IRF840 транзистор корпус TO-220
Транзистор IRF840 TO-220AB
Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET 500 В / 8 А в корпусе TO-220AB для быстрых коммутаций в промышленных применениях.
Основные преимущества
Типовые времена: t_d(on)=14 нс, t_r=23 нс, t_d(off)=49 нс, t_f=20 нс — подходит для высокоскоростных коммутаций.
Повторяющаяся лавинная устойчивость; энергия одиночной лавины E_AS до 510 мДж (типовые условия из даташита).
Требуется простая схема управления затвором, максимальное напряжение затвор-исток ±20 В, полная характеристика заряда затвора.
R_θJC ≤ 1.0 °C/Вт и P_D до 125 Вт (T_C=25 °C) для эффективного отвода тепла.
Ключевые характеристики
| Тип: | N-канальный MOSFET |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DS): | 500 В |
| Непрерывный ток стока (I_D): | 8.0 А (T_C = 25 °C); 5.1 А (T_C = 100 °C) |
| Импульсный ток стока (I_DM): | 32 А |
| Сопротивление канала в открытом состоянии (R_DS(on)): | ≤ 0.85 Ω @ V_GS = 10 В, I_D = 4.8 А |
| Напряжение затвор-исток (V_GS, макс): | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность (P_D): | 125 Вт @ T_C = 25 °C |
| Корпус: | TO-220AB |
| Заряд затвора (Q_g, макс): | 63 нКл @ V_GS = 10 В, I_D = 8 А, V_DS = 400 В |
| Входная емкость (C_iss, тип.): | 1300 пФ @ V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц |
| Времена переключения (тип.): | t_d(on)=14 нс, t_r=23 нс, t_d(off)=49 нс, t_f=20 нс |
| Тепловое сопротивление переход-корпус (R_θJC): | ≤ 1.0 °C/Вт |
| Диапазон температур (T_J, T_stg): | −55…+150 °C |
| Скорость восстановления диода (t_rr): | тип. 460 нс, макс. 970 нс |
| Прямое напряжение диода (V_SD): | ≤ 2.0 В @ I_S = 8 А, V_GS = 0 В |
Детальные технические параметры
- Пиковый dV/dt при восстановлении диода: 3.5 В/нс.
- Линейный коэффициент дерейтинга мощности: 1.0 Вт/°C.
- Емкости (тип.): C_oss = 310 пФ, C_rss = 120 пФ @ V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц.
- Заряд затвора (макс.): Q_g = 63 нКл; разложение — Q_gs ≈ 9.3 нКл, Q_gd ≈ 32 нКл.
- Ток интегрированного обратного диода: I_S (непрерывный) 8 А; I_SM (импульсный) 32 А.
- Предельные параметры лавины: I_AR = 8 А; E_AR = 13 мДж (повторяющаяся); E_AS = 510 мДж (одиночная).
- Тепловые параметры: R_θJA ≤ 62 °C/Вт; R_θCS тип. 0.50 °C/Вт (плоская, смазанная поверхность).
- Монтаж/пайка: рекомендуется пайка 300 °C до 10 с (на расстоянии 1.6 мм от корпуса); момент затяжки крепежа 10 lbf·in (≈1.1 Н·м).
- Обозначения для заказа: IRF840PbF; IRF840PbF-BE3 (бессвинцовое/безгалогеновое исполнение).
Основные области применения
- Коммерческо‑промышленные коммутационные узлы с рассеянием до ~50 Вт (согласно описанию корпуса TO‑220AB).
- Высоковольтные силовые цепи, где требуется быстрое переключение и N‑канальный MOSFET 500 В.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы-ответы (FAQ)
Допустимое напряжение V_GS составляет ±20 В (Absolute Maximum Ratings).
Типовые значения: t_d(on)=14 нс, t_r=23 нс, t_d(off)=49 нс, t_f=20 нс при условиях V_DD=250 В, I_D=8 А, R_g=9.1 Ω, R_D=31 Ω.
Рекомендуется пайка при 300 °C до 10 с (1.6 мм от корпуса). Рекомендуемый момент затяжки — 10 lbf·in (≈1.1 Н·м).
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.
IRF840 транзистор корпус TO-220
Инструкция по подключению транзистора IRF840 (корпус TO-220)
IRF840 — это N-канальный MOSFET в корпусе TO-220, предназначенный для коммутационных схем, импульсных источников питания и других применений с высоким напряжением и умеренными токами.
1. Идентификация выводов
Транзистор IRF840 имеет три вывода:
- Вывод 1 (Gate, G): Управляющий вход для включения или выключения транзистора.
- Вывод 2 (Drain, D): Выход тока, подключается к нагрузке.
- Вывод 3 (Source, S): Вход тока, обычно соединяется с землей (GND).
Перед началом работы проверьте маркировку на корпусе транзистора или обратитесь к даташиту для точной идентификации выводов.
