IRF740 транзистор корпус TO-220

Name: IRF740 транзистор корпус TO-220
Brand: Китай
Price: 19.00 UAH
Availability: InStock

Производитель: Китай Код товара: 5572

Все о товаре

Описание

Характеристики

Отзывы 0

Вопросы0

Инструкция

новинка

Есть в наличии

Код товара: 5572

19.00 грн

Нашли дешевле?

Полярность:N-канальный MOSFET

Тип корпуса:TO-220

Доставка

Новой почтой в отделения и почтоматы

от 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фиксировано 49 грн

Укрпочтой в отделение по Украине

от 45 ₴

Meest Express

от 60 ₴

Оплата

Оплата картой

Перевод на карточку

Оплата на IBAN

Безналичный расчет

Наложенный платеж

Гарантийные положения

Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются

IRF740 транзистор корпус TO-220

19.00 грн

Описание

⚡ Транзистор IRF740 (корпус TO-220)

Мощный N-канальный MOSFET 400В 10А для высоковольтных коммутационных схем

Общее описание

IRF740 — это высококачественный N-канальный силовой MOSFET транзистор, разработанный компанией International Rectifier (Infineon Technologies) с использованием передовой технологии MESH OVERLAY™. Транзистор обеспечивает отличный баланс между высоким напряжением (400В), значительным током (10А) и низким сопротивлением в открытом состоянии (0.48 Ом). Благодаря быстрым временам переключения и высокой устойчивости к лавинному пробою, IRF740 идеально подходит для широкого спектра применений: от импульсных источников питания, DC/DC преобразователей и инверторов до силовых коммутаторов и схем управления двигателями. Корпус TO-220 обеспечивает удобный монтаж и эффективное теплоотведение при высоких нагрузках.

✅ Технические преимущества:

• Высокое напряжение пробоя 400В – обеспечивает надежную работу в высоковольтных схемах, открывая широкие возможности для применения в промышленной автоматике, силовой электронике и сетевом оборудовании
• Низкое сопротивление в открытом состоянии – типичное значение R_DS(on) всего 0.48 Ом значительно снижает потери мощности при высоких токах, что повышает КПД устройства и уменьшает нагрев компонентов
• Быстрое переключение – малые временные параметры (t_d(on) = 17 нс, t_r = 10 нс, t_d(off) = 10 нс, t_f = 10 нс) позволяют эффективно использовать транзистор в высокочастотных преобразователях
• Высокая максимальная мощность 125 Вт – в сочетании с корпусом TO-220 с низким тепловым сопротивлением (1°C/Вт) обеспечивает эффективную работу при высоких нагрузках при условии использования радиатора
• Повышенная устойчивость к лавинному пробою – гарантированная 100% проверка всех устройств на устойчивость к лавинному пробою, что обеспечивает надежную защиту в условиях переходных процессов и индуктивных нагрузок

🔧 Идеальное решение для:

Импульсных источников питания

Инверторов и преобразователей

Управления двигателями

Источников бесперебойного питания

LED-драйверов

Силовых коммутаторов

💡 Широкие возможности применения:

Импульсные источники питания (SMPS) – IRF740 идеально подходит для построения первичных ключей в импульсных источниках питания благодаря высокому рабочему напряжению 400В и быстрому переключению. Низкое сопротивление в открытом состоянии обеспечивает минимальные потери, увеличивая общий КПД преобразователя, а способность выдерживать всплески напряжения гарантирует надежную работу в условиях переменной нагрузки.
Управление электродвигателями – высокий ток 10А, устойчивость к индуктивным нагрузкам и встроенный обратный диод делают IRF740 отличным выбором для схем управления двигателями постоянного тока. Микросхема обеспечивает эффективное переключение с минимальными потерями, а защита от лавинного пробоя гарантирует стабильную работу даже при остановке двигателя под нагрузкой.
Инверторы для солнечных панелей – высокое напряжение пробоя 400В в сочетании с низким сопротивлением R_DS(on) = 0.48 Ом и значительным током 10А делает транзистор оптимальным для использования в схемах маломощных инверторов напряжения для солнечных панелей. Эта комбинация характеристик обеспечивает высокую энергоэффективность, уменьшая потери при преобразовании энергии.
Силовые реле и коммутаторы – быстрые времена переключения, высокая устойчивость к лавинному пробою и низкие значения входных емкостей позволяют создавать на основе IRF740 надежные твердотельные реле и коммутаторы для высоковольтных цепей. Транзистор обеспечивает долговечность и бесшумность работы по сравнению с механическими реле, а также значительно более высокую скорость действия.

