IRF740 транзистор корпус TO-220
IRF740 N‑канальный MOSFET TO‑220AB
Высоковольтный силовой N‑канальный MOSFET на 400 В и 10 А в корпусе TO‑220AB для коммутации нагрузок и первичных ключей SMPS.
Основные преимущества
Обеспечивает надежную работу в высоковольтных преобразователях и инверторах.
Поддерживает значительные нагрузки при должном теплоотводе (корпус TO‑220AB).
RDS(on) максимум 0.55 Ω при VGS = 10 В снижает потери проводимости.
В документации указано fast switching и repetitive avalanche rated — повышенная надежность в переходных режимах.
Ключевые характеристики
| Тип транзистора: | N‑канальный MOSFET (силовой) |
|---|---|
| Корпус: | TO‑220AB (3 вывода, тепловая пластина соединена со стоком) |
| VDSS (макс.): | 400 В |
| ID (непрерывный, при TC = 25°C): | 10 А |
| RDS(on) (макс., при VGS = 10 В): | 0.55 Ω |
| VGS (диапазон): | ±20 В |
| VGS(th) (пороговая): | 2…4 В |
| Ptot (при TC = 25°C): | 125 Вт |
| Суммарный заряд затвора Qg (тип.): | ≈ 63 нКл при VGS = 10 В |
| Емкости (тип.): | Ciss ≈ 1400 пФ; Coss ≈ 220 пФ; Crss ≈ 27 пФ |
| Диапазон температур перехода: | прибл. −55…+150°C |
| Распиновка выводов (TO‑220AB): | 1 — Gate, 2 — Drain, 3 — Source; металлический радиатор — Drain |
Подробные технические параметры
- Быстрое переключение; полная/повторяющаяся лавинная стойкость (repetitive avalanche rated).
- Типовые зависимости: заряд затвора Qg и емкости Ciss/Coss/Crss приведены на графиках datasheet.
- Рекомендуемый уровень управления — VGS = 10 В для достижения минимального RDS(on).
- Назначение: коммутация высоковольтных нагрузок, первичные ключи ИИП (SMPS), инверторы, преобразователи.
Основные области применения
- Импульсные источники питания (SMPS): первичный ключ.
- Инверторы и DC/AC преобразователи малой/средней мощности.
- Управление индуктивными нагрузками, мотор‑драйвы с внешней защитой.
- Общие высоковольтные коммутационные узлы.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы-ответы (FAQ)
RDS(on) нормируется при VGS = 10 В, поэтому для минимальных потерь желателен драйвер затвора или уровень управления 10–12 В. При 5 В сопротивление канала выше и потери растут.
Да. Максимальная рассеиваемая мощность 125 Вт указана для TC = 25°C и требует эффективного теплоотвода; используйте радиатор соответствующего теплового сопротивления и термопасту.
1 — Gate, 2 — Drain, 3 — Source; металлическая пластина/радиатор соединены со стоком (Drain).
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.
Инструкция подключения Транзистор IRF740 корпус TO-220
N-канальный силовой MOSFET, 400В/10А, для коммутационных схем
1. Идентификация и основные компоненты
IRF740 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор в корпусе TO-220, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Он разработан с использованием технологии MESH OVERLAY™ на основе полосовой топологии, что обеспечивает повышенную эффективность и надежность.
flowchart TD
subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"]
Metal["Металлическая пластина
(соединена со Стоком)"]
direction TB
subgraph Pins["Выводы"]
direction LR
G["1
Затвор
(Gate)"] --- D["2
Сток
(Drain)"] --- S["3
Исток
(Source)"]
end
Metal --- Pins
end
classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px
class G,D,S pin
1.1 Назначение выводов
| Вывод | Обозначение | Функция |
|---|---|---|
| 1 | G (Gate) | Затвор — управляет проводимостью транзистора |
| 2 | D (Drain) | Сток — подключение к нагрузке, металлическая пластина (радиатор) соединена с этим выводом |
| 3 | S (Source) | Исток — подключается к земле или отрицательному полюсу |
Металлическая пластина корпуса TO-220 электрически соединена со стоком (Drain). При монтаже на радиатор используйте изоляционную прокладку и термопасту, если радиатор не должен иметь электрического соединения со стоком.
2. Базовые схемы подключения
2.1 Схема коммутации резистивной нагрузки
flowchart TB
VDD["Источник питания
(до 400В)"] --> LOAD["Нагрузка
(лампа, нагреватель)"]
LOAD --> D["D (Сток)"]
subgraph IRF740["IRF740"]
D --- G["G (Затвор)"]
D --- S["S (Исток)"]
end
MCU["Управляющий сигнал
(микроконтроллер, 10-15В)"] -- "Через резистор
100-470 Ом" --> G
S --> GND["GND (Земля)"]
R_GS["Резистор
10-20 кОм"] --- G
R_GS --- S
Эта схема используется для коммутации резистивных нагрузок, таких как лампы накаливания, нагревательные элементы и т.д. Принцип работы:
- При подаче высокого уровня (10-15В) на затвор транзистор открывается, и ток протекает через нагрузку.
