Ви дивилися
Каталог товарів
Клієнту
Тема сайту:
+38 (066) 305-77-25
Наша адреса
Харків, тимчасово - доставка тільки Новою Поштою, УкрПоштою, МістЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефони
Графік роботи
  • Пн-Пт: з 9 до 18
  • Сб: з 10 до 17
  • Нд: з 11 до 16
E-mail
Ми в соцмережах
Перейти до контактів
0 0
Каталог
Головна
Дивилися
2
Закладки
0
Порівняти
0
Контакти

Транзистор IRF840 корпус TO-220

Країна-виробник: Китай Код товару: 5573
0
Все про товар
Опис
Характеристики
Відгуки 0
Питання0
Інструкція
В наявності
Код товару: 5573
24.00 грн
Знайшли дешевше?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Полярність:N-канальний MOSFET
Тип корпусу:TO-220
Доставка
Новою Поштою у відділення та поштомати
Новою Поштою у відділення та поштомати
від 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фіксована 49грн
Укрпоштою у відділення по Україні
Укрпоштою у відділення по Україні
від 45 ₴
Meest Express
Meest Express
від 60 ₴
Оплата
Оплата карткою Оплата карткою
Переказ на картку Переказ на картку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безготівковий розрахунок Безготівковий розрахунок
Післяплата Післяплата
Гарантійні положення
Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються
Транзистор IRF840 корпус TO-220
Код товару: 5573
24.00 грн
Опис

Транзистор IRF840 TO-220AB

Високовольтний N-канальний силовий MOSFET 500 В / 8 А у корпусі TO-220AB для швидких комутацій у промислових застосуваннях.

Основні переваги

Швидке перемикання

Типові часи: t_d(on)=14 нс, t_r=23 нс, t_d(off)=49 нс, t_f=20 нс — підходить для високошвидкісних комутацій.

Стійкість до лавини

Репетитивна лавинна стійкість; одиночна енергія лавини E_AS до 510 мДж (типові умови з даташиту).

Просте керування

Потрібна проста схема керування затвором, максимальна напруга затвор-витік ±20 В, повна характеристика заряду затвора.

Надійний тепловий режим

R_θJC ≤ 1.0 °C/Вт та P_D до 125 Вт (T_C=25 °C) для ефективного відведення тепла.

Ключові характеристики

Тип:N-канальний MOSFET
Максимальна напруга стік-витік (V_DS):500 В
Безперервний струм стоку (I_D):8.0 А (T_C = 25 °C); 5.1 А (T_C = 100 °C)
Імпульсний струм стоку (I_DM):32 А
Опір каналу у відкритому стані (R_DS(on)):≤ 0.85 Ω @ V_GS = 10 В, I_D = 4.8 А
Напруга затвор-витік (V_GS, макс):±20 В
Розсіювана потужність (P_D):125 Вт @ T_C = 25 °C
Пакет/корпус:TO-220AB
Заряд затвора (Q_g, макс):63 нКл @ V_GS = 10 В, I_D = 8 А, V_DS = 400 В
Вхідна ємність (C_iss, тип.):1300 пФ @ V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц
Часи перемикання (тип.):t_d(on)=14 нс, t_r=23 нс, t_d(off)=49 нс, t_f=20 нс
Тепловий опір переходу-корпус (R_θJC):≤ 1.0 °C/Вт
Діапазон температур (T_J, T_stg):−55…+150 °C
Швидкість відновлення діода (t_rr):тип. 460 нс, макс. 970 нс
Пряма напруга діода (V_SD):≤ 2.0 В @ I_S = 8 А, V_GS = 0 В

Детальні технічні параметри

  • Pіковий dV/dt при відновленні діода: 3.5 В/нс.
  • Лінійний коефіцієнт дерейтингу потужності: 1.0 Вт/°C.
  • Ємності (тип.): C_oss = 310 пФ, C_rss = 120 пФ @ V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц.
  • Заряд затвора (макс.): Q_g = 63 нКл; розкладання — Q_gs ≈ 9.3 нКл, Q_gd ≈ 32 нКл.
  • Струм інтегрованого зворотного діода: I_S (безперервний) 8 А; I_SM (імпульсний) 32 А.
  • Граничні параметри лавини: I_AR = 8 А; E_AR = 13 мДж (репетитивна); E_AS = 510 мДж (одиночна).
  • Теплові параметри: R_θJA ≤ 62 °C/Вт; R_θCS тип. 0.50 °C/Вт (плоска, змащена поверхня).
  • Монтаж/паяння: рекомендується пайка 300 °C до 10 с (на відстані 1.6 мм від корпусу); крутний момент кріплення 10 lbf·in (≈1.1 Н·м).
  • Позначення для замовлення: IRF840PbF; IRF840PbF-BE3 (безсвинцеве/безгалогенове виконання).
Примітка: параметри базуються на документації Vishay Siliconix для IRF840. Джерело: Vishay Siliconix Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

  • Комерційно‑промислові комутаційні вузли із розсіюванням до ~50 Вт (згідно опису пакета TO‑220AB).
  • Високовольтні силові ланцюги, де потрібне швидке перемикання та N‑канальний MOSFET 500 В.

