Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

IRF3205 транзистор корпус TO-220

Производитель: Китай Код товара: 5575
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы0
Инструкция
новинка
IRF3205 транзистор корпус TO-220
Есть в наличии
Код товара: 5575
29.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00. Увага!
Полярность:N-канальный MOSFET
Тип корпуса:TO-220
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
IRF3205 транзистор корпус TO-220
29.00 грн
Описание

🔌 Транзистор IRF3205 в корпусе TO-220

N-канальный MOSFET 55В 110А, для Импульсных Источников Питания и Драйверов Мощных Двигателей

Общее описание

Транзистор IRF3205 – это мощный N-канальный MOSFET, разработанный компанией International Rectifier с использованием передовой технологии HEXFET. Этот силовой транзистор выделяется ультранизким сопротивлением открытого канала всего 8 мОм, благодаря чему способен проводить токи до 110А с минимальными потерями мощности. IRF3205 сочетает непревзойденные характеристики проводимости с высокой скоростью переключения, что делает его идеальным решением для высокоэффективных импульсных источников питания, драйверов мощных двигателей, инверторов и систем управления нагрузкой. Способность рассеивать до 200 Вт мощности в корпусе TO-220 с эффективным теплоотводом делает этот транзистор оптимальным выбором для систем, где критически важны высокая производительность, минимальное тепловыделение и надежность при значительных нагрузках.

✅ Технические преимущества:

  • Ультранизкое сопротивление открытого канала – всего 8 мОм при VGS = 10В, что обеспечивает минимальные потери мощности и тепловыделение, даже при коммутации токов свыше 60А, повышая КПД всей системы
  • Экстремально высокий ток стока 110А – позволяет одному транзистору управлять мощными нагрузками без необходимости параллельного соединения, упрощая конструкцию и повышая надежность устройств мощностью до 5 кВт
  • Значная рассеиваемая мощность 200 Вт – с соответствующим радиатором транзистор выдерживает длительную работу под высокой нагрузкой, обеспечивая стабильное функционирование в промышленных условиях и системах с непрерывным циклом
  • Оптимальные характеристики переключения – с временами включения и выключения порядка 100 нс, транзистор эффективно работает в схемах с частотами до 100 кГц, обеспечивая высокую эффективность в импульсных преобразователях
  • Высокопроизводительный обратный диод – встроенный диод способен проводить токи до 110А с прямым напряжением всего 1.3В, что делает транзистор идеальным для коммутации индуктивных нагрузок без дополнительных защитных компонентов

🔧 Идеальное решение для:

Мощные импульсные источники питания

Высокотоковые драйверы двигателей

Инверторы для солнечных систем

Системы электросварки

Промышленные системы автоматизации

Мощные зарядные устройства

Электромобильный транспорт

Высокиеффективные усилители класса D

💡 Широкие возможности применения:

  • Высокиеффективные инверторы для солнечных электростанций – примените IRF3205 в H-мостовых схемах для создания мощных инверторов, преобразующих постоянное напряжение от солнечных панелей в переменное 220В. Благодаря ультранизкому сопротивлению канала, потери мощности минимизируются, а КПД инвертора может достигать 95%+. Возможность коммутации токов до 110А позволяет создавать компактные преобразователи мощностью до 3 кВт с использованием всего 4-х транзисторов.
  • Высокотоковые драйверы для бесколлекторных двигателей – разработайте эффективные контроллеры BLDC-двигателей для электротранспорта и промышленной автоматики. Пары IRF3205 в полумостовых конфигурациях обеспечивают коммутацию напряжения до 48В с токами до 100А при минимальном нагреве. Быстрое переключение позволяет использовать высокие частоты ШИМ (до 50 кГц), что улучшает плавность управления и снижает акустический шум.
  • Мощные импульсные преобразователи DC-DC – создавайте высокиеффективные понижающие (Buck) или повышающие (Boost) преобразователи мощностью до 2 кВт для промышленных систем питания. Низкое сопротивление открытого канала (8 мОм) обеспечивает минимальные потери при токах до 80А, а высокая скорость переключения позволяет использовать частоты до 100 кГц, что уменьшает габариты магнитных компонентов и выходных фильтров.
  • Интеллектуальные системы управления аккумуляторными батареями – используйте IRF3205 для создания высокотоковых схем балансировки и защиты для Li-ion батарей электромобилей и систем накопления энергии. Транзистор позволяет реализовать функции контроля тока заряда/разряда до 100А, защиты от перегрузки и короткого замыкания, а также активного балансирования между отдельными элементами с минимальными потерями.
  • Аудиоусилители класса D высокой мощности – разработайте высокиеффективные аудиоусилители мощностью до 1000 Вт для профессионального звукового оборудования. Быстрые характеристики переключения и низкая емкость затвора обеспечивают чистое усиление аудиосигналов с минимальными искажениями при частотах ШИМ до 400 кГц. Низкое сопротивление канала минимизирует тепловыделение, что позволяет создавать компактные системы с пассивным охлаждением.

