Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

IRFZ44N транзистор корпус TO-220

Страна-производитель: Китай Код товара: 5577
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы0
Инструкция
Есть в наличии
Код товара: 5577
17.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Полярность:N-канальный MOSFET
Тип корпуса:TO-220
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы
Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине
Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express
Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
IRFZ44N транзистор корпус TO-220
Код товара: 5577
17.00 грн
Описание

IRFZ44N TO-220AB

N-канальный HEXFET MOSFET 55 В, 49 А в корпусе TO-220AB для силовой коммутации и импульсных схем.

Основные преимущества

Низкое сопротивление канала

RDS(on) 17.5 мОм (макс) при VGS = 10 В, ID = 25 А — снижение потерь проводимости в силовых ключах.

Быстрое переключение

Типовые времена td(on)/tr = 12/60 нс и td(off)/tf = 44/45 нс для эффективной работы в импульсных топологиях.

Высокая термостойкость

Допустимая температура перехода до 175°C и RθJC 1.5 °C/Вт обеспечивают надежность при надлежащем охлаждении.

Лавинная стойкость

Полностью лавинно-стойкий MOSFET с типичным dv/dt 5.0 В/нс для надежной коммутации индуктивных нагрузок.

Ключевые характеристики

Тип:N-канальный HEXFET Power MOSFET
Корпус:TO-220AB
Макс. напряжение сток–исток VDS:55 В
Ток стока ID (TC = 25°C):49 А
Ток стока ID (TC = 100°C):35 А
Импульсный ток IDM:160 А
Макс. напряжение затвор–исток VGS:±20 В
RDS(on) (VGS = 10 В, ID = 25 А):17.5 мОм (макс)
Порог VGS(th):2.0–4.0 В
Суммарный заряд затвора Qg:63 нКл (VGS = 10 В, VDS = 44 В, ID = 25 А)
Емкости (Ciss/Coss/Crss):1470 пФ / 360 пФ / 88 пФ (VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц)
Времена переключения:td(on)/tr = 12/60 нс; td(off)/tf = 44/45 нс (VDD = 28 В, ID = 25 А, RG = 12 Ω, VGS = 10 В)
Диод: прямое напряжение VSD:1.3 В (макс) при IS = 25 А, VGS = 0 В
Диод: trr / Qrr:63–95 нс / 170–260 нКл (TJ = 25°C, IF = 25 А, di/dt = 100 А/мкс)
Рассеиваемая мощность PD (TC = 25°C):94 Вт (дерейтинг 0.63 Вт/°C)
Тепловое сопротивление RθJC / RθJA:1.5 °C/Вт / 62 °C/Вт
Диапазон температур перехода TJ:−55…+175 °C
Выводы и площадка:1–Gate, 2–Drain, 3–Source; металлическая площадка (tab) соединена со стоком

Детальные технические параметры

  • Пробивное напряжение V(BR)DSS: 55 В; температурный коэффициент ≈ 0.058 В/°C.
  • Предельные лавинные параметры: IAR = 25 А; EAR (повторяющаяся) ≈ 9.4 мДж; dv/dt (диод) до 5.0 В/нс.
  • Токи утечки: IDSS ≤ 25 мкА (VDS = 55 В, VGS = 0 В); до 250 мкА при TJ = 150 °C.
  • Ток затвора: IGSS ≤ ±100 нА при VGS = ±20 В.
  • Внутренние индуктивности: LD ≈ 4.5 нГн; LS ≈ 7.5 нГн (между выводом и центром кристалла).
  • Тепловые параметры: RθCS (кристалл–радиатор, ровная смазанная поверхность) тип. 0.50 °C/Вт.
Примечание: параметры основаны на документации International Rectifier для IRFZ44N. Источник: International Rectifier Datasheet (PDF).

Основные области применения

  • Силовые ключевые каскады низковольтных импульсных преобразователей.
  • Коммутация индуктивных нагрузок и общие силовые коммутационные схемы.
  • Устройства, где требуются низкие потери проводимости и быстрое переключение.

Совместимые обозначения и альтернативы

Альтернативы из той же семьи: IRLZ44N (логик-уровневый в TO-220), IRFZ44NS (D2PAK), IRFIZ44N (изолированный TO-220 FullPAK). Перед заменой проверяйте даташиты на соответствие параметров и корпусов.

