Транзистор IRF840 корпус TO-220
Транзистор IRF840 TO-220AB
Високовольтний N-канальний силовий MOSFET 500 В / 8 А у корпусі TO-220AB для швидких комутацій у промислових застосуваннях.
Основні переваги
Типові часи: t_d(on)=14 нс, t_r=23 нс, t_d(off)=49 нс, t_f=20 нс — підходить для високошвидкісних комутацій.
Репетитивна лавинна стійкість; одиночна енергія лавини E_AS до 510 мДж (типові умови з даташиту).
Потрібна проста схема керування затвором, максимальна напруга затвор-витік ±20 В, повна характеристика заряду затвора.
R_θJC ≤ 1.0 °C/Вт та P_D до 125 Вт (T_C=25 °C) для ефективного відведення тепла.
Ключові характеристики
| Тип: | N-канальний MOSFET |
|---|---|
| Максимальна напруга стік-витік (V_DS): | 500 В |
| Безперервний струм стоку (I_D): | 8.0 А (T_C = 25 °C); 5.1 А (T_C = 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку (I_DM): | 32 А |
| Опір каналу у відкритому стані (R_DS(on)): | ≤ 0.85 Ω @ V_GS = 10 В, I_D = 4.8 А |
| Напруга затвор-витік (V_GS, макс): | ±20 В |
| Розсіювана потужність (P_D): | 125 Вт @ T_C = 25 °C |
| Пакет/корпус: | TO-220AB |
| Заряд затвора (Q_g, макс): | 63 нКл @ V_GS = 10 В, I_D = 8 А, V_DS = 400 В |
| Вхідна ємність (C_iss, тип.): | 1300 пФ @ V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц |
| Часи перемикання (тип.): | t_d(on)=14 нс, t_r=23 нс, t_d(off)=49 нс, t_f=20 нс |
| Тепловий опір переходу-корпус (R_θJC): | ≤ 1.0 °C/Вт |
| Діапазон температур (T_J, T_stg): | −55…+150 °C |
| Швидкість відновлення діода (t_rr): | тип. 460 нс, макс. 970 нс |
| Пряма напруга діода (V_SD): | ≤ 2.0 В @ I_S = 8 А, V_GS = 0 В |
Детальні технічні параметри
- Pіковий dV/dt при відновленні діода: 3.5 В/нс.
- Лінійний коефіцієнт дерейтингу потужності: 1.0 Вт/°C.
- Ємності (тип.): C_oss = 310 пФ, C_rss = 120 пФ @ V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц.
- Заряд затвора (макс.): Q_g = 63 нКл; розкладання — Q_gs ≈ 9.3 нКл, Q_gd ≈ 32 нКл.
- Струм інтегрованого зворотного діода: I_S (безперервний) 8 А; I_SM (імпульсний) 32 А.
- Граничні параметри лавини: I_AR = 8 А; E_AR = 13 мДж (репетитивна); E_AS = 510 мДж (одиночна).
- Теплові параметри: R_θJA ≤ 62 °C/Вт; R_θCS тип. 0.50 °C/Вт (плоска, змащена поверхня).
- Монтаж/паяння: рекомендується пайка 300 °C до 10 с (на відстані 1.6 мм від корпусу); крутний момент кріплення 10 lbf·in (≈1.1 Н·м).
- Позначення для замовлення: IRF840PbF; IRF840PbF-BE3 (безсвинцеве/безгалогенове виконання).
Основні сфери застосування
- Комерційно‑промислові комутаційні вузли із розсіюванням до ~50 Вт (згідно опису пакета TO‑220AB).
- Високовольтні силові ланцюги, де потрібне швидке перемикання та N‑канальний MOSFET 500 В.
Сумісні позначення та альтернативи
Питання-відповіді (FAQ)
Допустима напруга V_GS становить ±20 В (Absolute Maximum Ratings).
Типові значення: t_d(on)=14 нс, t_r=23 нс, t_d(off)=49 нс, t_f=20 нс за умов V_DD=250 В, I_D=8 А, R_g=9.1 Ω, R_D=31 Ω.
Рекомендовано паяння при 300 °C до 10 с (1.6 мм від корпусу). Рекомендований крутний момент кріплення — 10 lbf·in (≈1.1 Н·м).
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.
IRF840 транзистор корпус TO-220
Інструкція з підключення транзистора IRF840 (корпус TO-220)
IRF840 — це N-канальний MOSFET у корпусі TO-220, призначений для комутаційних схем, імпульсних джерел живлення та інших застосувань із високою напругою і помірними струмами.
1. Ідентифікація виводів
Транзистор IRF840 має три виводи:
- Вивід 1 (Gate, G): Керуючий вхід для увімкнення або вимкнення транзистора.
- Вивід 2 (Drain, D): Вихід струму, підключається до навантаження.
- Вивід 3 (Source, S): Вхід струму, зазвичай з'єднується з землею (GND).
Перед початком роботи перевірте маркування на корпусі транзистора або зверніться до даташиту для точної ідентифікації виводів.
