Увага! 01.11.25(субота ) та 02.11.25(неділя) - вихідні, відвантаженння товару не буде. 
Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
[email protected]
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

IRF F 5305S SMD транзистор корпус ТО-263

Страна-производитель: Китай Код товара: 5567
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы0
IRF F 5305S SMD транзистор корпус ТО-263
Есть в наличии
Код товара: 5567
33.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Полярность:N-канальний MOSFET
Тип корпуса:TO-263
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы
Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине
Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express
Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
IRF F 5305S SMD транзистор корпус ТО-263
Код товара: 5567
33.00 грн
Описание

IRF5305S TO-263 (D2PAK)

Мощный P-канальный MOSFET с напряжением -55 В в корпусе TO-263 (D2PAK), оптимален как высокотоковый силовой ключ с низким сопротивлением в открытом состоянии.

Основные преимущества

Низкий RDS(on)

Сопротивление в открытом состоянии ≤ 0.06 Ω при VGS = -10 В и ID = -16 А снижает потери мощности и нагрев.

Высокая токовая способность

Непрерывный ток стока до -31 А (TC = 25 °C) обеспечивает работу с мощными нагрузками.

Высокая термостойкость

Рабочая температура перехода до 175 °C и низкий RθJC = 1.4 °C/Вт для эффективного теплоотвода.

Лавинная стойкость

Полностью лавинно-стойкий, с энергией одиночного импульса EAS = 280 мДж для надежной работы.

Ключевые характеристики

Полярность:P-канальный MOSFET
Корпус:TO-263 (D2PAK)
VDS (макс.):-55 В
ID (непрерывный, TC = 25 °C):-31 А
ID (непрерывный, TC = 100 °C):-22 А
IDM (импульсный):-110 А
RDS(on) (макс.):0.06 Ω @ VGS = -10 В, ID = -16 А
VGS (макс.):±20 В
VGS(th) (порог затвора):-2.0 … -4.0 В
PD (TC = 25 °C):110 Вт
RθJC (макс.):1.4 °C/Вт
Qg (заряд затвора):до 63 нКл @ VGS = -10 В, ID = -16 А, VDS = -44 В
Qgd (заряд Миллера):29 нКл (тип.)
Емкости (тип.):Ciss 1200 пФ, Coss 520 пФ, Crss 250 пФ
Диод (VSD):-1.3 В (тип.) @ IS = -16 А, VGS = 0 В
trr (восстановление диода):71–110 нс
dv/dt (пиковое восстановление):5.8 В/нс
Диапазон температур перехода:-55 … +175 °C

Детальные технические параметры

  • RDS(on) ≤ 0.06 Ω при VGS = -10 В, ID = -16 А (25 °C).
  • Непрерывный ток стока: -31 А (TC = 25 °C); -22 А (TC = 100 °C).
  • Импульсный ток стока (пик): -110 А (ограничено теплом).
  • Заряд затвора Qg: до 63 нКл; Qgd: 29 нКл; Qgs: 13 нКл.
  • Емкости при VDS = -25 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц: Ciss ≈ 1200 пФ; Coss ≈ 520 пФ; Crss ≈ 250 пФ (тип.).
  • Диод тела: VSD ≈ -1.3 В (тип.) @ IS = -16 А; trr 71–110 нс; Qrr 170–250 нКл.
  • Лавина: EAS = 280 мДж; IAR = -16 А; EAR = 11 мДж.
  • Тепловые параметры: RθJC = 1.4 °C/Вт; RθJA ≈ 40 °C/Вт (на 1" FR‑4/G‑10 PCB).
  • Макс. температура пайки (10 с): 300 °C (на расстоянии 1.6 мм от корпуса).
Примечание: параметры основаны на документации International Rectifier для IRF5305S. Источник: International Rectifier Datasheet (PDF).

Основные области применения

  • Силовые коммутационные узлы и высокотоковые ключи в низковольтных системах до -55 В.
  • Преобразователи общего назначения и силовая электроника, где важны низкие потери на сопротивлении канала.
  • Коммутация индуктивных нагрузок с учетом лавинной стойкости.

Совместимые обозначения и альтернативы

Аналогичные варианты этой же серии в других корпусах: IRF5305 (TO‑220AB), IRF5305L (TO‑262), IRFR5305 (DPAK). Параметры и распиновка отличаются в зависимости от корпуса — проверяйте соответствие в соответствующих даташитах.

Вопросы-ответы (FAQ)

Это N‑канальный или P‑канальный MOSFET?

IRF5305S — P‑канальный MOSFET с VDS = -55 В.

Какова максимальная проводимость (ток) при непрерывной работе?

До -31 А при температуре корпуса 25 °C (и -22 А при 100 °C).

При каких условиях указан RDS(on) = 0.06 Ω?

При VGS = -10 В и ID = -16 А (Tj = 25 °C).

Характеристики
Основные
Полярность
N-канальний MOSFET
Тип корпуса
TO-263
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Продовжимо солов'їною?

Оберіть мову