: trr / Qrr: | 63–95 нс / 170–260 нКл (TJ = 25°C, IF = 25 А, di/dt = 100 А/мкс) |
| Рассеиваемая мощность PD (TC = 25°C): | 94 Вт (дерейтинг 0.63 Вт/°C) |
| Тепловое сопротивление RθJC / RθJA: | 1.5 °C/Вт / 62 °C/Вт |
| Диапазон температур перехода TJ: | −55…+175 °C |
| Выводы и площадка: | 1–Gate, 2–Drain, 3–Source; металлическая площадка (tab) соединена со стоком |
Детальные технические параметры
- Пробивное напряжение V(BR)DSS: 55 В; температурный коэффициент ≈ 0.058 В/°C.
- Предельные лавинные параметры: IAR = 25 А; EAR (повторяющаяся) ≈ 9.4 мДж; dv/dt (диод) до 5.0 В/нс.
- Токи утечки: IDSS ≤ 25 мкА (VDS = 55 В, VGS = 0 В); до 250 мкА при TJ = 150 °C.
- Ток затвора: IGSS ≤ ±100 нА при VGS = ±20 В.
- Внутренние индуктивности: LD ≈ 4.5 нГн; LS ≈ 7.5 нГн (между выводом и центром кристалла).
- Тепловые параметры: RθCS (кристалл–радиатор, ровная смазанная поверхность) тип. 0.50 °C/Вт.
Основные области применения
- Силовые ключевые каскады низковольтных импульсных преобразователей.
- Коммутация индуктивных нагрузок и общие силовые коммутационные схемы.
- Устройства, где требуются низкие потери проводимости и быстрое переключение.
Совместимые обозначения и альтернативы
Альтернативы из той же семьи: IRLZ44N (логик-уровневый в TO-220), IRFZ44NS (D2PAK), IRFIZ44N (изолированный TO-220 FullPAK). Перед заменой проверяйте даташиты на соответствие параметров и корпусов.
Вопросы и ответы (FAQ)
RDS(on) нормируется при VGS = 10 В; порог VGS(th) 2.0–4.0 В. Для минимальных потерь рекомендуется драйвер затвора с напряжением управления около 10–12 В.
Да, металлическая пластина/площадка корпуса TO-220AB электрически соединена со стоком (Drain). Если радиатор имеет иной потенциал — используйте изолирующие прокладки.
PD = 94 Вт при TC = 25°C (дерейтинг 0.63 Вт/°C); рабочий диапазон TJ от −55°C до +175°C при условии надлежащего теплоотвода.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.
⚡ Инструкция по подключению транзистора IRFZ44N
N-канальный MOSFET силовой транзистор корпус TO-220
1. Идентификация выводов
Транзистор IRFZ44N имеет корпус TO-220 с тремя выводами, которые расположены следующим образом (если смотреть на лицевую сторону транзистора с надписями, выводы внизу):
flowchart TD
subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"]
Metal["Металлическая пластина
(соединена со Стоком)"]
direction TB
subgraph Pins["Выводы"]
direction LR
G["1
Затвор
(Gate)"] --- D["2
Сток
(Drain)"] --- S["3
Исток
(Source)"]
end
Metal --- Pins
end
classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px
class G,D,S pin
2. Основная схема подключения
Транзистор IRFZ44N является N-канальным MOSFET и обычно используется для коммутации нагрузки. Базовая схема выглядит так:
flowchart TD
VDD["+ Питание (V_DD)"] --> Load["Нагрузка"]
Load --> D["Сток (Drain)
IRFZ44N"]
G["Затвор (Gate)
IRFZ44N"] --> RG["Резистор затвора
R_G (10-47 Ом)"]
RG --> Signal["Управляющий сигнал
(Микроконтроллер)"]
D --> S["Исток (Source)
IRFZ44N"]
S --> GND["Земля (GND)"]
G --> Rpd["Защитный резистор
10 кОм"]
Rpd --> S
%% Защитный диод для индуктивной нагрузки
Diode["Диод
(1N4007)"] --> VDD
D --> Diode
3. Выбор резистора затвора (R_G)
Резистор затвора ограничивает пиковые токи при переключении и защищает затвор.
