Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

IRF3205 транзистор корпус TO-220

Страна-производитель: Китай Код товара: 5575
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы0
Инструкция
Есть в наличии
Код товара: 5575
29.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Полярность:N-канальный MOSFET
Тип корпуса:TO-220
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы
Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине
Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express
Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
IRF3205 транзистор корпус TO-220
Код товара: 5575
29.00 грн
Описание

IRF3205 N-канальный MOSFET TO-220AB

Мощный N‑канальный HEXFET MOSFET на 55 В с очень низким сопротивлением канала 8 мОм и максимально допустимым током до 110 А в корпусе TO‑220AB; подходит для быстрого переключения и работы до 175°C.

Основные преимущества

Низкое сопротивление канала

RDS(on) всего 8.0 мОм при VGS = 10 В, ID = 62 А — меньшие потери на проводимость.

Высокая токовая способность

Непрерывный ток стока до 110 А (TC = 25°C) и импульсный до 390 А.

Устойчивость к лавинным режимам

Полностью лавинностойкий, с типичной энергией одиночной лавины до 1050 мДж.

Быстрое переключение

Типовые времена: задержка включения 14 нс, нарастание 101 нс, задержка выключения 50 нс, спадание 65 нс.

Ключевые характеристики

Тип:N-канальный HEXFET MOSFET
Корпус:TO-220AB
VDS (макс.):55 В
ID (TC = 25°C):110 А
ID (TC = 100°C):80 А
IDM (импульсный):390 А
RDS(on):8.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 62 А)
VGS (макс.):±20 В
VGS(th) (порог):2.0–4.0 В
gfs (транскондуктивность):44 С (VDS = 25 В, ID = 62 А)
PD (TC = 25°C):200 Вт
TJ (диапазон):-55…+175°C
RθJC:0.75 °C/Вт (макс.)
RθJA:62 °C/Вт (макс.)
Qg (заряд затвора):146 нКл (макс.)
Qgd / Qgs:54 нКл / 35 нКл (макс.)
Ciss / Coss / Crss:3247 пФ / 781 пФ / 211 пФ (тип.)
td(on) / tr:14 нс / 101 нс (тип.)
td(off) / tf:50 нс / 65 нс (тип.)
Энергия лавины EAS:тип. 1050 мДж; расчётное 264 мДж (IAS = 62 А, L = 138 мкГн)
dv/dt пиковое (диод):5.0 В/нс
Диод: VSD / trr / Qrr:1.3 В (IS = 62 А), 69–104 нс, 143–215 нКл

Детальные технические параметры

  • Непрерывный ток стока рассчитан по максимально допустимой температуре перехода; ограничение корпуса для непрерывного тока — 75 А (примечание к даташиту).
  • Встроенный обратный диод: непрерывный ток IS до 110 А; импульсный ISM до 390 А.
  • Внутренние индуктивности: LD ≈ 4.5 нГн, LS ≈ 7.5 нГн (типовые значения).
  • Тепловые параметры: RθJC ≤ 0.75 °C/Вт; RθCS (со смазкой) ≈ 0.50 °C/Вт; RθJA ≤ 62 °C/Вт.
  • Диапазон температур работы перехода: от -55°C до +175°C.
  • Монтаж: рекомендуемый момент затяжки винта 6‑32 или M3 — 10 lbf·in (≈1.1 Н·м).
Примечание: параметры основаны на документации International Rectifier для IRF3205. Источник: International Rectifier Datasheet (PDF).

Основные области применения

  • Силовая коммутация в низковольтных (до 55 В) преобразователях.
  • Импульсные и ключевые каскады с высокими токами.
  • Коммутация индуктивных нагрузок с допуском на лавинные режимы.
  • Общепромышленные применения, где требуются быстрое переключение и низкие потери.

Совместимые обозначения и альтернативы

Доступны варианты этой же модели в других корпусах: IRF3205SPbF (D2PAK), IRF3205LPbF (TO‑262), а также изолированный вариант IRFI3205 (TO‑220 FullPAK). Выбор зависит от способа монтажа и требований к изоляции.

