Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

IRF740 транзистор корпус TO-220

Страна-производитель: Китай Код товара: 5572
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы0
Инструкция
Есть в наличии
Код товара: 5572
19.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Полярность:N-канальный MOSFET
Тип корпуса:TO-220
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы
Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине
Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express
Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
IRF740 транзистор корпус TO-220
Код товара: 5572
19.00 грн
Описание

IRF740 N‑канальный MOSFET TO‑220AB

Высоковольтный силовой N‑канальный MOSFET на 400 В и 10 А в корпусе TO‑220AB для коммутации нагрузок и первичных ключей SMPS.

Основные преимущества

Высокое напряжение сток‑исток 400 В

Обеспечивает надежную работу в высоковольтных преобразователях и инверторах.

Ток стока до 10 А

Поддерживает значительные нагрузки при должном теплоотводе (корпус TO‑220AB).

Низкое сопротивление канала

RDS(on) максимум 0.55 Ω при VGS = 10 В снижает потери проводимости.

Быстрое переключение и лавинная стойкость

В документации указано fast switching и repetitive avalanche rated — повышенная надежность в переходных режимах.

Ключевые характеристики

Тип транзистора:N‑канальный MOSFET (силовой)
Корпус:TO‑220AB (3 вывода, тепловая пластина соединена со стоком)
VDSS (макс.):400 В
ID (непрерывный, при TC = 25°C):10 А
RDS(on) (макс., при VGS = 10 В):0.55 Ω
VGS (диапазон):±20 В
VGS(th) (пороговая):2…4 В
Ptot (при TC = 25°C):125 Вт
Суммарный заряд затвора Qg (тип.):≈ 63 нКл при VGS = 10 В
Емкости (тип.):Ciss ≈ 1400 пФ; Coss ≈ 220 пФ; Crss ≈ 27 пФ
Диапазон температур перехода:прибл. −55…+150°C
Распиновка выводов (TO‑220AB):1 — Gate, 2 — Drain, 3 — Source; металлический радиатор — Drain

Подробные технические параметры

  • Быстрое переключение; полная/повторяющаяся лавинная стойкость (repetitive avalanche rated).
  • Типовые зависимости: заряд затвора Qg и емкости Ciss/Coss/Crss приведены на графиках datasheet.
  • Рекомендуемый уровень управления — VGS = 10 В для достижения минимального RDS(on).
  • Назначение: коммутация высоковольтных нагрузок, первичные ключи ИИП (SMPS), инверторы, преобразователи.
Примечание: параметры основаны на документации Vishay Siliconix для IRF740. Источник: Vishay Siliconix Datasheet (PDF). ([vishay.com](https://www.vishay.com/en/product/91054/))

Основные области применения

  • Импульсные источники питания (SMPS): первичный ключ.
  • Инверторы и DC/AC преобразователи малой/средней мощности.
  • Управление индуктивными нагрузками, мотор‑драйвы с внешней защитой.
  • Общие высоковольтные коммутационные узлы.

Совместимые обозначения и альтернативы

IRF740A, IRF740LC — близкие варианты от Vishay с тем же классом напряжения 400 В в схожих корпусах; для SMD‑монтажа доступен IRF740S (D2PAK).

Вопросы-ответы (FAQ)

Можно ли управлять IRF740 непосредственно от 5 В логического выхода?

RDS(on) нормируется при VGS = 10 В, поэтому для минимальных потерь желателен драйвер затвора или уровень управления 10–12 В. При 5 В сопротивление канала выше и потери растут.

Нужен ли радиатор при токах в несколько ампер?

Да. Максимальная рассеиваемая мощность 125 Вт указана для TC = 25°C и требует эффективного теплоотвода; используйте радиатор соответствующего теплового сопротивления и термопасту.

Какова распиновка выводов в TO‑220AB?

1 — Gate, 2 — Drain, 3 — Source; металлическая пластина/радиатор соединены со стоком (Drain).

Характеристики
Основные
Полярность
N-канальный MOSFET
Тип корпуса
TO-220
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Инструкция

Инструкция подключения Транзистор IRF740 корпус TO-220

N-канальный силовой MOSFET, 400В/10А, для коммутационных схем

1. Идентификация и основные компоненты

IRF740 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор в корпусе TO-220, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Он разработан с использованием технологии MESH OVERLAY™ на основе полосовой топологии, что обеспечивает повышенную эффективность и надежность.

flowchart TD
    subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"]
      Metal["Металлическая пластина
(соединена со Стоком)"] direction TB subgraph Pins["Выводы"] direction LR G["1
Затвор
(Gate)"] --- D["2
Сток
(Drain)"] --- S["3
Исток
(Source)"] end Metal --- Pins end classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px class G,D,S pin

1.1 Назначение выводов

Вывод Обозначение Функция
1 G (Gate) Затвор — управляет проводимостью транзистора
2 D (Drain) Сток — подключение к нагрузке, металлическая пластина (радиатор) соединена с этим выводом
3 S (Source) Исток — подключается к земле или отрицательному полюсу

Металлическая пластина корпуса TO-220 электрически соединена со стоком (Drain). При монтаже на радиатор используйте изоляционную прокладку и термопасту, если радиатор не должен иметь электрического соединения со стоком.