Сумісні позначення та альтернативи

Доступні варіанти для замовлення за даташитом: IRF840PbF та IRF840PbF‑BE3 (безсвинцеве/безгалогенове виконання). Для інших модифікацій IRF840 дивіться відповідні офіційні листи даних виробника.

Питання-відповіді (FAQ)

Яка максимальна напруга на затворі відносно витоку?

Допустима напруга V_GS становить ±20 В (Absolute Maximum Ratings).

Які типові часи перемикання цього MOSFET?

Типові значення: t_d(on)=14 нс, t_r=23 нс, t_d(off)=49 нс, t_f=20 нс за умов V_DD=250 В, I_D=8 А, R_g=9.1 Ω, R_D=31 Ω.

Які вимоги до паяння та кріплення корпусу TO‑220AB?

Рекомендовано паяння при 300 °C до 10 с (1.6 мм від корпусу). Рекомендований крутний момент кріплення — 10 lbf·in (≈1.1 Н·м).

Характеристики
Основні
Полярність
N-канальний MOSFET
Тип корпусу
TO-220
Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді
Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.

Інструкція

IRF840 транзистор корпус TO-220

Інструкція з підключення транзистора IRF840 (корпус TO-220)

IRF840 — це N-канальний MOSFET у корпусі TO-220, призначений для комутаційних схем, імпульсних джерел живлення та інших застосувань із високою напругою і помірними струмами.

1. Ідентифікація виводів

Транзистор IRF840 має три виводи:

  • Вивід 1 (Gate, G): Керуючий вхід для увімкнення або вимкнення транзистора.
  • Вивід 2 (Drain, D): Вихід струму, підключається до навантаження.
  • Вивід 3 (Source, S): Вхід струму, зазвичай з'єднується з землею (GND).

Перед початком роботи перевірте маркування на корпусі транзистора або зверніться до даташиту для точної ідентифікації виводів.

2. Основна схема підключення

IRF840 як N-канальний MOSFET часто використовується для комутації навантаження. Ось базова схема:

graph LR
    A[Мікроконтролер] -- "Gate (через R_G 10-100 Ом)" --> B[IRF840]
    B -- "Drain" --> C[Навантаження]
    C --> D[V_DD]
    B -- "Source" --> E[GND]
    F[Резистор 10кОм] -- "Захисний резистор" --> B
    F --> E
    subgraph Транзистор
    B
    end
  
  • Витік (Source): Підключіть до землі (GND).
  • Стік (Drain): З'єднайте з одним кінцем навантаження (наприклад, двигуна, лампи чи резистора).
  • Другий кінець навантаження підключіть до позитивного джерела живлення (V_DD).
  • Затвор (Gate): Через резистор (R_G, 10–100 Ом) з'єднайте з джерелом керуючого сигналу (наприклад, мікроконтролером).

Така схема дозволяє транзистору вмикати або вимикати навантаження залежно від сигналу на затворі.

3. Вибір резистора затвора

Резистор R_G між затвором і джерелом сигналу обмежує струм затвора та захищає транзистор:

  • Рекомендоване значення: 10–100 Ом.
  • З огляду на ємність затвора 1300 пФ, для швидкого перемикання обирайте значення 10–47 Ом.
Для швидшого перемикання використовуйте резистор ближче до нижньої межі рекомендованого діапазону (10-47 Ом).

4. Захист затвора

Затвор IRF840 чутливий до статичної електрики. Для його захисту:

  • Встановіть резистор (наприклад, 10 кОм) між затвором і витоком. Це забезпечить вимкнений стан транзистора за відсутності керуючого сигналу.
  • Дотримуйтесь правил роботи з ESD (захист від статичного розряду) під час монтажу.
Недотримання правил ESD-захисту може призвести до пошкодження затвора транзистора!

