Транзистор IRF740 корпус TO-220

Name: Транзистор IRF740 корпус TO-220
Brand: Китай
Price: 19.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Китай Код товару: 5572

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки 0

Питання0

Інструкція

новинка

В наявності

Код товару: 5572

19.00 грн

Знайшли дешевше?

Полярність:N-канальний MOSFET

Тип корпусу:TO-220

Доставка

Новою Поштою у відділення та поштомати

від 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фіксована 49грн

Укрпоштою у відділення по Україні

від 45 ₴

Meest Express

від 60 ₴

Оплата

Оплата карткою

Переказ на картку

Оплата на IBAN

Безготівковий розрахунок

Післяплата

Гарантійні положення

Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються

Транзистор IRF740 корпус TO-220

19.00 грн

Опис

⚡ Транзистор IRF740 (корпус TO-220)

Потужний N-канальний MOSFET 400В 10А для високовольтних комутаційних схем

Загальний опис

IRF740 — це високоякісний N-канальний силовий MOSFET транзистор, розроблений компанією International Rectifier (Infineon Technologies) з використанням передової технології MESH OVERLAY™. Транзистор забезпечує чудовий баланс між високою напругою (400В), значним струмом (10А) та низьким опором у відкритому стані (0.48 Ом). Завдяки швидким часам перемикання та високій стійкості до лавинного пробою, IRF740 ідеально підходить для широкого спектру застосувань: від імпульсних джерел живлення, DC/DC перетворювачів та інверторів до силових комутаторів та схем керування двигунами. Корпус TO-220 забезпечує зручний монтаж та ефективне тепловідведення при високих навантаженнях.

✅ Технічні переваги:

• Висока напруга пробою 400В – забезпечує надійну роботу у високовольтних схемах, відкриваючи широкі можливості для застосування в промисловій автоматиці, силовій електроніці та мережевому обладнанні
• Низький опір у відкритому стані – типове значення R_DS(on) всього 0.48 Ом значно зменшує втрати потужності при високих струмах, що підвищує ККД пристрою та знижує нагрівання компонентів
• Швидке перемикання – малі часові параметри (t_d(on) = 17 нс, t_r = 10 нс, t_d(off) = 10 нс, t_f = 10 нс) дозволяють ефективно використовувати транзистор у високочастотних перетворювачах
• Висока максимальна потужність 125 Вт – у поєднанні з корпусом TO-220 з низьким тепловим опором (1°C/Вт) забезпечує ефективну роботу при високих навантаженнях за умови використання радіатора
• Підвищена стійкість до лавинного пробою – гарантована 100% перевірка усіх пристроїв на стійкість до лавинного пробою, що забезпечує надійний захист в умовах перехідних процесів та індуктивних навантажень

🔧 Ідеальне рішення для:

Імпульсних джерел живлення

Інверторів та перетворювачів

Керування двигунами

Джерел безперебійного живлення

LED-драйверів

Силових комутаторів

💡 Широкі можливості застосування:

Імпульсні джерела живлення (SMPS) – IRF740 ідеально підходить для побудови первинних ключів в імпульсних джерелах живлення завдяки високій робочій напрузі 400В та швидкому перемиканню. Низький опір у відкритому стані забезпечує мінімальні втрати, збільшуючи загальний ККД перетворювача, а здатність витримувати сплески напруги гарантує надійну роботу в умовах змінного навантаження.
Керування електродвигунами – високий струм 10А, стійкість до індуктивних навантажень та вбудований зворотний діод роблять IRF740 чудовим вибором для схем керування двигунами постійного струму. Мікросхема забезпечує ефективне перемикання з мінімальними втратами, а захист від лавинного пробою гарантує стабільну роботу навіть при зупинці двигуна під навантаженням.
Інвертори для сонячних панелей – висока напруга пробою 400В у поєднанні з низьким опором R_DS(on) = 0.48 Ом та значним струмом 10А робить транзистор оптимальним для використання в схемах малопотужних інверторів напруги для сонячних панелей. Ця комбінація характеристик забезпечує високу енергоефективність, зменшуючи втрати при перетворенні енергії.
Силові реле та комутатори – швидкі часи перемикання, висока стійкість до лавинного пробою та низькі значення вхідних ємностей дозволяють створювати на основі IRF740 надійні твердотільні реле та комутатори для високовольтних ланцюгів. Транзистор забезпечує довговічність та безшумність роботи порівняно з механічними реле, а також значно вищу швидкодію.