Вопросы-ответы (FAQ)

Какое максимально допустимое напряжение сток‑исток (VDS)?

55 В.

Каково сопротивление открытого канала и условия измерения?

RDS(on) = 8.0 мОм при VGS = 10 В и ID = 62 А.

Какова максимальная рассеиваемая мощность и температура работы?

PD = 200 Вт (TC = 25°C); рабочая температура перехода TJ от -55°C до +175°C.

Характеристики
Основные
Полярность
N-канальный MOSFET
Тип корпуса
TO-220
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Инструкция

⚡ Инструкция по подключению транзистора IRF3205

N-канальный MOSFET силовой транзистор корпус TO-220

1. Идентификация выводов

Транзистор IRF3205 имеет корпус TO-220 с тремя выводами, которые расположены следующим образом (если смотреть на лицевую сторону транзистора с надписями, выводы внизу):

flowchart TD
    subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"]
      Metal["Металлическая пластина
(соединена с Стоком)"] direction TB subgraph Pins["Выводы"] direction LR G["1
Затвор
(Gate)"] --- D["2
Сток
(Drain)"] --- S["3
Исток
(Source)"] end Metal --- Pins end classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px class G,D,S pin
Всегда проверяйте маркировку на корпусе или даташит для точного определения выводов. У некоторых транзисторов расположение выводов может отличаться.

2. Основная схема подключения

Транзистор IRF3205 является N-канальным MOSFET и обычно используется для коммутации нагрузки. Базовая схема выглядит так:

flowchart TD
    VDD["+ Питание (V_DD)"] --> Load["Нагрузка"]
    Load --> D["Сток (Drain)
    IRF3205"]
    G["Затвор (Gate)
    IRF3205"] --> RG["Резистор затвора
    R_G (10-47 Ом)"]
    RG --> Signal["Управляющий сигнал
    (Микроконтроллер)"]
    D --> S["Исток (Source)
    IRF3205"]
    S --> GND["Земля (GND)"]
    G --> Rpd["Защитный резистор
    10 кОм"]
    Rpd --> S
    %% Защитный диод для индуктивной нагрузки
    Diode["Диод
    (1N4007)"] --> VDD
    D --> Diode
  

3. Выбор резистора затвора (R_G)

Резистор затвора ограничивает пиковые токи при переключении и защищает затвор.

Рекомендации для выбора резистора затвора:
  • Оптимальный диапазон: 10-100 Ом
  • Для быстрого переключения: 10-47 Ом
  • Для уменьшения электромагнитных помех: 47-100 Ом

При емкости затвора 3250 пФ для быстрого переключения рекомендуется значение резистора ближе к 10-47 Ом.

Для большинства применений достаточно резистора 10-47 Ом. При использовании высоких частот переключения или длинных линий управления рекомендуется увеличить значение резистора до 100 Ом.

4. Защита затвора и схема с индуктивной нагрузкой

При подключении индуктивных нагрузок (двигателей, реле, соленоидов) необходимо использовать дополнительную защиту.

flowchart TD
    VDD["+ Питание (V_DD)"] --> Motor["Двигатель"]
    Motor --> D["Сток (Drain)
    IRF3205"]
    G["Затвор (Gate)
    IRF3205"] --> RG["Резистор
    10-47 Ом"]
    RG --> MCU["Выход
    микроконтроллера"]
    D --> S["Исток (Source)
    IRF3205"]
    S --> GND1["Земля (GND)"]
    G --> Rpd["Резистор
    10 кОм"]
    Rpd --> S
    %% Защитный диод
    Diode["Диод
    1N4007"] --> VDD
    D --> Diode
    %% Подключение питания микроконтроллера
    MCU_VDD["Питание MCU"] --> MCU
    MCU --> GND2["Земля (GND)"]
  

Компоненты защиты:

Компонент Назначение Рекомендуемое значение
Резистор затвор-исток Защита от случайного открытия, удержание закрытого состояния 10 кОм
Резистор затвора Ограничение тока затвора, уменьшение электромагнитных помех 10-47 Ом
Защитный диод Защита от обратного напряжения при выключении индуктивной нагрузки 1N4007 или другой быстрый диод

5. Напряжение управления

Для правильной работы IRF3205 необходимо обеспечить соответствующее напряжение управления.

