IRF3205 транзистор корпус TO-220
IRF3205 N-канальный MOSFET TO-220AB
Мощный N‑канальный HEXFET MOSFET на 55 В с очень низким сопротивлением канала 8 мОм и максимально допустимым током до 110 А в корпусе TO‑220AB; подходит для быстрого переключения и работы до 175°C.
Основные преимущества
RDS(on) всего 8.0 мОм при VGS = 10 В, ID = 62 А — меньшие потери на проводимость.
Непрерывный ток стока до 110 А (TC = 25°C) и импульсный до 390 А.
Полностью лавинностойкий, с типичной энергией одиночной лавины до 1050 мДж.
Типовые времена: задержка включения 14 нс, нарастание 101 нс, задержка выключения 50 нс, спадание 65 нс.
Ключевые характеристики
| Тип: | N-канальный HEXFET MOSFET |
|---|---|
| Корпус: | TO-220AB |
| VDS (макс.): | 55 В |
| ID (TC = 25°C): | 110 А |
| ID (TC = 100°C): | 80 А |
| IDM (импульсный): | 390 А |
| RDS(on): | 8.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
| VGS (макс.): | ±20 В |
| VGS(th) (порог): | 2.0–4.0 В |
| gfs (транскондуктивность): | 44 С (VDS = 25 В, ID = 62 А) |
| PD (TC = 25°C): | 200 Вт |
| TJ (диапазон): | -55…+175°C |
| RθJC: | 0.75 °C/Вт (макс.) |
| RθJA: | 62 °C/Вт (макс.) |
| Qg (заряд затвора): | 146 нКл (макс.) |
| Qgd / Qgs: | 54 нКл / 35 нКл (макс.) |
| Ciss / Coss / Crss: | 3247 пФ / 781 пФ / 211 пФ (тип.) |
| td(on) / tr: | 14 нс / 101 нс (тип.) |
| td(off) / tf: | 50 нс / 65 нс (тип.) |
| Энергия лавины EAS: | тип. 1050 мДж; расчётное 264 мДж (IAS = 62 А, L = 138 мкГн) |
| dv/dt пиковое (диод): | 5.0 В/нс |
| Диод: VSD / trr / Qrr: | 1.3 В (IS = 62 А), 69–104 нс, 143–215 нКл |
Детальные технические параметры
- Непрерывный ток стока рассчитан по максимально допустимой температуре перехода; ограничение корпуса для непрерывного тока — 75 А (примечание к даташиту).
- Встроенный обратный диод: непрерывный ток IS до 110 А; импульсный ISM до 390 А.
- Внутренние индуктивности: LD ≈ 4.5 нГн, LS ≈ 7.5 нГн (типовые значения).
- Тепловые параметры: RθJC ≤ 0.75 °C/Вт; RθCS (со смазкой) ≈ 0.50 °C/Вт; RθJA ≤ 62 °C/Вт.
- Диапазон температур работы перехода: от -55°C до +175°C.
- Монтаж: рекомендуемый момент затяжки винта 6‑32 или M3 — 10 lbf·in (≈1.1 Н·м).
Основные области применения
- Силовая коммутация в низковольтных (до 55 В) преобразователях.
- Импульсные и ключевые каскады с высокими токами.
- Коммутация индуктивных нагрузок с допуском на лавинные режимы.
- Общепромышленные применения, где требуются быстрое переключение и низкие потери.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы-ответы (FAQ)
55 В.
RDS(on) = 8.0 мОм при VGS = 10 В и ID = 62 А.
PD = 200 Вт (TC = 25°C); рабочая температура перехода TJ от -55°C до +175°C.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.
⚡ Инструкция по подключению транзистора IRF3205
N-канальный MOSFET силовой транзистор корпус TO-220
1. Идентификация выводов
Транзистор IRF3205 имеет корпус TO-220 с тремя выводами, которые расположены следующим образом (если смотреть на лицевую сторону транзистора с надписями, выводы внизу):
flowchart TD
subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"]
Metal["Металлическая пластина
(соединена с Стоком)"]
direction TB
subgraph Pins["Выводы"]
direction LR
G["1
Затвор
(Gate)"] --- D["2
Сток
(Drain)"] --- S["3
Исток
(Source)"]
end
Metal --- Pins
end
classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px
class G,D,S pin
2. Основная схема подключения
Транзистор IRF3205 является N-канальным MOSFET и обычно используется для коммутации нагрузки. Базовая схема выглядит так:
flowchart TD
VDD["+ Питание (V_DD)"] --> Load["Нагрузка"]
Load --> D["Сток (Drain)
IRF3205"]
G["Затвор (Gate)
IRF3205"] --> RG["Резистор затвора
R_G (10-47 Ом)"]
RG --> Signal["Управляющий сигнал
(Микроконтроллер)"]
D --> S["Исток (Source)
IRF3205"]
S --> GND["Земля (GND)"]
G --> Rpd["Защитный резистор
10 кОм"]
Rpd --> S
%% Защитный диод для индуктивной нагрузки
Diode["Диод
(1N4007)"] --> VDD
D --> Diode
3. Выбор резистора затвора (R_G)
Резистор затвора ограничивает пиковые токи при переключении и защищает затвор.
