Ви дивилися
Каталог товарів
Клієнту
Тема сайту:
+38 (066) 305-77-25
Наша адреса
Харків, тимчасово - доставка тільки Новою Поштою, УкрПоштою, МістЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефони
Графік роботи
  • Пн-Пт: з 9 до 18
  • Сб: з 10 до 17
  • Нд: з 11 до 16
E-mail
Ми в соцмережах
Перейти до контактів
0 0
Каталог
Головна
Дивилися
5
Закладки
0
Порівняти
0
Контакти

Транзистор IRF840 корпус TO-220

Виробник: Китай Код товару: 5573
0
Все про товар
Опис
Характеристики
Відгуки 0
Питання0
Інструкція
новинка
Транзистор IRF840 корпус TO-220
В наявності
Код товару: 5573
24.00 грн
Знайшли дешевше?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00. Увага!
Полярність:N-канальний MOSFET
Тип корпусу:TO-220
Доставка
Новою Поштою у відділення та поштомати Новою Поштою у відділення та поштомати
від 80 ₴
ROZETKA Delivery ROZETKA Delivery
Фіксована 49грн
Укрпоштою у відділення по Україні Укрпоштою у відділення по Україні
від 45 ₴
Meest Express Meest Express
від 60 ₴
Оплата
Оплата карткою Оплата карткою
Переказ на картку Переказ на картку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безготівковий розрахунок Безготівковий розрахунок
Післяплата Післяплата
Гарантійні положення
Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються
Транзистор IRF840 корпус TO-220
24.00 грн
Опис

🔌 Транзистор IRF840 (корпус TO-220)

N-канальний MOSFET 500В 8A з низьким опором та швидким перемиканням

Загальний опис

IRF840 – це високопродуктивний N-канальний MOSFET (метал-оксид-напівпровідниковий польовий транзистор) третього покоління, розроблений компанією Vishay Siliconix. Цей транзистор вирізняється низьким опором у відкритому стані, швидким перемиканням і високою стійкістю до лавинних пробоїв, що робить його ідеальним вибором для комутаційних схем, імпульсних джерел живлення та інших застосувань, де потрібна висока ефективність і надійність. Корпус TO-220 забезпечує зручність монтажу та ефективний тепловідвід, дозволяючи розсіювати потужність до 50 Вт у типових промислових умовах.

✅ Технічні переваги:

  • Низький опір у відкритому стані (R_DS(on)) – лише 0.85 Ω при напрузі 10В на затворі, що забезпечує мінімальні втрати потужності та високу енергоефективність у ваших схемах
  • Висока напруга стік-витік до 500В – дозволяє використовувати транзистор у високовольтних схемах, забезпечуючи надійний захист та стабільну роботу навіть при значних коливаннях напруги
  • Швидке перемикання – час наростання всього 23 нс та час спадання 20 нс забезпечують ефективну роботу у високочастотних схемах та імпульсних джерелах живлення
  • Ефективний тепловідвід – корпус TO-220 з тепловим опором від переходу до корпусу всього 1.0 °C/Вт забезпечує оптимальне розсіювання тепла при високих навантаженнях
  • Висока стійкість до лавинних пробоїв – підвищує загальну надійність пристрою та захищає від нестабільних умов експлуатації, збільшуючи термін служби вашого обладнання

🔧 Ідеальне рішення для:

Імпульсні джерела живлення

Драйвери двигунів

Комутаційні схеми

Системи управління навантаженням

Захисні схеми

Інверторні пристрої

💡 Широкі можливості застосування:

  • Імпульсні джерела живлення (SMPS) – IRF840 забезпечує високу ефективність перетворення енергії завдяки низькому опору відкритого каналу та швидкому перемиканню. Це дозволяє створювати компактні та енергоефективні блоки живлення з частотою перемикання до сотень кілогерц, що значно зменшує розміри трансформаторів та фільтруючих компонентів.
  • Драйвери двигунів – завдяки здатності витримувати високі напруги до 500В та струми до 8А, транзистор ідеально підходить для керування індуктивними навантаженнями, такими як електродвигуни. Швидке перемикання забезпечує точне керування швидкістю та крутним моментом двигуна при високій енергоефективності.
  • Комутаційні схеми загального призначення – низький опір відкритого каналу та висока швидкість перемикання роблять IRF840 ідеальним для комутації різноманітних навантажень. Стійкість до лавинних пробоїв забезпечує додатковий захист при роботі з реактивними навантаженнями та в умовах перехідних процесів.
  • Системи захисту від перевантаження – висока надійність та здатність витримувати короткочасні перевантаження роблять цей транзистор відмінним вибором для схем захисту обладнання. Широкий температурний діапазон від -55°C до +150°C гарантує стабільну роботу в різних умовах експлуатації.

📦 Детальні технічні характеристики:

  • Тип транзистора: N-канальний MOSFET
  • Корпус: TO-220
  • Максимальна напруга стік-витік (V_DS): 500 В
  • Максимальний струм стоку (I_D):
    • 8.0 А (при T_C = 25°C)
    • 5.1 А (при T_C = 100°C)
  • Опір у відкритому стані (R_DS(on)): 0.85 Ω (при V_GS = 10 В, I_D = 4.8 А)
  • Поріг увімкнення (V_GS(th)): 2.0–4.0 В
  • Максимальна розсіювана потужність (P_D): 125 Вт (при T_C = 25°C)
  • Робоча температура переходу (T_J): від -55°C до +150°C
  • Струм витоку стоку (I_DSS): ≤ 25 мкА (при V_DS = 500 В, V_GS = 0 В)
  • Вхідна ємність (C_iss): 1300 пФ (при V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц)
  • Час перемикання:
    • Затримка увімкнення (t_d(on)): 14 нс
    • Час наростання (t_r): 23 нс
    • Затримка вимкнення (t_d(off)): 49 нс
    • Час спадання (t_f): 20 нс
  • Тепловий опір від переходу до корпусу (R_θJC): 1.0 °C/Вт
  • Характеристики зворотного діода:
    • Максимальний безперервний струм (I_S): 8.0 А
    • Пряма напруга (V_SD): ≤ 2.0 В (при I_S = 8.0 А, V_GS = 0 В)

⚠️ Важливі аспекти використання:

  • Тепловідвід – при роботі з високими струмами настійно рекомендується використання радіатора. Для оптимального тепловідводу застосовуйте теплопровідну пасту між транзистором і радіатором, забезпечуючи надійний механічний контакт.
  • Захист затвора – для запобігання пошкодженню транзистора від статичної електрики, рекомендується використовувати захисні резистори в ланцюзі затвора (зазвичай 10-100 Ом) та уникати перевищення максимальної напруги затвор-витік ±20В.
  • Комутація індуктивних навантажень – при роботі з індуктивними навантаженнями (двигуни, реле, соленоїди), рекомендується застосовувати захисні діоди для обмеження викидів напруги, які можуть пошкодити транзистор.
  • Монтаж на плату – при пайці дотримуйтесь температурного режиму не більше 260°C протягом 10 секунд для запобігання перегріву та пошкодження кристалу транзистора. Витримуйте мінімальну відстань 3-5 мм між корпусами транзисторів при встановленні декількох компонентів поруч.

Транзистор IRF840 в корпусі TO-220 – це високоякісний компонент, який забезпечить надійну та ефективну роботу вашої електронної схеми. Завдяки низькому опору, високій швидкості перемикання та стійкості до складних умов експлуатації, він стане ідеальним вибором як для аматорських, так і для промислових проектів.

ЗАМОВТЕ ЗАРАЗ
#Транзистор #MOSFET #IRF840 #TO-220 #Електроніка #Силова_електроніка
Характеристики
Основні
Полярність
N-канальний MOSFET
Тип корпусу
TO-220
Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді
Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.