  • Порог открытия (V_GS(th)): 2.0-4.0В - транзистор начинает открываться
  • Оптимальное напряжение управления: 10В - полное открытие с минимальным сопротивлением
  • Максимальное напряжение затвор-исток: ±20В - не превышать
При управлении от микроконтроллера с выходом 3.3В или 5В транзистор откроется не полностью, что приведет к повышенному нагреву. Для полного открытия рекомендуется использовать драйвер затвора или логический преобразователь уровней.

6. Пошаговая инструкция подключения

  1. Подключите исток (Source) транзистора IRF3205 к земле (GND).
  2. Соедините сток (Drain) транзистора с одним концом нагрузки, а другой конец нагрузки — с положительным напряжением питания (V_DD).
  3. Подключите затвор (Gate) через резистор 10-47 Ом к источнику управляющего сигнала (например, выходу микроконтроллера).
  4. Добавьте резистор 10 кОм между затвором и истоком для надежного закрытия транзистора в состоянии покоя.
  5. Для индуктивной нагрузки (двигатель, реле) подключите защитный диод параллельно нагрузке: анод к стоку, катод к V_DD.
  6. При работе с током свыше 10А установите радиатор на транзистор.

7. Принцип работы схемы

Открытие транзистора (включение нагрузки):

Когда на затвор подается высокий уровень (10В):

  1. Между затвором и истоком создается электрическое поле
  2. В канале транзистора формируется проводящий слой
  3. Транзистор открывается, позволяя току проходить от стока к истоку через нагрузку

Закрытие транзистора (выключение нагрузки):

Когда на затвор подается низкий уровень (0В):

  1. Электрическое поле исчезает
  2. Проводящий канал закрывается
  3. Транзистор закрывается, ток через нагрузку прекращается
  4. Резистор 10 кОм помогает быстро разрядить емкость затвора

8. Практические применения

Управление мощными двигателями:

IRF3205 идеально подходит для управления мощными двигателями благодаря высокому максимальному току (110А). Используйте PWM сигнал на затворе для регулирования скорости вращения.

Высокотоковые импульсные источники питания:

Благодаря очень низкому сопротивлению в открытом состоянии (8 мОм) и высокой рассеиваемой мощности (200 Вт), транзистор IRF3205 эффективен для использования в импульсных источниках питания.

9. Ограничения и предельные параметры

Параметр Значение
Максимальное напряжение сток-исток (V_DS) 55 В
Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) ±20 В
Максимальный постоянный ток стока (I_D) при 25°C 110 A
Максимальный постоянный ток стока (I_D) при 100°C 80 A
Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) 200 Вт
Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) при V_GS=10В 8 мОм
Максимальная температура перехода (T_J) 175°C
Не превышайте предельные параметры транзистора. При работе с высокими токами (свыше 10А) обязательно используйте радиатор. Проверьте необходимость изолирующей прокладки между транзистором и радиатором, так как металлическая основа корпуса TO-220 соединена со стоком.
Важное замечание: Мы приложили усилия, чтобы эта инструкция была точной и полезной. Однако, данная инструкция предоставляется как справочный материал. Электронные компоненты могут иметь вариации, а схемы подключения зависят от конкретных условий и вашего оборудования. Эта информация предоставляется "как есть", без гарантий полноты или безошибочности. Настоятельно рекомендуем проверять спецификации вашего модуля (datasheet), сверяться с другими источниками и, при малейших сомнениях, обращаться к квалифицированным специалистам, особенно при работе с напряжением 220В.

Продовжимо солов'їною?

Оберіть мову