E13009-2 транзистор корпус TO-220

Name: E13009-2 транзистор корпус TO-220
Brand: Китай
Price: 15.00 UAH
Availability: InStock

Производитель: Китай Код товара: 5578

Все о товаре

Описание

Характеристики

Отзывы 0

Вопросы0

Инструкция

новинка

Есть в наличии

Код товара: 5578

15.00 грн

Нашли дешевле?

Полярность:NPN

Тип корпуса:TO-220

Доставка

Новой почтой в отделения и почтоматы

от 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фиксировано 49 грн

Укрпочтой в отделение по Украине

от 45 ₴

Meest Express

от 60 ₴

Оплата

Оплата картой

Перевод на карточку

Оплата на IBAN

Безналичный расчет

Наложенный платеж

Гарантийные положения

Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются

E13009-2 транзистор корпус TO-220

15.00 грн

Описание

🔌 Транзистор E13009-2 корпус TO-220

NPN 400В 12А, Быстродействующий, для Импульсных Источников Питания и Инверторов

Общее описание

Транзистор E13009-2 – это высоковольтный быстродействующий NPN силовой транзистор, разработанный специально для коммутационных применений в сетях 115В и 220В. Сочетая чрезвычайно высокое напряжение пробоя до 400В, мощный ток коллектора до 12А и отличные характеристики быстродействия, этот транзистор является оптимальным выбором для импульсных источников питания, инверторов, схем управления двигателями и систем индуктивной коммутации. Благодаря корпусу TO-220 с низким тепловым сопротивлением и возможностью рассеивать до 100Вт мощности при использовании с радиатором, E13009-2 обеспечивает надежную работу в сложных условиях эксплуатации, где требуются высокая эффективность, быстрое переключение и устойчивость к значительным нагрузкам. Этот транзистор стал стандартом для схемотехники высоковольтной коммутации благодаря оптимальному балансу между характеристиками, надежностью и стоимостью.

✅ Технические преимущества:

• Чрезвычайно высокое напряжение пробоя 400В – обеспечивает надежную работу в сетевых устройствах и высоковольтных схемах, гарантируя значительный запас прочности при работе со стандартными сетями 115В и 220В
• Высокий ток коллектора до 12А – позволяет коммутировать значительные нагрузки без дополнительных усилительных каскадов, что упрощает схемотехнику и повышает надежность импульсных источников питания
• Отличные скоростные характеристики – обеспечивает быстрое переключение с типичными значениями времени нарастания 0,55 мкс и времени спада 0,20 мкс, что критически важно для эффективной работы импульсных схем
• Значительная рассеиваемая мощность 100Вт – при использовании с радиатором позволяет работать в режимах с высокими токами и напряжениями, обеспечивая надежное охлаждение и стабильность характеристик
• Низкое напряжение насыщения – всего 1,0В при токе коллектора 5А, что минимизирует потери мощности в режиме насыщения и повышает общую эффективность устройств

🔧 Идеальное решение для:

Импульсные блоки питания

Инверторы напряжения

Системы управления двигателями

Драйверы соленоидов и реле

Схемы горизонтального отклонения

Высоковольтные регуляторы

Коммутационные устройства

Сетевые адаптеры

💡 Широкие возможности применения:

Высокоэффективные импульсные источники питания – транзистор E13009-2 является оптимальным решением для ключевого элемента в топологиях Flyback и Forward преобразователей мощностью до 200Вт. Благодаря низкому напряжению насыщения (1,0В при 5А) и быстрым временам переключения, он обеспечивает минимальные потери мощности и высокий КПД (до 90%) блоков питания, работающих от сетевого напряжения 220В.
Инверторы для солнечных панелей и систем бесперебойного питания – используйте E13009-2 для создания надежных инверторов, преобразующих постоянное напряжение от аккумуляторов (12В/24В) в переменное напряжение 220В. Высокое напряжение пробоя и значительный запас по току позволяют создавать компактные и эффективные инверторные системы для автономного электроснабжения и резервного питания.
PWM-контроллеры скорости электродвигателей – быстрое время переключения транзистора идеально подходит для широтно-импульсной модуляции (ШИМ) в системах управления двигателями постоянного тока мощностью до 500Вт. E13009-2 обеспечивает плавное регулирование скорости с минимальным нагревом, что особенно важно для промышленных систем и станков.
Коммутация индуктивных нагрузок – конструкция транзистора оптимизирована для работы с индуктивными нагрузками, такими как соленоиды, электромагнитные клапаны и реле. Устойчивость к обратной ЭДС и способность выдерживать высокие импульсные токи (до 24А) делает его надежным элементом для промышленной автоматики и систем управления.
Ремонт и модернизация телевизоров – E13009-2 широко используется в схемах горизонтального отклонения кинескопных телевизоров и мониторов, а также в блоках питания современных LED/LCD телевизоров. Его параметры позволяют работать в условиях высоких напряжений и индуктивных нагрузок, обеспечивая стабильную работу при длительной эксплуатации.