5. Покрокова інструкція для комутації навантаження

Розглянемо приклад із підключенням двигуна як навантаження:

graph TD
    A[Мікроконтролер] -- "Gate (через R_G 10-47 Ом)" --> B[IRF840]
    B -- "Drain" --> C[Двигун]
    C --> D[V_DD/12В]
    B -- "Source" --> E[GND]
    F[Резистор 10кОм] -- "Захисний резистор" --> B
    F --> E
    G[Захисний діод 1N4007] --> C
    G --> D
    style C fill:#f96,stroke:#333
    style G fill:#bbf,stroke:#333
  
  1. Витік (Source): З'єднайте із землею (GND).
  2. Стік (Drain): Підключіть до одного кінця двигуна.
  3. Другий кінець двигуна з'єднайте з позитивною напругою (V_DD, наприклад, 12 В).
  4. Затвор (Gate): Через резистор R_G (10–47 Ом) підключіть до джерела керуючого сигналу (наприклад, виходу мікроконтролера).
  5. Додайте резистор 10 кОм між затвором і витоком для безпеки.
  6. Для індуктивного навантаження (наприклад, двигуна): Встановіть захисний діод (наприклад, 1N4007) паралельно до навантаження:
    • Анод — до стоку (Drain).
    • Катод — до V_DD. Це захистить транзистор від зворотної напруги при вимкненні.

6. Напруга керування

  • Для повного відкриття транзистора потрібна напруга затвор-витік (V_GS) = 10 В.
  • Поріг увімкнення (V_GS(th)) становить 2.0–4.0 В, але для мінімального опору стік-витік (R_DS(on)) необхідно подавати 10 В.
  • Якщо джерело сигналу (наприклад, мікроконтролер) видає лише 5 В, додайте драйвер затвора або логічний перетворювач.
graph LR
    A["Напруга затвора (V_GS)"] --> B["0В - Вимкнено"]
    A --> C["2.0-4.0В - Поріг увімкнення"]
    A --> D["5В - Часткове відкриття"]
    A --> E["10В - Повне відкриття"]
    style B fill:#f66,stroke:#333
    style C fill:#ff9,stroke:#333
    style D fill:#ffa,stroke:#333
    style E fill:#6f6,stroke:#333
  

7. Тепловідвід

  • Максимальний струм стоку: 8.0 А (при температурі корпуса T_C = 25°C) або 5.1 А (при T_C = 100°C).
  • Максимальна потужність: 125 Вт.
  • При значних навантаженнях використовуйте радіатор, щоб температура переходу не перевищувала 150°C.
Для ефективного відведення тепла використовуйте термопасту між транзистором та радіатором.
graph TD
    A["Температура корпусу"] --> B["T_C = 25°C: 8.0A"]
    A --> C["T_C = 100°C: 5.1A"]
    A --> D["T_C = 150°C: Небезпечно!"]
    style B fill:#6f6,stroke:#333
    style C fill:#ff9,stroke:#333
    style D fill:#f66,stroke:#333
  

8. Перевірка параметрів

Перед подачею живлення переконайтеся, що:

  • Напруга стік-витік (V_DS) не перевищує 500 В.
  • Напруга затвор-витік (V_GS) не перевищує ±20 В.
  • Струм стоку (I_D) відповідає допустимим значенням.
  • Усі з'єднання виконані правильно, а радіатор (за потреби) встановлено.

9. Принцип роботи

  • Увімкнення: При V_GS ≥ 10 В транзистор відкривається, дозволяючи струму текти від стоку до витоку через навантаження.
  • Вимкнення: При V_GS < V_GS(th) (наприклад, 0 В) транзистор закривається, і струм припиняється.
stateDiagram-v2
    [*] --> Вимкнено
    Вимкнено --> Увімкнено: V_GS ≥ 10В
    Увімкнено --> Вимкнено: V_GS = 0В
    
    state Вимкнено {
        [*] --> Закрито: V_GS < 2В
        Закрито: Струм не тече
    }
    
    state Увімкнено {
        [*] --> Відкрито: V_GS ≥ 10В
        Відкрито: Струм тече через навантаження
    }
  
Важливе зауваження: Ми доклали зусиль, щоб ця інструкція була точною та корисною. Однак, ця інструкція надається як довідковий матеріал. Електронні компоненти можуть мати варіації, а схеми підключення залежать від конкретних умов та вашого обладнання. Ця інформація надається "як є", без гарантій повноти чи безпомилковості. Наполегливо рекомендуємо перевіряти специфікації вашого модуля (datasheet), звірятися з іншими джерелами та, за найменших сумнівів, звертатися до кваліфікованих фахівців, особливо при роботі з напругою 220В.
Рекомендовані статті
Як подружитися з даташитом: на прикладі MOSFET IRF840
Як подружитися з даташитом: на прикладі MOSFET IRF840
Блог, Інструкції Підключення та Огляди
25.04.2025
Ви дивилися
ШІМ регулятор швидкості двигуна DC
Код товару: 1104
В наявності
0
59.00 грн
ШІМ Регулятор двигуна постійного струму 12-40V 10A
Код товару: 1146
В наявності
1
155.00 грн