Інструкція

IRF840 транзистор корпус TO-220

Інструкція з підключення транзистора IRF840 (корпус TO-220)

IRF840 — це N-канальний MOSFET у корпусі TO-220, призначений для комутаційних схем, імпульсних джерел живлення та інших застосувань із високою напругою і помірними струмами.

1. Ідентифікація виводів

Транзистор IRF840 має три виводи:

  • Вивід 1 (Gate, G): Керуючий вхід для увімкнення або вимкнення транзистора.
  • Вивід 2 (Drain, D): Вихід струму, підключається до навантаження.
  • Вивід 3 (Source, S): Вхід струму, зазвичай з'єднується з землею (GND).

Перед початком роботи перевірте маркування на корпусі транзистора або зверніться до даташиту для точної ідентифікації виводів.

2. Основна схема підключення

IRF840 як N-канальний MOSFET часто використовується для комутації навантаження. Ось базова схема:

graph LR
    A[Мікроконтролер] -- "Gate (через R_G 10-100 Ом)" --> B[IRF840]
    B -- "Drain" --> C[Навантаження]
    C --> D[V_DD]
    B -- "Source" --> E[GND]
    F[Резистор 10кОм] -- "Захисний резистор" --> B
    F --> E
    subgraph Транзистор
    B
    end
  
  • Витік (Source): Підключіть до землі (GND).
  • Стік (Drain): З'єднайте з одним кінцем навантаження (наприклад, двигуна, лампи чи резистора).
  • Другий кінець навантаження підключіть до позитивного джерела живлення (V_DD).
  • Затвор (Gate): Через резистор (R_G, 10–100 Ом) з'єднайте з джерелом керуючого сигналу (наприклад, мікроконтролером).

Така схема дозволяє транзистору вмикати або вимикати навантаження залежно від сигналу на затворі.

3. Вибір резистора затвора

Резистор R_G між затвором і джерелом сигналу обмежує струм затвора та захищає транзистор:

  • Рекомендоване значення: 10–100 Ом.
  • З огляду на ємність затвора 1300 пФ, для швидкого перемикання обирайте значення 10–47 Ом.
Для швидшого перемикання використовуйте резистор ближче до нижньої межі рекомендованого діапазону (10-47 Ом).

4. Захист затвора

Затвор IRF840 чутливий до статичної електрики. Для його захисту:

  • Встановіть резистор (наприклад, 10 кОм) між затвором і витоком. Це забезпечить вимкнений стан транзистора за відсутності керуючого сигналу.
  • Дотримуйтесь правил роботи з ESD (захист від статичного розряду) під час монтажу.
Недотримання правил ESD-захисту може призвести до пошкодження затвора транзистора!

5. Покрокова інструкція для комутації навантаження

Розглянемо приклад із підключенням двигуна як навантаження:

graph TD
    A[Мікроконтролер] -- "Gate (через R_G 10-47 Ом)" --> B[IRF840]
    B -- "Drain" --> C[Двигун]
    C --> D[V_DD/12В]
    B -- "Source" --> E[GND]
    F[Резистор 10кОм] -- "Захисний резистор" --> B
    F --> E
    G[Захисний діод 1N4007] --> C
    G --> D
    style C fill:#f96,stroke:#333
    style G fill:#bbf,stroke:#333
  
  1. Витік (Source): З'єднайте із землею (GND).
  2. Стік (Drain): Підключіть до одного кінця двигуна.
  3. Другий кінець двигуна з'єднайте з позитивною напругою (V_DD, наприклад, 12 В).
  4. Затвор (Gate): Через резистор R_G (10–47 Ом) підключіть до джерела керуючого сигналу (наприклад, виходу мікроконтролера).
  5. Додайте резистор 10 кОм між затвором і витоком для безпеки.
  6. Для індуктивного навантаження (наприклад, двигуна): Встановіть захисний діод (наприклад, 1N4007) паралельно до навантаження:
    • Анод — до стоку (Drain).
    • Катод — до V_DD. Це захистить транзистор від зворотної напруги при вимкненні.

