Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

IRF840 транзистор корпус TO-220

Страна-производитель: Китай Код товара: 5573
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы0
Инструкция
Есть в наличии
Код товара: 5573
24.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Полярность:N-канальный MOSFET
Тип корпуса:TO-220
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы
Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине
Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express
Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
IRF840 транзистор корпус TO-220
Код товара: 5573
24.00 грн
Описание

Транзистор IRF840 TO-220AB

Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET 500 В / 8 А в корпусе TO-220AB для быстрых коммутаций в промышленных применениях.

Основные преимущества

Быстрое переключение

Типовые времена: t_d(on)=14 нс, t_r=23 нс, t_d(off)=49 нс, t_f=20 нс — подходит для высокоскоростных коммутаций.

Устойчивость к лавинному пробою

Повторяющаяся лавинная устойчивость; энергия одиночной лавины E_AS до 510 мДж (типовые условия из даташита).

Простое управление

Требуется простая схема управления затвором, максимальное напряжение затвор-исток ±20 В, полная характеристика заряда затвора.

Надежный тепловой режим

R_θJC ≤ 1.0 °C/Вт и P_D до 125 Вт (T_C=25 °C) для эффективного отвода тепла.

Ключевые характеристики

Тип:N-канальный MOSFET
Максимальное напряжение сток-исток (V_DS):500 В
Непрерывный ток стока (I_D):8.0 А (T_C = 25 °C); 5.1 А (T_C = 100 °C)
Импульсный ток стока (I_DM):32 А
Сопротивление канала в открытом состоянии (R_DS(on)):≤ 0.85 Ω @ V_GS = 10 В, I_D = 4.8 А
Напряжение затвор-исток (V_GS, макс):±20 В
Рассеиваемая мощность (P_D):125 Вт @ T_C = 25 °C
Корпус:TO-220AB
Заряд затвора (Q_g, макс):63 нКл @ V_GS = 10 В, I_D = 8 А, V_DS = 400 В
Входная емкость (C_iss, тип.):1300 пФ @ V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц
Времена переключения (тип.):t_d(on)=14 нс, t_r=23 нс, t_d(off)=49 нс, t_f=20 нс
Тепловое сопротивление переход-корпус (R_θJC):≤ 1.0 °C/Вт
Диапазон температур (T_J, T_stg):−55…+150 °C
Скорость восстановления диода (t_rr):тип. 460 нс, макс. 970 нс
Прямое напряжение диода (V_SD):≤ 2.0 В @ I_S = 8 А, V_GS = 0 В

Детальные технические параметры

  • Пиковый dV/dt при восстановлении диода: 3.5 В/нс.
  • Линейный коэффициент дерейтинга мощности: 1.0 Вт/°C.
  • Емкости (тип.): C_oss = 310 пФ, C_rss = 120 пФ @ V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц.
  • Заряд затвора (макс.): Q_g = 63 нКл; разложение — Q_gs ≈ 9.3 нКл, Q_gd ≈ 32 нКл.
  • Ток интегрированного обратного диода: I_S (непрерывный) 8 А; I_SM (импульсный) 32 А.
  • Предельные параметры лавины: I_AR = 8 А; E_AR = 13 мДж (повторяющаяся); E_AS = 510 мДж (одиночная).
  • Тепловые параметры: R_θJA ≤ 62 °C/Вт; R_θCS тип. 0.50 °C/Вт (плоская, смазанная поверхность).
  • Монтаж/пайка: рекомендуется пайка 300 °C до 10 с (на расстоянии 1.6 мм от корпуса); момент затяжки крепежа 10 lbf·in (≈1.1 Н·м).
  • Обозначения для заказа: IRF840PbF; IRF840PbF-BE3 (бессвинцовое/безгалогеновое исполнение).
Примечание: параметры основаны на документации Vishay Siliconix для IRF840. Источник: Vishay Siliconix Datasheet (PDF).

Основные области применения

  • Коммерческо‑промышленные коммутационные узлы с рассеянием до ~50 Вт (согласно описанию корпуса TO‑220AB).
  • Высоковольтные силовые цепи, где требуется быстрое переключение и N‑канальный MOSFET 500 В.