📦 Детальные технические характеристики:

Тип транзистора: N-канальный MOSFET
Технология: MESH OVERLAY™ (PowerMESH™)
Корпус: TO-220
Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 400 В
Максимальный ток стока (I_D):
- 10 А (при температуре корпуса 25°C)
- 6.3 А (при температуре 100°C)
Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)):
- Типичное значение: 0.48 Ом
- Максимальное значение: 0.55 Ом
- (при V_GS = 10 В, I_D = 5.3 А)
Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 125 Вт (при 25°C)
Диапазон напряжения затвор-исток (V_GS): ±20 В
Пороговая напряжение затвора (V_GS(th)): 2 - 4 В
Импульсный ток стока (I_DM): 40 А
Температурный диапазон: -65°C до +150°C
Тепловое сопротивление переход-корпус (R_thj-case): 1°C/Вт
Емкостные характеристики:
- Входная емкость (C_iss): 1400 пФ
- Выходная емкость (C_oss): 220 пФ
- Обратная емкость (C_rss): 27 пФ
Общий заряд затвора (Q_g): 35 нКл (тип.)
Времена переключения:
- Время включения (t_d(on)): 17 нс
- Время нарастания (t_r): 10 нс
- Время выключения (t_d(off)): 10 нс
- Время спада (t_f): 10 нс
Характеристики встроенного диода:
- Максимальный ток (I_SD): 10 А
- Прямое напряжение (V_SD): до 1.6 В
- Время обратного восстановления (t_rr): 320 нс

📊 Подключение и использование:

Назначение выводов (TO-220)

Вывод 1: Затвор (Gate, G) - управляет проводимостью транзистора
Вывод 2: Сток (Drain, D) - подключается к нагрузке
Вывод 3: Исток (Source, S) - обычно соединяется с землей
Металлическая пластина: Соединена со стоком (D), используется для отвода тепла

Базовая схема подключения

Подключите затвор (G) через резистор (например, 4.7 Ом) к источнику управляющего сигнала
Подключите сток (D) к нагрузке, а нагрузку - к источнику питания
Подсоедините исток (S) к земле
Для защиты от самовозбуждения добавьте резистор 20 кОм между затвором (G) и истоком (S)
При индуктивной нагрузке добавьте защитный диод параллельно нагрузке

Оптимальные условия использования

Для полного открытия транзистора применяйте напряжение затвор-исток V_GS = 10 В
Для высокочастотного переключения используйте специализированный драйвер затвора
При работе с токами свыше 5 А установите транзистор на радиатор через теплопроводную пасту
Обеспечьте адекватный теплоотвод — при максимальной мощности нужен радиатор с тепловым сопротивлением не более 0.4°C/Вт

👍 Преимущества и рекомендации:

Ключевые преимущества

Оптимальное соотношение высокого напряжения (400В) и тока (10А)
Низкое сопротивление в открытом состоянии уменьшает тепловые потери
Быстрые времена переключения для высокочастотных применений
Высокая устойчивость к лавинному пробою защищает от переходных процессов
Удобный корпус TO-220 с возможностью установки радиатора

Практические советы

При высоких токах обязательно используйте радиатор
Для драйвера затвора используйте специализированные микросхемы
Установите защитные диоды для индуктивных нагрузок
Используйте конденсаторы близко к выводам питания
При высоких частотах обратите внимание на паразитные индуктивности

⚠️ Важные аспекты использования:

