Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
[email protected]
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

IRF540N транзистор корпус TO-220

Страна-производитель: Китай Код товара: 5569
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы0
IRF540N транзистор корпус TO-220
Есть в наличии
Код товара: 5569
16.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Полярность:N-канальный MOSFET
Тип корпуса:TO-220
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы
Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине
Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express
Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
IRF540N транзистор корпус TO-220
Код товара: 5569
16.00 грн
Описание

Транзистор IRF540N TO-220

IRF540N — N-канальный силовой MOSFET в корпусе TO-220AB, предназначен для высокомощного переключения с низкими потерями благодаря малому сопротивлению канала в открытом состоянии.

Основные преимущества

Низкий RDS(on)

Сопротивление канала в открытом состоянии до 44 мОм при VGS = 10 В обеспечивает меньшие потери мощности и нагрев.

Высокая токовая способность

Непрерывный ток стока до 33 А (TC = 25°C) для работы с мощными нагрузками.

Широкий диапазон температур

Рабочая температура перехода от −55°C до +175°C повышает надежность в жестких условиях.

Avalanche/динамическая стойкость

Полная avalanche-стойкость и допустимая скорость восстановления диода dv/dt до 7 В/нс для индуктивных нагрузок (по условиям даташита).

Ключевые характеристики

Тип:N-канальный MOSFET (HEXFET)
VDS (макс):100 В
ID (непрерывный, TC = 25°C):33 А
ID (TC = 100°C):23 А
RDS(on) (макс, VGS = 10 В):44 мОм
VGS (макс):±20 В
PD (TC = 25°C):130 Вт
Диапазон температур перехода:−55…+175 °C
Тепловое сопротивление RθJC:1.15 °C/Вт (тип., к корпусу)
Корпус:TO-220AB
Выводы (TO-220AB):1 — Gate, 2 — Drain, 3 — Source, вкладка — Drain

Детальные технические параметры

  • Импульсный ток стока IDM: до 110 А (условия в даташите).
  • Допустимая скорость восстановления диода dv/dt: 7 В/нс (типовой тест из даташита).
  • Ток avalanche IAR: 16 А; повторяющаяся энергия avalanche EAR: 13 мДж.
  • Температура пайки (10 с, 1.6 мм от корпуса): 300 °C.
  • Пороговое напряжение затвора VGS(th): 2…4 В (ID = 250 мкА).
Примечание: параметры основаны на документации International Rectifier для IRF540NPbF (TO-220AB). Источник: International Rectifier / Infineon Datasheet (PDF).

Основные области применения

  • Коммутационные источники питания (SMPS), инверторы и преобразователи.
  • Управление двигателями постоянного тока и силовые ключи.
  • Коммутаторы нагрузок до 100 В, реле на MOSFET.
  • Импульсные и защитные цепи с индуктивными нагрузками.

Совместимые обозначения и альтернативы

Варианты этой же серии с аналогичными электропараметрами в других корпусах: IRF540NS (D2PAK, SMD) и IRF540NL (TO‑262/I2PAK). Для прямой замены требуется проверка тепловых условий и разводки платы по соответствующим даташитам.

Вопросы-ответы (FAQ)

Можно ли управлять IRF540N непосредственно от логики 5 В?

Даташит гарантирует RDS(on) только при VGS = 10 В. При 5 В MOSFET может не открыться полностью, что приведет к повышенным потерям. Рекомендуется применять драйвер затвора или логик-уровневые MOSFET-ы (серия IRL) при необходимости управления от 5 В.

Подходит ли для индуктивных нагрузок (катушки, двигатели)?

Да, устройство имеет avalanche-рейтинги (IAR/EAR) и тест dv/dt согласно даташиту. Необходимо предусмотреть схемы защиты (диод, снабберы) и соблюдать условия SOA из документации.

Какой радиатор выбрать для больших токов?

Ориентируйтесь на тепловое сопротивление RθJC ≈ 1.15 °C/Вт и потери P = I²·RDS(on) с учетом реального VGS и температуры. Далее подбирайте радиатор по суммарному тепловому сопротивлению до окружающей среды с запасом.

Характеристики
Основные
Полярность
N-канальный MOSFET
Тип корпуса
TO-220
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Продовжимо солов'їною?

Оберіть мову