Транзистор IRF3205 корпус TO-220

Name: Транзистор IRF3205 корпус TO-220
Brand: Китай
Price: 29.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Китай Код товару: 5575

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки 0

Питання0

Інструкція

новинка

В наявності

Код товару: 5575

29.00 грн

Знайшли дешевше?

Полярність:N-канальний MOSFET

Тип корпусу:TO-220

Доставка

Новою Поштою у відділення та поштомати

від 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фіксована 49грн

Укрпоштою у відділення по Україні

від 45 ₴

Meest Express

від 60 ₴

Оплата

Оплата карткою

Переказ на картку

Оплата на IBAN

Безготівковий розрахунок

Післяплата

Гарантійні положення

Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються

Транзистор IRF3205 корпус TO-220

29.00 грн

Опис

🔌 IRF3205 транзистор корпус TO-220

N-канальний MOSFET 55В 110А, для Імпульсних Джерел Живлення та Драйверів Потужних Двигунів

Загальний опис

Транзистор IRF3205 – це потужний N-канальний MOSFET, розроблений компанією International Rectifier із застосуванням передової технології HEXFET. Цей силовий транзистор виділяється ультранизьким опором відкритого каналу всього 8 мОм, завдяки чому здатен проводити струми до 110А з мінімальними втратами потужності. IRF3205 поєднує неперевершені характеристики проводимості з високою швидкістю перемикання, що робить його ідеальним рішенням для високоефективних імпульсних джерел живлення, драйверів потужних двигунів, інверторів та систем управління навантаженням. Здатність розсіювати до 200 Вт потужності в корпусі TO-220 з ефективним тепловідводом робить цей транзистор оптимальним вибором для систем, де критично важливі висока продуктивність, мінімальне тепловиділення та надійність при значних навантаженнях.

✅ Технічні переваги:

• Ультранизький опір відкритого каналу – всього 8 мОм при V_GS = 10В, що забезпечує мінімальні втрати потужності та тепловиділення, навіть при комутації струмів понад 60А, підвищуючи ККД всієї системи
• Екстремально високий струм стоку 110А – дозволяє одному транзистору керувати потужними навантаженнями без необхідності паралельного з'єднання, спрощуючи конструкцію та підвищуючи надійність пристроїв потужністю до 5 кВт
• Значна розсіювана потужність 200 Вт – з відповідним радіатором транзистор витримує тривалу роботу під високим навантаженням, забезпечуючи стабільне функціонування в промислових умовах та системах з безперервним циклом
• Оптимальні характеристики перемикання – з часами ввімкнення та вимкнення порядку 100 нс, транзистор ефективно працює в схемах з частотами до 100 кГц, забезпечуючи високу ефективність в імпульсних перетворювачах
• Високопродуктивний зворотний діод – вбудований діод здатен проводити струми до 110А з прямою напругою лише 1.3В, що робить транзистор ідеальним для комутації індуктивних навантажень без додаткових захисних компонентів

🔧 Ідеальне рішення для:

Потужні імпульсні джерела живлення

Високострумові драйвери двигунів

Інвертори для сонячних систем

Системи електрозварювання

Промислові системи автоматизації

Потужні зарядні пристрої

Електромобільний транспорт

Високоефективні підсилювачі класу D

💡 Широкі можливості застосування:

Високоефективні інвертори для сонячних електростанцій – застосуйте IRF3205 у H-мостових схемах для створення потужних інверторів, що перетворюють постійну напругу від сонячних панелей на змінну 220В. Завдяки ультранизькому опору каналу, втрати потужності мінімізуються, а ККД інвертора може досягати 95%+. Можливість комутувати струми до 110А дозволяє створювати компактні перетворювачі потужністю до 3 кВт з використанням лише 4-х транзисторів.
Високострумові драйвери для безколекторних двигунів – розробіть ефективні контролери BLDC-двигунів для електротранспорту та промислової автоматики. Пари IRF3205 у напівмостових конфігураціях забезпечують комутацію напруги до 48В з струмами до 100А при мінімальному нагріванні. Швидке перемикання дозволяє використовувати високі частоти ШІМ (до 50 кГц), що покращує плавність керування та зменшує акустичний шум.
Потужні імпульсні перетворювачі DC-DC – створюйте високоефективні понижуючі (Buck) або підвищуючі (Boost) перетворювачі потужністю до 2 кВт для промислових систем живлення. Малий опір відкритого каналу (8 мОм) забезпечує мінімальні втрати при струмах до 80А, а висока швидкість перемикання дозволяє використовувати частоти до 100 кГц, що зменшує габарити магнітних компонентів та вихідних фільтрів.
Інтелектуальні системи керування акумуляторними батареями – використовуйте IRF3205 для створення високострумових схем балансування та захисту для Li-ion батарей електромобілів та систем накопичення енергії. Транзистор дозволяє реалізувати функції контролю струму заряду/розряду до 100А, захисту від перевантаження та короткого замикання, а також активного балансування між окремими елементами з мінімальними втратами.
Аудіопідсилювачі класу D високої потужності – розробіть високоефективні аудіопідсилювачі потужністю до 1000 Вт для професійного звукового обладнання. Швидкі характеристики перемикання та низька ємність затвора забезпечують чисте підсилення аудіосигналів з мінімальними спотвореннями при частотах ШІМ до 400 кГц. Низький опір каналу мінімізує тепловиділення, що дозволяє створювати компактні системи з пасивним охолодженням.