Теплоотвод – при максимальных токах (около 10 А) транзистор рассеивает значительную мощность (до P = I_D² × R_DS(on) = 10² × 0.48 = 48 Вт). С учетом теплового сопротивления переход-корпус 1°C/Вт, это приводит к значительному нагреву. Обязательно используйте радиатор с теплопроводной пастой. При повышении температуры корпуса выше 25°C используйте коэффициент снижения мощности 1 Вт/°C.
Работа с индуктивными нагрузками – хотя IRF740 обладает устойчивостью к лавинному пробою и встроенным обратным диодом, для защиты от высоких обратных напряжений при коммутации индуктивных нагрузок (двигатели, соленоиды) рекомендуется добавить внешний быстрый диод (например, серии UF/MUR) параллельно нагрузке. Это снизит нагрузку на встроенный диод и продлит срок службы транзистора.
Управление затвором – для обеспечения быстрого и эффективного переключения нужно учитывать входную емкость транзистора (1400 пФ). При высоких частотах используйте специализированные драйверы затвора для обеспечения достаточного тока заряда/разряда. Также рекомендуется использовать резистор 10-20 кОм между затвором и истоком для предотвращения случайного открытия от наведенных помех.
Монтаж на плату – при пайке соблюдайте температурный режим (не более 300°C в течение 10 секунд), чтобы предотвратить повреждение кристалла. Для высокотоковых применений используйте толстые провода или широкие дорожки на плате (3-5 мм для тока 10 А). Расположите компоненты драйвера затвора максимально близко к выводу затвора для минимизации паразитных индуктивностей.

Транзистор IRF740 — это оптимальное решение для ваших силовых электронных проектов, требующих высокого напряжения и значительного тока. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии, быстрому переключению и высокой надежности, этот N-канальный MOSFET обеспечит эффективную и стабильную работу импульсных источников питания, инверторов, контроллеров двигателей и многих других высоковольтных схем!

ЗАКАЖИТЕ СЕЙЧАС

#IRF740 #MOSFET #TO-220 #ВысокоеНапряжение #Транзистор #СиловаяЭлектроника

Характеристики

Основные

Полярность

N-канальный MOSFET

Тип корпуса

TO-220

Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы

Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Инструкция

Инструкция подключения Транзистор IRF740 корпус TO-220

N-канальный силовой MOSFET, 400В/10А, для коммутационных схем

1. Идентификация и основные компоненты

IRF740 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор в корпусе TO-220, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Он разработан с использованием технологии MESH OVERLAY™ на основе полосовой топологии, что обеспечивает повышенную эффективность и надежность.

flowchart TD
    subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"]
      Metal["Металлическая пластина
(соединена со Стоком)"]
      direction TB
      
      subgraph Pins["Выводы"]
        direction LR
        G["1
Затвор
(Gate)"] --- D["2
Сток
(Drain)"] --- S["3
Исток
(Source)"]
      end
      
      Metal --- Pins
    end
    
    classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px
    class G,D,S pin

1.1 Назначение выводов

Вывод	Обозначение	Функция
1	G (Gate)	Затвор — управляет проводимостью транзистора
2	D (Drain)	Сток — подключение к нагрузке, металлическая пластина (радиатор) соединена с этим выводом
3	S (Source)	Исток — подключается к земле или отрицательному полюсу

Металлическая пластина корпуса TO-220 электрически соединена со стоком (Drain). При монтаже на радиатор используйте изоляционную прокладку и термопасту, если радиатор не должен иметь электрического соединения со стоком.

2. Базовые схемы подключения

2.1 Схема коммутации резистивной нагрузки

flowchart TB
    VDD["Источник питания
(до 400В)"] --> LOAD["Нагрузка
(лампа, нагреватель)"]
    LOAD --> D["D (Сток)"]
    
    subgraph IRF740["IRF740"]
      D --- G["G (Затвор)"]
      D --- S["S (Исток)"]
    end
    
    MCU["Управляющий сигнал
(микроконтроллер, 10-15В)"] -- "Через резистор
100-470 Ом" --> G
    S --> GND["GND (Земля)"]
    
    R_GS["Резистор
10-20 кОм"] --- G
    R_GS --- S

Эта схема используется для коммутации резистивных нагрузок, таких как лампы накаливания, нагревательные элементы и т.д. Принцип работы:

При подаче высокого уровня (10-15В) на затвор транзистор открывается, и ток протекает через нагрузку.
При низком уровне на затворе транзистор закрывается, и нагрузка выключается.
Резистор между затвором и управляющим сигналом ограничивает ток заряда/разряда ёмкости затвора.
Резистор между затвором и истоком (10-20 кОм) обеспечивает надёжное закрытие транзистора при отсутствии сигнала.

