Транзистор E13009-2 корпус TO-220

Name: Транзистор E13009-2 корпус TO-220
Brand: Китай
Price: 15.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Китай Код товару: 5578

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки 0

Питання0

Інструкція

новинка

В наявності

Код товару: 5578

15.00 грн

Знайшли дешевше?

Полярність:NPN

Тип корпусу:TO-220

Доставка

Новою Поштою у відділення та поштомати

від 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фіксована 49грн

Укрпоштою у відділення по Україні

від 45 ₴

Meest Express

від 60 ₴

Оплата

Оплата карткою

Переказ на картку

Оплата на IBAN

Безготівковий розрахунок

Післяплата

Гарантійні положення

Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються

Транзистор E13009-2 корпус TO-220

15.00 грн

Опис

🔌 Транзистор E13009-2 корпус TO-220

NPN 400В 12А, Швидкий, для Імпульсних Джерел Живлення та Інверторів

Загальний опис

Транзистор E13009-2 – це високовольтний швидкодіючий NPN силовий транзистор, розроблений спеціально для комутаційних застосувань у мережах 115В та 220В. Поєднуючи надзвичайно високу напругу пробою до 400В, потужний струм колектора до 12А та відмінні характеристики швидкодії, цей транзистор є оптимальним вибором для імпульсних джерел живлення, інверторів, схем керування двигунами та систем індуктивної комутації. Завдяки корпусу TO-220 з низьким тепловим опором та можливістю розсіювати до 100Вт потужності при використанні з радіатором, E13009-2 забезпечує надійну роботу в складних умовах експлуатації, де потрібні висока ефективність, швидке перемикання та стійкість до значних навантажень. Цей транзистор став стандартом для схемотехніки високовольтної комутації завдяки оптимальному балансу між характеристиками, надійністю та вартістю.

✅ Технічні переваги:

• Надзвичайно висока напруга пробою 400В – забезпечує надійну роботу в мережевих пристроях та високовольтних схемах, гарантуючи значний запас міцності при роботі зі стандартними мережами 115В та 220В
• Високий струм колектора до 12А – дозволяє комутувати значні навантаження без додаткових підсилювальних каскадів, що спрощує схемотехніку та підвищує надійність імпульсних джерел живлення
• Відмінні швидкісні характеристики – забезпечує швидке перемикання з типовими значеннями часу наростання 0,55 мкс та часу спаду 0,20 мкс, що критично важливо для ефективної роботи імпульсних схем
• Значна розсіювана потужність 100Вт – при використанні з радіатором дозволяє працювати в режимах з високими струмами та напругами, забезпечуючи надійне охолодження та стабільність характеристик
• Низька напруга насичення – всього 1,0В при струмі колектора 5А, що мінімізує втрати потужності в режимі насичення та підвищує загальну ефективність пристроїв

🔧 Ідеальне рішення для:

Імпульсні блоки живлення

Інвертори напруги

Системи керування двигунами

Драйвери соленоїдів та реле

Схеми горизонтального відхилення

Високовольтні регулятори

Комутаційні пристрої

Мережеві адаптери

💡 Широкі можливості застосування:

Високоефективні імпульсні джерела живлення – транзистор E13009-2 є оптимальним рішенням для ключового елемента в топологіях Flyback та Forward перетворювачів потужністю до 200Вт. Завдяки низькій напрузі насичення (1,0В при 5А) та швидким часам перемикання, він забезпечує мінімальні втрати потужності та високий ККД (до 90%) блоків живлення, працюючих від мережевої напруги 220В.
Інвертори для сонячних панелей та систем безперебійного живлення – використовуйте E13009-2 для створення надійних інверторів, що перетворюють постійну напругу від акумуляторів (12В/24В) у змінну напругу 220В. Висока напруга пробою та значний запас по струму дозволяють створювати компактні та ефективні інверторні системи для автономного електрозабезпечення та резервного живлення.
PWM-контролери швидкості електродвигунів – швидкий час перемикання транзистора ідеально підходить для широтно-імпульсної модуляції (ШІМ) в системах керування двигунами постійного струму потужністю до 500Вт. E13009-2 забезпечує плавне регулювання швидкості з мінімальним нагрівом, що особливо важливо для промислових систем та верстатів.
Комутація індуктивних навантажень – конструкція транзистора оптимізована для роботи з індуктивними навантаженнями, такими як соленоїди, електромагнітні клапани та реле. Стійкість до зворотної ЕРС та здатність витримувати високі імпульсні струми (до 24А) робить його надійним елементом для промислової автоматики та систем управління.
Ремонт та модернізація телевізорів – E13009-2 широко використовується в схемах горизонтального відхилення кінескопних телевізорів та моніторів, а також у блоках живлення сучасних LED/LCD телевізорів. Його параметри дозволяють працювати в умовах високих напруг та індуктивних навантажень, забезпечуючи стабільну роботу при тривалій експлуатації.

