Транзистор біполярний SMD SS8550 Y2 (25V 1.5A) корпус SOT-23

Name: Транзистор біполярний SMD SS8550 Y2 (25V 1.5A) корпус SOT-23
Brand: Мій Проект
SKU: 5487
Price: 1.50 UAH
Availability: InStock

Країна-виробник: Китай Код товару: 5487

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки 0

Питання0

Транзистор біполярний SMD SS8550 Y2 (25V 1.5A) корпус SOT-23

В наявності

Код товару: 5487

1.50 грн

Знайшли дешевше?

Максимальна напруга:25 V

Максимальний струм:1.5 А

Полярність:PNP

Тип корпусу:SOT-23

Доставка

Новою Поштою у відділення та поштомати

від 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фіксована 49грн

Укрпоштою у відділення по Україні

від 45 ₴

Meest Express

від 60 ₴

Оплата

Оплата карткою

Переказ на картку

Оплата на IBAN

Безготівковий розрахунок

Післяплата

Гарантійні положення

Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються

Транзистор біполярний SMD SS8550 Y2 (25V 1.5A) корпус SOT-23

Код товару: 5487

1.50 грн

Опис

Біполярний транзистор PNP SS8550 (Y2) SOT-23

Компактний малосигнальний PNP‑транзистор загального призначення у корпусі SOT‑23 з граничною напругою колектор‑емітер 25 В і максимальним колекторним струмом до 1,5 А.

Основні переваги

Високий струм у малому корпусі

Допустимий колекторний струм до 1,5 А у SOT‑23 забезпечує надійне керування навантаженнями при обмеженому просторі на платі.

Широкий діапазон підсилення

Коефіцієнт hFE у діапазоні 120–400 (за умовами вимірювання з даташиту) спрощує проєктування підсилювальних та ключових каскадів.

Низьке насичення

VCE(sat) до 0,5 В при IB=80 мА та IC=800 мА дозволяє зменшити втрати потужності у ключових режимах.

Висока гранична частота

Гранична частота fT до 100 МГц підтримує роботу в швидкодіючих схемах загального призначення.

Ключові характеристики

Полярність:	PNP
Корпус:	SOT‑23
Маркування на корпусі:	Y2
VCEO (макс.):	−25 В
VCBO (макс.):	−40 В
VEBO (макс.):	−6 В
IC (макс.):	−1,5 А
Розсіювана потужність, Ptot:	300 мВт (TA=25°C)
DC підсилення струму, hFE:	120…400 (за умов: IC=100 мА, VCE=1 В)
VCE(sat):	≤0,5 В (IB=80 мА, IC=800 мА)
Гранична частота, fT:	100 МГц
Діапазон температур переходу, Tj:	−55…+150 °C

Детальні технічні параметри

Тип структури: епітаксіальний планарний біполярний транзистор PNP.
Призначення: підсилювальні та комутаційні каскади загального призначення.
Рекомендовані умови вимірювання hFE: IC=100 мА, VCE=1 В.
Комплементарна пара: SS8050 (NPN).

Примітка: параметри базуються на документації MDD (Microdiode Semiconductor) для SS8550‑Y2. Джерело: MDD Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

Підсилювачі та ключові каскади загального призначення.
Керування низьковольтними навантаженнями (світлодіоди, зумери тощо).
Розв’язка та узгодження рівнів у цифрово‑аналогових вузлах.

Сумісні позначення та альтернативи

Може використовуватися у парі з комплементарним NPN‑транзистором SS8050. Для заміни можливі SS8550 від інших виробників із тотожними електричними параметрами в SOT‑23 (перевіряйте конкретний даташит).

Питання-відповіді (FAQ)

Чи підходить SS8550 (Y2) для швидкодіючих схем?

Так, завдяки граничній частоті до 100 МГц транзистор придатний для швидкодіючих вузлів загального призначення.

Які граничні значення напруг?

VCEO до −25 В, VCBO до −40 В, VEBO до −6 В — перевищення цих рівнів неприпустиме.

Яка потужність розсіювання у SOT‑23?

До 300 мВт при TA=25°C; забезпечуйте належний тепловідвід та дотримуйтеся умов використання з даташиту.

Характеристики

Основні

Максимальна напруга

25 V

Максимальний струм

1.5 А

Полярність

PNP

Тип корпусу

SOT-23

Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.