E13009-2 транзистор корпус TO-220
Транзистор E13009-2 TO-220
Высоковольтный скородействующий NPN силовой транзистор для коммутационных применений и импульсных источников питания (SMPS), со способностью работать при высоких напряжениях и токах.
Основные преимущества
VCEO 400 В, VCBO 700 В — запас прочности для сетевых и высоковольтных схем.
До 12 А (DC) и 24 А импульсно — для тяжелых коммутационных нагрузок.
Типовые временные параметры переключения: tON ≈ 1,1 мкс, tF ≈ 0,7 мкс, tSTG ≈ 3,0 мкс (по условиям даташита).
До 100 Вт при TC = 25°C в корпусе TO-220 — эффективный отвод тепла с радиатором.
Ключевые характеристики
| Тип транзистора: | NPN, скородействующий силовой |
|---|---|
| Корпус: | TO-220 (3 вывода) |
| VCEO (мин.): | 400 В |
| VCBO (макс.): | 700 В |
| VEBO (макс.): | 9 В |
| IC (непрерывный): | 12 А |
| ICP (импульсный): | 24 А |
| IB (макс.): | 6 А |
| PTOT (при TC=25°C): | 100 Вт |
| fT (тип.): | 4 МГц |
| Cob (тип.): | 180 пФ |
| hFE (IC=5 А, VCE=5 В): | 8…40 |
| hFE (IC=8 А, VCE=5 В): | 6…30 |
| tON / tSTG / tF (тип.): | 1,1 мкс / 3,0 мкс / 0,7 мкс |
| Диапазон температур: | TJ до 150°C; TSTG −65…+150°C |
Детальные технические параметры
- VCE(sat): 1,0 В (IC=5 А, IB=1 А); 1,5 В (IC=8 А, IB=1,6 А); 3,0 В (IC=12 А, IB=3 А).
- Классификация hFE: H1 (8…17), H2 (15…28) для режима IC=5 А, VCE=5 В.
- Условия измерения временных параметров: VCC=125 В, IC=8 А, IB1=−IB2=1,6 А, RL=15,6 Ω.
- Распиновка TO-220: 1 — Base, 2 — Collector, 3 — Emitter.
- Orderable варианты в документации onsemi: FJP13009TU (top mark: J13009), FJP13009H2TU (top mark: J13009-2).
Основные области применения
- Импульсные источники питания (SMPS).
- Электронные балласты.
- Коммутационные стабилизаторы (Switching Regulators).
- Управление двигателями (Motor Control).
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы-ответы (FAQ)
VCEO 400 В, VCBO 700 В; непрерывный ток коллектора 12 А, импульсный до 24 А (по условиям даташита).
1 — Base, 2 — Collector, 3 — Emitter.
Да. Указанные временные параметры (tON ≈ 1,1 мкс, tF ≈ 0,7 мкс, tSTG ≈ 3,0 мкс) подтверждают пригодность для высокоскоростных коммутационных применений.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.
⚡ Инструкция по подключению транзистора E13009-2
NPN высоковольтный силовой транзистор корпус TO-220
1. Идентификация выводов
Транзистор E13009-2 имеет корпус TO-220 с тремя выводами, которые расположены следующим образом (если смотреть на лицевую сторону транзистора с надписями, выводы внизу):
flowchart TD
subgraph TO220["Корпус TO-220 (вид спереди)"]
Metal["Металлическая пластина
(соединена с Коллектором)"]
direction TB
subgraph Pins["Выводы"]
direction LR
B["1
База
(B)"] --- C["2
Коллектор
(C)"] --- E["3
Эмиттер
(E)"]
end
Metal --- Pins
end
classDef pin fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px
class B,C,E pin
2. Основная схема подключения
Поскольку E13009-2 — это NPN транзистор, его основная схема подключения предполагает соединение эмиттера с землей, коллектора с нагрузкой, а базы — с управляющим сигналом через резистор.
flowchart TD
VCC["+ Питание (V_CC)"] --> Load["Нагрузка"]
Load --> C["Коллектор (C)
E13009-2"]
B["База (B)
E13009-2"] --> RB["Резистор базы
R_B"]
RB --> Signal["Управляющий сигнал
(Микроконтроллер)"]
C --> E["Эмиттер (E)
E13009-2"]
E --> GND["Земля (GND)"]
B --> RE["Резистор
1 кОм"]
RE --> E
%% Защитный диод
Diode["Диод
(1N4007)"] --> Load
C --> Diode
3. Расчет резистора базы (R_B)
Для правильной работы транзистора необходимо рассчитать значение резистора базы.