📦 Детальні технічні характеристики:

Тип транзистора: N-канальний MOSFET
Технологія: HEXFET
Корпус: TO-220
Максимальні параметри:
- Напруга стік-витік (V_DS): 55 В
- Напруга затвор-витік (V_GS): ±20 В
- Струм стоку (I_D): 110 А (при T_C = 25°C), 80 А (при T_C = 100°C)
- Імпульсний струм стоку (I_DM): 390 А
- Розсіювана потужність (P_D): 200 Вт (при T_C = 25°C)
- Температура переходу (T_J): 175°C
Електричні характеристики:
- Опір у відкритому стані (R_DS(on)): 8 мОм (при V_GS = 10 В, I_D = 62 А)
- Поріг увімкнення (V_GS(th)): 2.0–4.0 В
- Струм витоку стоку (I_DSS): ≤ 25 мкА (при V_DS = 55 В, V_GS = 0 В)
- Струм витоку затвора (I_GSS): ±100 нА (при V_GS = ±20 В)
- Вхідна ємність (C_iss): типово 3250 пФ
- Вихідна ємність (C_oss): типово 780 пФ
- Зворотна ємність (C_rss): типово 240 пФ
- Загальний заряд затвора (Q_g): 170 нКл
Часові характеристики перемикання:
- Затримка увімкнення (t_d(on)): 14 нс
- Час наростання (t_r): 101 нс
- Затримка вимкнення (t_d(off)): 50 нс
- Час спадання (t_f): 65 нс
Теплові характеристики:
- Тепловий опір перехід-корпус (R_θJC): 0.75 °C/Вт
- Тепловий опір корпус-радіатор (R_θCS): 0.50 °C/Вт (з теплопровідною пастою)
- Тепловий опір перехід-повітря (R_θJA): 62 °C/Вт (у вільному повітрі)
- Діапазон робочих температур: від -55°C до +175°C
Характеристики вбудованого зворотного діода:
- Максимальний постійний струм (I_S): 110 А
- Максимальний імпульсний струм (I_SM): 390 А
- Пряма напруга діода (V_SD): ≤ 1.3 В (при I_S = 62 А, V_GS = 0 В)
- Час відновлення (t_rr): 127 нс (при I_F = 62 А, di/dt = 100 А/мкс)
Механічні дані:
- Вага: приблизно 2 г
- Розташування виводів: 1 - Затвор (Gate), 2 - Стік (Drain), 3 - Витік (Source)
- Основа корпусу TO-220 з'єднана зі стоком (Drain)

⚠️ Важливі аспекти використання:

Критична необхідність ефективного охолодження – при комутації струмів понад 50А ОБОВ'ЯЗКОВО використовуйте потужний радіатор з активним охолодженням. Хоча транзистор здатен розсіювати до 200 Вт, без адекватного тепловідводу максимальний робочий струм суттєво обмежується. При розрахунку радіатора враховуйте, що при повному навантаженні (110А) і опорі каналу 8 мОм розсіювана потужність становить приблизно P = I² × R = 110² × 0.008 = 97 Вт!
Оптимізація драйвера затвора – для швидкого перемикання високої ємності затвора (3250 пФ) використовуйте спеціалізовані драйвери з піковими струмами не менше 1А. В колі затвора обов'язково встановіть резистор 10-22 Ом для запобігання паразитних коливань. При роботі на високих частотах (>50 кГц) забезпечте швидке розряджання затвора через окремий ланцюг з меншим опором, щоб мінімізувати втрати під час перемикання.
Захист від перенапруг при комутації індуктивних навантажень – незважаючи на наявність вбудованого зворотного діода, при роботі з високоіндуктивними навантаженнями (двигуни, трансформатори) додатково встановіть TVS-діод між стоком і витоком для надійного захисту від перенапруг. Обирайте TVS-діод з напругою стабілізації 58-60В для швидкого обмеження викидів ЕРС самоіндукції, що можуть перевищити максимально допустиму напругу V_DS = 55В.
Паралельне з'єднання для надвисоких струмів – при створенні систем зі струмами понад 100А можна з'єднувати кілька IRF3205 паралельно. Для рівномірного розподілу струму між транзисторами: 1) використовуйте окремі резистори затвора 0.1-0.5 Ом для кожного транзистора; 2) розміщуйте транзистори симетрично на радіаторі з однаковими умовами охолодження; 3) розводка силових доріжок до стоку та витоку повинна бути однакової довжини та перерізу.
Температурна залежність параметрів – при нагріванні транзистора опір відкритого каналу збільшується приблизно на 0.5% на кожен градус понад 25°C. При розрахунках реальних систем враховуйте, що при робочій температурі 100°C опір зростає майже вдвічі відносно номінального. Крім того, зі зростанням температури зменшується максимально допустимий струм (до 80А при 100°C), тому проектуйте систему з запасом по струму мінімум 30-40%.

