Вы смотрели
Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Смотрели
5
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

IRF840 транзистор корпус TO-220

Производитель: Китай Код товара: 5573
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы0
Инструкция
новинка
IRF840 транзистор корпус TO-220
Есть в наличии
Код товара: 5573
24.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00. Увага!
Полярность:N-канальный MOSFET
Тип корпуса:TO-220
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
IRF840 транзистор корпус TO-220
24.00 грн
Описание

🔌 Транзистор IRF840 (корпус TO-220)

N-канальный MOSFET 500В 8A с низким сопротивлением и быстрым переключением

Общее описание

IRF840 – это высокопроизводительный N-канальный MOSFET (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор) третьего поколения, разработанный компанией Vishay Siliconix. Этот транзистор отличается низким сопротивлением в открытом состоянии, быстрым переключением и высокой устойчивостью к лавинным пробоям, что делает его идеальным выбором для коммутационных схем, импульсных источников питания и других применений, где требуется высокая эффективность и надежность. Корпус TO-220 обеспечивает удобство монтажа и эффективный теплоотвод, позволяя рассеивать мощность до 50 Вт в типичных промышленных условиях.

✅ Технические преимущества:

  • Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) – всего 0.85 Ом при напряжении 10В на затворе, что обеспечивает минимальные потери мощности и высокую энергоэффективность в ваших схемах
  • Высокое напряжение сток-исток до 500В – позволяет использовать транзистор в высоковольтных схемах, обеспечивая надежную защиту и стабильную работу даже при значительных колебаниях напряжения
  • Быстрое переключение – время нарастания всего 23 нс и время спадания 20 нс обеспечивают эффективную работу в высокочастотных схемах и импульсных источниках питания
  • Эффективный теплоотвод – корпус TO-220 с тепловым сопротивлением от перехода к корпусу всего 1.0 °C/Вт обеспечивает оптимальное рассеивание тепла при высоких нагрузках
  • Высокая устойчивость к лавинным пробоям – повышает общую надежность устройства и защищает от нестабильных условий эксплуатации, увеличивая срок службы вашего оборудования

🔧 Идеальное решение для:

Импульсные источники питания

Драйверы двигателей

Коммутационные схемы

Системы управления нагрузкой

Защитные схемы

Инверторные устройства

💡 Широкие возможности применения:

  • Импульсные источники питания (SMPS) – IRF840 обеспечивает высокую эффективность преобразования энергии благодаря низкому сопротивлению открытого канала и быстрому переключению. Это позволяет создавать компактные и энергоэффективные блоки питания с частотой переключения до сотен килогерц, что значительно уменьшает размеры трансформаторов и фильтрующих компонентов.
  • Драйверы двигателей – благодаря способности выдерживать высокие напряжения до 500В и токи до 8А, транзистор идеально подходит для управления индуктивными нагрузками, такими как электродвигатели. Быстрое переключение обеспечивает точное управление скоростью и крутящим моментом двигателя при высокой энергоэффективности.
  • Коммутационные схемы общего назначения – низкое сопротивление открытого канала и высокая скорость переключения делают IRF840 идеальным для коммутации разнообразных нагрузок. Устойчивость к лавинным пробоям обеспечивает дополнительную защиту при работе с реактивными нагрузками и в условиях переходных процессов.
  • Системы защиты от перегрузки – высокая надежность и способность выдерживать кратковременные перегрузки делают этот транзистор отличным выбором для схем защиты оборудования. Широкий температурный диапазон от -55°C до +150°C гарантирует стабильную работу в различных условиях эксплуатации.

📦 Детальные технические характеристики:

  • Тип транзистора: N-канальный MOSFET
  • Корпус: TO-220
  • Максимальное напряжение сток-исток (V_DS): 500 В
  • Максимальный ток стока (I_D):
    • 8.0 А (при T_C = 25°C)
    • 5.1 А (при T_C = 100°C)
  • Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.85 Ом (при V_GS = 10 В, I_D = 4.8 А)
  • Порог включения (V_GS(th)): 2.0–4.0 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 125 Вт (при T_C = 25°C)
  • Рабочая температура перехода (T_J): от -55°C до +150°C
  • Ток утечки стока (I_DSS): ≤ 25 мкА (при V_DS = 500 В, V_GS = 0 В)
  • Входная емкость (C_iss): 1300 пФ (при V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц)
  • Время переключения:
    • Задержка включения (t_d(on)): 14 нс
    • Время нарастания (t_r): 23 нс
    • Задержка выключения (t_d(off)): 49 нс
    • Время спадания (t_f): 20 нс
  • Тепловое сопротивление от перехода к корпусу (R_θJC): 1.0 °C/Вт
  • Характеристики обратного диода:
    • Максимальный непрерывный ток (I_S): 8.0 А
    • Прямое напряжение (V_SD): ≤ 2.0 В (при I_S = 8.0 А, V_GS = 0 В)