- Напряжение питания (V_CC): 12В
- Ток коллектора (I_C): 5А
- Коэффициент усиления (h_FE): от 8 до 40 (берем минимальное значение 8 для надежности)
- Управляющий сигнал от микроконтроллера: 5В
Расчет тока базы:
Для надежности работы можно взять I_B ≈ 1А (максимальный допустимый ток базы из даташита — 6А).
Расчет значения резистора:
4. Схема с использованием дополнительного транзистора (Дарлингтоновская)
Для уменьшения тока управления рекомендуется использовать дополнительный NPN транзистор, например, 2N2222.
flowchart TD
VCC["+ Питание (V_CC)"] --> Load["Нагрузка"]
Load --> C["Коллектор (C)
E13009-2"]
B["База (B)
E13009-2"] --> RB["Резистор
18 Ом"]
RB --> C_NPN["Коллектор
2N2222"]
C_NPN --> E_NPN["Эмиттер
2N2222"]
E_NPN --> GND1["Земля (GND)"]
B_NPN["База
2N2222"] --> R_B_NPN["Резистор
680 Ом"]
R_B_NPN --> Signal["Управляющий сигнал
(Микроконтроллер)"]
C --> E["Эмиттер (E)
E13009-2"]
E --> GND2["Земля (GND)"]
B --> RE["Резистор
1 кОм"]
RE --> E
%% Защитный диод
Diode["Диод
(1N4007)"] --> Load
C --> Diode
Расчет компонентов для Дарлингтоновской схемы:
| Компонент | Назначение | Расчет | Рекомендуемое значение |
|---|---|---|---|
| R_B | Резистор для базы E13009-2 | (12В - 0,7В - 0,2В) / 0,625А | 18 Ом |
| R_B_NPN | Резистор для базы NPN | (5В - 0,7В) / 6,25мА | 680 Ом |
| R_E | Резистор между базой и эмиттером | - | 1 кОм |
5. Дополнительные компоненты защиты
- Резистор между базой и эмиттером: 1 кОм для надежного закрытия транзистора.
- Защитный диод: 1N4007 или аналог для защиты от обратного напряжения при индуктивной нагрузке.
- Радиатор: Обязателен при токах свыше 1А или мощности более 10Вт.
6. Пошаговая инструкция подключения
- Подключите эмиттер (E) транзистора E13009-2 к земле (GND).
- Соедините коллектор (C) транзистора E13009-2 с одним концом нагрузки, а другой конец нагрузки — с положительным напряжением питания (V_CC).
- При работе с Дарлингтоновской схемой:
- Возьмите NPN транзистор (например, 2N2222) и подключите его эмиттер к земле (GND).
- Подключите коллектор NPN транзистора через резистор 18 Ом к базе (B) транзистора E13009-2.
- Подключите базу NPN транзистора через резистор 680 Ом к источнику управляющего сигнала (например, выходу микроконтроллера).
- Добавьте резистор 1 кОм между базой и эмиттером E13009-2 для надежного закрытия.
- Для индуктивной нагрузки подключите защитный диод параллельно нагрузке: анод к коллектору E13009-2, катод к V_CC.
- Убедитесь, что транзистор оснащен соответствующим радиатором.
7. Принцип работы схемы
Открытие транзистора (включение нагрузки):
Когда на базу NPN транзистора подается высокий уровень (например, 5В):
- NPN транзистор открывается
- Ток проходит от V_CC через резистор R_B к базе E13009-2
- E13009-2 открывается, позволяя току проходить через нагрузку
Закрытие транзистора (выключение нагрузки):
Когда на базу NPN транзистора подается низкий уровень (0В):
- NPN транзистор закрывается
- Резистор 1 кОм между базой и эмиттером E13009-2 отводит остаточный заряд с базы
- E13009-2 закрывается
- Ток через нагрузку прекращается
8. Практические применения
Управление двигателем постоянного тока:
Подключите двигатель как нагрузку, добавьте защитный диод параллельно двигателю. Используйте ШИМ-сигнал для регулирования скорости вращения.
Силовой ключ для импульсных регуляторов:
Транзистор E13009-2 идеально подходит для импульсных источников питания и инверторов благодаря своему высокому напряжению пробоя и скорости переключения.
9. Ограничения и предельные параметры
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CEO) | 400 В |
| Максимальный постоянный ток коллектора (I_C) | 12 А |
| Максимальный пиковый ток коллектора | 24 А |
| Максимальный ток базы (I_B) | 6 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 100 Вт (с радиатором) |