2. Основна схема підключення
IRF840 як N-канальний MOSFET часто використовується для комутації навантаження. Ось базова схема:
graph LR
A[Мікроконтролер] -- "Gate (через R_G 10-100 Ом)" --> B[IRF840]
B -- "Drain" --> C[Навантаження]
C --> D[V_DD]
B -- "Source" --> E[GND]
F[Резистор 10кОм] -- "Захисний резистор" --> B
F --> E
subgraph Транзистор
B
end
- Витік (Source): Підключіть до землі (GND).
- Стік (Drain): З'єднайте з одним кінцем навантаження (наприклад, двигуна, лампи чи резистора).
- Другий кінець навантаження підключіть до позитивного джерела живлення (V_DD).
- Затвор (Gate): Через резистор (R_G, 10–100 Ом) з'єднайте з джерелом керуючого сигналу (наприклад, мікроконтролером).
Така схема дозволяє транзистору вмикати або вимикати навантаження залежно від сигналу на затворі.
3. Вибір резистора затвора
Резистор R_G між затвором і джерелом сигналу обмежує струм затвора та захищає транзистор:
- Рекомендоване значення: 10–100 Ом.
- З огляду на ємність затвора 1300 пФ, для швидкого перемикання обирайте значення 10–47 Ом.
4. Захист затвора
Затвор IRF840 чутливий до статичної електрики. Для його захисту:
- Встановіть резистор (наприклад, 10 кОм) між затвором і витоком. Це забезпечить вимкнений стан транзистора за відсутності керуючого сигналу.
- Дотримуйтесь правил роботи з ESD (захист від статичного розряду) під час монтажу.
5. Покрокова інструкція для комутації навантаження
Розглянемо приклад із підключенням двигуна як навантаження:
graph TD
A[Мікроконтролер] -- "Gate (через R_G 10-47 Ом)" --> B[IRF840]
B -- "Drain" --> C[Двигун]
C --> D[V_DD/12В]
B -- "Source" --> E[GND]
F[Резистор 10кОм] -- "Захисний резистор" --> B
F --> E
G[Захисний діод 1N4007] --> C
G --> D
style C fill:#f96,stroke:#333
style G fill:#bbf,stroke:#333
- Витік (Source): З'єднайте із землею (GND).
- Стік (Drain): Підключіть до одного кінця двигуна.
- Другий кінець двигуна з'єднайте з позитивною напругою (V_DD, наприклад, 12 В).
- Затвор (Gate): Через резистор R_G (10–47 Ом) підключіть до джерела керуючого сигналу (наприклад, виходу мікроконтролера).
- Додайте резистор 10 кОм між затвором і витоком для безпеки.
- Для індуктивного навантаження (наприклад, двигуна): Встановіть захисний діод (наприклад, 1N4007) паралельно до навантаження:
- Анод — до стоку (Drain).
- Катод — до V_DD. Це захистить транзистор від зворотної напруги при вимкненні.
6. Напруга керування
- Для повного відкриття транзистора потрібна напруга затвор-витік (V_GS) = 10 В.
- Поріг увімкнення (V_GS(th)) становить 2.0–4.0 В, але для мінімального опору стік-витік (R_DS(on)) необхідно подавати 10 В.
- Якщо джерело сигналу (наприклад, мікроконтролер) видає лише 5 В, додайте драйвер затвора або логічний перетворювач.
graph LR
A["Напруга затвора (V_GS)"] --> B["0В - Вимкнено"]
A --> C["2.0-4.0В - Поріг увімкнення"]
A --> D["5В - Часткове відкриття"]
A --> E["10В - Повне відкриття"]
style B fill:#f66,stroke:#333
style C fill:#ff9,stroke:#333
style D fill:#ffa,stroke:#333
style E fill:#6f6,stroke:#333
7. Тепловідвід
- Максимальний струм стоку: 8.0 А (при температурі корпуса T_C = 25°C) або 5.1 А (при T_C = 100°C).
- Максимальна потужність: 125 Вт.
- При значних навантаженнях використовуйте радіатор, щоб температура переходу не перевищувала 150°C.
graph TD
A["Температура корпусу"] --> B["T_C = 25°C: 8.0A"]
A --> C["T_C = 100°C: 5.1A"]
A --> D["T_C = 150°C: Небезпечно!"]
style B fill:#6f6,stroke:#333
style C fill:#ff9,stroke:#333
style D fill:#f66,stroke:#333
8. Перевірка параметрів
Перед подачею живлення переконайтеся, що:
- Напруга стік-витік (V_DS) не перевищує 500 В.
- Напруга затвор-витік (V_GS) не перевищує ±20 В.
- Струм стоку (I_D) відповідає допустимим значенням.
- Усі з'єднання виконані правильно, а радіатор (за потреби) встановлено.
9. Принцип роботи
- Увімкнення: При V_GS ≥ 10 В транзистор відкривається, дозволяючи струму текти від стоку до витоку через навантаження.
- Вимкнення: При V_GS < V_GS(th) (наприклад, 0 В) транзистор закривається, і струм припиняється.
stateDiagram-v2
[*] --> Вимкнено
Вимкнено --> Увімкнено: V_GS ≥ 10В
Увімкнено --> Вимкнено: V_GS = 0В
state Вимкнено {
[*] --> Закрито: V_GS < 2В
Закрито: Струм не тече
}
state Увімкнено {
[*] --> Відкрито: V_GS ≥ 10В
Відкрито: Струм тече через навантаження
}