6. Напруга керування

  • Для повного відкриття транзистора потрібна напруга затвор-витік (V_GS) = 10 В.
  • Поріг увімкнення (V_GS(th)) становить 2.0–4.0 В, але для мінімального опору стік-витік (R_DS(on)) необхідно подавати 10 В.
  • Якщо джерело сигналу (наприклад, мікроконтролер) видає лише 5 В, додайте драйвер затвора або логічний перетворювач.
graph LR
    A["Напруга затвора (V_GS)"] --> B["0В - Вимкнено"]
    A --> C["2.0-4.0В - Поріг увімкнення"]
    A --> D["5В - Часткове відкриття"]
    A --> E["10В - Повне відкриття"]
    style B fill:#f66,stroke:#333
    style C fill:#ff9,stroke:#333
    style D fill:#ffa,stroke:#333
    style E fill:#6f6,stroke:#333
  

7. Тепловідвід

  • Максимальний струм стоку: 8.0 А (при температурі корпуса T_C = 25°C) або 5.1 А (при T_C = 100°C).
  • Максимальна потужність: 125 Вт.
  • При значних навантаженнях використовуйте радіатор, щоб температура переходу не перевищувала 150°C.
Для ефективного відведення тепла використовуйте термопасту між транзистором та радіатором.
graph TD
    A["Температура корпусу"] --> B["T_C = 25°C: 8.0A"]
    A --> C["T_C = 100°C: 5.1A"]
    A --> D["T_C = 150°C: Небезпечно!"]
    style B fill:#6f6,stroke:#333
    style C fill:#ff9,stroke:#333
    style D fill:#f66,stroke:#333
  

8. Перевірка параметрів

Перед подачею живлення переконайтеся, що:

  • Напруга стік-витік (V_DS) не перевищує 500 В.
  • Напруга затвор-витік (V_GS) не перевищує ±20 В.
  • Струм стоку (I_D) відповідає допустимим значенням.
  • Усі з'єднання виконані правильно, а радіатор (за потреби) встановлено.

9. Принцип роботи

  • Увімкнення: При V_GS ≥ 10 В транзистор відкривається, дозволяючи струму текти від стоку до витоку через навантаження.
  • Вимкнення: При V_GS < V_GS(th) (наприклад, 0 В) транзистор закривається, і струм припиняється.
stateDiagram-v2
    [*] --> Вимкнено
    Вимкнено --> Увімкнено: V_GS ≥ 10В
    Увімкнено --> Вимкнено: V_GS = 0В
    
    state Вимкнено {
        [*] --> Закрито: V_GS < 2В
        Закрито: Струм не тече
    }
    
    state Увімкнено {
        [*] --> Відкрито: V_GS ≥ 10В
        Відкрито: Струм тече через навантаження
    }
  
Важливе зауваження: Ми доклали зусиль, щоб ця інструкція була точною та корисною. Однак, ця інструкція надається як довідковий матеріал. Електронні компоненти можуть мати варіації, а схеми підключення залежать від конкретних умов та вашого обладнання. Ця інформація надається "як є", без гарантій повноти чи безпомилковості. Наполегливо рекомендуємо перевіряти специфікації вашого модуля (datasheet), звірятися з іншими джерелами та, за найменших сумнівів, звертатися до кваліфікованих фахівців, особливо при роботі з напругою 220В.
Ви дивилися
Бестселер
SMD резистор 0805 5% (100к-910к)
Код товару: 5112
В наявності
0
1.00 грн
Бестселер
Біполярний транзистор 2N5551 (MMBT5551LT1G) G1 (0.6A 180V) корпус SOT-23
Код товару: 5461
В наявності
0
1.00 грн
HEF40106BT HEF4069UBT SMD корпус SOP14
Код товару: 5417
В наявності
0
9.00 грн
новинка
Транзистор IRF F 5305S SMD корпус ТО-263
Код товару: 5567
В наявності
0
33.00 грн
Бестселер
BMS 1S (3A 3.7V) контролер захисту для 1-го Li-Ion акумулятора 18650 GB-326
Код товару: 1314
В наявності
0
12.00 грн
Живий чат
Живий чат