Транзистор IRF3205 – це ідеальне поєднання екстремально низького опору каналу, високого струму та значної розсіюваної потужності для ваших високонавантажених проєктів. Завдяки своїм видатним характеристикам, цей MOSFET забезпечить максимальну ефективність і надійність у потужних джерелах живлення, інверторах та системах керування двигунами.

ЗАМОВТЕ ЗАРАЗ

#IRF3205 #MOSFET #НизькийОпірКаналу #ДрайверДвигуна #Інвертор #ПотужнаЕлектроніка

Характеристики

Основні

Полярність

N-канальний MOSFET

Тип корпусу

TO-220

Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.

Інструкція

⚡ Інструкція з підключення транзистора IRF3205

N-канальний MOSFET силовий транзистор корпус TO-220

1. Ідентифікація виводів

Транзистор IRF3205 має корпус TO-220 із трьома виводами, які розташовані наступним чином (якщо дивитися на лицьову сторону транзистора з написами, виводи внизу):

flowchart TD
    subgraph TO220["Корпус TO-220 (вигляд спереду)"]
      Metal["Металева пластина
(з'єднана зі Стоком)"]
      direction TB
      
      subgraph Pins["Виводи"]
        direction LR
        G["1
Затвор
(Gate)"] --- D["2
Стік
(Drain)"] --- S["3
Витік
(Source)"]
      end
      
      Metal --- Pins
    end
    
    classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px
    class G,D,S pin

Завжди перевіряйте маркування на корпусі або даташит для точного визначення виводів. У деяких транзисторах розташування виводів може відрізнятися.

2. Основна схема підключення

Транзистор IRF3205 є N-канальним MOSFET і зазвичай використовується для комутації навантаження. Базова схема виглядає так:

flowchart TD
    VDD["+ Живлення (V_DD)"] --> Load["Навантаження"]
    Load --> D["Стік (Drain)
    IRF3205"]
    G["Затвор (Gate)
    IRF3205"] --> RG["Резистор затвора
    R_G (10-47 Ом)"]
    RG --> Signal["Керуючий сигнал
    (Мікроконтролер)"]
    
    D --> S["Витік (Source)
    IRF3205"]
    S --> GND["Земля (GND)"]
    
    G --> Rpd["Захисний резистор
    10 кОм"]
    Rpd --> S
    
    %% Захисний діод для індуктивного навантаження
    Diode["Діод
    (1N4007)"] --> VDD
    D --> Diode

3. Вибір резистора затвора (R_G)

Резистор затвора обмежує пікові струми при перемиканні та захищає затвор.

Рекомендації для вибору резистора затвора:

Оптимальний діапазон: 10-100 Ом
Для швидкого перемикання: 10-47 Ом
Для зменшення електромагнітних завад: 47-100 Ом

При ємності затвора 3250 пФ для швидкого перемикання рекомендується значення резистора ближче до 10-47 Ом.

Для більшості застосувань достатньо резистора 10-47 Ом. При використанні високих частот перемикання або довгих ліній керування рекомендується збільшити значення резистора до 100 Ом.