2.2 Схема коммутации индуктивной нагрузки

flowchart TB
    VDD["Источник питания
(до 400В)"] --> LOAD["Индуктивная нагрузка
(двигатель, реле, соленоид)"]
    LOAD --> D["D (Сток)"]
    
    subgraph IRF740["IRF740"]
      D --- G["G (Затвор)"]
      D --- S["S (Исток)"]
    end
    
    MCU["Управляющий сигнал
(микроконтроллер, 10-15В)"] -- "Через резистор
100-470 Ом" --> G
    S --> GND["GND (Земля)"]
    
    R_GS["Резистор
10-20 кОм"] --- G
    R_GS --- S
    
    D_PROT["Защитный диод
(напр. 1N4007)"] -. "Катод" .-> VDD
    D_PROT -. "Анод" .-> D

Эта схема предназначена для коммутации индуктивных нагрузок, таких как двигатели, реле, соленоиды. Особенности:

Дополнительный защитный диод (например, 1N4007) подключён параллельно нагрузке.
Диод защищает транзистор от обратных напряжений, возникающих при выключении индуктивной нагрузки.
Катод диода подключён к источнику питания, анод — к стоку транзистора.

При коммутации индуктивных нагрузок ВСЕГДА используйте защитный диод! Без него обратное напряжение может превысить допустимое значение V_DSS (400В) и повредить транзистор.

3. Расчёты и параметры

3.1 Расчёт мощности

Мощность, рассеиваемая транзистором, рассчитывается по формуле:

P = I_D² × R_DS(on) где: P - мощность, рассеиваемая (Вт) I_D - ток стока (А) R_DS(on) - сопротивление в открытом состоянии (0.55 Ом макс.)

Пример: при токе 5А мощность рассеивания составляет:

P = 5² × 0.55 = 13.75 Вт

Максимальная рассеиваемая мощность IRF740 составляет 125 Вт при 25°C, но уменьшается на 1 Вт на каждый градус повышения температуры корпуса.

3.2 Требования к охлаждению

Для работы с высокими токами необходимо установить радиатор. Размер радиатора рассчитывается, исходя из:

R_th(HS) = (T_max - T_amb) / P - R_th(j-c) - R_th(c-hs) где: R_th(HS) - тепловое сопротивление радиатора (°C/Вт) T_max - максимальная допустимая температура перехода (150°C) T_amb - температура окружающей среды (обычно 25°C) P - рассеиваемая мощность (Вт) R_th(j-c) - тепловое сопротивление переход-корпус (1°C/Вт для IRF740) R_th(c-hs) - тепловое сопротивление корпус-радиатор (обычно 0.5-1°C/Вт с термопастой)

Для токов больше 5А или при длительной работе на полной мощности рекомендуется использовать радиатор с тепловым сопротивлением не более 3°C/Вт.

4. Пошаговая инструкция подключения

4.1 Необходимые материалы и инструменты

Транзистор IRF740 в корпусе TO-220
Радиатор соответствующего размера (при необходимости)
Изоляционная прокладка и термопаста (для изолированного монтажа)
Резисторы: 100-470 Ом (для затвора), 10-20 кОм (между затвором и истоком)
Защитный диод (1N4007 или аналогичный) для индуктивных нагрузок
Паяльник и припой
Бокорезы и пинцет
Отвёртка (для монтажа на радиатор)