2. Базовые схемы подключения

2.1 Схема коммутации резистивной нагрузки

flowchart TB
    VDD["Источник питания
(до 400В)"] --> LOAD["Нагрузка
(лампа, нагреватель)"] LOAD --> D["D (Сток)"] subgraph IRF740["IRF740"] D --- G["G (Затвор)"] D --- S["S (Исток)"] end MCU["Управляющий сигнал
(микроконтроллер, 10-15В)"] -- "Через резистор
100-470 Ом" --> G S --> GND["GND (Земля)"] R_GS["Резистор
10-20 кОм"] --- G R_GS --- S

Эта схема используется для коммутации резистивных нагрузок, таких как лампы накаливания, нагревательные элементы и т.д. Принцип работы:

  1. При подаче высокого уровня (10-15В) на затвор транзистор открывается, и ток протекает через нагрузку.
  2. При низком уровне на затворе транзистор закрывается, и нагрузка выключается.
  3. Резистор между затвором и управляющим сигналом ограничивает ток заряда/разряда ёмкости затвора.
  4. Резистор между затвором и истоком (10-20 кОм) обеспечивает надёжное закрытие транзистора при отсутствии сигнала.

2.2 Схема коммутации индуктивной нагрузки

flowchart TB
    VDD["Источник питания
(до 400В)"] --> LOAD["Индуктивная нагрузка
(двигатель, реле, соленоид)"] LOAD --> D["D (Сток)"] subgraph IRF740["IRF740"] D --- G["G (Затвор)"] D --- S["S (Исток)"] end MCU["Управляющий сигнал
(микроконтроллер, 10-15В)"] -- "Через резистор
100-470 Ом" --> G S --> GND["GND (Земля)"] R_GS["Резистор
10-20 кОм"] --- G R_GS --- S D_PROT["Защитный диод
(напр. 1N4007)"] -. "Катод" .-> VDD D_PROT -. "Анод" .-> D

Эта схема предназначена для коммутации индуктивных нагрузок, таких как двигатели, реле, соленоиды. Особенности:

  • Дополнительный защитный диод (например, 1N4007) подключён параллельно нагрузке.
  • Диод защищает транзистор от обратных напряжений, возникающих при выключении индуктивной нагрузки.
  • Катод диода подключён к источнику питания, анод — к стоку транзистора.
При коммутации индуктивных нагрузок ВСЕГДА используйте защитный диод! Без него обратное напряжение может превысить допустимое значение V_DSS (400В) и повредить транзистор.

3. Расчёты и параметры

3.1 Расчёт мощности

Мощность, рассеиваемая транзистором, рассчитывается по формуле:

P = I_D² × R_DS(on) где: P - мощность, рассеиваемая (Вт) I_D - ток стока (А) R_DS(on) - сопротивление в открытом состоянии (0.55 Ом макс.)

Пример: при токе 5А мощность рассеивания составляет:

P = 5² × 0.55 = 13.75 Вт

Максимальная рассеиваемая мощность IRF740 составляет 125 Вт при 25°C, но уменьшается на 1 Вт на каждый градус повышения температуры корпуса.

3.2 Требования к охлаждению

Для работы с высокими токами необходимо установить радиатор. Размер радиатора рассчитывается, исходя из:

R_th(HS) = (T_max - T_amb) / P - R_th(j-c) - R_th(c-hs) где: R_th(HS) - тепловое сопротивление радиатора (°C/Вт) T_max - максимальная допустимая температура перехода (150°C) T_amb - температура окружающей среды (обычно 25°C) P - рассеиваемая мощность (Вт) R_th(j-c) - тепловое сопротивление переход-корпус (1°C/Вт для IRF740) R_th(c-hs) - тепловое сопротивление корпус-радиатор (обычно 0.5-1°C/Вт с термопастой)
Для токов больше 5А или при длительной работе на полной мощности рекомендуется использовать радиатор с тепловым сопротивлением не более 3°C/Вт.