📦 Детальные технические характеристики:

Тип транзистора: NPN силовой транзистор
Корпус: TO-220
Максимальные напряжения:
- Напряжение коллектор-база (V_CBO): 700 В
- Напряжение коллектор-эмиттер (V_CEO): 400 В
- Напряжение эмиттер-база (V_EBO): 9 В
Токовые характеристики:
- Ток коллектора постоянный (I_C): 12 А
- Ток коллектора пиковый: 24 А
- Ток эмиттера постоянный (I_E): 18 А
- Ток базы постоянный (I_B): 6 А
Мощность рассеивания:
- 2 Вт при температуре окружающей среды 25°C
- 100 Вт при температуре корпуса 25°C (с радиатором)
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C
Тепловые характеристики:
- Тепловое сопротивление переход-корпус (R_θJC): 1,25 °C/Вт
Коэффициент усиления по току (h_FE):
- 8–40 при I_C = 5 А, V_CE = 5 В
- 6–30 при I_C = 8 А, V_CE = 5 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)):
- ≤ 1,0 В при I_C = 5 А, I_B = 1 А
- ≤ 1,5 В при I_C = 8 А, I_B = 1,6 А
- ≤ 3,0 В при I_C = 12 А, I_B = 3 А
Частотные характеристики:
- Предельная частота (f_T): ≥ 4 МГц
- Емкость выхода коллектора (C_ob): типично 180 пФ
Характеристики переключения:
- Время задержки (t_d): типично 0,06 мкс, макс. 0,1 мкс
- Время нарастания (t_r): типично 0,55 мкс, макс. 1,5 мкс
- Время хранения (t_s): типично 2,5 мкс, макс. 4,0 мкс
- Время спада (t_f): типично 0,20 мкс, макс. 0,7 мкс

⚠️ Важные аспекты использования:

Надлежащее охлаждение – транзистор обязательно требует радиатора при работе с токами свыше 1А. Без радиатора максимальная рассеиваемая мощность ограничена лишь 2Вт! Для достижения номинальной мощности 100Вт необходимо использовать радиатор с площадью не менее 200 см² и обеспечить хорошую теплопередачу с помощью теплопроводной пасты. При монтаже обязательно используйте изолирующие прокладки, поскольку коллектор соединен с металлической подложкой корпуса.
Защита от индуктивного выброса – при работе с индуктивными нагрузками (двигатели, соленоиды, трансформаторы) обязательно используйте защитные диоды для подавления обратной ЭДС. Подключите быстрый диод (например, UF4007) параллельно нагрузке для защиты транзистора от пробоя высоким напряжением, возникающим при размыкании индуктивной цепи.
Корректное управление базой – несмотря на высокий максимальный ток базы (6А), для эффективной работы в ключевом режиме достаточно обеспечить соотношение I_B = I_C/5. Для быстрого переключения рекомендуется использовать драйвер с резистором в цепи базы не более 100 Ом и раздельными цепями для включения и выключения, что минимизирует потери при коммутации.
Учет относительно низкого h_FE – в отличие от малосигнальных транзисторов, E13009-2 имеет невысокий коэффициент усиления (h_FE = 8-40), который дополнительно снижается при высоких токах и повышении температуры. Проектируйте схемы управления с запасом по току базы для обеспечения надежного насыщения транзистора во всем рабочем диапазоне температур.
Ограничение по частоте – хотя транзистор обладает относительно быстрыми характеристиками переключения, его эффективная работа ограничена частотами до 50 кГц. При использовании на более высоких частотах значительно возрастают динамические потери, что приводит к перегреву и снижению эффективности. Для применений с частотами свыше 50 кГц рекомендуем использовать специализированные высокочастотные MOSFET-транзисторы.