📦 Детальні технічні характеристики:

Тип транзистора: NPN силовий транзистор
Корпус: TO-220
Максимальні напруги:
- Напруга колектор-база (V_CBO): 700 В
- Напруга колектор-емітер (V_CEO): 400 В
- Напруга емітер-база (V_EBO): 9 В
Струмові характеристики:
- Струм колектора постійний (I_C): 12 А
- Струм колектора піковий: 24 А
- Струм емітера постійний (I_E): 18 А
- Струм бази постійний (I_B): 6 А
Потужність розсіювання:
- 2 Вт при температурі навколишнього середовища 25°C
- 100 Вт при температурі корпусу 25°C (з радіатором)
Діапазон робочих температур: від -65 до +150 °C
Теплові характеристики:
- Тепловий опір перехід-корпус (R_θJC): 1,25 °C/Вт
Коефіцієнт підсилення по струму (h_FE):
- 8–40 при I_C = 5 А, V_CE = 5 В
- 6–30 при I_C = 8 А, V_CE = 5 В
Напруга насичення колектор-емітер (V_CE(sat)):
- ≤ 1,0 В при I_C = 5 А, I_B = 1 А
- ≤ 1,5 В при I_C = 8 А, I_B = 1,6 А
- ≤ 3,0 В при I_C = 12 А, I_B = 3 А
Частотні характеристики:
- Гранична частота (f_T): ≥ 4 МГц
- Ємність виходу колектора (C_ob): типово 180 пФ
Характеристики перемикання:
- Час затримки (t_d): типово 0,06 мкс, макс. 0,1 мкс
- Час наростання (t_r): типово 0,55 мкс, макс. 1,5 мкс
- Час зберігання (t_s): типово 2,5 мкс, макс. 4,0 мкс
- Час спаду (t_f): типово 0,20 мкс, макс. 0,7 мкс

⚠️ Важливі аспекти використання:

Належне охолодження – транзистор обов'язково потребує радіатора при роботі зі струмами понад 1А. Без радіатора максимальна розсіювана потужність обмежена лише 2Вт! Для досягнення номінальної потужності 100Вт необхідно використовувати радіатор з площею не менше 200 см² та забезпечити хорошу теплопередачу за допомогою теплопровідної пасти. При монтажі обов'язково використовуйте ізолюючі прокладки, оскільки колектор з'єднаний з металевою підкладкою корпусу.
Захист від індуктивного викиду – при роботі з індуктивними навантаженнями (двигуни, соленоїди, трансформатори) обов'язково використовуйте захисні діоди для придушення зворотної ЕРС. Підключіть швидкий діод (наприклад, UF4007) паралельно навантаженню для захисту транзистора від пробою високою напругою, що виникає при розмиканні індуктивного кола.
Коректне керування базою – незважаючи на високий максимальний струм бази (6А), для ефективної роботи в ключовому режимі достатньо забезпечити співвідношення I_B = I_C/5. Для швидкого перемикання рекомендується використовувати драйвер з резистором в колі бази не більше 100 Ом та роздільними ланцюгами для вмикання та вимикання, що мінімізує втрати при комутації.
Врахування відносно низького h_FE – на відміну від малосигнальних транзисторів, E13009-2 має невисокий коефіцієнт підсилення (h_FE = 8-40), який додатково знижується при високих струмах та підвищенні температури. Проектуйте схеми керування з запасом по струму бази для забезпечення надійного насичення транзистора у всьому робочому діапазоні температур.
Обмеження щодо частоти – хоча транзистор має відносно швидкі характеристики перемикання, його ефективна робота обмежена частотами до 50 кГц. При використанні на вищих частотах значно зростають динамічні втрати, що призводить до перегріву та зниження ефективності. Для застосувань з частотами понад 50 кГц рекомендуємо використовувати спеціалізовані високочастотні MOSFET-транзистори.

