Вы смотрели
Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Смотрели
3
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

IRFZ44N транзистор корпус TO-220

Производитель: Китай Код товара: 5577
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы0
Инструкция
новинка
IRFZ44N транзистор корпус TO-220
Есть в наличии
Код товара: 5577
17.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00. Увага!
Полярность:N-канальный MOSFET
Тип корпуса:TO-220
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
IRFZ44N транзистор корпус TO-220
17.00 грн
Описание

🔌 Транзистор IRFZ44N корпус TO-220

N-канальный MOSFET 55В 49А, для Импульсных Источников Питания и Драйверов Двигателей

Общее описание

Транзистор IRFZ44N – это высокоэффективный N-канальный MOSFET (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор), разработанный по передовой технологии TrenchMOS™ компанией Philips Semiconductors. Обладая чрезвычайно низким сопротивлением в открытом состоянии всего 22 мОм, постоянным током стока до 49А и быстрым переключением, этот транзистор обеспечивает минимальные потери мощности и высокую производительность в широком спектре применений. IRFZ44N отличается оптимальным сочетанием низкой входной емкости, высокой рассеиваемой мощности 110 Вт и рабочего напряжения сток-исток до 55В. Эти характеристики делают его идеальным выбором для импульсных источников питания, драйверов двигателей, коммутационных схем и систем управления нагрузкой, где требуются высокая эффективность, надежность и минимальное тепловыделение.

✅ Технические преимущества:

  • Чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала – всего 22 мОм (при VGS = 10В) обеспечивает минимальные статические потери мощности, что позволяет создавать энергоэффективные устройства с минимальным нагревом
  • Высокий ток стока до 49А – позволяет коммутировать значительные нагрузки без необходимости параллельного соединения транзисторов, упрощая схемотехнику и повышая надежность конечного устройства
  • Быстрое переключение – малые времена задержки (td(on) = 18 нс, td(off) = 40 нс) и переключения (tr = 50 нс, tf = 30 нс) обеспечивают высокую эффективность в импульсных схемах с частотами до сотен килогерц
  • Встроенная защита от электростатического разряда – интегральный зенеровский диод обеспечивает устойчивость к статическому электричеству до 2 кВ по модели человеческого тела, повышая надежность при монтаже и эксплуатации
  • Высокоэффективный обратный диод – встроенный диод с временем восстановления всего 47 нс и прямым напряжением до 1.2В идеально подходит для коммутации индуктивных нагрузок без дополнительных внешних компонентов

🔧 Идеальное решение для:

Импульсные источники питания

Драйверы двигателей

Системы управления нагрузкой

Зарядные устройства

Системы автоматизации

LED-драйверы

Автомобильная электроника

Инверторы для солнечной энергетики

💡 Широкие возможности применения:

  • Высокоэффективные импульсные DC-DC преобразователи – используйте IRFZ44N как ключевой элемент в топологиях Buck, Boost или Buck-Boost конвертеров с частотами до 200 кГц. Низкое сопротивление открытого канала и быстрое переключение обеспечивают КПД до 95% при преобразовании напряжения. Такие преобразователи находят применение в портативной электронике, телекоммуникационном оборудовании и промышленных системах, где важна энергоэффективность.
  • H-мостовые драйверы для управления двигателями постоянного тока – создайте мощный контроллер двигателя на четырех транзисторах IRFZ44N, который обеспечит двунаправленное управление и плавное регулирование скорости с помощью ШИМ. Высокая скорость переключения минимизирует потери энергии даже при частоте ШИМ 20 кГц, а низкое тепловыделение позволяет системе работать с нагрузкой до 500 Вт без сложных систем охлаждения.
  • Системы аварийного резервного питания – интегрируйте IRFZ44N в схемы ИБП (UPS) для мгновенного переключения с сетевого на батарейное питание. Малые времена переключения и низкое сопротивление открытого канала обеспечивают минимальное падение напряжения и бесперебойное питание критических систем, таких как медицинское оборудование, серверы или системы безопасности, где важна стабильность работы.
  • Высокочастотные LED-драйверы с ШИМ-регулированием яркости – создавайте высокоэффективные схемы питания для мощных светодиодных систем с высокочастотным регулированием яркости без мерцания. Низкое сопротивление канала и высокая скорость переключения IRFZ44N позволяют использовать ШИМ с частотой свыше 20 кГц, которая не воспринимается человеческим глазом и не создает электромагнитных помех для аудиооборудования.
  • Умные системы управления энергопотреблением – используйте IRFZ44N для интеллектуальной коммутации нагрузок в системах «умного дома» или промышленной автоматизации. Транзистор может мгновенно включать/выключать устройства мощностью до 2000 Вт при управлении от микроконтроллера через простой драйвер, что позволяет оптимизировать энергопотребление и продлить ресурс оборудования.