Транзистор E13009-2 – это проверенное временем решение для коммутации высоких напряжений и токов в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления. Благодаря надежности, высокому напряжению пробоя и оптимальным характеристикам переключения, этот транзистор обеспечит стабильную работу ваших электронных проектов в самых сложных условиях.

ЗАКАЖИТЕ СЕЙЧАС

#E13009-2 #NPNтранзистор #ИмпульсныйИсточникПитания #Высоковольтный #Быстродействующий #РемонтЭлектроники

Характеристики

Основные

Полярность

NPN

Тип корпуса

TO-220

Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы

Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Инструкция

⚡ Инструкция по подключению транзистора E13009-2

NPN высоковольтный силовой транзистор корпус TO-220

1. Идентификация выводов

Транзистор E13009-2 имеет корпус TO-220 с тремя выводами, которые расположены следующим образом (если смотреть на лицевую сторону транзистора с надписями, выводы внизу):

flowchart TD
    subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"]
      Metal["Металлическая пластина
(соединена с Коллектором)"]
      direction TB
      
      subgraph Pins["Выводы"]
        direction LR
        B["1
База
(B)"] --- C["2
Коллектор
(C)"] --- E["3
Эмиттер
(E)"]
      end
      
      Metal --- Pins
    end
    
    classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px
    class B,C,E pin

Всегда проверяйте маркировку на корпусе или даташит для точного определения выводов. У некоторых транзисторов расположение выводов может отличаться.

2. Основная схема подключения

Поскольку E13009-2 — это NPN транзистор, его основная схема подключения предполагает соединение эмиттера с землей, коллектора с нагрузкой, а базы — с управляющим сигналом через резистор.

flowchart TD
    VCC["+ Питание (V_CC)"] --> Load["Нагрузка"]
    Load --> C["Коллектор (C)
    E13009-2"]
    B["База (B)
    E13009-2"] --> RB["Резистор базы
    R_B"]
    RB --> Signal["Управляющий сигнал
    (Микроконтроллер)"]
    
    C --> E["Эмиттер (E)
    E13009-2"]
    E --> GND["Земля (GND)"]
    
    B --> RE["Резистор
    1 кОм"]
    RE --> E
    
    %% Защитный диод
    Diode["Диод
    (1N4007)"] --> Load
    C --> Diode

3. Расчет резистора базы (R_B)

Для правильной работы транзистора необходимо рассчитать значение резистора базы.

Пример расчета для типичных условий работы:

Напряжение питания (V_CC): 12В
Ток коллектора (I_C): 5А
Коэффициент усиления (h_FE): от 8 до 40 (берем минимальное значение 8 для надежности)
Управляющий сигнал от микроконтроллера: 5В

Расчет тока базы:

I_B > I_C / h_FE = 5А / 8 = 0,625А

Для надежности работы можно взять I_B ≈ 1А (максимальный допустимый ток базы из даташита — 6А).

Расчет значения резистора:

Напряжение на резисторе: V_R_B = V_input - V_BE(on) = 5В - 0,7В = 4,3В

R_B = V_R_B / I_B = 4,3В / 1А = 4,3 Ом

Такой большой ток базы (до 1А) непрактичен для прямого управления от микроконтроллера. В таком случае рекомендуется использовать Дарлингтоновскую схему с дополнительным транзистором.

4. Схема с использованием дополнительного транзистора (Дарлингтоновская)

Для уменьшения тока управления рекомендуется использовать дополнительный NPN транзистор, например, 2N2222.

flowchart TD
    VCC["+ Питание (V_CC)"] --> Load["Нагрузка"]
    Load --> C["Коллектор (C)
    E13009-2"]
    
    B["База (B)
    E13009-2"] --> RB["Резистор
    18 Ом"]
    RB --> C_NPN["Коллектор
    2N2222"]
    
    C_NPN --> E_NPN["Эмиттер
    2N2222"]
    E_NPN --> GND1["Земля (GND)"]
    
    B_NPN["База
    2N2222"] --> R_B_NPN["Резистор
    680 Ом"]
    R_B_NPN --> Signal["Управляющий сигнал
    (Микроконтроллер)"]
    
