


Мощный N‑канальный HEXFET MOSFET на 55 В с очень низким сопротивлением канала 8 мОм и максимально допустимым током до 110 А в корпусе TO‑220AB; подходит для быстрого переключения и работы до 175°C.
RDS(on) всего 8.0 мОм при VGS = 10 В, ID = 62 А — меньшие потери на проводимость.
Непрерывный ток стока до 110 А (TC = 25°C) и импульсный до 390 А.
Полностью лавинностойкий, с типичной энергией одиночной лавины до 1050 мДж.
Типовые времена: задержка включения 14 нс, нарастание 101 нс, задержка выключения 50 нс, спадание 65 нс.
Тип: | N-канальный HEXFET MOSFET |
---|---|
Корпус: | TO-220AB |
VDS (макс.): | 55 В |
ID (TC = 25°C): | 110 А |
ID (TC = 100°C): | 80 А |
IDM (импульсный): | 390 А |
RDS(on): | 8.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
VGS (макс.): | ±20 В |
VGS(th) (порог): | 2.0–4.0 В |
gfs (транскондуктивность): | 44 С (VDS = 25 В, ID = 62 А) |
PD (TC = 25°C): | 200 Вт |
TJ (диапазон): | -55…+175°C |
RθJC: | 0.75 °C/Вт (макс.) |
RθJA: | 62 °C/Вт (макс.) |
Qg (заряд затвора): | 146 нКл (макс.) |
Qgd / Qgs: | 54 нКл / 35 нКл (макс.) |
Ciss / Coss / Crss: | 3247 пФ / 781 пФ / 211 пФ (тип.) |
td(on) / tr: | 14 нс / 101 нс (тип.) |
td(off) / tf: | 50 нс / 65 нс (тип.) |
Энергия лавины EAS: | тип. 1050 мДж; расчётное 264 мДж (IAS = 62 А, L = 138 мкГн) |
dv/dt пиковое (диод): | 5.0 В/нс |
Диод: VSD / trr / Qrr: | 1.3 В (IS = 62 А), 69–104 нс, 143–215 нКл |
55 В.
RDS(on) = 8.0 мОм при VGS = 10 В и ID = 62 А.
PD = 200 Вт (TC = 25°C); рабочая температура перехода TJ от -55°C до +175°C.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.
N-канальный MOSFET силовой транзистор корпус TO-220
Транзистор IRF3205
имеет корпус TO-220 с тремя выводами, которые расположены следующим образом (если смотреть на лицевую сторону транзистора с надписями, выводы внизу):
flowchart TD subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"] Metal["Металлическая пластина
(соединена с Стоком)"] direction TB subgraph Pins["Выводы"] direction LR G["1
Затвор
(Gate)"] --- D["2
Сток
(Drain)"] --- S["3
Исток
(Source)"] end Metal --- Pins end classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px class G,D,S pin
Транзистор IRF3205
является N-канальным MOSFET и обычно используется для коммутации нагрузки. Базовая схема выглядит так:
flowchart TD VDD["+ Питание (V_DD)"] --> Load["Нагрузка"] Load --> D["Сток (Drain) IRF3205"] G["Затвор (Gate) IRF3205"] --> RG["Резистор затвора R_G (10-47 Ом)"] RG --> Signal["Управляющий сигнал (Микроконтроллер)"] D --> S["Исток (Source) IRF3205"] S --> GND["Земля (GND)"] G --> Rpd["Защитный резистор 10 кОм"] Rpd --> S %% Защитный диод для индуктивной нагрузки Diode["Диод (1N4007)"] --> VDD D --> Diode
Резистор затвора ограничивает пиковые токи при переключении и защищает затвор.
При емкости затвора 3250 пФ для быстрого переключения рекомендуется значение резистора ближе к 10-47 Ом.
При подключении индуктивных нагрузок (двигателей, реле, соленоидов) необходимо использовать дополнительную защиту.
flowchart TD VDD["+ Питание (V_DD)"] --> Motor["Двигатель"] Motor --> D["Сток (Drain) IRF3205"] G["Затвор (Gate) IRF3205"] --> RG["Резистор 10-47 Ом"] RG --> MCU["Выход микроконтроллера"] D --> S["Исток (Source) IRF3205"] S --> GND1["Земля (GND)"] G --> Rpd["Резистор 10 кОм"] Rpd --> S %% Защитный диод Diode["Диод 1N4007"] --> VDD D --> Diode %% Подключение питания микроконтроллера MCU_VDD["Питание MCU"] --> MCU MCU --> GND2["Земля (GND)"]
Компонент | Назначение | Рекомендуемое значение |
---|---|---|
Резистор затвор-исток | Защита от случайного открытия, удержание закрытого состояния | 10 кОм |
Резистор затвора | Ограничение тока затвора, уменьшение электромагнитных помех | 10-47 Ом |
Защитный диод | Защита от обратного напряжения при выключении индуктивной нагрузки | 1N4007 или другой быстрый диод |
Для правильной работы IRF3205 необходимо обеспечить соответствующее напряжение управления.
Когда на затвор подается высокий уровень (10В):
Когда на затвор подается низкий уровень (0В):
IRF3205 идеально подходит для управления мощными двигателями благодаря высокому максимальному току (110А). Используйте PWM сигнал на затворе для регулирования скорости вращения.
Благодаря очень низкому сопротивлению в открытом состоянии (8 мОм) и высокой рассеиваемой мощности (200 Вт), транзистор IRF3205 эффективен для использования в импульсных источниках питания.
Параметр | Значение |
---|---|
Максимальное напряжение сток-исток (V_DS) | 55 В |
Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
Максимальный постоянный ток стока (I_D) при 25°C | 110 A |
Максимальный постоянный ток стока (I_D) при 100°C | 80 A |
Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт |
Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) при V_GS=10В | 8 мОм |
Максимальная температура перехода (T_J) | 175°C |