- При низком уровне на затворе транзистор закрывается, и нагрузка выключается.
- Резистор между затвором и управляющим сигналом ограничивает ток заряда/разряда ёмкости затвора.
- Резистор между затвором и истоком (10-20 кОм) обеспечивает надёжное закрытие транзистора при отсутствии сигнала.
2.2 Схема коммутации индуктивной нагрузки
flowchart TB
VDD["Источник питания
(до 400В)"] --> LOAD["Индуктивная нагрузка
(двигатель, реле, соленоид)"]
LOAD --> D["D (Сток)"]
subgraph IRF740["IRF740"]
D --- G["G (Затвор)"]
D --- S["S (Исток)"]
end
MCU["Управляющий сигнал
(микроконтроллер, 10-15В)"] -- "Через резистор
100-470 Ом" --> G
S --> GND["GND (Земля)"]
R_GS["Резистор
10-20 кОм"] --- G
R_GS --- S
D_PROT["Защитный диод
(напр. 1N4007)"] -. "Катод" .-> VDD
D_PROT -. "Анод" .-> D
Эта схема предназначена для коммутации индуктивных нагрузок, таких как двигатели, реле, соленоиды. Особенности:
- Дополнительный защитный диод (например, 1N4007) подключён параллельно нагрузке.
- Диод защищает транзистор от обратных напряжений, возникающих при выключении индуктивной нагрузки.
- Катод диода подключён к источнику питания, анод — к стоку транзистора.
3. Расчёты и параметры
3.1 Расчёт мощности
Мощность, рассеиваемая транзистором, рассчитывается по формуле:
Пример: при токе 5А мощность рассеивания составляет:
Максимальная рассеиваемая мощность IRF740 составляет 125 Вт при 25°C, но уменьшается на 1 Вт на каждый градус повышения температуры корпуса.
3.2 Требования к охлаждению
Для работы с высокими токами необходимо установить радиатор. Размер радиатора рассчитывается, исходя из:
4. Пошаговая инструкция подключения
4.1 Необходимые материалы и инструменты
- Транзистор IRF740 в корпусе TO-220
- Радиатор соответствующего размера (при необходимости)
- Изоляционная прокладка и термопаста (для изолированного монтажа)
- Резисторы: 100-470 Ом (для затвора), 10-20 кОм (между затвором и истоком)
- Защитный диод (1N4007 или аналогичный) для индуктивных нагрузок
- Паяльник и припой
- Бокорезы и пинцет
- Отвёртка (для монтажа на радиатор)
4.2 Процесс монтажа и подключения
- Подготовка транзистора:
- Проверьте целостность транзистора и отсутствие видимых повреждений.
- Идентифицируйте выводы (Затвор, Сток, Исток) согласно схеме.
- Монтаж на радиатор (если нужно):
- Нанесите тонкий слой термопасты на заднюю металлическую часть транзистора.
- Разместите изоляционную прокладку между транзистором и радиатором.
- Закрепите транзистор на радиаторе с помощью винта. Не перетягивайте!
- Проверьте изоляцию между стоком и радиатором с помощью мультиметра, если это необходимо.
- Подключение резистивной нагрузки:
- Подключите нагрузку между источником питания и стоком транзистора.
- Припаяйте резистор 100-470 Ом между источником управляющего сигнала и затвором.
- Припаяйте резистор 10-20 кОм между затвором и истоком.
- Подключите исток транзистора к земле.
- Для индуктивной нагрузки:
- Выполните все шаги для резистивной нагрузки.
- Дополнительно припаяйте защитный диод параллельно нагрузке (катод к плюсу питания, анод к стоку).
- Проверка монтажа:
- Проверьте правильность подключения всех компонентов.
- Убедитесь в отсутствии коротких замыканий.
- Проверьте надёжность паяных соединений.
5. Практические применения
5.1 Коммутация мощной нагрузки через микроконтроллер
flowchart TB
VDD["12-24V"]
ARD["Arduino
или другой
микроконтроллер"]
ARD -- "Pin D9
(PWM)" --> R1["R1
220 Ом"]
R1 --> G["G"]
subgraph IRF740["IRF740"]
G --- D["D"]
G --- S["S"]
end
VDD --> LOAD["Нагрузка
(лампа, мотор)"]
LOAD --> D
S --> GND["GND"]
R2["R2
10 кОм"] --- G
R2 --- S
D_PROT["1N4007"] -. "опционально
для мотора" .-> VDD
D_PROT -. "опционально
для мотора" .-> D
Эта схема позволяет управлять мощной нагрузкой от низковольтного микроконтроллера:
- Микроконтроллер (например, Arduino) генерирует сигнал на выводе D9 (можно использовать PWM для регулировки мощности).
