

Потужний N-канальний HEXFET MOSFET на 55 В з дуже низьким опором каналу 8 мОм і максимально допустимим струмом до 110 А у корпусі TO‑220AB; придатний для швидкого перемикання та роботи до 175°C.
RDS(on) всього 8.0 мОм при VGS = 10 В, ID = 62 А — менші втрати на провідність.
Безперервний струм стоку до 110 А (TC = 25°C) та імпульсний до 390 А.
Повністю аваланшований, з типовою енергією одиночної лавини до 1050 мДж.
Типові часи: затримка вмикання 14 нс, наростання 101 нс, затримка вимикання 50 нс, спадання 65 нс.
Тип: | N-канальний HEXFET MOSFET |
---|---|
Корпус: | TO-220AB |
VDS (макс.): | 55 В |
ID (TC = 25°C): | 110 А |
ID (TC = 100°C): | 80 А |
IDM (імпульсний): | 390 А |
RDS(on): | 8.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
VGS (макс.): | ±20 В |
VGS(th) (поріг): | 2.0–4.0 В |
gfs (транскондуктивність): | 44 С (VDS = 25 В, ID = 62 А) |
PD (TC = 25°C): | 200 Вт |
TJ (діапазон): | -55…+175°C |
RθJC: | 0.75 °C/Вт (макс.) |
RθJA: | 62 °C/Вт (макс.) |
Qg (заряд затвора): | 146 нКл (макс.) |
Qgd / Qgs: | 54 нКл / 35 нКл (макс.) |
Ciss / Coss / Crss: | 3247 пФ / 781 пФ / 211 пФ (тип.) |
td(on) / tr: | 14 нс / 101 нс (тип.) |
td(off) / tf: | 50 нс / 65 нс (тип.) |
Енергія лавини EAS: | тип. 1050 мДж; розрахункове 264 мДж (IAS = 62 А, L = 138 мкГн) |
dv/dt пікове (діод): | 5.0 В/нс |
Діод: VSD / trr / Qrr: | 1.3 В (IS = 62 А), 69–104 нс, 143–215 нКл |
55 В.
RDS(on) = 8.0 мОм при VGS = 10 В та ID = 62 А.
PD = 200 Вт (TC = 25°C); робоча температура переходу TJ від -55°C до +175°C.
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.
N-канальний MOSFET силовий транзистор корпус TO-220
Транзистор IRF3205
має корпус TO-220 із трьома виводами, які розташовані наступним чином (якщо дивитися на лицьову сторону транзистора з написами, виводи внизу):
flowchart TD subgraph TO220["Корпус TO-220 (вигляд спереду)"] Metal["Металева пластина
(з'єднана зі Стоком)"] direction TB subgraph Pins["Виводи"] direction LR G["1
Затвор
(Gate)"] --- D["2
Стік
(Drain)"] --- S["3
Витік
(Source)"] end Metal --- Pins end classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px class G,D,S pin
Транзистор IRF3205
є N-канальним MOSFET і зазвичай використовується для комутації навантаження. Базова схема виглядає так:
flowchart TD VDD["+ Живлення (V_DD)"] --> Load["Навантаження"] Load --> D["Стік (Drain) IRF3205"] G["Затвор (Gate) IRF3205"] --> RG["Резистор затвора R_G (10-47 Ом)"] RG --> Signal["Керуючий сигнал (Мікроконтролер)"] D --> S["Витік (Source) IRF3205"] S --> GND["Земля (GND)"] G --> Rpd["Захисний резистор 10 кОм"] Rpd --> S %% Захисний діод для індуктивного навантаження Diode["Діод (1N4007)"] --> VDD D --> Diode
Резистор затвора обмежує пікові струми при перемиканні та захищає затвор.
При ємності затвора 3250 пФ для швидкого перемикання рекомендується значення резистора ближче до 10-47 Ом.
При підключенні індуктивних навантажень (двигунів, реле, соленоїдів) необхідно використовувати додатковий захист.
flowchart TD VDD["+ Живлення (V_DD)"] --> Motor["Двигун"] Motor --> D["Стік (Drain) IRF3205"] G["Затвор (Gate) IRF3205"] --> RG["Резистор 10-47 Ом"] RG --> MCU["Вихід мікроконтролера"] D --> S["Витік (Source) IRF3205"] S --> GND1["Земля (GND)"] G --> Rpd["Резистор 10 кОм"] Rpd --> S %% Захисний діод Diode["Діод 1N4007"] --> VDD D --> Diode %% Підключення живлення мікроконтролера MCU_VDD["Живлення MCU"] --> MCU MCU --> GND2["Земля (GND)"]
Компонент | Призначення | Рекомендоване значення |
---|---|---|
Резистор затвор-витік | Захист від випадкового відкриття, утримання закритого стану | 10 кОм |
Резистор затвора | Обмеження струму затвора, зменшення електромагнітних завад | 10-47 Ом |
Захисний діод | Захист від зворотної напруги при вимкненні індуктивного навантаження | 1N4007 або інший швидкий діод |
Для правильної роботи IRF3205 необхідно забезпечити відповідну напругу керування.
Коли на затвор подається високий рівень (10В):
Коли на затвор подається низький рівень (0В):
IRF3205 ідеально підходить для керування потужними двигунами завдяки високому максимальному струму (110А). Використовуйте PWM сигнал на затворі для регулювання швидкості обертання.
Завдяки дуже низькому опору у відкритому стані (8 мОм) та високій розсіюваній потужності (200 Вт), транзистор IRF3205 ефективний для використання в імпульсних джерелах живлення.
Параметр | Значення |
---|---|
Максимальна напруга стік-витік (V_DS) | 55 В |
Максимальна напруга затвор-витік (V_GS) | ±20 В |
Максимальний постійний струм стоку (I_D) при 25°C | 110 A |
Максимальний постійний струм стоку (I_D) при 100°C | 80 A |
Максимальна розсіювана потужність (P_D) | 200 Вт |
Опір у відкритому стані (R_DS(on)) при V_GS=10В | 8 мОм |
Максимальна температура переходу (T_J) | 175°C |