Транзистор IRF F 5305S SMD корпус ТО-263

Країна-виробник: Китай Код товару: 5567

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки 0

Питання0

Транзистор IRF F 5305S SMD корпус ТО-263

В наявності

Код товару: 5567

33.00 грн

Знайшли дешевше?

Полярність:N-канальний MOSFET

Тип корпусу:TO-263

Доставка

Новою Поштою у відділення та поштомати

від 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фіксована 49грн

Укрпоштою у відділення по Україні

від 45 ₴

Meest Express

від 60 ₴

Оплата

Оплата карткою

Переказ на картку

Оплата на IBAN

Безготівковий розрахунок

Післяплата

Гарантійні положення

Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються

Транзистор IRF F 5305S SMD корпус ТО-263

Код товару: 5567

33.00 грн

Опис

IRF5305S TO-263 (D2PAK)

Потужний P-канальний MOSFET із напругою -55 В у корпусі TO-263 (D2PAK), оптимальний як високострумовий силовий ключ з низьким опором у відкритому стані.

Основні переваги

Низький RDS(on)

Опір у відкритому стані ≤ 0.06 Ω при VGS = -10 В та ID = -16 А зменшує втрати потужності та нагрівання.

Висока струмова спроможність

Безперервний струм стоку до -31 А (TC = 25 °C) забезпечує роботу з потужними навантаженнями.

Висока теплостійкість

Робоча температура переходу до 175 °C та низький RθJC = 1.4 °C/Вт для ефективного тепловідводу.

Лавинна стійкість

Повністю лавинно-стійкий, з енергією одиничного імпульсу EAS = 280 мДж для надійної роботи.

Ключові характеристики

Полярність:	P-канальний MOSFET
Корпус:	TO-263 (D2PAK)
VDS (макс.):	-55 В
ID (безперервний, TC = 25 °C):	-31 А
ID (безперервний, TC = 100 °C):	-22 А
IDM (імпульсний):	-110 А
RDS(on) (макс.):	0.06 Ω @ VGS = -10 В, ID = -16 А
VGS (макс.):	±20 В
VGS(th) (поріг затвора):	-2.0 … -4.0 В
PD (TC = 25 °C):	110 Вт
RθJC (макс.):	1.4 °C/Вт
Qg (заряд затвора):	до 63 нКл @ VGS = -10 В, ID = -16 А, VDS = -44 В
Qgd (заряд Міллера):	29 нКл (тип.)
Ємності (тип.):	Ciss 1200 пФ, Coss 520 пФ, Crss 250 пФ
Діод (VSD):	-1.3 В (тип.) @ IS = -16 А, VGS = 0 В
trr (відновлення діода):	71–110 нс
dv/dt (пікове відновлення):	5.8 В/нс
Діапазон температур переходу:	-55 … +175 °C

Детальні технічні параметри

RDS(on) ≤ 0.06 Ω при VGS = -10 В, ID = -16 А (25 °C).
Безперервний струм стоку: -31 А (TC = 25 °C); -22 А (TC = 100 °C).
Імпульсний струм стоку (пік): -110 А (обмежено теплом).
Заряд затвора Qg: до 63 нКл; Qgd: 29 нКл; Qgs: 13 нКл.
Ємності при VDS = -25 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц: Ciss ≈ 1200 пФ; Coss ≈ 520 пФ; Crss ≈ 250 пФ (тип.).
Діод тіла: VSD ≈ -1.3 В (тип.) @ IS = -16 А; trr 71–110 нс; Qrr 170–250 нКл.
Лавина: EAS = 280 мДж; IAR = -16 А; EAR = 11 мДж.
Теплові параметри: RθJC = 1.4 °C/Вт; RθJA ≈ 40 °C/Вт (на 1" FR‑4/G‑10 PCB).
Макс. температура паяння (10 с): 300 °C (на відстані 1.6 мм від корпусу).

Примітка: параметри базуються на документації International Rectifier для IRF5305S. Джерело: International Rectifier Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

Силові комутаційні вузли та високострумові ключі в низьковольтних системах до -55 В.
Загального призначення перетворювачі й силова електроніка, де важливі низькі втрати на опорі каналу.
Комутування індуктивних навантажень із урахуванням лавинної стійкості.

Сумісні позначення та альтернативи

Аналогічні варіанти цієї ж серії в інших корпусах: IRF5305 (TO‑220AB), IRF5305L (TO‑262), IRFR5305 (DPAK). Параметри та розводка відрізняються залежно від корпусу — перевіряйте відповідність у відповідних даташитах.

Питання-відповіді (FAQ)

Це N‑канальний чи P‑канальний MOSFET?

IRF5305S — P‑канальний MOSFET із VDS = -55 В.

Яка максимальна провідність (струм) при безперервній роботі?

До -31 А при температурі корпусу 25 °C (та -22 А при 100 °C).

За яких умов вказано RDS(on) = 0.06 Ω?

При VGS = -10 В та ID = -16 А (Tj = 25 °C).

Характеристики

Основні

Полярність

N-канальний MOSFET

Тип корпусу

TO-263

Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.