4. Пошаговая инструкция подключения

4.1 Необходимые материалы и инструменты

  • Транзистор IRF740 в корпусе TO-220
  • Радиатор соответствующего размера (при необходимости)
  • Изоляционная прокладка и термопаста (для изолированного монтажа)
  • Резисторы: 100-470 Ом (для затвора), 10-20 кОм (между затвором и истоком)
  • Защитный диод (1N4007 или аналогичный) для индуктивных нагрузок
  • Паяльник и припой
  • Бокорезы и пинцет
  • Отвёртка (для монтажа на радиатор)

4.2 Процесс монтажа и подключения

  1. Подготовка транзистора:
    • Проверьте целостность транзистора и отсутствие видимых повреждений.
    • Идентифицируйте выводы (Затвор, Сток, Исток) согласно схеме.
  2. Монтаж на радиатор (если нужно):
    • Нанесите тонкий слой термопасты на заднюю металлическую часть транзистора.
    • Разместите изоляционную прокладку между транзистором и радиатором.
    • Закрепите транзистор на радиаторе с помощью винта. Не перетягивайте!
    • Проверьте изоляцию между стоком и радиатором с помощью мультиметра, если это необходимо.
  3. Подключение резистивной нагрузки:
    • Подключите нагрузку между источником питания и стоком транзистора.
    • Припаяйте резистор 100-470 Ом между источником управляющего сигнала и затвором.
    • Припаяйте резистор 10-20 кОм между затвором и истоком.
    • Подключите исток транзистора к земле.
  4. Для индуктивной нагрузки:
    • Выполните все шаги для резистивной нагрузки.
    • Дополнительно припаяйте защитный диод параллельно нагрузке (катод к плюсу питания, анод к стоку).
  5. Проверка монтажа:
    • Проверьте правильность подключения всех компонентов.
    • Убедитесь в отсутствии коротких замыканий.
    • Проверьте надёжность паяных соединений.
Перед первым подключением к питанию проверьте все соединения дважды. Особенно важно убедиться в отсутствии короткого замыкания между стоком и истоком, а также между затвором и другими выводами.

5. Практические применения

5.1 Коммутация мощной нагрузки через микроконтроллер

flowchart TB
    VDD["12-24V"]
    ARD["Arduino
или другой
микроконтроллер"] ARD -- "Pin D9
(PWM)" --> R1["R1
220 Ом"] R1 --> G["G"] subgraph IRF740["IRF740"] G --- D["D"] G --- S["S"] end VDD --> LOAD["Нагрузка
(лампа, мотор)"] LOAD --> D S --> GND["GND"] R2["R2
10 кОм"] --- G R2 --- S D_PROT["1N4007"] -. "опционально
для мотора" .-> VDD D_PROT -. "опционально
для мотора" .-> D

Эта схема позволяет управлять мощной нагрузкой от низковольтного микроконтроллера:

  • Микроконтроллер (например, Arduino) генерирует сигнал на выводе D9 (можно использовать PWM для регулировки мощности).
  • Резистор R1 (220 Ом) ограничивает ток затвора.
  • Резистор R2 (10 кОм) обеспечивает надёжное закрытие транзистора при низком уровне сигнала.
  • При управлении моторами обязательно добавьте защитный диод.

5.2 Использование в источниках питания

IRF740 часто используется в DC/DC преобразователях и импульсных источниках питания:

  • Высокий рабочий ток (10А) позволяет использовать его в мощных схемах.
  • Быстрое переключение (t_on = 17 нс, t_off = 10 нс) обеспечивает эффективную работу на высоких частотах.
  • Высокое напряжение пробоя (400В) позволяет использовать транзистор в схемах с высоким входным напряжением.
При работе на высоких частотах (>100 кГц) обращайте внимание на ёмкость затвора (C_iss = 1400 пФ). Используйте специализированные драйверы затворов для эффективного перезаряда этой ёмкости.

6. Меры предосторожности и рекомендации

6.1 Тепловой режим

  • Максимальная рассеиваемая мощность (125 Вт) достигается только при температуре корпуса 25°C.
  • Для каждого градуса выше 25°C снижайте максимальную мощность на 1 Вт.
  • Используйте радиатор при работе с токами больше 2-3 А.
  • Для улучшения теплового контакта применяйте термопасту между транзистором и радиатором.

6.2 Защита от перенапряжения

  • Не превышайте максимальное напряжение сток-исток (V_DSS = 400 В).
  • При коммутации индуктивных нагрузок обязательно используйте защитный диод.
  • Напряжение затвор-исток не должно превышать ±20 В.

