Транзистор IRF540N корпус TO-220

Країна-виробник: Китай Код товару: 5569

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки 0

Питання0

В наявності

Код товару: 5569

16.00 грн

Знайшли дешевше?

Полярність:N-канальний MOSFET

Тип корпусу:TO-220

Доставка

Новою Поштою у відділення та поштомати

від 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фіксована 49грн

Укрпоштою у відділення по Україні

від 45 ₴

Meest Express

від 60 ₴

Оплата

Оплата карткою

Переказ на картку

Оплата на IBAN

Безготівковий розрахунок

Післяплата

Гарантійні положення

Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються

Транзистор IRF540N корпус TO-220

Код товару: 5569

16.00 грн

Опис

Транзистор IRF540N TO-220

IRF540N — N-канальний силовий MOSFET у корпусі TO-220AB, призначений для високопотужного перемикання з низькими втратами завдяки малому опору каналу у відкритому стані.

Основні переваги

Низький RDS(on)

Опір каналу у відкритому стані до 44 мОм при VGS = 10 В забезпечує менші втрати потужності та нагрів.

Висока струмова здатність

Безперервний струм стоку до 33 А (TC = 25°C) для роботи з потужними навантаженнями.

Широкий діапазон температур

Робоча температура переходу від −55°C до +175°C підвищує надійність в жорстких умовах.

Avalanche/динамічна міцність

Повна avalanche-стійкість та допустима швидкість відновлення діода dv/dt до 7 В/нс для індуктивних навантажень (за умовами даташиту).

Ключові характеристики

Тип:	N-канальний MOSFET (HEXFET)
VDS (макс):	100 В
ID (безперервний, TC = 25°C):	33 А
ID (TC = 100°C):	23 А
RDS(on) (макс, VGS = 10 В):	44 мОм
VGS (макс):	±20 В
PD (TC = 25°C):	130 Вт
Діапазон температур переходу:	−55…+175 °C
Тепловий опір RθJC:	1.15 °C/Вт (тип. до корпусу)
Корпус:	TO-220AB
Виводи (TO-220AB):	1 — Gate, 2 — Drain, 3 — Source, вкладка — Drain

Детальні технічні параметри

Пульсований струм стоку IDM: до 110 А (умови в даташиті).
Допустима швидкість відновлення діода dv/dt: 7 В/нс (типовий тест із даташиту).
Струм avalanche IAR: 16 А; повторювана енергія avalanche EAR: 13 мДж.
Температура пайки (10 с, 1.6 мм від корпусу): 300 °C.
Порогова напруга затвора VGS(th): 2…4 В (ID = 250 мкА).

Примітка: параметри базуються на документації International Rectifier для IRF540NPbF (TO-220AB). Джерело: International Rectifier / Infineon Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

Перемикальні джерела живлення (SMPS), інвертори та перетворювачі.
Керування двигунами постійного струму та силові ключі.
Комутатори навантажень до 100 В, реле на MOSFET.
Імпульсні та захисні ланцюги з індуктивними навантаженнями.

Сумісні позначення та альтернативи

Варіанти цієї ж серії з аналогічними електропараметрами в інших корпусах: IRF540NS (D2PAK, SMD) та IRF540NL (TO‑262/I2PAK). Для прямої заміни вимагається перевірка теплових умов і розводки плати за відповідними даташитами.

Питання-відповіді (FAQ)

Чи можна керувати IRF540N безпосередньо від 5 В логіки?

Даташит гарантує RDS(on) лише при VGS = 10 В. За 5 В MOSFET може не відкритися повністю, що призведе до підвищених втрат. Рекомендовано застосовувати драйвер затвора або логік-рівневі MOSFET-и (серія IRL) за необхідності керування від 5 В.

Чи підходить для індуктивних навантажень (котушки, двигуни)?

Так, пристрій має avalanche-рейтинги (IAR/EAR) та тест dv/dt згідно даташиту. Необхідно передбачити схеми захисту (діод, снабери) та дотримуватися умов SOA з документації.

Який радіатор обрати для великих струмів?

Орієнтуйтеся на тепловий опір RθJC ≈ 1.15 °C/Вт і втрати P = I²·RDS(on) з урахуванням реальної VGS та температури. Далі підбирайте радіатор за сумарним тепловим опором до навколишнього середовища з запасом.

Характеристики

Основні

Полярність

N-канальний MOSFET

Тип корпусу

TO-220

Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.