📦 Детальні технічні характеристики:

Тип транзистора: N-канальний MOSFET
Технологія: MESH OVERLAY™ (PowerMESH™)
Корпус: TO-220
Максимальна напруга сток-витік (V_DSS): 400 В
Максимальний струм стоку (I_D):
- 10 А (при температурі корпусу 25°C)
- 6.3 А (при температурі 100°C)
Опір у відкритому стані (R_DS(on)):
- Типове значення: 0.48 Ом
- Максимальне значення: 0.55 Ом
- (при V_GS = 10 В, I_D = 5.3 А)
Максимальна розсіювана потужність (P_tot): 125 Вт (при 25°C)
Діапазон напруги затвор-витік (V_GS): ±20 В
Порогова напруга затвора (V_GS(th)): 2 - 4 В
Імпульсний струм стоку (I_DM): 40 А
Температурний діапазон: -65°C до +150°C
Термічний опір перехід-корпус (R_thj-case): 1°C/Вт
Ємнісні характеристики:
- Вхідна ємність (C_iss): 1400 пФ
- Вихідна ємність (C_oss): 220 пФ
- Зворотна ємність (C_rss): 27 пФ
Загальний заряд затвора (Q_g): 35 нКл (тип.)
Часи перемикання:
- Час увімкнення (t_d(on)): 17 нс
- Час наростання (t_r): 10 нс
- Час вимкнення (t_d(off)): 10 нс
- Час спаду (t_f): 10 нс
Характеристики вбудованого діода:
- Максимальний струм (I_SD): 10 А
- Пряма напруга (V_SD): до 1.6 В
- Час зворотного відновлення (t_rr): 320 нс

📊 Підключення та використання:

Призначення виводів (TO-220)

Вивід 1: Затвор (Gate, G) - керує провідністю транзистора
Вивід 2: Сток (Drain, D) - підключається до навантаження
Вивід 3: Витік (Source, S) - зазвичай з'єднується з землею
Металева пластина: З'єднана з стоком (D), використовується для відведення тепла

Базова схема підключення

Підключіть затвор (G) через резистор (наприклад, 4.7 Ом) до джерела керуючого сигналу
Підключіть сток (D) до навантаження, а навантаження - до джерела живлення
Під'єднайте витік (S) до землі
Для захисту від самозбудження додайте резистор 20 кОм між затвором (G) і витоком (S)
При індуктивному навантаженні додайте захисний діод паралельно до навантаження

Оптимальні умови використання

Для повного відкриття транзистора застосовуйте напругу затвор-витік V_GS = 10 В
Для високочастотного перемикання використовуйте спеціалізований драйвер затвора
При роботі з струмами понад 5 А встановіть транзистор на радіатор через теплопровідну пасту
Забезпечте адекватний тепловідвід — при максимальній потужності потрібен радіатор із тепловим опором не більше 0.4°C/Вт

👍 Переваги та рекомендації:

Ключові переваги

Оптимальне співвідношення високої напруги (400В) та струму (10А)
Низький опір у відкритому стані зменшує теплові втрати
Швидкі часи перемикання для високочастотних застосувань
Висока стійкість до лавинного пробою захищає від перехідних процесів
Зручний корпус TO-220 із можливістю встановлення радіатора

Практичні поради

При високих струмах обов'язково використовуйте радіатор
Для драйвера затвора використовуйте спеціалізовані мікросхеми
Встановіть захисні діоди для індуктивних навантажень
Використовуйте конденсатори близько до виводів живлення
При високих частотах зверніть увагу на паразитні індуктивності

⚠️ Важливі аспекти використання:

Тепловідведення – при максимальних струмах (близько 10 А) транзистор розсіює значну потужність (до P = I_D² × R_DS(on) = 10² × 0.48 = 48 Вт). З огляду на тепловий опір переходу-корпус 1°C/Вт, це призводить до значного нагріву. Обов'язково використовуйте радіатор із теплопровідною пастою. При підвищенні температури корпусу вище 25°C використовуйте коефіцієнт зниження потужності 1 Вт/°C.
Робота з індуктивними навантаженнями – хоча IRF740 має стійкість до лавинного пробою та вбудований зворотний діод, для захисту від високих зворотних напруг при комутації індуктивних навантажень (двигуни, соленоїди) рекомендується додати зовнішній швидкий діод (наприклад, серії UF/MUR) паралельно навантаженню. Це зменшить навантаження на вбудований діод та подовжить термін служби транзистора.
Керування затвором – для забезпечення швидкого та ефективного перемикання потрібно враховувати вхідну ємність транзистора (1400 пФ). При високих частотах використовуйте спеціалізовані драйвери затвора для забезпечення достатнього струму заряду/розряду. Також рекомендується використовувати резистор 10-20 кОм між затвором і витоком для запобігання випадковому відкриттю від наведених завад.
Монтаж на плату – при пайці дотримуйтесь температурного режиму (не більше 300°C протягом 10 секунд), щоб запобігти пошкодженню кристала. Для високострумових застосувань використовуйте товсті дроти або широкі доріжки на платі (3-5 мм для струму 10 А). Розташуйте компоненти драйвера затвора максимально близько до виводу затвора для мінімізації паразитних індуктивностей.

Транзистор IRF740 — це оптимальне рішення для ваших силових електронних проєктів, що потребують високої напруги та значного струму. Завдяки низькому опору у відкритому стані, швидкому перемиканню та високій надійності, цей N-канальний MOSFET забезпечить ефективну та стабільну роботу імпульсних джерел живлення, інверторів, контролерів двигунів та багатьох інших високовольтних схем!

ЗАМОВТЕ ЗАРАЗ

#IRF740 #MOSFET #TO-220 #ВисокаНапруга #Транзистор #СиловаЕлектроніка

Характеристики

Основні

Полярність

N-канальний MOSFET

Тип корпусу

TO-220

Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.

Інструкція

Інструкція підключення Транзистор IRF740 корпус TO-220

N-канальний силовий MOSFET, 400В/10А, для комутаційних схем

1. Ідентифікація та основні компоненти

IRF740 — це N-канальний силовий MOSFET транзистор в корпусі TO-220, призначений для високовольтних та високострумових застосувань. Він розроблений із використанням технології MESH OVERLAY™ на основі смугової топології, що забезпечує підвищену ефективність та надійність.

flowchart TD
    subgraph TO220["Корпус TO-220 (вигляд спереду)"]
      Metal["Металева пластина
(з'єднана зі Стоком)"]
      direction TB
      
      subgraph Pins["Виводи"]
        direction LR
        G["1
Затвор
(Gate)"] --- D["2
Сток
(Drain)"] --- S["3
Витік
(Source)"]
      end
      
      Metal --- Pins
    end
    
    classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px
    class G,D,S pin

1.1 Призначення виводів

Вивід	Позначення	Функція
1	G (Gate)	Затвор — керує провідністю транзистора
2	D (Drain)	Сток — підключення до навантаження, металева пластина (радіатор) з'єднана з цим виводом
3	S (Source)	Витік — підключається до землі або негативного полюса

Металева пластина корпусу TO-220 електрично з'єднана зі стоком (Drain). При монтажі на радіатор використовуйте ізоляційну прокладку та термопасту, якщо радіатор не повинен мати електричного з'єднання зі стоком.

2. Базові схеми підключення

2.1 Схема комутації резистивного навантаження

flowchart TB
    VDD["Джерело живлення
(до 400В)"] --> LOAD["Навантаження
(лампа, нагрівач)"]
    LOAD --> D["D (Сток)"]
    
    subgraph IRF740["IRF740"]
      D --- G["G (Затвор)"]
      D --- S["S (Витік)"]
    end
    
    MCU["Керуючий сигнал
(мікроконтролер, 10-15В)"] -- "Через резистор
100-470 Ом" --> G
    S --> GND["GND (Земля)"]
    
    R_GS["Резистор
10-20 кОм"] --- G
    R_GS --- S

Ця схема використовується для комутації резистивних навантажень, таких як лампи розжарювання, нагрівальні елементи та ін. Принцип роботи:

При подачі високого рівня (10-15В) на затвор транзистор відкривається, і струм протікає через навантаження.
При низькому рівні на затворі транзистор закривається, і навантаження вимикається.
Резистор між затвором і керуючим сигналом обмежує струм заряду/розряду ємності затвора.
Резистор між затвором і витоком (10-20 кОм) забезпечує надійне закриття транзистора при відсутності сигналу.

