IRF530N транзистор корпус TO-220

Страна-производитель: Китай Код товара: 5568

Все о товаре

Описание

Характеристики

Отзывы 0

Вопросы0

Есть в наличии

Код товара: 5568

16.00 грн

Нашли дешевле?

Полярность:N-канальный MOSFET

Тип корпуса:TO-220

Доставка

Новой почтой в отделения и почтоматы

от 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фиксировано 49 грн

Укрпочтой в отделение по Украине

от 45 ₴

Meest Express

от 60 ₴

Оплата

Оплата картой

Перевод на карточку

Оплата на IBAN

Безналичный расчет

Наложенный платеж

Гарантийные положения

Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются

IRF530N транзистор корпус TO-220

Код товара: 5568

16.00 грн

Описание

IRF530N TO-220

N-канальный MOSFET 100 В в корпусе TO‑220AB (TrenchMOS), предназначен для преобразователей DC‑DC и импульсных источников питания; обеспечивает до 17 А и низкое сопротивление канала.

Основные преимущества

Низкое сопротивление канала

R_DS(on) до 110 мΩ при V_GS=10 В, I_D=9 А — меньшие потери проводимости.

Быстрое переключение

Типовые времена: t_d(on)≈6 нс, t_r≈36 нс, t_d(off)≈18 нс, t_f≈12 нс — подходит для высокочастотных схем.

Высокие температурные пределы

Рабочий диапазон −55…+175 °C, что повышает надежность в сложных условиях.

Эффективный теплоотвод

Низкое тепловое сопротивление корпуса R_{th j‑mb}=1.9 K/Вт для лучшего отвода тепла.

Ключевые характеристики

Тип:	N‑канальный MOSFET (enhancement)
Корпус:	TO‑220AB (SOT78)
V_DSS (макс.):	100 В
I_D (непрерывный):	17 А (T_mb=25 °C, V_GS=10 В)
R_DS(on) (макс.):	110 мΩ @ V_GS=10 В, I_D=9 А
P_D (макс.):	79 Вт (T_mb=25 °C)
V_GS (макс.):	±20 В
Порог V_GS(th):	2…4 В @ I_D=1 мА
R_{th j‑mb} (макс.):	1.9 K/Вт
C_iss (тип.):	633 пФ @ V_DS=25 В, f=1 МГц
Q_g (tot) (макс.):	40 нКл @ I_D=9 А, V_DD=80 В, V_GS=10 В
Диапазон температур:	−55…+175 °C
V_SD диода (тип./макс.):	0.92 В / 1.2 В @ I_F=17 А
t_rr диода (тип.):	55 нс @ I_F=17 А, dI/dt=100 А/мкс, V_R=25 В

Детальные технические параметры

Импульсный ток стока (макс.): I_DM=68 А (T_mb=25 °C).
Энергия одиночного лавинного пробоя (нерепет.): E_AS=150 мДж; пиковый лавинный ток I_AS=17 А.
Емкости (тип.): C_iss=633 пФ, C_oss=103 пФ, C_rss=61 пФ @ V_DS=25 В.
Заряд затвора: Q_g(tot)≤40 нКл; составляющие Q_gs≈5.6 нКл, Q_gd≈19 нКл.
Времена переключения (тип., R_D=2.7 Ω, V_DD=50 В, V_GS=10 В, R_G=5.6 Ω): t_d(on)≈6 нс, t_r≈36 нс, t_d(off)≈18 нс, t_f≈12 нс.
Распиновка и вкладка: 1‑Gate, 2‑Drain, 3‑Source; tab (радиаторная пластина) соединён с Drain.
Тепловое сопротивление к воздуху (свободное охлаждение): R_{th j‑a}≈60 K/Вт (SOT78).
Корпус: TO‑220AB (SOT78); технология TrenchMOS.

Примечание: параметры основаны на документации Philips Semiconductors для IRF530N. Источник: Philips Semiconductors Datasheet (PDF).

Основные области применения

Преобразователи DC‑DC.
Импульсные источники питания (SMPS).

Совместимые обозначения и альтернативы

Возможная замена — IRF530N от других производителей при условии полного соответствия ключевых параметров (V_DSS, I_D, R_DS(on), корпус) согласно их даташитам.

Вопросы-ответы (FAQ)

Подходит ли для управления от логических 5 В на затворе?

Параметры R_DS(on) гарантированы для V_GS=10 В; при 5 В сопротивление будет выше. Для точной оценки используйте графики зависимости R_DS(on) от I_D и V_GS в даташите.

Какова предельная мощность и при каких условиях?

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 79 Вт при T_mb=25 °C; при более высоких температурах необходим дерейтинг согласно характеристикам.

Какова распиновка и что подключено к радиатору?

Выводы: 1‑Gate, 2‑Drain, 3‑Source; вкладка/радиатор корпуса соединена с Drain.

Характеристики

Основные

Полярность

N-канальный MOSFET

Тип корпуса

TO-220

Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы

Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.