Транзистор IRF530N корпус TO-220

Країна-виробник: Китай Код товару: 5568

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки 0

Питання0

В наявності

Код товару: 5568

16.00 грн

Знайшли дешевше?

Полярність:N-канальний MOSFET

Тип корпусу:TO-220

Доставка

Новою Поштою у відділення та поштомати

від 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фіксована 49грн

Укрпоштою у відділення по Україні

від 45 ₴

Meest Express

від 60 ₴

Оплата

Оплата карткою

Переказ на картку

Оплата на IBAN

Безготівковий розрахунок

Післяплата

Гарантійні положення

Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються

Транзистор IRF530N корпус TO-220

Код товару: 5568

16.00 грн

Опис

IRF530N TO-220

N-канальний MOSFET 100 В у корпусі TO‑220AB (TrenchMOS), призначений для перетворювачів DC‑DC та імпульсних джерел живлення; забезпечує до 17 А та низький опір каналу.

Основні переваги

Низький опір каналу

R_DS(on) до 110 мΩ при V_GS=10 В, I_D=9 А — менші втрати на провідність.

Швидке перемикання

Типові часи: t_d(on)≈6 нс, t_r≈36 нс, t_d(off)≈18 нс, t_f≈12 нс — придатний для високочастотних схем.

Високі температурні межі

Робочий діапазон −55…+175 °C, що підвищує надійність у складних умовах.

Ефективний теплообмін

Низька теплова опірність корпусу R_{th j‑mb}=1.9 K/Вт для кращого відведення тепла.

Ключові характеристики

Тип:	N‑канальний MOSFET (enhancement)
Корпус:	TO‑220AB (SOT78)
V_DSS (макс.):	100 В
I_D (безперервний):	17 А (T_mb=25 °C, V_GS=10 В)
R_DS(on) (макс.):	110 мΩ @ V_GS=10 В, I_D=9 А
P_D (макс.):	79 Вт (T_mb=25 °C)
V_GS (макс.):	±20 В
Поріг V_GS(th):	2…4 В @ I_D=1 мА
R_{th j‑mb} (макс.):	1.9 K/Вт
C_iss (тип.):	633 пФ @ V_DS=25 В, f=1 МГц
Q_g (tot) (макс.):	40 нКл @ I_D=9 А, V_DD=80 В, V_GS=10 В
Діапазон температур:	−55…+175 °C
V_SD діода (тип./макс.):	0.92 В / 1.2 В @ I_F=17 А
t_rr діода (тип.):	55 нс @ I_F=17 А, dI/dt=100 А/мкс, V_R=25 В

Детальні технічні параметри

Пульсуючий струм стоку (макс.): I_DM=68 А (T_mb=25 °C).
Енергія одиночного лавинного пробою (нерепет.): E_AS=150 мДж; піковий лавинний струм I_AS=17 А.
Ємності (тип.): C_iss=633 пФ, C_oss=103 пФ, C_rss=61 пФ @ V_DS=25 В.
Заряд затвора: Q_g(tot)≤40 нКл; складові Q_gs≈5.6 нКл, Q_gd≈19 нКл.
Часи перемикання (тип., R_D=2.7 Ω, V_DD=50 В, V_GS=10 В, R_G=5.6 Ω): t_d(on)≈6 нс, t_r≈36 нс, t_d(off)≈18 нс, t_f≈12 нс.
Розпіновка та вкладка: 1‑Gate, 2‑Drain, 3‑Source; таб (радіаторна пластина) з’єднаний з Drain.
Теплова опірність до повітря (вільне охолодження): R_{th j‑a}≈60 K/Вт (SOT78).
Корпус: TO‑220AB (SOT78); технологія TrenchMOS.

Примітка: параметри базуються на документації Philips Semiconductors для IRF530N. Джерело: Philips Semiconductors Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

Перетворювачі DC‑DC.
Імпульсні джерела живлення (SMPS).

Сумісні позначення та альтернативи

Можлива заміна — IRF530N від інших виробників за умови повної відповідності ключових параметрів (V_DSS, I_D, R_DS(on), корпус) згідно з їхніми даташитами.

Питання-відповіді (FAQ)

Чи підходить для керування від логічних 5 В на затворі?

Параметри R_DS(on) гарантовані для V_GS=10 В; при 5 В опір буде вищим. Для точної оцінки використовуйте графіки залежності R_DS(on) від I_D та V_GS у даташиті.

Яка гранична потужність і за яких умов?

Максимальна розсіювана потужність становить 79 Вт при T_mb=25 °C; за вищих температур необхідний дерейтинг згідно характеристик.

Яка розпіновка та що підключено до радіатора?

Виводи: 1‑Gate, 2‑Drain, 3‑Source; вкладка/радіатор корпусу з’єднана з Drain.

Характеристики

Основні

Полярність

N-канальний MOSFET

Тип корпусу

TO-220

Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.