2.2 Схема комутації індуктивного навантаження

flowchart TB
    VDD["Джерело живлення
(до 400В)"] --> LOAD["Індуктивне навантаження
(двигун, реле, соленоїд)"]
    LOAD --> D["D (Сток)"]
    
    subgraph IRF740["IRF740"]
      D --- G["G (Затвор)"]
      D --- S["S (Витік)"]
    end
    
    MCU["Керуючий сигнал
(мікроконтролер, 10-15В)"] -- "Через резистор
100-470 Ом" --> G
    S --> GND["GND (Земля)"]
    
    R_GS["Резистор
10-20 кОм"] --- G
    R_GS --- S
    
    D_PROT["Захисний діод
(напр. 1N4007)"] -. "Катод" .-> VDD
    D_PROT -. "Анод" .-> D

Ця схема призначена для комутації індуктивних навантажень, таких як двигуни, реле, соленоїди. Особливості:

Додатковий захисний діод (наприклад, 1N4007) підключений паралельно навантаженню.
Діод захищає транзистор від зворотних напруг, що виникають при вимиканні індуктивного навантаження.
Катод діода підключений до джерела живлення, анод — до стоку транзистора.

При комутації індуктивних навантажень ЗАВЖДИ використовуйте захисний діод! Без нього зворотна напруга може перевищити допустиме значення V_DSS (400В) і пошкодити транзистор.

3. Розрахунки та параметри

3.1 Розрахунок потужності

Потужність, що розсіюється транзистором, розраховується за формулою:

P = I_D² × R_DS(on) де: P - потужність, що розсіюється (Вт) I_D - струм стоку (А) R_DS(on) - опір у відкритому стані (0.55 Ом макс.)

Приклад: при струмі 5А потужність розсіювання становить:

P = 5² × 0.55 = 13.75 Вт

Максимальна розсіювана потужність IRF740 становить 125 Вт при 25°C, але зменшується на 1 Вт на кожен градус підвищення температури корпуса.

3.2 Вимоги до охолодження

Для роботи з високими струмами необхідно встановити радіатор. Розмір радіатора розраховується, виходячи з:

R_th(HS) = (T_max - T_amb) / P - R_th(j-c) - R_th(c-hs) де: R_th(HS) - тепловий опір радіатора (°C/Вт) T_max - максимальна дозволена температура переходу (150°C) T_amb - температура навколишнього середовища (зазвичай 25°C) P - розсіювана потужність (Вт) R_th(j-c) - тепловий опір перехід-корпус (1°C/Вт для IRF740) R_th(c-hs) - тепловий опір корпус-радіатор (зазвичай 0.5-1°C/Вт з термопастою)

Для струмів більше 5А або при тривалій роботі на повній потужності рекомендується використовувати радіатор з тепловим опором не більше 3°C/Вт.

4. Покрокова інструкція підключення

4.1 Необхідні матеріали та інструменти

Транзистор IRF740 в корпусі TO-220
Радіатор відповідного розміру (при необхідності)
Ізоляційна прокладка та термопаста (для ізольованого монтажу)
Резистори: 100-470 Ом (для затвора), 10-20 кОм (між затвором і витоком)
Захисний діод (1N4007 або аналогічний) для індуктивних навантажень
Паяльник та припій
Бокорізи та пінцет
Викрутка (для монтажу на радіатор)