📦 Подробные технические характеристики:

  • Тип транзистора: N-канальный MOSFET
  • Технология: HEXFET
  • Корпус: TO-220
  • Максимальные параметры:
    • Напряжение сток-исток (VDS): 55 В
    • Напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
    • Ток стока (ID): 110 А (при TC = 25°C), 80 А (при TC = 100°C)
    • Импульсный ток стока (IDM): 390 А
    • Рассеиваемая мощность (PD): 200 Вт (при TC = 25°C)
    • Температура перехода (TJ): 175°C
  • Электрические характеристики:
    • Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): 8 мОм (при VGS = 10 В, ID = 62 А)
    • Порог включения (VGS(th)): 2.0–4.0 В
    • Ток утечки стока (IDSS): ≤ 25 мкА (при VDS = 55 В, VGS = 0 В)
    • Ток утечки затвора (IGSS): ±100 нА (при VGS = ±20 В)
    • Входная емкость (Ciss): типично 3250 пФ
    • Выходная емкость (Coss): типично 780 пФ
    • Обратная емкость (Crss): типично 240 пФ
    • Общий заряд затвора (Qg): 170 нКл
  • Временные характеристики переключения:
    • Задержка включения (td(on)): 14 нс
    • Время нарастания (tr): 101 нс
    • Задержка выключения (td(off)): 50 нс
    • Время спадания (tf): 65 нс
  • Тепловые характеристики:
    • Тепловое сопротивление переход-корпус (RθJC): 0.75 °C/Вт
    • Тепловое сопротивление корпус-радиатор (RθCS): 0.50 °C/Вт (с теплопроводной пастой)
    • Тепловое сопротивление переход-воздух (RθJA): 62 °C/Вт (на открытом воздухе)
    • Диапазон рабочих температур: от -55°C до +175°C
  • Характеристики встроенного обратного диода:
    • Максимальный постоянный ток (IS): 110 А
    • Максимальный импульсный ток (ISM): 390 А
    • Прямое напряжение диода (VSD): ≤ 1.3 В (при IS = 62 А, VGS = 0 В)
    • Время восстановления (trr): 127 нс (при IF = 62 А, di/dt = 100 А/мкс)
  • Механические данные:
    • Вес: примерно 2 г
    • Расположение выводов: 1 - Затвор (Gate), 2 - Сток (Drain), 3 - Исток (Source)
    • Основание корпуса TO-220 соединено со стоком (Drain)

⚠️ Важные аспекты использования:

  • Критическая необходимость эффективного охлаждения – при коммутации токов свыше 50А ОБЯЗАТЕЛЬНО используйте мощный радиатор с активным охлаждением. Хотя транзистор способен рассеивать до 200 Вт, без адекватного теплоотвода максимальный рабочий ток существенно ограничен. При расчете радиатора учитывайте, что при полной нагрузке (110А) и сопротивлении канала 8 мОм рассеиваемая мощность составляет примерно P = I² × R = 110² × 0.008 = 97 Вт!
  • Оптимизация драйвера затвора – для быстрого переключения высокой емкости затвора (3250 пФ) используйте специализированные драйверы с пиковыми токами не менее 1А. В цепи затвора обязательно установите резистор 10-22 Ом для предотвращения паразитных колебаний. При работе на высоких частотах (>50 кГц) обеспечьте быструю разрядку затвора через отдельную цепь с меньшим сопротивлением, чтобы минимизировать потери во время переключения.
  • Защита от перенапряжений при коммутации индуктивных нагрузок – несмотря на наличие встроенного обратного диода, при работе с высокоиндуктивными нагрузками (двигатели, трансформаторы) дополнительно установите TVS-диод между стоком и истоком для надежной защиты от перенапряжений. Выбирайте TVS-диод с напряжением стабилизации 58-60В для быстрого ограничения выбросов ЭДС самоиндукции, которые могут превысить максимально допустимое напряжение VDS = 55В.
  • Параллельное соединение для сверхвысоких токов – при создании систем с токами свыше 100А можно соединять несколько IRF3205 параллельно. Для равномерного распределения тока между транзисторами: 1) используйте отдельные резисторы затвора 0.1-0.5 Ом для каждого транзистора; 2) размещайте транзисторы симметрично на радиаторе с одинаковыми условиями охлаждения; 3) разводка силовых дорожек к стоку и истоку должна быть одинаковой длины и сечения.
  • Температурная зависимость параметров – при нагреве транзистора сопротивление открытого канала увеличивается примерно на 0.5% на каждый градус свыше 25°C. При расчетах реальных систем учитывайте, что при рабочей температуре 100°C сопротивление возрастает почти вдвое относительно номинального. Кроме того, с ростом температуры снижается максимально допустимый ток (до 80А при 100°C), поэтому проектируйте систему с запасом по току минимум 30-40%.