Вопросы и ответы (FAQ)

Можно ли управлять IRFZ44N непосредственно от 5 В (логики)?

RDS(on) нормируется при VGS = 10 В; порог VGS(th) 2.0–4.0 В. Для минимальных потерь рекомендуется драйвер затвора с напряжением управления около 10–12 В.

Нужна ли электроизоляция радиатора?

Да, металлическая пластина/площадка корпуса TO-220AB электрически соединена со стоком (Drain). Если радиатор имеет иной потенциал — используйте изолирующие прокладки.

Каковы предельные мощность и температура?

PD = 94 Вт при TC = 25°C (дерейтинг 0.63 Вт/°C); рабочий диапазон TJ от −55°C до +175°C при условии надлежащего теплоотвода.

Характеристики
Основные
Полярность
N-канальный MOSFET
Тип корпуса
TO-220
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Инструкция

⚡ Инструкция по подключению транзистора IRFZ44N

N-канальный MOSFET силовой транзистор корпус TO-220

1. Идентификация выводов

Транзистор IRFZ44N имеет корпус TO-220 с тремя выводами, которые расположены следующим образом (если смотреть на лицевую сторону транзистора с надписями, выводы внизу):

flowchart TD
    subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"]
      Metal["Металлическая пластина
(соединена со Стоком)"] direction TB subgraph Pins["Выводы"] direction LR G["1
Затвор
(Gate)"] --- D["2
Сток
(Drain)"] --- S["3
Исток
(Source)"] end Metal --- Pins end classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px class G,D,S pin
Всегда проверяйте маркировку на корпусе или даташит для точного определения выводов. У некоторых транзисторов расположение выводов может отличаться.

2. Основная схема подключения

Транзистор IRFZ44N является N-канальным MOSFET и обычно используется для коммутации нагрузки. Базовая схема выглядит так:

flowchart TD
    VDD["+ Питание (V_DD)"] --> Load["Нагрузка"]
    Load --> D["Сток (Drain)
    IRFZ44N"]
    G["Затвор (Gate)
    IRFZ44N"] --> RG["Резистор затвора
    R_G (10-47 Ом)"]
    RG --> Signal["Управляющий сигнал
    (Микроконтроллер)"]
    
    D --> S["Исток (Source)
    IRFZ44N"]
    S --> GND["Земля (GND)"]
    
    G --> Rpd["Защитный резистор
    10 кОм"]
    Rpd --> S
    
    %% Защитный диод для индуктивной нагрузки
    Diode["Диод
    (1N4007)"] --> VDD
    D --> Diode
  

3. Выбор резистора затвора (R_G)

Резистор затвора ограничивает пиковые токи при переключении и защищает затвор.

Рекомендации для выбора резистора затвора:
  • Оптимальный диапазон: 10-100 Ом
  • Для быстрого переключения: 10-47 Ом
  • Для уменьшения электромагнитных помех: 47-100 Ом

Расчет резистора затвора:
R_G = V_управления / I_затвора

Пример: Если управляющее напряжение 10В, а максимальный ток затвора 20мА:
R_G = 10В / 0,02А = 500 Ом

Для большинства применений достаточно резистора 10-47 Ом. При использовании высоких частот переключения или длинных линий управления рекомендуется увеличить значение резистора до 100 Ом.

4. Защита затвора и схема с индуктивной нагрузкой

При подключении индуктивных нагрузок (двигателей, реле, соленоидов) необходимо использовать дополнительную защиту.

flowchart TD
    VDD["+ Питание (V_DD)"] --> Motor["Двигатель"]
    Motor --> D["Сток (Drain)
    IRFZ44N"]
    
    G["Затвор (Gate)
    IRFZ44N"] --> RG["Резистор
    10-47 Ом"]
    RG --> MCU["Выход
    микроконтроллера"]
    
    D --> S["Исток (Source)
    IRFZ44N"]
    S --> GND1["Земля (GND)"]
    
