Транзистор биполярный SMD SS8550 Y2 (25V 1.5A) корпус SOT-23

Name: Транзистор биполярный SMD SS8550 Y2 (25V 1.5A) корпус SOT-23
Brand: Мій Проект
SKU: 5487
Price: 1.50 UAH
Availability: InStock

Страна-производитель: Китай Код товара: 5487

Все о товаре

Описание

Характеристики

Отзывы 0

Вопросы0

Транзистор биполярный SMD SS8550 Y2 (25V 1.5A) корпус SOT-23

Есть в наличии

Код товара: 5487

1.50 грн

Нашли дешевле?

Максимальное напряжение:25 V

Максимальный ток:1.5 А

Полярность:PNP

Тип корпуса:SOT-23

Доставка

Новой почтой в отделения и почтоматы

от 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фиксировано 49 грн

Укрпочтой в отделение по Украине

от 45 ₴

Meest Express

от 60 ₴

Оплата

Оплата картой

Перевод на карточку

Оплата на IBAN

Безналичный расчет

Наложенный платеж

Гарантийные положения

Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются

Транзистор биполярный SMD SS8550 Y2 (25V 1.5A) корпус SOT-23

Код товара: 5487

1.50 грн

Описание

Биполярный транзистор PNP SS8550 (Y2) SOT‑23

Компактный малосигнальный PNP‑транзистор общего назначения в корпусе SOT‑23 с предельным напряжением коллектор‑эмиттер 25 В и максимальным коллекторным током до 1,5 А.

Основные преимущества

Высокий ток в малом корпусе

Допустимый коллекторный ток до 1,5 А в SOT‑23 обеспечивает надежное управление нагрузками при ограниченном пространстве на плате.

Широкий диапазон усиления

Коэффициент hFE в диапазоне 120–400 (по условиям измерений из даташита) упрощает проектирование усилительных и ключевых каскадов.

Низкое насыщение

VCE(sat) до 0,5 В при IB=80 мА и IC=800 мА позволяет уменьшить потери мощности в ключевых режимах.

Высокая граничная частота

Граничная частота fT до 100 МГц поддерживает работу в быстродействующих схемах общего назначения.

Ключевые характеристики

Полярность:	PNP
Корпус:	SOT‑23
Маркировка на корпусе:	Y2
VCEO (макс.):	−25 В
VCBO (макс.):	−40 В
VEBO (макс.):	−6 В
IC (макс.):	−1,5 А
Рассеиваемая мощность, Ptot:	300 мВт (TA=25°C)
DC усиление тока, hFE:	120…400 (при условиях: IC=100 мА, VCE=1 В)
VCE(sat):	≤0,5 В (IB=80 мА, IC=800 мА)
Граничная частота, fT:	100 МГц
Диапазон температур перехода, Tj:	−55…+150 °C

Детальные технические параметры

Тип структуры: эпитаксиальный планарный биполярный транзистор PNP.
Назначение: усилительные и коммутационные каскады общего назначения.
Рекомендуемые условия измерений hFE: IC=100 мА, VCE=1 В.
Комплементарная пара: SS8050 (NPN).

Примечание: параметры основаны на документации MDD (Microdiode Semiconductor) для SS8550‑Y2. Источник: MDD Datasheet (PDF).

Основные области применения

Усилители и ключевые каскады общего назначения.
Управление низковольтными нагрузками (светодиоды, зуммеры и т. п.).
Развязка и согласование уровней в цифро‑аналоговых узлах.

Совместимые обозначения и альтернативы

Может использоваться в паре с комплементарным NPN‑транзистором SS8050. Для замены возможны SS8550 от других производителей с идентичными электрическими параметрами в SOT‑23 (проверяйте конкретный даташит).

Вопросы‑ответы (FAQ)

Подходит ли SS8550 (Y2) для быстродействующих схем?

Да, благодаря граничной частоте до 100 МГц транзистор пригоден для быстродействующих узлов общего назначения.

Каковы предельные значения напряжений?

VCEO до −25 В, VCBO до −40 В, VEBO до −6 В — превышение этих уровней недопустимо.

Какова рассеиваемая мощность в SOT‑23?

До 300 мВт при TA=25°C; обеспечивайте надлежащий теплоотвод и соблюдайте условия использования из даташита.

Характеристики

Основные

Максимальное напряжение

25 V

Максимальный ток

1.5 А

Полярность

PNP

Тип корпуса

SOT-23

Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы

Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.