⚠️ Важные аспекты использования:

  • Теплоотвод – при работе с высокими токами настоятельно рекомендуется использование радиатора. Для оптимального теплоотвода применяйте теплопроводную пасту между транзистором и радиатором, обеспечивая надежный механический контакт.
  • Защита затвора – для предотвращения повреждения транзистора от статического электричества рекомендуется использовать защитные резисторы в цепи затвора (обычно 10-100 Ом) и избегать превышения максимального напряжения затвор-исток ±20В.
  • Коммутация индуктивных нагрузок – при работе с индуктивными нагрузками (двигатели, реле, соленоиды) рекомендуется применять защитные диоды для ограничения выбросов напряжения, которые могут повредить транзистор.
  • Монтаж на плату – при пайке соблюдайте температурный режим не более 260°C в течение 10 секунд для предотвращения перегрева и повреждения кристалла транзистора. Выдерживайте минимальное расстояние 3-5 мм между корпусами транзисторов при установке нескольких компонентов рядом.

Транзистор IRF840 в корпусе TO-220 – это высококачественный компонент, который обеспечит надежную и эффективную работу вашей электронной схемы. Благодаря низкому сопротивлению, высокой скорости переключения и устойчивости к сложным условиям эксплуатации, он станет идеальным выбором как для любительских, так и для промышленных проектов.

ЗАКАЖИТЕ СЕЙЧАС
#Транзистор #MOSFET #IRF840 #TO-220 #Электроника #Силовая_электроника
Характеристики
Основные
Полярность
N-канальный MOSFET
Тип корпуса
TO-220
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Инструкция

IRF840 транзистор корпус TO-220

Инструкция по подключению транзистора IRF840 (корпус TO-220)

IRF840 — это N-канальный MOSFET в корпусе TO-220, предназначенный для коммутационных схем, импульсных источников питания и других применений с высоким напряжением и умеренными токами.

1. Идентификация выводов

Транзистор IRF840 имеет три вывода:

  • Вывод 1 (Gate, G): Управляющий вход для включения или выключения транзистора.
  • Вывод 2 (Drain, D): Выход тока, подключается к нагрузке.
  • Вывод 3 (Source, S): Вход тока, обычно соединяется с землей (GND).

Перед началом работы проверьте маркировку на корпусе транзистора или обратитесь к даташиту для точной идентификации выводов.

2. Основная схема подключения

IRF840 как N-канальный MOSFET часто используется для коммутации нагрузки. Вот базовая схема:

graph LR
    A[Микроконтроллер] -- "Gate (через R_G 10-100 Ом)" --> B[IRF840]
    B -- "Drain" --> C[Нагрузка]
    C --> D[V_DD]
    B -- "Source" --> E[GND]
    F[Резистор 10кОм] -- "Защитный резистор" --> B
    F --> E
    subgraph Транзистор
    B
    end
  
  • Исток (Source): Подключите к земле (GND).
  • Сток (Drain): Соедините с одним концом нагрузки (например, двигателя, лампы или резистора).
  • Второй конец нагрузки подключите к положительному источнику питания (V_DD).
  • Затвор (Gate): Через резистор (R_G, 10–100 Ом) соедините с источником управляющего сигнала (например, микроконтроллером).

Такая схема позволяет транзистору включать или выключать нагрузку в зависимости от сигнала на затворе.

3. Выбор резистора затвора

Резистор R_G между затвором и источником сигнала ограничивает ток затвора и защищает транзистор:

  • Рекомендуемое значение: 10–100 Ом.
  • С учетом емкости затвора 1300 пФ, для быстрого переключения выбирайте значение 10–47 Ом.
Для более быстрого переключения используйте резистор ближе к нижней границе рекомендуемого диапазона (10-47 Ом).

4. Защита затвора

Затвор IRF840 чувствителен к статическому электричеству. Для его защиты:

  • Установите резистор (например, 10 кОм) между затвором и истоком. Это обеспечит выключенное состояние транзистора при отсутствии управляющего сигнала.
  • Соблюдайте правила работы с ESD (защита от статического разряда) во время монтажа.
Несоблюдение правил ESD-защиты может привести к повреждению затвора транзистора!