Совместимые обозначения и альтернативы

Доступные варианты для заказа по даташиту: IRF840PbF и IRF840PbF‑BE3 (бессвинцовое/безгалогеновое исполнение). Для других модификаций IRF840 смотрите соответствующие официальные листы данных производителя.

Вопросы-ответы (FAQ)

Каково максимальное напряжение на затворе относительно истока?

Допустимое напряжение V_GS составляет ±20 В (Absolute Maximum Ratings).

Каковы типовые времена переключения этого MOSFET?

Типовые значения: t_d(on)=14 нс, t_r=23 нс, t_d(off)=49 нс, t_f=20 нс при условиях V_DD=250 В, I_D=8 А, R_g=9.1 Ω, R_D=31 Ω.

Каковы требования к пайке и креплению корпуса TO‑220AB?

Рекомендуется пайка при 300 °C до 10 с (1.6 мм от корпуса). Рекомендуемый момент затяжки — 10 lbf·in (≈1.1 Н·м).

Характеристики
Основные
Полярность
N-канальный MOSFET
Тип корпуса
TO-220
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Инструкция

IRF840 транзистор корпус TO-220

Инструкция по подключению транзистора IRF840 (корпус TO-220)

IRF840 — это N-канальный MOSFET в корпусе TO-220, предназначенный для коммутационных схем, импульсных источников питания и других применений с высоким напряжением и умеренными токами.

1. Идентификация выводов

Транзистор IRF840 имеет три вывода:

  • Вывод 1 (Gate, G): Управляющий вход для включения или выключения транзистора.
  • Вывод 2 (Drain, D): Выход тока, подключается к нагрузке.
  • Вывод 3 (Source, S): Вход тока, обычно соединяется с землей (GND).

Перед началом работы проверьте маркировку на корпусе транзистора или обратитесь к даташиту для точной идентификации выводов.

2. Основная схема подключения

IRF840 как N-канальный MOSFET часто используется для коммутации нагрузки. Вот базовая схема:

graph LR
    A[Микроконтроллер] -- "Gate (через R_G 10-100 Ом)" --> B[IRF840]
    B -- "Drain" --> C[Нагрузка]
    C --> D[V_DD]
    B -- "Source" --> E[GND]
    F[Резистор 10кОм] -- "Защитный резистор" --> B
    F --> E
    subgraph Транзистор
    B
    end
  
  • Исток (Source): Подключите к земле (GND).
  • Сток (Drain): Соедините с одним концом нагрузки (например, двигателя, лампы или резистора).
  • Второй конец нагрузки подключите к положительному источнику питания (V_DD).
  • Затвор (Gate): Через резистор (R_G, 10–100 Ом) соедините с источником управляющего сигнала (например, микроконтроллером).

Такая схема позволяет транзистору включать или выключать нагрузку в зависимости от сигнала на затворе.

3. Выбор резистора затвора

Резистор R_G между затвором и источником сигнала ограничивает ток затвора и защищает транзистор:

  • Рекомендуемое значение: 10–100 Ом.
  • С учетом емкости затвора 1300 пФ, для быстрого переключения выбирайте значение 10–47 Ом.
Для более быстрого переключения используйте резистор ближе к нижней границе рекомендуемого диапазона (10-47 Ом).

4. Защита затвора

Затвор IRF840 чувствителен к статическому электричеству. Для его защиты:

  • Установите резистор (например, 10 кОм) между затвором и истоком. Это обеспечит выключенное состояние транзистора при отсутствии управляющего сигнала.
  • Соблюдайте правила работы с ESD (защита от статического разряда) во время монтажа.
Несоблюдение правил ESD-защиты может привести к повреждению затвора транзистора!

