Транзистор IRF3205 корпус TO-220
IRF3205 N-канальний MOSFET TO-220AB
Потужний N-канальний HEXFET MOSFET на 55 В з дуже низьким опором каналу 8 мОм і максимально допустимим струмом до 110 А у корпусі TO‑220AB; придатний для швидкого перемикання та роботи до 175°C.
Основні переваги
RDS(on) всього 8.0 мОм при VGS = 10 В, ID = 62 А — менші втрати на провідність.
Безперервний струм стоку до 110 А (TC = 25°C) та імпульсний до 390 А.
Повністю аваланшований, з типовою енергією одиночної лавини до 1050 мДж.
Типові часи: затримка вмикання 14 нс, наростання 101 нс, затримка вимикання 50 нс, спадання 65 нс.
Ключові характеристики
| Тип: | N-канальний HEXFET MOSFET |
|---|---|
| Корпус: | TO-220AB |
| VDS (макс.): | 55 В |
| ID (TC = 25°C): | 110 А |
| ID (TC = 100°C): | 80 А |
| IDM (імпульсний): | 390 А |
| RDS(on): | 8.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
| VGS (макс.): | ±20 В |
| VGS(th) (поріг): | 2.0–4.0 В |
| gfs (транскондуктивність): | 44 С (VDS = 25 В, ID = 62 А) |
| PD (TC = 25°C): | 200 Вт |
| TJ (діапазон): | -55…+175°C |
| RθJC: | 0.75 °C/Вт (макс.) |
| RθJA: | 62 °C/Вт (макс.) |
| Qg (заряд затвора): | 146 нКл (макс.) |
| Qgd / Qgs: | 54 нКл / 35 нКл (макс.) |
| Ciss / Coss / Crss: | 3247 пФ / 781 пФ / 211 пФ (тип.) |
| td(on) / tr: | 14 нс / 101 нс (тип.) |
| td(off) / tf: | 50 нс / 65 нс (тип.) |
| Енергія лавини EAS: | тип. 1050 мДж; розрахункове 264 мДж (IAS = 62 А, L = 138 мкГн) |
| dv/dt пікове (діод): | 5.0 В/нс |
| Діод: VSD / trr / Qrr: | 1.3 В (IS = 62 А), 69–104 нс, 143–215 нКл |
Детальні технічні параметри
- Безперервний струм стоку розраховано за максимально допустимою температурою переходу; обмеження пакета для безперервного струму — 75 А (примітка до даташиту).
- Вбудований зворотний діод: безперервний струм IS до 110 А; імпульсний ISM до 390 А.
- Внутрішні індуктивності: LD ≈ 4.5 нГн, LS ≈ 7.5 нГн (типові значення).
- Теплові параметри: RθJC ≤ 0.75 °C/Вт; RθCS (з мастилом) ≈ 0.50 °C/Вт; RθJA ≤ 62 °C/Вт.
- Діапазон температур роботи переходу: від -55°C до +175°C.
- Монтаж: рекомендований момент затягування гвинта 6‑32 або M3 — 10 lbf·in (≈1.1 Н·м).
Основні сфери застосування
- Силова комутація в низьковольтних (до 55 В) перетворювачах.
- Імпульсні та ключові каскади з високими струмами.
- Комутація індуктивних навантажень із допуском на лавинні режими.
- Загальнопромислові застосування, де потрібні швидке перемикання та низькі втрати.
Сумісні позначення та альтернативи
Питання-відповіді (FAQ)
55 В.
RDS(on) = 8.0 мОм при VGS = 10 В та ID = 62 А.
PD = 200 Вт (TC = 25°C); робоча температура переходу TJ від -55°C до +175°C.
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.
⚡ Інструкція з підключення транзистора IRF3205
N-канальний MOSFET силовий транзистор корпус TO-220
1. Ідентифікація виводів
Транзистор IRF3205 має корпус TO-220 із трьома виводами, які розташовані наступним чином (якщо дивитися на лицьову сторону транзистора з написами, виводи внизу):
flowchart TD
subgraph TO220["Корпус TO-220 (вигляд спереду)"]
Metal["Металева пластина
(з'єднана зі Стоком)"]
direction TB
subgraph Pins["Виводи"]
direction LR
G["1
Затвор
(Gate)"] --- D["2
Стік
(Drain)"] --- S["3
Витік
(Source)"]
end
Metal --- Pins
end
classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px
class G,D,S pin
2. Основна схема підключення
Транзистор IRF3205 є N-канальним MOSFET і зазвичай використовується для комутації навантаження. Базова схема виглядає так:
flowchart TD
VDD["+ Живлення (V_DD)"] --> Load["Навантаження"]
Load --> D["Стік (Drain)
IRF3205"]
G["Затвор (Gate)
IRF3205"] --> RG["Резистор затвора
R_G (10-47 Ом)"]
RG --> Signal["Керуючий сигнал
(Мікроконтролер)"]
D --> S["Витік (Source)
IRF3205"]
S --> GND["Земля (GND)"]
G --> Rpd["Захисний резистор
10 кОм"]
Rpd --> S
%% Захисний діод для індуктивного навантаження
Diode["Діод
(1N4007)"] --> VDD
D --> Diode
3. Вибір резистора затвора (R_G)
Резистор затвора обмежує пікові струми при перемиканні та захищає затвор.