5. Пошаговая инструкция для коммутации нагрузки

Рассмотрим пример с подключением двигателя как нагрузки:

graph TD
    A[Микроконтроллер] -- "Gate (через R_G 10-47 Ом)" --> B[IRF840]
    B -- "Drain" --> C[Двигатель]
    C --> D[V_DD/12В]
    B -- "Source" --> E[GND]
    F[Резистор 10кОм] -- "Защитный резистор" --> B
    F --> E
    G[Защитный диод 1N4007] --> C
    G --> D
    style C fill:#f96,stroke:#333
    style G fill:#bbf,stroke:#333
  
  1. Исток (Source): Соедините с землей (GND).
  2. Сток (Drain): Подключите к одному концу двигателя.
  3. Второй конец двигателя соедините с положительным напряжением (V_DD, например, 12 В).
  4. Затвор (Gate): Через резистор R_G (10–47 Ом) подключите к источнику управляющего сигнала (например, выходу микроконтроллера).
  5. Добавьте резистор 10 кОм между затвором и истоком для безопасности.
  6. Для индуктивной нагрузки (например, двигателя): Установите защитный диод (например, 1N4007) параллельно нагрузке:
    • Анод — к стоку (Drain).
    • Катод — к V_DD. Это защитит транзистор от обратного напряжения при выключении.

6. Напряжение управления

  • Для полного открытия транзистора требуется напряжение затвор-исток (V_GS) = 10 В.
  • Порог включения (V_GS(th)) составляет 2.0–4.0 В, но для минимального сопротивления сток-исток (R_DS(on)) необходимо подавать 10 В.
  • Если источник сигнала (например, микроконтроллер) выдает только 5 В, добавьте драйвер затвора или логический преобразователь.
graph LR
    A["Напряжение затвора (V_GS)"] --> B["0В - Выключено"]
    A --> C["2.0-4.0В - Порог включения"]
    A --> D["5В - Частичное открытие"]
    A --> E["10В - Полное открытие"]
    style B fill:#f66,stroke:#333
    style C fill:#ff9,stroke:#333
    style D fill:#ffa,stroke:#333
    style E fill:#6f6,stroke:#333
  

7. Теплоотвод

  • Максимальный ток стока: 8.0 А (при температуре корпуса T_C = 25°C) или 5.1 А (при T_C = 100°C).
  • Максимальная мощность: 125 Вт.
  • При значительных нагрузках используйте радиатор, чтобы температура перехода не превышала 150°C.
Для эффективного отвода тепла используйте термопасту между транзистором и радиатором.
graph TD
    A["Температура корпуса"] --> B["T_C = 25°C: 8.0A"]
    A --> C["T_C = 100°C: 5.1A"]
    A --> D["T_C = 150°C: Опасно!"]
    style B fill:#6f6,stroke:#333
    style C fill:#ff9,stroke:#333
    style D fill:#f66,stroke:#333
  

8. Проверка параметров

Перед подачей питания убедитесь, что:

  • Напряжение сток-исток (V_DS) не превышает 500 В.
  • Напряжение затвор-исток (V_GS) не превышает ±20 В.
  • Ток стока (I_D) соответствует допустимым значениям.
  • Все соединения выполнены правильно, а радиатор (при необходимости) установлен.

9. Принцип работы

  • Включение: При V_GS ≥ 10 В транзистор открывается, позволяя току течь от стока к истоку через нагрузку.
  • Выключение: При V_GS < V_GS(th) (например, 0 В) транзистор закрывается, и ток прекращается.
stateDiagram-v2
    [*] --> Выключено
    Выключено --> Включено: V_GS ≥ 10В
    Включено --> Выключено: V_GS = 0В
    
    state Выключено {
        [*] --> Закрыто: V_GS < 2В
        Закрыто: Ток не течет
    }
    
    state Включено {
        [*] --> Открыто: V_GS ≥ 10В
        Открыто: Ток течет через нагрузку
    }
  
Важное замечание: Мы приложили усилия, чтобы эта инструкция была точной и полезной. Однако эта инструкция предоставляется как справочный материал. Электронные компоненты могут иметь вариации, а схемы подключения зависят от конкретных условий и вашего оборудования. Эта информация предоставляется "как есть", без гарантий полноты или безошибочности. Настоятельно рекомендуем проверять спецификации вашего модуля (datasheet), сверяться с другими источниками и, при малейших сомнениях, обращаться к квалифицированным специалистам, особенно при работе с напряжением 220В.
Вы смотрели
Бестселлер
Повышающий преобразователь DC-DC 150W
Код товара: 1542
В наличии
3
148.00 грн
SMD Конденсатор 35V
Код товара: 5204
В наличии
0
4.00 грн
0.42-дюймовый OLED-дисплей (16Pin)
Код товара: 1520
В наличии
0
59.00 грн
Модуль точечной светодиодной матрицы на MAX7219
Код товара: 1498
В наличии
0
69.00 грн
Бестселлер
MP2482 понижающий модуль 5V-5А
Код товара: 1563
В наличии
0
65.00 грн
Живий чат
Живий чат