- Оптимальный диапазон: 10-100 Ом
- Для быстрого переключения: 10-47 Ом
- Для уменьшения электромагнитных помех: 47-100 Ом
Расчет резистора затвора:
R_G = V_управления / I_затвора
Пример: Если управляющее напряжение 10В, а максимальный ток затвора 20мА:
R_G = 10В / 0,02А = 500 Ом
4. Защита затвора и схема с индуктивной нагрузкой
При подключении индуктивных нагрузок (двигателей, реле, соленоидов) необходимо использовать дополнительную защиту.
flowchart TD
VDD["+ Питание (V_DD)"] --> Motor["Двигатель"]
Motor --> D["Сток (Drain)
IRFZ44N"]
G["Затвор (Gate)
IRFZ44N"] --> RG["Резистор
10-47 Ом"]
RG --> MCU["Выход
микроконтроллера"]
D --> S["Исток (Source)
IRFZ44N"]
S --> GND1["Земля (GND)"]
G --> Rpd["Резистор
10 кОм"]
Rpd --> S
%% Защитный диод
Diode["Диод
1N4007"] --> VDD
D --> Diode
%% Подключение питания микроконтроллера
MCU_VDD["Питание MCU"] --> MCU
MCU --> GND2["Земля (GND)"]
Компоненты защиты:
| Компонент | Назначение | Рекомендуемое значение |
|---|---|---|
| Резистор затвор-исток | Защита от случайного открытия, удержание закрытого состояния | 10 кОм |
| Резистор затвора | Ограничение тока затвора, уменьшение электромагнитных помех | 10-47 Ом |
| Защитный диод | Защита от обратного напряжения при выключении индуктивной нагрузки | 1N4007 или другой быстрый диод |
5. Напряжение управления
Для правильной работы IRFZ44N необходимо обеспечить соответствующее напряжение управления.
- Порог включения (V_GS(th)): 2.0-4.0В - транзистор начинает открываться
- Оптимальное напряжение управления: 10В - полное открытие с минимальным сопротивлением
- Максимальное напряжение затвор-исток: ±20В - не превышать
6. Пошаговая инструкция подключения
- Подключите исток (Source) транзистора IRFZ44N к земле (GND).
- Соедините сток (Drain) транзистора с одним концом нагрузки, а другой конец нагрузки — с положительным напряжением питания (V_DD).
- Подключите затвор (Gate) через резистор 10-47 Ом к источнику управляющего сигнала (например, выходу микроконтроллера).
- Добавьте резистор 10 кОм между затвором и истоком для надежного закрытия транзистора в состоянии покоя.
- Для индуктивной нагрузки (двигатель, реле) подключите защитный диод параллельно нагрузке: анод к стоку, катод к V_DD.
- При работе с током свыше 5А установите радиатор на транзистор.
7. Принцип работы схемы
Открытие транзистора (включение нагрузки):
Когда на затвор подается высокий уровень (10В):
- Между затвором и истоком создается электрическое поле
- В канале транзистора формируется проводящий слой
- Транзистор открывается, позволяя току проходить от стока к истоку через нагрузку
Закрытие транзистора (выключение нагрузки):
Когда на затвор подается низкий уровень (0В):
- Электрическое поле исчезает
- Проводящий канал закрывается
- Транзистор закрывается, ток через нагрузку прекращается
- Резистор 10 кОм помогает быстро разрядить емкость затвора
8. Практические применения
Управление двигателем постоянного тока:
Используйте PWM сигнал на затворе для регулирования скорости вращения. Добавьте защитный диод параллельно двигателю для защиты от обратного напряжения.
Управление светодиодными лентами:
Транзистор IRFZ44N идеально подходит для коммутации светодиодных лент благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии. Используйте PWM для регулирования яркости.
9. Ограничения и предельные параметры
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DS) | 55 В |
| Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Максимальный постоянный ток стока (I_D) при 25°C | 49 A |
| Максимальный постоянный ток стока (I_D) при 100°C | 35 A |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 110 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) при V_GS=10В | 17.5 мОм |
| Максимальная температура перехода (T_J) | 175°C |