4.2 Процесс монтажа и подключения

Подготовка транзистора:
- Проверьте целостность транзистора и отсутствие видимых повреждений.
- Идентифицируйте выводы (Затвор, Сток, Исток) согласно схеме.
Монтаж на радиатор (если нужно):
- Нанесите тонкий слой термопасты на заднюю металлическую часть транзистора.
- Разместите изоляционную прокладку между транзистором и радиатором.
- Закрепите транзистор на радиаторе с помощью винта. Не перетягивайте!
- Проверьте изоляцию между стоком и радиатором с помощью мультиметра, если это необходимо.
Подключение резистивной нагрузки:
- Подключите нагрузку между источником питания и стоком транзистора.
- Припаяйте резистор 100-470 Ом между источником управляющего сигнала и затвором.
- Припаяйте резистор 10-20 кОм между затвором и истоком.
- Подключите исток транзистора к земле.
Для индуктивной нагрузки:
- Выполните все шаги для резистивной нагрузки.
- Дополнительно припаяйте защитный диод параллельно нагрузке (катод к плюсу питания, анод к стоку).
Проверка монтажа:
- Проверьте правильность подключения всех компонентов.
- Убедитесь в отсутствии коротких замыканий.
- Проверьте надёжность паяных соединений.

Перед первым подключением к питанию проверьте все соединения дважды. Особенно важно убедиться в отсутствии короткого замыкания между стоком и истоком, а также между затвором и другими выводами.

5. Практические применения

5.1 Коммутация мощной нагрузки через микроконтроллер

flowchart TB
    VDD["12-24V"]
    ARD["Arduino
или другой
микроконтроллер"]
    
    ARD -- "Pin D9
(PWM)" --> R1["R1
220 Ом"]
    R1 --> G["G"]
    
    subgraph IRF740["IRF740"]
      G --- D["D"]
      G --- S["S"]
    end
    
    VDD --> LOAD["Нагрузка
(лампа, мотор)"]
    LOAD --> D
    S --> GND["GND"]
    
    R2["R2
10 кОм"] --- G
    R2 --- S
    
    D_PROT["1N4007"] -. "опционально
для мотора" .-> VDD
    D_PROT -. "опционально
для мотора" .-> D

Эта схема позволяет управлять мощной нагрузкой от низковольтного микроконтроллера:

Микроконтроллер (например, Arduino) генерирует сигнал на выводе D9 (можно использовать PWM для регулировки мощности).
Резистор R1 (220 Ом) ограничивает ток затвора.
Резистор R2 (10 кОм) обеспечивает надёжное закрытие транзистора при низком уровне сигнала.
При управлении моторами обязательно добавьте защитный диод.

5.2 Использование в источниках питания

IRF740 часто используется в DC/DC преобразователях и импульсных источниках питания:

Высокий рабочий ток (10А) позволяет использовать его в мощных схемах.
Быстрое переключение (t_on = 17 нс, t_off = 10 нс) обеспечивает эффективную работу на высоких частотах.
Высокое напряжение пробоя (400В) позволяет использовать транзистор в схемах с высоким входным напряжением.

При работе на высоких частотах (>100 кГц) обращайте внимание на ёмкость затвора (C_iss = 1400 пФ). Используйте специализированные драйверы затворов для эффективного перезаряда этой ёмкости.

6. Меры предосторожности и рекомендации

6.1 Тепловой режим

Максимальная рассеиваемая мощность (125 Вт) достигается только при температуре корпуса 25°C.
Для каждого градуса выше 25°C снижайте максимальную мощность на 1 Вт.
Используйте радиатор при работе с токами больше 2-3 А.
Для улучшения теплового контакта применяйте термопасту между транзистором и радиатором.

6.2 Защита от перенапряжения

Не превышайте максимальное напряжение сток-исток (V_DSS = 400 В).
При коммутации индуктивных нагрузок обязательно используйте защитный диод.
Напряжение затвор-исток не должно превышать ±20 В.

6.3 Управление затвором

Для полного открытия транзистора подавайте напряжение на затвор не менее 10 В.
Используйте резистор между затвором и источником управляющего сигнала для ограничения тока зарядки ёмкости затвора.
Для надёжного закрытия транзистора в состоянии покоя установите резистор 10-20 кОм между затвором и истоком.

IRF740 не имеет внутренней защиты от статического электричества. При монтаже используйте антистатические меры безопасности, включая заземлённый браслет. Перед подключением транзистора к схеме убедитесь, что питание выключено.

