

Високовольтний N-канальний силовий MOSFET 500 В / 8 А у корпусі TO-220AB для швидких комутацій у промислових застосуваннях.
Типові часи: t_d(on)=14 нс, t_r=23 нс, t_d(off)=49 нс, t_f=20 нс — підходить для високошвидкісних комутацій.
Репетитивна лавинна стійкість; одиночна енергія лавини E_AS до 510 мДж (типові умови з даташиту).
Потрібна проста схема керування затвором, максимальна напруга затвор-витік ±20 В, повна характеристика заряду затвора.
R_θJC ≤ 1.0 °C/Вт та P_D до 125 Вт (T_C=25 °C) для ефективного відведення тепла.
Тип: | N-канальний MOSFET |
---|---|
Максимальна напруга стік-витік (V_DS): | 500 В |
Безперервний струм стоку (I_D): | 8.0 А (T_C = 25 °C); 5.1 А (T_C = 100 °C) |
Імпульсний струм стоку (I_DM): | 32 А |
Опір каналу у відкритому стані (R_DS(on)): | ≤ 0.85 Ω @ V_GS = 10 В, I_D = 4.8 А |
Напруга затвор-витік (V_GS, макс): | ±20 В |
Розсіювана потужність (P_D): | 125 Вт @ T_C = 25 °C |
Пакет/корпус: | TO-220AB |
Заряд затвора (Q_g, макс): | 63 нКл @ V_GS = 10 В, I_D = 8 А, V_DS = 400 В |
Вхідна ємність (C_iss, тип.): | 1300 пФ @ V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц |
Часи перемикання (тип.): | t_d(on)=14 нс, t_r=23 нс, t_d(off)=49 нс, t_f=20 нс |
Тепловий опір переходу-корпус (R_θJC): | ≤ 1.0 °C/Вт |
Діапазон температур (T_J, T_stg): | −55…+150 °C |
Швидкість відновлення діода (t_rr): | тип. 460 нс, макс. 970 нс |
Пряма напруга діода (V_SD): | ≤ 2.0 В @ I_S = 8 А, V_GS = 0 В |
Допустима напруга V_GS становить ±20 В (Absolute Maximum Ratings).
Типові значення: t_d(on)=14 нс, t_r=23 нс, t_d(off)=49 нс, t_f=20 нс за умов V_DD=250 В, I_D=8 А, R_g=9.1 Ω, R_D=31 Ω.
Рекомендовано паяння при 300 °C до 10 с (1.6 мм від корпусу). Рекомендований крутний момент кріплення — 10 lbf·in (≈1.1 Н·м).
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.
Інструкція з підключення транзистора IRF840 (корпус TO-220)
IRF840 — це N-канальний MOSFET у корпусі TO-220, призначений для комутаційних схем, імпульсних джерел живлення та інших застосувань із високою напругою і помірними струмами.
Транзистор IRF840 має три виводи:
Перед початком роботи перевірте маркування на корпусі транзистора або зверніться до даташиту для точної ідентифікації виводів.
IRF840 як N-канальний MOSFET часто використовується для комутації навантаження. Ось базова схема:
graph LR A[Мікроконтролер] -- "Gate (через R_G 10-100 Ом)" --> B[IRF840] B -- "Drain" --> C[Навантаження] C --> D[V_DD] B -- "Source" --> E[GND] F[Резистор 10кОм] -- "Захисний резистор" --> B F --> E subgraph Транзистор B end
Така схема дозволяє транзистору вмикати або вимикати навантаження залежно від сигналу на затворі.
Резистор R_G між затвором і джерелом сигналу обмежує струм затвора та захищає транзистор:
Затвор IRF840 чутливий до статичної електрики. Для його захисту:
Розглянемо приклад із підключенням двигуна як навантаження:
graph TD A[Мікроконтролер] -- "Gate (через R_G 10-47 Ом)" --> B[IRF840] B -- "Drain" --> C[Двигун] C --> D[V_DD/12В] B -- "Source" --> E[GND] F[Резистор 10кОм] -- "Захисний резистор" --> B F --> E G[Захисний діод 1N4007] --> C G --> D style C fill:#f96,stroke:#333 style G fill:#bbf,stroke:#333
graph LR A["Напруга затвора (V_GS)"] --> B["0В - Вимкнено"] A --> C["2.0-4.0В - Поріг увімкнення"] A --> D["5В - Часткове відкриття"] A --> E["10В - Повне відкриття"] style B fill:#f66,stroke:#333 style C fill:#ff9,stroke:#333 style D fill:#ffa,stroke:#333 style E fill:#6f6,stroke:#333
graph TD A["Температура корпусу"] --> B["T_C = 25°C: 8.0A"] A --> C["T_C = 100°C: 5.1A"] A --> D["T_C = 150°C: Небезпечно!"] style B fill:#6f6,stroke:#333 style C fill:#ff9,stroke:#333 style D fill:#f66,stroke:#333
Перед подачею живлення переконайтеся, що:
stateDiagram-v2 [*] --> Вимкнено Вимкнено --> Увімкнено: V_GS ≥ 10В Увімкнено --> Вимкнено: V_GS = 0В state Вимкнено { [*] --> Закрито: V_GS < 2В Закрито: Струм не тече } state Увімкнено { [*] --> Відкрито: V_GS ≥ 10В Відкрито: Струм тече через навантаження }