


Компактный малосигнальный PNP‑транзистор общего назначения в корпусе SOT‑23 с предельным напряжением коллектор‑эмиттер 25 В и максимальным коллекторным током до 1,5 А.
Допустимый коллекторный ток до 1,5 А в SOT‑23 обеспечивает надежное управление нагрузками при ограниченном пространстве на плате.
Коэффициент hFE в диапазоне 120–400 (по условиям измерений из даташита) упрощает проектирование усилительных и ключевых каскадов.
VCE(sat) до 0,5 В при IB=80 мА и IC=800 мА позволяет уменьшить потери мощности в ключевых режимах.
Граничная частота fT до 100 МГц поддерживает работу в быстродействующих схемах общего назначения.
Полярность: | PNP |
---|---|
Корпус: | SOT‑23 |
Маркировка на корпусе: | Y2 |
VCEO (макс.): | −25 В |
VCBO (макс.): | −40 В |
VEBO (макс.): | −6 В |
IC (макс.): | −1,5 А |
Рассеиваемая мощность, Ptot: | 300 мВт (TA=25°C) |
DC усиление тока, hFE: | 120…400 (при условиях: IC=100 мА, VCE=1 В) |
VCE(sat): | ≤0,5 В (IB=80 мА, IC=800 мА) |
Граничная частота, fT: | 100 МГц |
Диапазон температур перехода, Tj: | −55…+150 °C |
Да, благодаря граничной частоте до 100 МГц транзистор пригоден для быстродействующих узлов общего назначения.
VCEO до −25 В, VCBO до −40 В, VEBO до −6 В — превышение этих уровней недопустимо.
До 300 мВт при TA=25°C; обеспечивайте надлежащий теплоотвод и соблюдайте условия использования из даташита.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.