    C --> E["Эмиттер (E)
    E13009-2"]
    E --> GND2["Земля (GND)"]
    
    B --> RE["Резистор
    1 кОм"]
    RE --> E
    
    %% Защитный диод
    Diode["Диод
    (1N4007)"] --> Load
    C --> Diode

Расчет компонентов для Дарлингтоновской схемы:

Компонент	Назначение	Расчет	Рекомендуемое значение
R_B	Резистор для базы E13009-2	(12В - 0,7В - 0,2В) / 0,625А	18 Ом
R_B_NPN	Резистор для базы NPN	(5В - 0,7В) / 6,25мА	680 Ом
R_E	Резистор между базой и эмиттером	-	1 кОм

5. Дополнительные компоненты защиты

Резистор между базой и эмиттером: 1 кОм для надежного закрытия транзистора.
Защитный диод: 1N4007 или аналог для защиты от обратного напряжения при индуктивной нагрузке.
Радиатор: Обязателен при токах свыше 1А или мощности более 10Вт.

Использование защитного диода обязательно при подключении индуктивных нагрузок, таких как двигатели, электромагниты или реле. Отсутствие диода может привести к пробою транзистора при выключении.

6. Пошаговая инструкция подключения

Подключите эмиттер (E) транзистора E13009-2 к земле (GND).
Соедините коллектор (C) транзистора E13009-2 с одним концом нагрузки, а другой конец нагрузки — с положительным напряжением питания (V_CC).
При работе с Дарлингтоновской схемой:
- Возьмите NPN транзистор (например, 2N2222) и подключите его эмиттер к земле (GND).
- Подключите коллектор NPN транзистора через резистор 18 Ом к базе (B) транзистора E13009-2.
- Подключите базу NPN транзистора через резистор 680 Ом к источнику управляющего сигнала (например, выходу микроконтроллера).
Добавьте резистор 1 кОм между базой и эмиттером E13009-2 для надежного закрытия.
Для индуктивной нагрузки подключите защитный диод параллельно нагрузке: анод к коллектору E13009-2, катод к V_CC.
Убедитесь, что транзистор оснащен соответствующим радиатором.

7. Принцип работы схемы

Открытие транзистора (включение нагрузки):

Когда на базу NPN транзистора подается высокий уровень (например, 5В):

NPN транзистор открывается
Ток проходит от V_CC через резистор R_B к базе E13009-2
E13009-2 открывается, позволяя току проходить через нагрузку

Закрытие транзистора (выключение нагрузки):

Когда на базу NPN транзистора подается низкий уровень (0В):

NPN транзистор закрывается
Резистор 1 кОм между базой и эмиттером E13009-2 отводит остаточный заряд с базы
E13009-2 закрывается
Ток через нагрузку прекращается

8. Практические применения

Управление двигателем постоянного тока:

Подключите двигатель как нагрузку, добавьте защитный диод параллельно двигателю. Используйте ШИМ-сигнал для регулирования скорости вращения.

Силовой ключ для импульсных регуляторов:

Транзистор E13009-2 идеально подходит для импульсных источников питания и инверторов благодаря своему высокому напряжению пробоя и скорости переключения.

9. Ограничения и предельные параметры

Параметр	Значение
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CEO)	400 В
Максимальный постоянный ток коллектора (I_C)	12 А
Максимальный пиковый ток коллектора	24 А
Максимальный ток базы (I_B)	6 А
Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot)	100 Вт (с радиатором)

Не превышайте предельные параметры транзистора. Всегда используйте радиатор при работе с высокими токами или напряжениями. Проверьте необходимость изолирующей прокладки между транзистором и радиатором, поскольку металлическая основа корпуса TO-220 соединена с коллектором.

Важное замечание: Мы приложили усилия, чтобы эта инструкция была точной и полезной. Однако эта инструкция предоставляется как справочный материал. Электронные компоненты могут иметь вариации, а схемы подключения зависят от конкретных условий и вашего оборудования. Эта информация предоставляется "как есть", без гарантий полноты или безошибочности. Настоятельно рекомендуем проверять спецификации вашего модуля (datasheet), сверяться с другими источниками и, при малейших сомнениях, обращаться к квалифицированным специалистам, особенно при работе с напряжением 220В.