4.2 Процес монтажу та підключення

Підготовка транзистора:
- Перевірте цілісність транзистора і відсутність видимих пошкоджень.
- Ідентифікуйте виводи (Затвор, Сток, Витік) згідно зі схемою.
Монтаж на радіатор (якщо потрібно):
- Нанесіть тонкий шар термопасти на задню металеву частину транзистора.
- Розмістіть ізоляційну прокладку між транзистором і радіатором.
- Закріпіть транзистор на радіаторі за допомогою гвинта. Не перетягуйте!
- Перевірте ізоляцію між стоком та радіатором за допомогою мультиметра, якщо це необхідно.
Підключення резистивного навантаження:
- Підключіть навантаження між джерелом живлення та стоком транзистора.
- Припаяйте резистор 100-470 Ом між джерелом керуючого сигналу та затвором.
- Припаяйте резистор 10-20 кОм між затвором і витоком.
- Підключіть витік транзистора до землі.
Для індуктивного навантаження:
- Виконайте всі кроки для резистивного навантаження.
- Додатково припаяйте захисний діод паралельно до навантаження (катод до плюса живлення, анод до стоку).
Перевірка монтажу:
- Перевірте правильність підключення всіх компонентів.
- Переконайтеся у відсутності коротких замикань.
- Перевірте надійність паяних з'єднань.

Перед першим підключенням до живлення перевірте всі з'єднання двічі. Особливо важливо переконатися у відсутності короткого замикання між стоком та витоком, а також між затвором та іншими виводами.

5. Практичні застосування

5.1 Комутація потужного навантаження через мікроконтролер

flowchart TB
    VDD["12-24V"]
    ARD["Arduino
або інший
мікроконтролер"]
    
    ARD -- "Pin D9
(PWM)" --> R1["R1
220 Ом"]
    R1 --> G["G"]
    
    subgraph IRF740["IRF740"]
      G --- D["D"]
      G --- S["S"]
    end
    
    VDD --> LOAD["Навантаження
(лампа, мотор)"]
    LOAD --> D
    S --> GND["GND"]
    
    R2["R2
10 кОм"] --- G
    R2 --- S
    
    D_PROT["1N4007"] -. "опціонально
для мотора" .-> VDD
    D_PROT -. "опціонально
для мотора" .-> D

Ця схема дозволяє керувати потужним навантаженням від низьковольтного мікроконтролера:

Мікроконтролер (наприклад, Arduino) генерує сигнал на виводі D9 (можна використовувати PWM для регулювання потужності).
Резистор R1 (220 Ом) обмежує струм затвора.
Резистор R2 (10 кОм) забезпечує надійне закриття транзистора при низькому рівні сигналу.
При керуванні моторами обов'язково додайте захисний діод.

5.2 Використання в джерелах живлення

IRF740 часто використовується в DC/DC перетворювачах та імпульсних джерелах живлення:

Високий робочий струм (10А) дозволяє використовувати його в потужних схемах.
Швидке перемикання (t_on = 17 нс, t_off = 10 нс) забезпечує ефективну роботу на високих частотах.
Висока напруга пробою (400В) дозволяє використовувати транзистор в схемах з високою вхідною напругою.

При роботі на високих частотах (>100 кГц) звертайте увагу на ємність затвора (C_iss = 1400 пФ). Використовуйте спеціалізовані драйвери затворів для ефективного перезаряду цієї ємності.

6. Запобіжні заходи та рекомендації

6.1 Тепловий режим

Максимальна розсіювана потужність (125 Вт) досягається тільки при температурі корпусу 25°C.
Для кожного градуса вище 25°C знижуйте максимальну потужність на 1 Вт.
Використовуйте радіатор при роботі з струмами більше 2-3 А.
Для покращення теплового контакту застосовуйте термопасту між транзистором і радіатором.

6.2 Захист від перенапруги

Не перевищуйте максимальну напругу сток-витік (V_DSS = 400 В).
При комутації індуктивних навантажень обов'язково використовуйте захисний діод.
Напруга затвор-витік не повинна перевищувати ±20 В.

6.3 Керування затвором

Для повного відкриття транзистора подавайте напругу на затвор не менше 10 В.
Використовуйте резистор між затвором і джерелом керуючого сигналу для обмеження струму зарядки ємності затвора.
Для надійного закриття транзистора в стані спокою встановіть резистор 10-20 кОм між затвором і витоком.

IRF740 не має внутрішнього захисту від статичної електрики. При монтажі використовуйте антистатичні заходи безпеки, включаючи заземлений браслет. Перед підключенням транзистора до схеми переконайтеся, що живлення вимкнено.