📦 Детальные технические характеристики:

  • Тип транзистора: N-канальный MOSFET
  • Технология: TrenchMOS™
  • Корпус: TO-220AB
  • Максимальные параметры:
    • Напряжение сток-исток (VDS): 55 В
    • Напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
    • Ток стока (ID): 49 А (при Tmb = 25°C), 35 А (при Tmb = 100°C)
    • Пиковый ток стока (IDM): 160 А (импульсный режим)
    • Рассеиваемая мощность (PD): 110 Вт (при Tmb = 25°C)
    • Температура перехода (Tj): 175°C
  • Электрические характеристики:
    • Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): 22 мОм (при VGS = 10 В, ID = 25 А)
    • Порог включения (VGS(th)): 2.0–4.0 В (при ID = 1 мА)
    • Входная емкость (Ciss): типично 1350 пФ, максимум 1800 пФ
    • Выходная емкость (Coss): типично 330 пФ, максимум 400 пФ
    • Обратная емкость (Crss): типично 155 пФ, максимум 215 пФ
    • Общий заряд затвора (Qg): максимум 62 нКл
  • Временные характеристики переключения:
    • Задержка включения (td(on)): типично 18 нс, максимум 26 нс
    • Время нарастания (tr): типично 50 нс, максимум 75 нс
    • Задержка выключения (td(off)): типично 40 нс, максимум 50 нс
    • Время спада (tf): типично 30 нс, максимум 40 нс
  • Тепловые характеристики:
    • Тепловое сопротивление переход-основа (Rthj-mb): максимум 1.4 К/Вт
    • Тепловое сопротивление переход-воздух (Rthj-a): типично 60 К/Вт
    • Диапазон рабочих температур: от -55°C до +175°C
  • Характеристики встроенного обратного диода:
    • Максимальный постоянный ток (IDR): 49 А
    • Максимальный импульсный ток (IDRM): 160 А
    • Прямое напряжение диода (VSD): максимум 1.2 В (при IF = 40 А)
    • Время восстановления (trr): типично 47 нс
  • Механические данные:
    • Вес: 2 г
    • Расположение выводов: 1 - Затвор (Gate), 2 - Сток (Drain), 3 - Исток (Source)
    • Основа корпуса TO-220AB соединена со стоком (Drain)

⚠️ Важные аспекты использования:

  • Правильное охлаждение – хотя транзистор рассеивает до 110Вт при температуре основания 25°C, без радиатора эта мощность значительно снижается. При токах свыше 5А обязательно используйте радиатор с площадью не менее 10 см² на каждые 10 Вт рассеиваемой мощности. При монтаже на радиатор применяйте теплопроводную пасту и изолирующие прокладки (если требуется изоляция стока), поскольку металлическая основа TO-220 электрически соединена со стоком.
  • Защита затвора – максимальный диапазон напряжения затвор-исток составляет ±20В, однако для надежной работы не превышайте ±15В. Обязательно добавьте резистор 10-47 Ом в цепь затвора для ограничения тока заряда входной емкости и подавления колебаний. Для защиты от статического электричества и перенапряжений добавьте супрессорный диод с напряжением стабилизации 15-18В между затвором и истоком.
  • Коммутация индуктивных нагрузок – при работе с индуктивными нагрузками (двигатели, реле, соленоиды) нужно учитывать высокие выбросы напряжения при выключении. Хотя транзистор имеет встроенный обратный диод, для ответственных применений рекомендуется дополнительный внешний быстродействующий диод (например, MUR460) параллельно нагрузке для более надежной защиты от перенапряжений.
  • Особенности высокочастотного переключения – при частотах свыше 100 кГц динамические потери составляют значительную часть общих потерь. Для оптимизации работы на высоких частотах используйте драйвер с низким выходным сопротивлением, который обеспечит быстрый заряд/разряд входной емкости MOSFET. Также оптимизируйте разводку платы, чтобы минимизировать индуктивность дорожек к затвору транзистора.
  • Параллельное соединение – при необходимости коммутации токов свыше 40А можно соединять IRFZ44N параллельно. Однако для равномерного распределения тока добавьте выравнивающие резисторы (0.1-0.5 Ом) в цепь истока каждого транзистора. Также при параллельном соединении обеспечьте симметричную разводку платы и одинаковые условия охлаждения для всех транзисторов.