Транзистор IRF3205 – это идеальное сочетание экстремально низкого сопротивления канала, высокого тока и значительной рассеиваемой мощности для ваших высоконагруженных проектов. Благодаря своим выдающимся характеристикам, этот MOSFET обеспечит максимальную эффективность и надежность в мощных источниках питания, инверторах и системах управления двигателями.

ЗАКАЗАТЬ СЕЙЧАС
#IRF3205 #MOSFET #НизкоеСопротивлениеКанала #ДрайверДвигателя #Инвертор #МощнаяЭлектроника
Характеристики
Основные
Полярность
N-канальный MOSFET
Тип корпуса
TO-220
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Инструкция

⚡ Инструкция по подключению транзистора IRF3205

N-канальный MOSFET силовой транзистор корпус TO-220

1. Идентификация выводов

Транзистор IRF3205 имеет корпус TO-220 с тремя выводами, которые расположены следующим образом (если смотреть на лицевую сторону транзистора с надписями, выводы внизу):

flowchart TD
    subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"]
      Metal["Металлическая пластина
(соединена с Стоком)"] direction TB subgraph Pins["Выводы"] direction LR G["1
Затвор
(Gate)"] --- D["2
Сток
(Drain)"] --- S["3
Исток
(Source)"] end Metal --- Pins end classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px class G,D,S pin
Всегда проверяйте маркировку на корпусе или даташит для точного определения выводов. У некоторых транзисторов расположение выводов может отличаться.

2. Основная схема подключения

Транзистор IRF3205 является N-канальным MOSFET и обычно используется для коммутации нагрузки. Базовая схема выглядит так:

flowchart TD
    VDD["+ Питание (V_DD)"] --> Load["Нагрузка"]
    Load --> D["Сток (Drain)
    IRF3205"]
    G["Затвор (Gate)
    IRF3205"] --> RG["Резистор затвора
    R_G (10-47 Ом)"]
    RG --> Signal["Управляющий сигнал
    (Микроконтроллер)"]
    D --> S["Исток (Source)
    IRF3205"]
    S --> GND["Земля (GND)"]
    G --> Rpd["Защитный резистор
    10 кОм"]
    Rpd --> S
    %% Защитный диод для индуктивной нагрузки
    Diode["Диод
    (1N4007)"] --> VDD
    D --> Diode
  

3. Выбор резистора затвора (R_G)

Резистор затвора ограничивает пиковые токи при переключении и защищает затвор.

Рекомендации для выбора резистора затвора:
  • Оптимальный диапазон: 10-100 Ом
  • Для быстрого переключения: 10-47 Ом
  • Для уменьшения электромагнитных помех: 47-100 Ом

При емкости затвора 3250 пФ для быстрого переключения рекомендуется значение резистора ближе к 10-47 Ом.

Для большинства применений достаточно резистора 10-47 Ом. При использовании высоких частот переключения или длинных линий управления рекомендуется увеличить значение резистора до 100 Ом.