Транзистор E13009-2 – це перевірене часом рішення для комутації високих напруг та струмів у імпульсних джерелах живлення, інверторах та системах керування. Завдяки надійності, високій напрузі пробою та оптимальним характеристикам перемикання, цей транзистор забезпечить стабільну роботу ваших електронних проєктів у найскладніших умовах.

ЗАМОВТЕ ЗАРАЗ

#E13009-2 #NPNтранзистор #ІмпульснеДжерелоЖивлення #Високовольтний #Швидкодіючий #РемонтЕлектроніки

Характеристики

Основні

Полярність

NPN

Тип корпусу

TO-220

Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.

Інструкція

⚡ Інструкція з підключення транзистора E13009-2

NPN високовольтний силовий транзистор корпус TO-220

1. Ідентифікація виводів

Транзистор E13009-2 має корпус TO-220 із трьома виводами, які розташовані наступним чином (якщо дивитися на лицьову сторону транзистора з написами, виводи внизу):

flowchart TD
    subgraph TO220["Корпус TO-220 (вигляд спереду)"]
      Metal["Металева пластина
(з'єднана з Колектором)"]
      direction TB
      
      subgraph Pins["Виводи"]
        direction LR
        B["1
База
(B)"] --- C["2
Колектор
(C)"] --- E["3
Емітер
(E)"]
      end
      
      Metal --- Pins
    end
    
    classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px
    class B,C,E pin

Завжди перевіряйте маркування на корпусі або даташит для точного визначення виводів. У деяких транзисторах розташування виводів може відрізнятися.

2. Основна схема підключення

Оскільки E13009-2 — це NPN транзистор, його основна схема підключення передбачає з'єднання емітера з землею, колектора з навантаженням, а бази — з керуючим сигналом через резистор.

flowchart TD
    VCC["+ Живлення (V_CC)"] --> Load["Навантаження"]
    Load --> C["Колектор (C)
    E13009-2"]
    B["База (B)
    E13009-2"] --> RB["Резистор бази
    R_B"]
    RB --> Signal["Керуючий сигнал
    (Мікроконтролер)"]
    
    C --> E["Емітер (E)
    E13009-2"]
    E --> GND["Земля (GND)"]
    
    B --> RE["Резистор
    1 кОм"]
    RE --> E
    
    %% Захисний діод
    Diode["Діод
    (1N4007)"] --> Load
    C --> Diode

3. Розрахунок резистора бази (R_B)

Для правильної роботи транзистора необхідно розрахувати значення резистора бази.

Приклад розрахунку для типових умов роботи:

Напруга живлення (V_CC): 12В
Струм колектора (I_C): 5А
Коефіцієнт підсилення (h_FE): від 8 до 40 (беремо мінімальне значення 8 для надійності)
Керуючий сигнал від мікроконтролера: 5В

Розрахунок струму бази:

I_B > I_C / h_FE = 5А / 8 = 0,625А

Для надійності роботи можна взяти I_B ≈ 1А (максимальний допустимий струм бази з даташиту — 6А).

Розрахунок значення резистора:

Напруга на резисторі: V_R_B = V_input - V_BE(on) = 5В - 0,7В = 4,3В

R_B = V_R_B / I_B = 4,3В / 1А = 4,3 Ом

Такий великий струм бази (до 1А) непрактичний для прямого керування від мікроконтролера. В такому випадку рекомендується використовувати Дарлінгтонівську схему з додатковим транзистором.

4. Схема з використанням додаткового транзистора (Дарлінгтонівська)

Для зменшення струму керування рекомендується використовувати додатковий NPN транзистор, наприклад, 2N2222.

flowchart TD
    VCC["+ Живлення (V_CC)"] --> Load["Навантаження"]
    Load --> C["Колектор (C)
    E13009-2"]
    
    B["База (B)
    E13009-2"] --> RB["Резистор
    18 Ом"]
    RB --> C_NPN["Колектор
    2N2222"]
    
    C_NPN --> E_NPN["Емітер
    2N2222"]
    E_NPN --> GND1["Земля (GND)"]
    
    B_NPN["База
    2N2222"] --> R_B_NPN["Резистор
    680 Ом"]
    R_B_NPN --> Signal["Керуючий сигнал
    (Мікроконтролер)"]
    