Транзистор IRFZ44N – это оптимальное сочетание производительности, надежности и доступной цены для ваших электронных проектов. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала, высокому току, быстрому переключению и встроенной защите, этот MOSFET обеспечит вам стабильную и энергоэффективную работу импульсных источников питания, драйверов двигателей и многих других силовых схем.

ЗАКАЖИТЕ СЕЙЧАС
#IRFZ44N #MOSFET #ДрайверДвигателя #ИмпульсныйИсточникПитания #НизкоеСопротивление #БыстроеПереключение
Характеристики
Основные
Полярность
N-канальный MOSFET
Тип корпуса
TO-220
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Инструкция

⚡ Инструкция по подключению транзистора IRFZ44N

N-канальный MOSFET силовой транзистор корпус TO-220

1. Идентификация выводов

Транзистор IRFZ44N имеет корпус TO-220 с тремя выводами, которые расположены следующим образом (если смотреть на лицевую сторону транзистора с надписями, выводы внизу):

flowchart TD
    subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"]
      Metal["Металлическая пластина
(соединена со Стоком)"] direction TB subgraph Pins["Выводы"] direction LR G["1
Затвор
(Gate)"] --- D["2
Сток
(Drain)"] --- S["3
Исток
(Source)"] end Metal --- Pins end classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px class G,D,S pin
Всегда проверяйте маркировку на корпусе или даташит для точного определения выводов. У некоторых транзисторов расположение выводов может отличаться.

2. Основная схема подключения

Транзистор IRFZ44N является N-канальным MOSFET и обычно используется для коммутации нагрузки. Базовая схема выглядит так:

flowchart TD
    VDD["+ Питание (V_DD)"] --> Load["Нагрузка"]
    Load --> D["Сток (Drain)
    IRFZ44N"]
    G["Затвор (Gate)
    IRFZ44N"] --> RG["Резистор затвора
    R_G (10-47 Ом)"]
    RG --> Signal["Управляющий сигнал
    (Микроконтроллер)"]
    
    D --> S["Исток (Source)
    IRFZ44N"]
    S --> GND["Земля (GND)"]
    
    G --> Rpd["Защитный резистор
    10 кОм"]
    Rpd --> S
    
    %% Защитный диод для индуктивной нагрузки
    Diode["Диод
    (1N4007)"] --> VDD
    D --> Diode
  

3. Выбор резистора затвора (R_G)

Резистор затвора ограничивает пиковые токи при переключении и защищает затвор.

Рекомендации для выбора резистора затвора:
  • Оптимальный диапазон: 10-100 Ом
  • Для быстрого переключения: 10-47 Ом
  • Для уменьшения электромагнитных помех: 47-100 Ом

Расчет резистора затвора:
R_G = V_управления / I_затвора

Пример: Если управляющее напряжение 10В, а максимальный ток затвора 20мА:
R_G = 10В / 0,02А = 500 Ом

Для большинства применений достаточно резистора 10-47 Ом. При использовании высоких частот переключения или длинных линий управления рекомендуется увеличить значение резистора до 100 Ом.

4. Защита затвора и схема с индуктивной нагрузкой

При подключении индуктивных нагрузок (двигателей, реле, соленоидов) необходимо использовать дополнительную защиту.

flowchart TD
    VDD["+ Питание (V_DD)"] --> Motor["Двигатель"]
    Motor --> D["Сток (Drain)
    IRFZ44N"]
    
    G["Затвор (Gate)
    IRFZ44N"] --> RG["Резистор
    10-47 Ом"]
    RG --> MCU["Выход
    микроконтроллера"]
    
    D --> S["Исток (Source)
    IRFZ44N"]
    S --> GND1["Земля (GND)"]
    
    G --> Rpd["Резистор
    10 кОм"]
    Rpd --> S
    
    %% Защитный диод
    Diode["Диод
    1N4007"] --> VDD
    D --> Diode
    
    %% Подключение питания микроконтроллера
    MCU_VDD["Питание MCU"] --> MCU
    MCU --> GND2["Земля (GND)"]
  

Компоненты защиты:

Компонент Назначение Рекомендуемое значение
Резистор затвор-исток Защита от случайного открытия, удержание закрытого состояния 10 кОм
Резистор затвора Ограничение тока затвора, уменьшение электромагнитных помех 10-47 Ом
Защитный диод Защита от обратного напряжения при выключении индуктивной нагрузки 1N4007 или другой быстрый диод

5. Напряжение управления

Для правильной работы IRFZ44N необходимо обеспечить соответствующее напряжение управления.