4. Защита затвора и схема с индуктивной нагрузкой

При подключении индуктивных нагрузок (двигателей, реле, соленоидов) необходимо использовать дополнительную защиту.

flowchart TD
    VDD["+ Питание (V_DD)"] --> Motor["Двигатель"]
    Motor --> D["Сток (Drain)
    IRF3205"]
    G["Затвор (Gate)
    IRF3205"] --> RG["Резистор
    10-47 Ом"]
    RG --> MCU["Выход
    микроконтроллера"]
    D --> S["Исток (Source)
    IRF3205"]
    S --> GND1["Земля (GND)"]
    G --> Rpd["Резистор
    10 кОм"]
    Rpd --> S
    %% Защитный диод
    Diode["Диод
    1N4007"] --> VDD
    D --> Diode
    %% Подключение питания микроконтроллера
    MCU_VDD["Питание MCU"] --> MCU
    MCU --> GND2["Земля (GND)"]
  

Компоненты защиты:

Компонент Назначение Рекомендуемое значение
Резистор затвор-исток Защита от случайного открытия, удержание закрытого состояния 10 кОм
Резистор затвора Ограничение тока затвора, уменьшение электромагнитных помех 10-47 Ом
Защитный диод Защита от обратного напряжения при выключении индуктивной нагрузки 1N4007 или другой быстрый диод

5. Напряжение управления

Для правильной работы IRF3205 необходимо обеспечить соответствующее напряжение управления.

  • Порог открытия (V_GS(th)): 2.0-4.0В - транзистор начинает открываться
  • Оптимальное напряжение управления: 10В - полное открытие с минимальным сопротивлением
  • Максимальное напряжение затвор-исток: ±20В - не превышать
При управлении от микроконтроллера с выходом 3.3В или 5В транзистор откроется не полностью, что приведет к повышенному нагреву. Для полного открытия рекомендуется использовать драйвер затвора или логический преобразователь уровней.

6. Пошаговая инструкция подключения

  1. Подключите исток (Source) транзистора IRF3205 к земле (GND).
  2. Соедините сток (Drain) транзистора с одним концом нагрузки, а другой конец нагрузки — с положительным напряжением питания (V_DD).
  3. Подключите затвор (Gate) через резистор 10-47 Ом к источнику управляющего сигнала (например, выходу микроконтроллера).
  4. Добавьте резистор 10 кОм между затвором и истоком для надежного закрытия транзистора в состоянии покоя.
  5. Для индуктивной нагрузки (двигатель, реле) подключите защитный диод параллельно нагрузке: анод к стоку, катод к V_DD.
  6. При работе с током свыше 10А установите радиатор на транзистор.

7. Принцип работы схемы

Открытие транзистора (включение нагрузки):

Когда на затвор подается высокий уровень (10В):

  1. Между затвором и истоком создается электрическое поле
  2. В канале транзистора формируется проводящий слой
  3. Транзистор открывается, позволяя току проходить от стока к истоку через нагрузку

Закрытие транзистора (выключение нагрузки):

Когда на затвор подается низкий уровень (0В):

  1. Электрическое поле исчезает
  2. Проводящий канал закрывается
  3. Транзистор закрывается, ток через нагрузку прекращается
  4. Резистор 10 кОм помогает быстро разрядить емкость затвора

8. Практические применения

Управление мощными двигателями:

IRF3205 идеально подходит для управления мощными двигателями благодаря высокому максимальному току (110А). Используйте PWM сигнал на затворе для регулирования скорости вращения.

Высокотоковые импульсные источники питания:

Благодаря очень низкому сопротивлению в открытом состоянии (8 мОм) и высокой рассеиваемой мощности (200 Вт), транзистор IRF3205 эффективен для использования в импульсных источниках питания.

9. Ограничения и предельные параметры

Параметр Значение
Максимальное напряжение сток-исток (V_DS) 55 В
Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) ±20 В
Максимальный постоянный ток стока (I_D) при 25°C 110 A
Максимальный постоянный ток стока (I_D) при 100°C 80 A
Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) 200 Вт
Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) при V_GS=10В 8 мОм
Максимальная температура перехода (T_J) 175°C
Не превышайте предельные параметры транзистора. При работе с высокими токами (свыше 10А) обязательно используйте радиатор. Проверьте необходимость изолирующей прокладки между транзистором и радиатором, так как металлическая основа корпуса TO-220 соединена со стоком.
Важное замечание: Мы приложили усилия, чтобы эта инструкция была точной и полезной. Однако, данная инструкция предоставляется как справочный материал. Электронные компоненты могут иметь вариации, а схемы подключения зависят от конкретных условий и вашего оборудования. Эта информация предоставляется "как есть", без гарантий полноты или безошибочности. Настоятельно рекомендуем проверять спецификации вашего модуля (datasheet), сверяться с другими источниками и, при малейших сомнениях, обращаться к квалифицированным специалистам, особенно при работе с напряжением 220В.
Живий чат
Живий чат