6.3 Управление затвором

  • Для полного открытия транзистора подавайте напряжение на затвор не менее 10 В.
  • Используйте резистор между затвором и источником управляющего сигнала для ограничения тока зарядки ёмкости затвора.
  • Для надёжного закрытия транзистора в состоянии покоя установите резистор 10-20 кОм между затвором и истоком.
IRF740 не имеет внутренней защиты от статического электричества. При монтаже используйте антистатические меры безопасности, включая заземлённый браслет. Перед подключением транзистора к схеме убедитесь, что питание выключено.

7. Устранение неисправностей

Проблема Возможная причина Решение
Транзистор не включается Недостаточное напряжение на затворе Убедитесь, что напряжение на затворе не менее 10В
Транзистор перегревается Недостаточное охлаждение, слишком большой ток Установите больший радиатор, уменьшите ток нагрузки
Повреждение при коммутации индуктивной нагрузки Отсутствие защитного диода Добавьте защитный диод параллельно нагрузке
Некорректная работа на высоких частотах Большое время переключения из-за ёмкости затвора Используйте специальный драйвер затвора
Спонтанное включение/выключение Наведение помех на затвор Добавьте резистор между затвором и истоком (10-20 кОм)
Если транзистор повреждён, он часто переходит в состояние короткого замыкания между стоком и истоком. Проверить это можно мультиметром в режиме проверки диодов или сопротивления.

8. Примеры практических схем

8.1 Регулирование скорости DC-мотора с PWM

// Пример кода Arduino для PWM-регулирования скорости мотора через IRF740 const int pwmPin = 9; // PWM выход для управления затвором IRF740 void setup() { pinMode(pwmPin, OUTPUT); } void loop() { // Плавное увеличение скорости for (int speed = 0; speed <= 255; speed++) { analogWrite(pwmPin, speed); delay(20); } // Максимальная скорость в течение 2 секунд delay(2000); // Плавное уменьшение скорости for (int speed = 255; speed >= 0; speed--) { analogWrite(pwmPin, speed); delay(20); } // Пауза при выключенном моторе delay(1000); }

8.2 Управление нагревательным элементом

flowchart LR
    AC["AC 220V"] --> BR["Диодный мост
выпрямитель"] BR --> CAP["Фильтрующий
конденсатор"] CAP --> HEAT["Нагревательный
элемент"] HEAT --> D["D"] subgraph IRF740["IRF740"] D --- G["G"] D --- S["S"] end OPT["Оптопара
(например, PC817)"] --> R1["R1
220 Ом"] R1 --> G S --> GND["GND"] MCU["Микроконтроллер"] --> OPT R2["R2
10 кОм"] --- G R2 --- S

Эта схема позволяет безопасно управлять нагревательным элементом, отделяя силовую часть от низковольтной управляющей с помощью оптопары:

  • Микроконтроллер управляет светодиодом оптопары.
  • Фототранзистор оптопары управляет затвором IRF740.
  • IRF740 коммутирует постоянный ток для нагревательного элемента.
  • Оптопара обеспечивает электрическую изоляцию между низковольтной и высоковольтной частями.

9. Дополнительные рекомендации

9.1 Выбор резисторов

  • Резистор затвора (между управляющим сигналом и затвором):
    • Типичные значения: 100-470 Ом
    • Меньшее сопротивление: быстрее переключение, но больше токовые импульсы
    • Большее сопротивление: меньшие токовые импульсы, но медленнее переключение
  • Подтягивающий резистор (между затвором и истоком):
    • Типичные значения: 10-20 кОм
    • Обеспечивает надёжное закрытие транзистора при отсутствии сигнала
    • Уменьшает чувствительность к наведённым помехам

9.2 Выбор защитных диодов

  • Для большинства применений подойдёт диод 1N4007 (1000В/1A).
  • Для мощных нагрузок используйте диоды с большим током, например, MUR1560 (600В/15A).
  • Для высокочастотных применений используйте быстрые диоды с временем восстановления менее 100 нс.
Для улучшения производительности коммутации индуктивных нагрузок (особенно на высоких частотах) добавьте RC-цепочку (снаббер) параллельно транзистору. Типичные значения: резистор 100 Ом последовательно с конденсатором 0.01-0.1 мкФ.
Важное замечание: Мы приложили усилия, чтобы эта инструкция была точной и полезной. Однако эта инструкция предоставляется как справочный материал. Электронные компоненты могут иметь вариации, а схемы подключения зависят от конкретных условий и вашего оборудования. Эта информация предоставляется "как есть", без гарантий полноты или безошибочности. Настоятельно рекомендуем проверять спецификации вашего модуля (datasheet), сверяться с другими источниками и, при малейших сомнениях, обращаться к квалифицированным специалистам, особенно при работе с напряжением 220В.

Продовжимо солов'їною?

Оберіть мову