  • Порог включения (V_GS(th)): 2.0-4.0В - транзистор начинает открываться
  • Оптимальное напряжение управления: 10В - полное открытие с минимальным сопротивлением
  • Максимальное напряжение затвор-исток: ±20В - не превышать
При управлении от микроконтроллера с выходом 3.3В или 5В транзистор откроется не полностью, что приведет к повышенному нагреву. Для полного открытия рекомендуется использовать драйвер затвора или логический преобразователь уровней.

6. Пошаговая инструкция подключения

  1. Подключите исток (Source) транзистора IRFZ44N к земле (GND).
  2. Соедините сток (Drain) транзистора с одним концом нагрузки, а другой конец нагрузки — с положительным напряжением питания (V_DD).
  3. Подключите затвор (Gate) через резистор 10-47 Ом к источнику управляющего сигнала (например, выходу микроконтроллера).
  4. Добавьте резистор 10 кОм между затвором и истоком для надежного закрытия транзистора в состоянии покоя.
  5. Для индуктивной нагрузки (двигатель, реле) подключите защитный диод параллельно нагрузке: анод к стоку, катод к V_DD.
  6. При работе с током свыше 5А установите радиатор на транзистор.

7. Принцип работы схемы

Открытие транзистора (включение нагрузки):

Когда на затвор подается высокий уровень (10В):

  1. Между затвором и истоком создается электрическое поле
  2. В канале транзистора формируется проводящий слой
  3. Транзистор открывается, позволяя току проходить от стока к истоку через нагрузку

Закрытие транзистора (выключение нагрузки):

Когда на затвор подается низкий уровень (0В):

  1. Электрическое поле исчезает
  2. Проводящий канал закрывается
  3. Транзистор закрывается, ток через нагрузку прекращается
  4. Резистор 10 кОм помогает быстро разрядить емкость затвора

8. Практические применения

Управление двигателем постоянного тока:

Используйте PWM сигнал на затворе для регулирования скорости вращения. Добавьте защитный диод параллельно двигателю для защиты от обратного напряжения.

Управление светодиодными лентами:

Транзистор IRFZ44N идеально подходит для коммутации светодиодных лент благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии. Используйте PWM для регулирования яркости.

9. Ограничения и предельные параметры

Параметр Значение
Максимальное напряжение сток-исток (V_DS) 55 В
Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) ±20 В
Максимальный постоянный ток стока (I_D) при 25°C 49 A
Максимальный постоянный ток стока (I_D) при 100°C 35 A
Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) 110 Вт
Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) при V_GS=10В 17.5 мОм
Максимальная температура перехода (T_J) 175°C
Не превышайте предельные параметры транзистора. При работе с высокими токами (свыше 5А) обязательно используйте радиатор. Проверьте необходимость изолирующей прокладки между транзистором и радиатором, поскольку металлическая основа корпуса TO-220 соединена со стоком.
Важное замечание: Мы приложили усилия, чтобы эта инструкция была точной и полезной. Однако эта инструкция предоставляется как справочный материал. Электронные компоненты могут иметь вариации, а схемы подключения зависят от конкретных условий и вашего оборудования. Эта информация предоставляется "как есть", без гарантий полноты или безошибочности. Настоятельно рекомендуем проверять спецификации вашего модуля (datasheet), сверяться с другими источниками и, при малейших сомнениях, обращаться к квалифицированным специалистам, особенно при работе с напряжением 220В.
Вы смотрели
Бестселлер
3-осевой Акселерометр ADXL345 GY-291
Код товара: 1283
В наличии
0
82.00 грн
Бестселлер
Конденсатор электролитический 25v 2200 uF 13х20 мм
Код товара: 5244
В наличии
2
8.00 грн
Бестселлер
Биполярный транзистор 2N5551 (MMBT5551LT1G) G1 (0.6A 180V) корпус SOT-23
Код товара: 5461
В наличии
0
1.00 грн
Живий чат
Живий чат