7. Усунення несправностей

Проблема	Можлива причина	Рішення
Транзистор не вмикається	Недостатня напруга на затворі	Переконайтеся, що напруга на затворі щонайменше 10В
Транзистор перегрівається	Недостатнє охолодження, завеликий струм	Встановіть більший радіатор, зменшіть струм навантаження
Пошкодження при комутації індуктивного навантаження	Відсутність захисного діода	Додайте захисний діод паралельно до навантаження
Некоректна робота на високих частотах	Великий час перемикання через ємність затвора	Використовуйте спеціальний драйвер затвора
Спонтанне вмикання/вимикання	Наведення перешкод на затвор	Додайте резистор між затвором і витоком (10-20 кОм)

Якщо транзистор пошкоджено, він часто переходить у стан короткого замикання між стоком і витоком. Перевірити це можна мультиметром у режимі перевірки діодів або опору.

8. Приклади практичних схем

8.1 Регулювання швидкості DC-мотора з PWM

    // Приклад коду Arduino для PWM-регулювання швидкості мотора через IRF740
    const int pwmPin = 9;    // PWM вихід для керування затвором IRF740
    
    void setup() {
      pinMode(pwmPin, OUTPUT);
    }
    
    void loop() {
      // Плавне збільшення швидкості
      for (int speed = 0; speed <= 255; speed++) {
        analogWrite(pwmPin, speed);
        delay(20);
      }
      
      // Максимальна швидкість протягом 2 секунд
      delay(2000);
      
      // Плавне зменшення швидкості
      for (int speed = 255; speed >= 0; speed--) {
        analogWrite(pwmPin, speed);
        delay(20);
      }
      
      // Пауза при вимкненому моторі
      delay(1000);
    }
  

8.2 Керування нагрівальним елементом

flowchart LR
    AC["AC 220V"] --> BR["Діодний міст
випрямляч"]
    BR --> CAP["Фільтруючий
конденсатор"]
    CAP --> HEAT["Нагрівальний
елемент"]
    HEAT --> D["D"]
    
    subgraph IRF740["IRF740"]
      D --- G["G"]
      D --- S["S"]
    end
    
    OPT["Оптопара
(наприклад, PC817)"] --> R1["R1
220 Ом"]
    R1 --> G
    
    S --> GND["GND"]
    
    MCU["Мікроконтролер"] --> OPT
    
    R2["R2
10 кОм"] --- G
    R2 --- S

Ця схема дозволяє безпечно керувати нагрівальним елементом, відокремлюючи силову частину від низьковольтної керуючої за допомогою оптопари:

Мікроконтролер керує світлодіодом оптопари.
Фототранзистор оптопари керує затвором IRF740.
IRF740 комутує постійний струм для нагрівального елемента.
Оптопара забезпечує електричну ізоляцію між низьковольтною і високовольтною частинами.

9. Додаткові рекомендації

9.1 Вибір резисторів

Резистор затвора (між керуючим сигналом і затвором):
- Типові значення: 100-470 Ом
- Менший опір: швидше перемикання, але більші струмові імпульси
- Більший опір: менші струмові імпульси, але повільніше перемикання
Підтягуючий резистор (між затвором і витоком):
- Типові значення: 10-20 кОм
- Забезпечує надійне закриття транзистора при відсутності сигналу
- Зменшує чутливість до наведених перешкод

9.2 Вибір захисних діодів

Для більшості застосувань підійде діод 1N4007 (1000В/1A).
Для потужніших навантажень використовуйте діоди з більшим струмом, наприклад, MUR1560 (600В/15A).
Для високочастотних застосувань використовуйте швидкі діоди з часом відновлення менше 100 нс.

Для покращення продуктивності комутації індуктивних навантажень (особливо на високих частотах) додайте RC-ланцюжок (снабер) паралельно транзистору. Типові значення: резистор 100 Ом послідовно з конденсатором 0.01-0.1 мкФ.

Важливе зауваження: Ми доклали зусиль, щоб ця інструкція була точною та корисною. Однак, ця інструкція надається як довідковий матеріал. Електронні компоненти можуть мати варіації, а схеми підключення залежать від конкретних умов та вашого обладнання. Ця інформація надається "як є", без гарантій повноти чи безпомилковості. Наполегливо рекомендуємо перевіряти специфікації вашого модуля (datasheet), звірятися з іншими джерелами та, за найменших сумнівів, звертатися до кваліфікованих фахівців, особливо при роботі з напругою 220В.