    C --> E["Емітер (E)
    E13009-2"]
    E --> GND2["Земля (GND)"]
    
    B --> RE["Резистор
    1 кОм"]
    RE --> E
    
    %% Захисний діод
    Diode["Діод
    (1N4007)"] --> Load
    C --> Diode

Розрахунок компонентів для Дарлінгтонівської схеми:

Компонент	Призначення	Розрахунок	Рекомендоване значення
R_B	Резистор для бази E13009-2	(12В - 0,7В - 0,2В) / 0,625А	18 Ом
R_B_NPN	Резистор для бази NPN	(5В - 0,7В) / 6,25мА	680 Ом
R_E	Резистор між базою та емітером	-	1 кОм

5. Додаткові компоненти захисту

Резистор між базою та емітером: 1 кОм для надійного закриття транзистора.
Захисний діод: 1N4007 або аналог для захисту від зворотної напруги при індуктивному навантаженні.
Радіатор: Обов'язковий при струмах понад 1А або потужності більше 10Вт.

Використання захисного діода обов'язкове при підключенні індуктивних навантажень, таких як двигуни, електромагніти або реле. Відсутність діода може призвести до пробою транзистора при вимкненні.

6. Покрокова інструкція підключення

Підключіть емітер (E) транзистора E13009-2 до землі (GND).
З'єднайте колектор (C) транзистора E13009-2 з одним кінцем навантаження, а інший кінець навантаження — з позитивною напругою живлення (V_CC).
При роботі з Дарлінгтонівською схемою:
- Візьміть NPN транзистор (наприклад, 2N2222) і підключіть його емітер до землі (GND).
- Підключіть колектор NPN транзистора через резистор 18 Ом до бази (B) транзистора E13009-2.
- Підключіть базу NPN транзистора через резистор 680 Ом до джерела керуючого сигналу (наприклад, виходу мікроконтролера).
Додайте резистор 1 кОм між базою та емітером E13009-2 для надійного закриття.
Для індуктивного навантаження підключіть захисний діод паралельно до навантаження: анод до колектора E13009-2, катод до V_CC.
Переконайтеся, що транзистор оснащений відповідним радіатором.

7. Принцип роботи схеми

Відкриття транзистора (вмикання навантаження):

Коли на базу NPN транзистора подається високий рівень (наприклад, 5В):

NPN транзистор відкривається
Струм проходить від V_CC через резистор R_B до бази E13009-2
E13009-2 відкривається, дозволяючи струму проходити через навантаження

Закриття транзистора (вимикання навантаження):

Коли на базу NPN транзистора подається низький рівень (0В):

NPN транзистор закривається
Резистор 1 кОм між базою та емітером E13009-2 відводить залишковий заряд з бази
E13009-2 закривається
Струм через навантаження припиняється

8. Практичні застосування

Керування двигуном постійного струму:

Підключіть двигун як навантаження, додайте захисний діод паралельно до двигуна. Використовуйте PWM сигнал для регулювання швидкості обертання.

Силовий ключ для імпульсних регуляторів:

Транзистор E13009-2 ідеально підходить для імпульсних джерел живлення та інверторів завдяки своїй високій напрузі пробою та швидкості перемикання.

9. Обмеження та граничні параметри

Параметр	Значення
Максимальна напруга колектор-емітер (V_CEO)	400 В
Максимальний постійний струм колектора (I_C)	12 А
Максимальний піковий струм колектора	24 А
Максимальний струм бази (I_B)	6 А
Максимальна розсіювана потужність (P_tot)	100 Вт (з радіатором)

Не перевищуйте граничні параметри транзистора. Завжди використовуйте радіатор при роботі з високими струмами або напругами. Перевірте необхідність ізолюючої прокладки між транзистором та радіатором, оскільки металева основа корпусу TO-220 з'єднана з колектором.

Важливе зауваження: Ми доклали зусиль, щоб ця інструкція була точною та корисною. Однак, ця інструкція надається як довідковий матеріал. Електронні компоненти можуть мати варіації, а схеми підключення залежать від конкретних умов та вашого обладнання. Ця інформація надається "як є", без гарантій повноти чи безпомилковості. Наполегливо рекомендуємо перевіряти специфікації вашого модуля (datasheet), звірятися з іншими джерелами та, за найменших сумнівів, звертатися до кваліфікованих фахівців, особливо при роботі з напругою 220В.