7. Устранение неисправностей

Проблема	Возможная причина	Решение
Транзистор не включается	Недостаточное напряжение на затворе	Убедитесь, что напряжение на затворе не менее 10В
Транзистор перегревается	Недостаточное охлаждение, слишком большой ток	Установите больший радиатор, уменьшите ток нагрузки
Повреждение при коммутации индуктивной нагрузки	Отсутствие защитного диода	Добавьте защитный диод параллельно нагрузке
Некорректная работа на высоких частотах	Большое время переключения из-за ёмкости затвора	Используйте специальный драйвер затвора
Спонтанное включение/выключение	Наведение помех на затвор	Добавьте резистор между затвором и истоком (10-20 кОм)

Если транзистор повреждён, он часто переходит в состояние короткого замыкания между стоком и истоком. Проверить это можно мультиметром в режиме проверки диодов или сопротивления.

8. Примеры практических схем

8.1 Регулирование скорости DC-мотора с PWM

    // Пример кода Arduino для PWM-регулирования скорости мотора через IRF740
    const int pwmPin = 9;    // PWM выход для управления затвором IRF740
    
    void setup() {
      pinMode(pwmPin, OUTPUT);
    }
    
    void loop() {
      // Плавное увеличение скорости
      for (int speed = 0; speed <= 255; speed++) {
        analogWrite(pwmPin, speed);
        delay(20);
      }
      
      // Максимальная скорость в течение 2 секунд
      delay(2000);
      
      // Плавное уменьшение скорости
      for (int speed = 255; speed >= 0; speed--) {
        analogWrite(pwmPin, speed);
        delay(20);
      }
      
      // Пауза при выключенном моторе
      delay(1000);
    }
  

8.2 Управление нагревательным элементом

flowchart LR
    AC["AC 220V"] --> BR["Диодный мост
выпрямитель"]
    BR --> CAP["Фильтрующий
конденсатор"]
    CAP --> HEAT["Нагревательный
элемент"]
    HEAT --> D["D"]
    
    subgraph IRF740["IRF740"]
      D --- G["G"]
      D --- S["S"]
    end
    
    OPT["Оптопара
(например, PC817)"] --> R1["R1
220 Ом"]
    R1 --> G
    
    S --> GND["GND"]
    
    MCU["Микроконтроллер"] --> OPT
    
    R2["R2
10 кОм"] --- G
    R2 --- S

Эта схема позволяет безопасно управлять нагревательным элементом, отделяя силовую часть от низковольтной управляющей с помощью оптопары:

Микроконтроллер управляет светодиодом оптопары.
Фототранзистор оптопары управляет затвором IRF740.
IRF740 коммутирует постоянный ток для нагревательного элемента.
Оптопара обеспечивает электрическую изоляцию между низковольтной и высоковольтной частями.

9. Дополнительные рекомендации

9.1 Выбор резисторов

Резистор затвора (между управляющим сигналом и затвором):
- Типичные значения: 100-470 Ом
- Меньшее сопротивление: быстрее переключение, но больше токовые импульсы
- Большее сопротивление: меньшие токовые импульсы, но медленнее переключение
Подтягивающий резистор (между затвором и истоком):
- Типичные значения: 10-20 кОм
- Обеспечивает надёжное закрытие транзистора при отсутствии сигнала
- Уменьшает чувствительность к наведённым помехам

9.2 Выбор защитных диодов

Для большинства применений подойдёт диод 1N4007 (1000В/1A).
Для мощных нагрузок используйте диоды с большим током, например, MUR1560 (600В/15A).
Для высокочастотных применений используйте быстрые диоды с временем восстановления менее 100 нс.

Для улучшения производительности коммутации индуктивных нагрузок (особенно на высоких частотах) добавьте RC-цепочку (снаббер) параллельно транзистору. Типичные значения: резистор 100 Ом последовательно с конденсатором 0.01-0.1 мкФ.

Важное замечание: Мы приложили усилия, чтобы эта инструкция была точной и полезной. Однако эта инструкция предоставляется как справочный материал. Электронные компоненты могут иметь вариации, а схемы подключения зависят от конкретных условий и вашего оборудования. Эта информация предоставляется "как есть", без гарантий полноты или безошибочности. Настоятельно рекомендуем проверять спецификации вашего модуля (datasheet), сверяться с другими источниками и, при малейших сомнениях, обращаться к квалифицированным специалистам, особенно при работе с напряжением 220В.