


Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET 500 В / 8 А в корпусе TO-220AB для быстрых коммутаций в промышленных применениях.
Типовые времена: t_d(on)=14 нс, t_r=23 нс, t_d(off)=49 нс, t_f=20 нс — подходит для высокоскоростных коммутаций.
Повторяющаяся лавинная устойчивость; энергия одиночной лавины E_AS до 510 мДж (типовые условия из даташита).
Требуется простая схема управления затвором, максимальное напряжение затвор-исток ±20 В, полная характеристика заряда затвора.
R_θJC ≤ 1.0 °C/Вт и P_D до 125 Вт (T_C=25 °C) для эффективного отвода тепла.
Тип: | N-канальный MOSFET |
---|---|
Максимальное напряжение сток-исток (V_DS): | 500 В |
Непрерывный ток стока (I_D): | 8.0 А (T_C = 25 °C); 5.1 А (T_C = 100 °C) |
Импульсный ток стока (I_DM): | 32 А |
Сопротивление канала в открытом состоянии (R_DS(on)): | ≤ 0.85 Ω @ V_GS = 10 В, I_D = 4.8 А |
Напряжение затвор-исток (V_GS, макс): | ±20 В |
Рассеиваемая мощность (P_D): | 125 Вт @ T_C = 25 °C |
Корпус: | TO-220AB |
Заряд затвора (Q_g, макс): | 63 нКл @ V_GS = 10 В, I_D = 8 А, V_DS = 400 В |
Входная емкость (C_iss, тип.): | 1300 пФ @ V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц |
Времена переключения (тип.): | t_d(on)=14 нс, t_r=23 нс, t_d(off)=49 нс, t_f=20 нс |
Тепловое сопротивление переход-корпус (R_θJC): | ≤ 1.0 °C/Вт |
Диапазон температур (T_J, T_stg): | −55…+150 °C |
Скорость восстановления диода (t_rr): | тип. 460 нс, макс. 970 нс |
Прямое напряжение диода (V_SD): | ≤ 2.0 В @ I_S = 8 А, V_GS = 0 В |
Допустимое напряжение V_GS составляет ±20 В (Absolute Maximum Ratings).
Типовые значения: t_d(on)=14 нс, t_r=23 нс, t_d(off)=49 нс, t_f=20 нс при условиях V_DD=250 В, I_D=8 А, R_g=9.1 Ω, R_D=31 Ω.
Рекомендуется пайка при 300 °C до 10 с (1.6 мм от корпуса). Рекомендуемый момент затяжки — 10 lbf·in (≈1.1 Н·м).
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.
Инструкция по подключению транзистора IRF840 (корпус TO-220)
IRF840 — это N-канальный MOSFET в корпусе TO-220, предназначенный для коммутационных схем, импульсных источников питания и других применений с высоким напряжением и умеренными токами.
Транзистор IRF840 имеет три вывода:
Перед началом работы проверьте маркировку на корпусе транзистора или обратитесь к даташиту для точной идентификации выводов.
IRF840 как N-канальный MOSFET часто используется для коммутации нагрузки. Вот базовая схема:
graph LR A[Микроконтроллер] -- "Gate (через R_G 10-100 Ом)" --> B[IRF840] B -- "Drain" --> C[Нагрузка] C --> D[V_DD] B -- "Source" --> E[GND] F[Резистор 10кОм] -- "Защитный резистор" --> B F --> E subgraph Транзистор B end
Такая схема позволяет транзистору включать или выключать нагрузку в зависимости от сигнала на затворе.
Резистор R_G между затвором и источником сигнала ограничивает ток затвора и защищает транзистор:
Затвор IRF840 чувствителен к статическому электричеству. Для его защиты:
Рассмотрим пример с подключением двигателя как нагрузки:
graph TD A[Микроконтроллер] -- "Gate (через R_G 10-47 Ом)" --> B[IRF840] B -- "Drain" --> C[Двигатель] C --> D[V_DD/12В] B -- "Source" --> E[GND] F[Резистор 10кОм] -- "Защитный резистор" --> B F --> E G[Защитный диод 1N4007] --> C G --> D style C fill:#f96,stroke:#333 style G fill:#bbf,stroke:#333
graph LR A["Напряжение затвора (V_GS)"] --> B["0В - Выключено"] A --> C["2.0-4.0В - Порог включения"] A --> D["5В - Частичное открытие"] A --> E["10В - Полное открытие"] style B fill:#f66,stroke:#333 style C fill:#ff9,stroke:#333 style D fill:#ffa,stroke:#333 style E fill:#6f6,stroke:#333
graph TD A["Температура корпуса"] --> B["T_C = 25°C: 8.0A"] A --> C["T_C = 100°C: 5.1A"] A --> D["T_C = 150°C: Опасно!"] style B fill:#6f6,stroke:#333 style C fill:#ff9,stroke:#333 style D fill:#f66,stroke:#333
Перед подачей питания убедитесь, что:
stateDiagram-v2 [*] --> Выключено Выключено --> Включено: V_GS ≥ 10В Включено --> Выключено: V_GS = 0В state Выключено { [*] --> Закрыто: V_GS < 2В Закрыто: Ток не течет } state Включено { [*] --> Открыто: V_GS ≥ 10В Открыто: Ток течет через нагрузку }