- Оптимальный диапазон: 10-100 Ом
- Для быстрого переключения: 10-47 Ом
- Для уменьшения электромагнитных помех: 47-100 Ом
При емкости затвора 3250 пФ для быстрого переключения рекомендуется значение резистора ближе к 10-47 Ом.
4. Защита затвора и схема с индуктивной нагрузкой
При подключении индуктивных нагрузок (двигателей, реле, соленоидов) необходимо использовать дополнительную защиту.
flowchart TD
VDD["+ Питание (V_DD)"] --> Motor["Двигатель"]
Motor --> D["Сток (Drain)
IRF3205"]
G["Затвор (Gate)
IRF3205"] --> RG["Резистор
10-47 Ом"]
RG --> MCU["Выход
микроконтроллера"]
D --> S["Исток (Source)
IRF3205"]
S --> GND1["Земля (GND)"]
G --> Rpd["Резистор
10 кОм"]
Rpd --> S
%% Защитный диод
Diode["Диод
1N4007"] --> VDD
D --> Diode
%% Подключение питания микроконтроллера
MCU_VDD["Питание MCU"] --> MCU
MCU --> GND2["Земля (GND)"]
Компоненты защиты:
| Компонент | Назначение | Рекомендуемое значение |
|---|---|---|
| Резистор затвор-исток | Защита от случайного открытия, удержание закрытого состояния | 10 кОм |
| Резистор затвора | Ограничение тока затвора, уменьшение электромагнитных помех | 10-47 Ом |
| Защитный диод | Защита от обратного напряжения при выключении индуктивной нагрузки | 1N4007 или другой быстрый диод |
5. Напряжение управления
Для правильной работы IRF3205 необходимо обеспечить соответствующее напряжение управления.
- Порог открытия (V_GS(th)): 2.0-4.0В - транзистор начинает открываться
- Оптимальное напряжение управления: 10В - полное открытие с минимальным сопротивлением
- Максимальное напряжение затвор-исток: ±20В - не превышать
6. Пошаговая инструкция подключения
- Подключите исток (Source) транзистора IRF3205 к земле (GND).
- Соедините сток (Drain) транзистора с одним концом нагрузки, а другой конец нагрузки — с положительным напряжением питания (V_DD).
- Подключите затвор (Gate) через резистор 10-47 Ом к источнику управляющего сигнала (например, выходу микроконтроллера).
- Добавьте резистор 10 кОм между затвором и истоком для надежного закрытия транзистора в состоянии покоя.
- Для индуктивной нагрузки (двигатель, реле) подключите защитный диод параллельно нагрузке: анод к стоку, катод к V_DD.
- При работе с током свыше 10А установите радиатор на транзистор.
7. Принцип работы схемы
Открытие транзистора (включение нагрузки):
Когда на затвор подается высокий уровень (10В):
- Между затвором и истоком создается электрическое поле
- В канале транзистора формируется проводящий слой
- Транзистор открывается, позволяя току проходить от стока к истоку через нагрузку
Закрытие транзистора (выключение нагрузки):
Когда на затвор подается низкий уровень (0В):
- Электрическое поле исчезает
- Проводящий канал закрывается
- Транзистор закрывается, ток через нагрузку прекращается
- Резистор 10 кОм помогает быстро разрядить емкость затвора
8. Практические применения
Управление мощными двигателями:
IRF3205 идеально подходит для управления мощными двигателями благодаря высокому максимальному току (110А). Используйте PWM сигнал на затворе для регулирования скорости вращения.
Высокотоковые импульсные источники питания:
Благодаря очень низкому сопротивлению в открытом состоянии (8 мОм) и высокой рассеиваемой мощности (200 Вт), транзистор IRF3205 эффективен для использования в импульсных источниках питания.
9. Ограничения и предельные параметры
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DS) | 55 В |
| Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Максимальный постоянный ток стока (I_D) при 25°C | 110 A |
| Максимальный постоянный ток стока (I_D) при 100°C | 80 A |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) при V_GS=10В | 8 мОм |
| Максимальная температура перехода (T_J) | 175°C |