5. Пошаговая инструкция для коммутации нагрузки

Рассмотрим пример с подключением двигателя как нагрузки:

graph TD
    A[Микроконтроллер] -- "Gate (через R_G 10-47 Ом)" --> B[IRF840]
    B -- "Drain" --> C[Двигатель]
    C --> D[V_DD/12В]
    B -- "Source" --> E[GND]
    F[Резистор 10кОм] -- "Защитный резистор" --> B
    F --> E
    G[Защитный диод 1N4007] --> C
    G --> D
    style C fill:#f96,stroke:#333
    style G fill:#bbf,stroke:#333
  
  1. Исток (Source): Соедините с землей (GND).
  2. Сток (Drain): Подключите к одному концу двигателя.
  3. Второй конец двигателя соедините с положительным напряжением (V_DD, например, 12 В).
  4. Затвор (Gate): Через резистор R_G (10–47 Ом) подключите к источнику управляющего сигнала (например, выходу микроконтроллера).
  5. Добавьте резистор 10 кОм между затвором и истоком для безопасности.
  6. Для индуктивной нагрузки (например, двигателя): Установите защитный диод (например, 1N4007) параллельно нагрузке:
    • Анод — к стоку (Drain).
    • Катод — к V_DD. Это защитит транзистор от обратного напряжения при выключении.

6. Напряжение управления

  • Для полного открытия транзистора требуется напряжение затвор-исток (V_GS) = 10 В.
  • Порог включения (V_GS(th)) составляет 2.0–4.0 В, но для минимального сопротивления сток-исток (R_DS(on)) необходимо подавать 10 В.
  • Если источник сигнала (например, микроконтроллер) выдает только 5 В, добавьте драйвер затвора или логический преобразователь.
graph LR
    A["Напряжение затвора (V_GS)"] --> B["0В - Выключено"]
    A --> C["2.0-4.0В - Порог включения"]
    A --> D["5В - Частичное открытие"]
    A --> E["10В - Полное открытие"]
    style B fill:#f66,stroke:#333
    style C fill:#ff9,stroke:#333
    style D fill:#ffa,stroke:#333
    style E fill:#6f6,stroke:#333
  

7. Теплоотвод

  • Максимальный ток стока: 8.0 А (при температуре корпуса T_C = 25°C) или 5.1 А (при T_C = 100°C).
  • Максимальная мощность: 125 Вт.
  • При значительных нагрузках используйте радиатор, чтобы температура перехода не превышала 150°C.
Для эффективного отвода тепла используйте термопасту между транзистором и радиатором.
graph TD
    A["Температура корпуса"] --> B["T_C = 25°C: 8.0A"]
    A --> C["T_C = 100°C: 5.1A"]
    A --> D["T_C = 150°C: Опасно!"]
    style B fill:#6f6,stroke:#333
    style C fill:#ff9,stroke:#333
    style D fill:#f66,stroke:#333
  

8. Проверка параметров

Перед подачей питания убедитесь, что:

  • Напряжение сток-исток (V_DS) не превышает 500 В.
  • Напряжение затвор-исток (V_GS) не превышает ±20 В.
  • Ток стока (I_D) соответствует допустимым значениям.
  • Все соединения выполнены правильно, а радиатор (при необходимости) установлен.

9. Принцип работы

  • Включение: При V_GS ≥ 10 В транзистор открывается, позволяя току течь от стока к истоку через нагрузку.
  • Выключение: При V_GS < V_GS(th) (например, 0 В) транзистор закрывается, и ток прекращается.
stateDiagram-v2
    [*] --> Выключено
    Выключено --> Включено: V_GS ≥ 10В
    Включено --> Выключено: V_GS = 0В
    
    state Выключено {
        [*] --> Закрыто: V_GS < 2В
        Закрыто: Ток не течет
    }
    
    state Включено {
        [*] --> Открыто: V_GS ≥ 10В
        Открыто: Ток течет через нагрузку
    }
  
Важное замечание: Мы приложили усилия, чтобы эта инструкция была точной и полезной. Однако эта инструкция предоставляется как справочный материал. Электронные компоненты могут иметь вариации, а схемы подключения зависят от конкретных условий и вашего оборудования. Эта информация предоставляется "как есть", без гарантий полноты или безошибочности. Настоятельно рекомендуем проверять спецификации вашего модуля (datasheet), сверяться с другими источниками и, при малейших сомнениях, обращаться к квалифицированным специалистам, особенно при работе с напряжением 220В.
Рекомендуемые статьи
Как подружиться с даташитом: на примере MOSFET IRF840
Как подружиться с даташитом: на примере MOSFET IRF840
Блог, Инструкции Подключения и Обзоры
25.04.2025

Продовжимо солов'їною?

Оберіть мову