- Оптимальний діапазон: 10-100 Ом
- Для швидкого перемикання: 10-47 Ом
- Для зменшення електромагнітних завад: 47-100 Ом
При ємності затвора 3250 пФ для швидкого перемикання рекомендується значення резистора ближче до 10-47 Ом.
4. Захист затвора та схема з індуктивним навантаженням
При підключенні індуктивних навантажень (двигунів, реле, соленоїдів) необхідно використовувати додатковий захист.
flowchart TD
VDD["+ Живлення (V_DD)"] --> Motor["Двигун"]
Motor --> D["Стік (Drain)
IRF3205"]
G["Затвор (Gate)
IRF3205"] --> RG["Резистор
10-47 Ом"]
RG --> MCU["Вихід
мікроконтролера"]
D --> S["Витік (Source)
IRF3205"]
S --> GND1["Земля (GND)"]
G --> Rpd["Резистор
10 кОм"]
Rpd --> S
%% Захисний діод
Diode["Діод
1N4007"] --> VDD
D --> Diode
%% Підключення живлення мікроконтролера
MCU_VDD["Живлення MCU"] --> MCU
MCU --> GND2["Земля (GND)"]
Компоненти захисту:
| Компонент | Призначення | Рекомендоване значення |
|---|---|---|
| Резистор затвор-витік | Захист від випадкового відкриття, утримання закритого стану | 10 кОм |
| Резистор затвора | Обмеження струму затвора, зменшення електромагнітних завад | 10-47 Ом |
| Захисний діод | Захист від зворотної напруги при вимкненні індуктивного навантаження | 1N4007 або інший швидкий діод |
5. Напруга керування
Для правильної роботи IRF3205 необхідно забезпечити відповідну напругу керування.
- Поріг увімкнення (V_GS(th)): 2.0-4.0В - транзистор починає відкриватись
- Оптимальна напруга керування: 10В - повне відкриття з мінімальним опором
- Максимальна напруга затвор-витік: ±20В - не перевищувати
6. Покрокова інструкція підключення
- Підключіть витік (Source) транзистора IRF3205 до землі (GND).
- З'єднайте стік (Drain) транзистора з одним кінцем навантаження, а інший кінець навантаження — з позитивною напругою живлення (V_DD).
- Підключіть затвор (Gate) через резистор 10-47 Ом до джерела керуючого сигналу (наприклад, виходу мікроконтролера).
- Додайте резистор 10 кОм між затвором та витоком для надійного закриття транзистора у стані спокою.
- Для індуктивного навантаження (двигун, реле) підключіть захисний діод паралельно до навантаження: анод до стоку, катод до V_DD.
- При роботі зі струмом понад 10А встановіть радіатор на транзистор.
7. Принцип роботи схеми
Відкриття транзистора (вмикання навантаження):
Коли на затвор подається високий рівень (10В):
- Між затвором і витоком створюється електричне поле
- В каналі транзистора формується провідний шар
- Транзистор відкривається, дозволяючи струму проходити від стоку до витоку через навантаження
Закриття транзистора (вимикання навантаження):
Коли на затвор подається низький рівень (0В):
- Електричне поле зникає
- Провідний канал закривається
- Транзистор закривається, струм через навантаження припиняється
- Резистор 10 кОм допомагає швидко розрядити ємність затвора
8. Практичні застосування
Керування потужними двигунами:
IRF3205 ідеально підходить для керування потужними двигунами завдяки високому максимальному струму (110А). Використовуйте PWM сигнал на затворі для регулювання швидкості обертання.
Високострумові імпульсні джерела живлення:
Завдяки дуже низькому опору у відкритому стані (8 мОм) та високій розсіюваній потужності (200 Вт), транзистор IRF3205 ефективний для використання в імпульсних джерелах живлення.
9. Обмеження та граничні параметри
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна напруга стік-витік (V_DS) | 55 В |
| Максимальна напруга затвор-витік (V_GS) | ±20 В |
| Максимальний постійний струм стоку (I_D) при 25°C | 110 A |
| Максимальний постійний струм стоку (I_D) при 100°C | 80 A |
| Максимальна розсіювана потужність (P_D) | 200 Вт |
| Опір у відкритому стані (R_DS(on)) при V_GS=10В | 8 мОм |
| Максимальна температура переходу (T_J) | 175°C |