2. Основная схема подключения
IRF840 как N-канальный MOSFET часто используется для коммутации нагрузки. Вот базовая схема:
graph LR
A[Микроконтроллер] -- "Gate (через R_G 10-100 Ом)" --> B[IRF840]
B -- "Drain" --> C[Нагрузка]
C --> D[V_DD]
B -- "Source" --> E[GND]
F[Резистор 10кОм] -- "Защитный резистор" --> B
F --> E
subgraph Транзистор
B
end
- Исток (Source): Подключите к земле (GND).
- Сток (Drain): Соедините с одним концом нагрузки (например, двигателя, лампы или резистора).
- Второй конец нагрузки подключите к положительному источнику питания (V_DD).
- Затвор (Gate): Через резистор (R_G, 10–100 Ом) соедините с источником управляющего сигнала (например, микроконтроллером).
Такая схема позволяет транзистору включать или выключать нагрузку в зависимости от сигнала на затворе.
3. Выбор резистора затвора
Резистор R_G между затвором и источником сигнала ограничивает ток затвора и защищает транзистор:
- Рекомендуемое значение: 10–100 Ом.
- С учетом емкости затвора 1300 пФ, для быстрого переключения выбирайте значение 10–47 Ом.
4. Защита затвора
Затвор IRF840 чувствителен к статическому электричеству. Для его защиты:
- Установите резистор (например, 10 кОм) между затвором и истоком. Это обеспечит выключенное состояние транзистора при отсутствии управляющего сигнала.
- Соблюдайте правила работы с ESD (защита от статического разряда) во время монтажа.
5. Пошаговая инструкция для коммутации нагрузки
Рассмотрим пример с подключением двигателя как нагрузки:
graph TD
A[Микроконтроллер] -- "Gate (через R_G 10-47 Ом)" --> B[IRF840]
B -- "Drain" --> C[Двигатель]
C --> D[V_DD/12В]
B -- "Source" --> E[GND]
F[Резистор 10кОм] -- "Защитный резистор" --> B
F --> E
G[Защитный диод 1N4007] --> C
G --> D
style C fill:#f96,stroke:#333
style G fill:#bbf,stroke:#333
- Исток (Source): Соедините с землей (GND).
- Сток (Drain): Подключите к одному концу двигателя.
- Второй конец двигателя соедините с положительным напряжением (V_DD, например, 12 В).
- Затвор (Gate): Через резистор R_G (10–47 Ом) подключите к источнику управляющего сигнала (например, выходу микроконтроллера).
- Добавьте резистор 10 кОм между затвором и истоком для безопасности.
- Для индуктивной нагрузки (например, двигателя): Установите защитный диод (например, 1N4007) параллельно нагрузке:
- Анод — к стоку (Drain).
- Катод — к V_DD. Это защитит транзистор от обратного напряжения при выключении.
6. Напряжение управления
- Для полного открытия транзистора требуется напряжение затвор-исток (V_GS) = 10 В.
- Порог включения (V_GS(th)) составляет 2.0–4.0 В, но для минимального сопротивления сток-исток (R_DS(on)) необходимо подавать 10 В.
- Если источник сигнала (например, микроконтроллер) выдает только 5 В, добавьте драйвер затвора или логический преобразователь.
graph LR
A["Напряжение затвора (V_GS)"] --> B["0В - Выключено"]
A --> C["2.0-4.0В - Порог включения"]
A --> D["5В - Частичное открытие"]
A --> E["10В - Полное открытие"]
style B fill:#f66,stroke:#333
style C fill:#ff9,stroke:#333
style D fill:#ffa,stroke:#333
style E fill:#6f6,stroke:#333
7. Теплоотвод
- Максимальный ток стока: 8.0 А (при температуре корпуса T_C = 25°C) или 5.1 А (при T_C = 100°C).
- Максимальная мощность: 125 Вт.
- При значительных нагрузках используйте радиатор, чтобы температура перехода не превышала 150°C.
graph TD
A["Температура корпуса"] --> B["T_C = 25°C: 8.0A"]
A --> C["T_C = 100°C: 5.1A"]
A --> D["T_C = 150°C: Опасно!"]
style B fill:#6f6,stroke:#333
style C fill:#ff9,stroke:#333
style D fill:#f66,stroke:#333
8. Проверка параметров
Перед подачей питания убедитесь, что:
- Напряжение сток-исток (V_DS) не превышает 500 В.
- Напряжение затвор-исток (V_GS) не превышает ±20 В.
- Ток стока (I_D) соответствует допустимым значениям.
- Все соединения выполнены правильно, а радиатор (при необходимости) установлен.
9. Принцип работы
- Включение: При V_GS ≥ 10 В транзистор открывается, позволяя току течь от стока к истоку через нагрузку.
- Выключение: При V_GS < V_GS(th) (например, 0 В) транзистор закрывается, и ток прекращается.
stateDiagram-v2
[*] --> Выключено
Выключено --> Включено: V_GS ≥ 10В
Включено --> Выключено: V_GS = 0В
state Выключено {
[*] --> Закрыто: V_GS < 2В
Закрыто: Ток не течет
}
state Включено {
[*] --> Открыто: V_GS ≥ 10В
Открыто: Ток течет через нагрузку
}