    G --> Rpd["Резистор
    10 кОм"]
    Rpd --> S
    
    %% Защитный диод
    Diode["Диод
    1N4007"] --> VDD
    D --> Diode
    
    %% Подключение питания микроконтроллера
    MCU_VDD["Питание MCU"] --> MCU
    MCU --> GND2["Земля (GND)"]
  

Компоненты защиты:

Компонент Назначение Рекомендуемое значение
Резистор затвор-исток Защита от случайного открытия, удержание закрытого состояния 10 кОм
Резистор затвора Ограничение тока затвора, уменьшение электромагнитных помех 10-47 Ом
Защитный диод Защита от обратного напряжения при выключении индуктивной нагрузки 1N4007 или другой быстрый диод

5. Напряжение управления

Для правильной работы IRFZ44N необходимо обеспечить соответствующее напряжение управления.

  • Порог включения (V_GS(th)): 2.0-4.0В - транзистор начинает открываться
  • Оптимальное напряжение управления: 10В - полное открытие с минимальным сопротивлением
  • Максимальное напряжение затвор-исток: ±20В - не превышать
При управлении от микроконтроллера с выходом 3.3В или 5В транзистор откроется не полностью, что приведет к повышенному нагреву. Для полного открытия рекомендуется использовать драйвер затвора или логический преобразователь уровней.

6. Пошаговая инструкция подключения

  1. Подключите исток (Source) транзистора IRFZ44N к земле (GND).
  2. Соедините сток (Drain) транзистора с одним концом нагрузки, а другой конец нагрузки — с положительным напряжением питания (V_DD).
  3. Подключите затвор (Gate) через резистор 10-47 Ом к источнику управляющего сигнала (например, выходу микроконтроллера).
  4. Добавьте резистор 10 кОм между затвором и истоком для надежного закрытия транзистора в состоянии покоя.
  5. Для индуктивной нагрузки (двигатель, реле) подключите защитный диод параллельно нагрузке: анод к стоку, катод к V_DD.
  6. При работе с током свыше 5А установите радиатор на транзистор.

7. Принцип работы схемы

Открытие транзистора (включение нагрузки):

Когда на затвор подается высокий уровень (10В):

  1. Между затвором и истоком создается электрическое поле
  2. В канале транзистора формируется проводящий слой
  3. Транзистор открывается, позволяя току проходить от стока к истоку через нагрузку

Закрытие транзистора (выключение нагрузки):

Когда на затвор подается низкий уровень (0В):

  1. Электрическое поле исчезает
  2. Проводящий канал закрывается
  3. Транзистор закрывается, ток через нагрузку прекращается
  4. Резистор 10 кОм помогает быстро разрядить емкость затвора

8. Практические применения

Управление двигателем постоянного тока:

Используйте PWM сигнал на затворе для регулирования скорости вращения. Добавьте защитный диод параллельно двигателю для защиты от обратного напряжения.

Управление светодиодными лентами:

Транзистор IRFZ44N идеально подходит для коммутации светодиодных лент благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии. Используйте PWM для регулирования яркости.

9. Ограничения и предельные параметры

Параметр Значение
Максимальное напряжение сток-исток (V_DS) 55 В
Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) ±20 В
Максимальный постоянный ток стока (I_D) при 25°C 49 A
Максимальный постоянный ток стока (I_D) при 100°C 35 A
Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) 110 Вт
Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) при V_GS=10В 17.5 мОм
Максимальная температура перехода (T_J) 175°C
Не превышайте предельные параметры транзистора. При работе с высокими токами (свыше 5А) обязательно используйте радиатор. Проверьте необходимость изолирующей прокладки между транзистором и радиатором, поскольку металлическая основа корпуса TO-220 соединена со стоком.
Важное замечание: Мы приложили усилия, чтобы эта инструкция была точной и полезной. Однако эта инструкция предоставляется как справочный материал. Электронные компоненты могут иметь вариации, а схемы подключения зависят от конкретных условий и вашего оборудования. Эта информация предоставляется "как есть", без гарантий полноты или безошибочности. Настоятельно рекомендуем проверять спецификации вашего модуля (datasheet), сверяться с другими источниками и, при малейших сомнениях, обращаться к квалифицированным специалистам, особенно при работе с напряжением 220В.

Продовжимо солов'їною?

Оберіть мову