


Высоковольтный скородействующий NPN силовой транзистор для коммутационных применений и импульсных источников питания (SMPS), со способностью работать при высоких напряжениях и токах.
VCEO 400 В, VCBO 700 В — запас прочности для сетевых и высоковольтных схем.
До 12 А (DC) и 24 А импульсно — для тяжелых коммутационных нагрузок.
Типовые временные параметры переключения: tON ≈ 1,1 мкс, tF ≈ 0,7 мкс, tSTG ≈ 3,0 мкс (по условиям даташита).
До 100 Вт при TC = 25°C в корпусе TO-220 — эффективный отвод тепла с радиатором.
Тип транзистора: | NPN, скородействующий силовой |
---|---|
Корпус: | TO-220 (3 вывода) |
VCEO (мин.): | 400 В |
VCBO (макс.): | 700 В |
VEBO (макс.): | 9 В |
IC (непрерывный): | 12 А |
ICP (импульсный): | 24 А |
IB (макс.): | 6 А |
PTOT (при TC=25°C): | 100 Вт |
fT (тип.): | 4 МГц |
Cob (тип.): | 180 пФ |
hFE (IC=5 А, VCE=5 В): | 8…40 |
hFE (IC=8 А, VCE=5 В): | 6…30 |
tON / tSTG / tF (тип.): | 1,1 мкс / 3,0 мкс / 0,7 мкс |
Диапазон температур: | TJ до 150°C; TSTG −65…+150°C |
VCEO 400 В, VCBO 700 В; непрерывный ток коллектора 12 А, импульсный до 24 А (по условиям даташита).
1 — Base, 2 — Collector, 3 — Emitter.
Да. Указанные временные параметры (tON ≈ 1,1 мкс, tF ≈ 0,7 мкс, tSTG ≈ 3,0 мкс) подтверждают пригодность для высокоскоростных коммутационных применений.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.
NPN высоковольтный силовой транзистор корпус TO-220
Транзистор E13009-2
имеет корпус TO-220 с тремя выводами, которые расположены следующим образом (если смотреть на лицевую сторону транзистора с надписями, выводы внизу):
flowchart TD subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"] Metal["Металлическая пластина
(соединена с Коллектором)"] direction TB subgraph Pins["Выводы"] direction LR B["1
База
(B)"] --- C["2
Коллектор
(C)"] --- E["3
Эмиттер
(E)"] end Metal --- Pins end classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px class B,C,E pin
Поскольку E13009-2
— это NPN транзистор, его основная схема подключения предполагает соединение эмиттера с землей, коллектора с нагрузкой, а базы — с управляющим сигналом через резистор.
flowchart TD VCC["+ Питание (V_CC)"] --> Load["Нагрузка"] Load --> C["Коллектор (C) E13009-2"] B["База (B) E13009-2"] --> RB["Резистор базы R_B"] RB --> Signal["Управляющий сигнал (Микроконтроллер)"] C --> E["Эмиттер (E) E13009-2"] E --> GND["Земля (GND)"] B --> RE["Резистор 1 кОм"] RE --> E %% Защитный диод Diode["Диод (1N4007)"] --> Load C --> Diode
Для правильной работы транзистора необходимо рассчитать значение резистора базы.
Для надежности работы можно взять I_B ≈ 1А (максимальный допустимый ток базы из даташита — 6А).
Для уменьшения тока управления рекомендуется использовать дополнительный NPN транзистор, например, 2N2222.
flowchart TD VCC["+ Питание (V_CC)"] --> Load["Нагрузка"] Load --> C["Коллектор (C) E13009-2"] B["База (B) E13009-2"] --> RB["Резистор 18 Ом"] RB --> C_NPN["Коллектор 2N2222"] C_NPN --> E_NPN["Эмиттер 2N2222"] E_NPN --> GND1["Земля (GND)"] B_NPN["База 2N2222"] --> R_B_NPN["Резистор 680 Ом"] R_B_NPN --> Signal["Управляющий сигнал (Микроконтроллер)"] C --> E["Эмиттер (E) E13009-2"] E --> GND2["Земля (GND)"] B --> RE["Резистор 1 кОм"] RE --> E %% Защитный диод Diode["Диод (1N4007)"] --> Load C --> Diode
Компонент | Назначение | Расчет | Рекомендуемое значение |
---|---|---|---|
R_B | Резистор для базы E13009-2 | (12В - 0,7В - 0,2В) / 0,625А | 18 Ом |
R_B_NPN | Резистор для базы NPN | (5В - 0,7В) / 6,25мА | 680 Ом |
R_E | Резистор между базой и эмиттером | - | 1 кОм |
Когда на базу NPN транзистора подается высокий уровень (например, 5В):
Когда на базу NPN транзистора подается низкий уровень (0В):
Подключите двигатель как нагрузку, добавьте защитный диод параллельно двигателю. Используйте ШИМ-сигнал для регулирования скорости вращения.
Транзистор E13009-2 идеально подходит для импульсных источников питания и инверторов благодаря своему высокому напряжению пробоя и скорости переключения.
Параметр | Значение |
---|---|
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CEO) | 400 В |
Максимальный постоянный ток коллектора (I_C) | 12 А |
Максимальный пиковый ток коллектора | 24 А |
Максимальный ток базы (I_B) | 6 А |
Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 100 Вт (с радиатором) |