- Резистор R1 (220 Ом) ограничивает ток затвора.
- Резистор R2 (10 кОм) обеспечивает надёжное закрытие транзистора при низком уровне сигнала.
- При управлении моторами обязательно добавьте защитный диод.
5.2 Использование в источниках питания
IRF740 часто используется в DC/DC преобразователях и импульсных источниках питания:
- Высокий рабочий ток (10А) позволяет использовать его в мощных схемах.
- Быстрое переключение (t_on = 17 нс, t_off = 10 нс) обеспечивает эффективную работу на высоких частотах.
- Высокое напряжение пробоя (400В) позволяет использовать транзистор в схемах с высоким входным напряжением.
6. Меры предосторожности и рекомендации
6.1 Тепловой режим
- Максимальная рассеиваемая мощность (125 Вт) достигается только при температуре корпуса 25°C.
- Для каждого градуса выше 25°C снижайте максимальную мощность на 1 Вт.
- Используйте радиатор при работе с токами больше 2-3 А.
- Для улучшения теплового контакта применяйте термопасту между транзистором и радиатором.
6.2 Защита от перенапряжения
- Не превышайте максимальное напряжение сток-исток (V_DSS = 400 В).
- При коммутации индуктивных нагрузок обязательно используйте защитный диод.
- Напряжение затвор-исток не должно превышать ±20 В.
6.3 Управление затвором
- Для полного открытия транзистора подавайте напряжение на затвор не менее 10 В.
- Используйте резистор между затвором и источником управляющего сигнала для ограничения тока зарядки ёмкости затвора.
- Для надёжного закрытия транзистора в состоянии покоя установите резистор 10-20 кОм между затвором и истоком.
7. Устранение неисправностей
| Проблема | Возможная причина | Решение |
|---|---|---|
| Транзистор не включается | Недостаточное напряжение на затворе | Убедитесь, что напряжение на затворе не менее 10В |
| Транзистор перегревается | Недостаточное охлаждение, слишком большой ток | Установите больший радиатор, уменьшите ток нагрузки |
| Повреждение при коммутации индуктивной нагрузки | Отсутствие защитного диода | Добавьте защитный диод параллельно нагрузке |
| Некорректная работа на высоких частотах | Большое время переключения из-за ёмкости затвора | Используйте специальный драйвер затвора |
| Спонтанное включение/выключение | Наведение помех на затвор | Добавьте резистор между затвором и истоком (10-20 кОм) |
8. Примеры практических схем
8.1 Регулирование скорости DC-мотора с PWM
8.2 Управление нагревательным элементом
flowchart LR
AC["AC 220V"] --> BR["Диодный мост
выпрямитель"]
BR --> CAP["Фильтрующий
конденсатор"]
CAP --> HEAT["Нагревательный
элемент"]
HEAT --> D["D"]
subgraph IRF740["IRF740"]
D --- G["G"]
D --- S["S"]
end
OPT["Оптопара
(например, PC817)"] --> R1["R1
220 Ом"]
R1 --> G
S --> GND["GND"]
MCU["Микроконтроллер"] --> OPT
R2["R2
10 кОм"] --- G
R2 --- S
Эта схема позволяет безопасно управлять нагревательным элементом, отделяя силовую часть от низковольтной управляющей с помощью оптопары:
- Микроконтроллер управляет светодиодом оптопары.
- Фототранзистор оптопары управляет затвором IRF740.
- IRF740 коммутирует постоянный ток для нагревательного элемента.
- Оптопара обеспечивает электрическую изоляцию между низковольтной и высоковольтной частями.
9. Дополнительные рекомендации
9.1 Выбор резисторов
- Резистор затвора (между управляющим сигналом и затвором):
- Типичные значения: 100-470 Ом
- Меньшее сопротивление: быстрее переключение, но больше токовые импульсы
- Большее сопротивление: меньшие токовые импульсы, но медленнее переключение
- Подтягивающий резистор (между затвором и истоком):
- Типичные значения: 10-20 кОм
- Обеспечивает надёжное закрытие транзистора при отсутствии сигнала
- Уменьшает чувствительность к наведённым помехам
9.2 Выбор защитных диодов
- Для большинства применений подойдёт диод 1N4007 (1000В/1A).
- Для мощных нагрузок используйте диоды с большим током, например, MUR1560 (600В/15A).
- Для высокочастотных применений используйте быстрые диоды с временем восстановления менее 100 нс.