4. Захист затвора та схема з індуктивним навантаженням

При підключенні індуктивних навантажень (двигунів, реле, соленоїдів) необхідно використовувати додатковий захист.

flowchart TD
    VDD["+ Живлення (V_DD)"] --> Motor["Двигун"]
    Motor --> D["Стік (Drain)
    IRF3205"]
    
    G["Затвор (Gate)
    IRF3205"] --> RG["Резистор
    10-47 Ом"]
    RG --> MCU["Вихід
    мікроконтролера"]
    
    D --> S["Витік (Source)
    IRF3205"]
    S --> GND1["Земля (GND)"]
    
    G --> Rpd["Резистор
    10 кОм"]
    Rpd --> S
    
    %% Захисний діод
    Diode["Діод
    1N4007"] --> VDD
    D --> Diode
    
    %% Підключення живлення мікроконтролера
    MCU_VDD["Живлення MCU"] --> MCU
    MCU --> GND2["Земля (GND)"]

Компоненти захисту:

Компонент	Призначення	Рекомендоване значення
Резистор затвор-витік	Захист від випадкового відкриття, утримання закритого стану	10 кОм
Резистор затвора	Обмеження струму затвора, зменшення електромагнітних завад	10-47 Ом
Захисний діод	Захист від зворотної напруги при вимкненні індуктивного навантаження	1N4007 або інший швидкий діод

5. Напруга керування

Для правильної роботи IRF3205 необхідно забезпечити відповідну напругу керування.

Поріг увімкнення (V_GS(th)): 2.0-4.0В - транзистор починає відкриватись
Оптимальна напруга керування: 10В - повне відкриття з мінімальним опором
Максимальна напруга затвор-витік: ±20В - не перевищувати

При керуванні від мікроконтролера з виходом 3.3В або 5В транзистор відкриється не повністю, що призведе до підвищеного нагрівання. Для повного відкриття рекомендується використовувати драйвер затвора або логічний перетворювач рівнів.

6. Покрокова інструкція підключення

Підключіть витік (Source) транзистора IRF3205 до землі (GND).
З'єднайте стік (Drain) транзистора з одним кінцем навантаження, а інший кінець навантаження — з позитивною напругою живлення (V_DD).
Підключіть затвор (Gate) через резистор 10-47 Ом до джерела керуючого сигналу (наприклад, виходу мікроконтролера).
Додайте резистор 10 кОм між затвором та витоком для надійного закриття транзистора у стані спокою.
Для індуктивного навантаження (двигун, реле) підключіть захисний діод паралельно до навантаження: анод до стоку, катод до V_DD.
При роботі зі струмом понад 10А встановіть радіатор на транзистор.

7. Принцип роботи схеми

Відкриття транзистора (вмикання навантаження):

Коли на затвор подається високий рівень (10В):

Між затвором і витоком створюється електричне поле
В каналі транзистора формується провідний шар
Транзистор відкривається, дозволяючи струму проходити від стоку до витоку через навантаження

Закриття транзистора (вимикання навантаження):

Коли на затвор подається низький рівень (0В):

Електричне поле зникає
Провідний канал закривається
Транзистор закривається, струм через навантаження припиняється
Резистор 10 кОм допомагає швидко розрядити ємність затвора

8. Практичні застосування

Керування потужними двигунами:

IRF3205 ідеально підходить для керування потужними двигунами завдяки високому максимальному струму (110А). Використовуйте PWM сигнал на затворі для регулювання швидкості обертання.

Високострумові імпульсні джерела живлення:

Завдяки дуже низькому опору у відкритому стані (8 мОм) та високій розсіюваній потужності (200 Вт), транзистор IRF3205 ефективний для використання в імпульсних джерелах живлення.

9. Обмеження та граничні параметри

Параметр	Значення
Максимальна напруга стік-витік (V_DS)	55 В
Максимальна напруга затвор-витік (V_GS)	±20 В
Максимальний постійний струм стоку (I_D) при 25°C	110 A
Максимальний постійний струм стоку (I_D) при 100°C	80 A
Максимальна розсіювана потужність (P_D)	200 Вт
Опір у відкритому стані (R_DS(on)) при V_GS=10В	8 мОм
Максимальна температура переходу (T_J)	175°C

Не перевищуйте граничні параметри транзистора. При роботі з високими струмами (понад 10А) обов'язково використовуйте радіатор. Перевірте необхідність ізолюючої прокладки між транзистором та радіатором, оскільки металева основа корпусу TO-220 з'єднана зі стоком.

Важливе зауваження: Ми доклали зусиль, щоб ця інструкція була точною та корисною. Однак, ця інструкція надається як довідковий матеріал. Електронні компоненти можуть мати варіації, а схеми підключення залежать від конкретних умов та вашого обладнання. Ця інформація надається "як є", без гарантій повноти чи безпомилковості. Наполегливо рекомендуємо перевіряти специфікації вашого модуля (datasheet), звірятися з іншими джерелами та, за найменших сумнівів, звертатися до кваліфікованих фахівців, особливо при роботі з напругою 220В.