Транзистор біполярний SMD S9013 J3 (40V 0.5A) корпус SOT-23

Name: Транзистор біполярний SMD S9013 J3 (40V 0.5A) корпус SOT-23
Brand: Мій Проект
SKU: 5489
Price: 1.50 UAH
Availability: InStock

Країна-виробник: Китай Код товару: 5489

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки 0

Питання0

Транзистор біполярний SMD S9013 J3 (40V 0.5A) корпус SOT-23

В наявності

Код товару: 5489

1.50 грн

Знайшли дешевше?

Максимальна напруга:40 V

Максимальний струм:0.5 А

Полярність:NPN

Тип корпусу:SOT-23

Доставка

Новою Поштою у відділення та поштомати

від 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фіксована 49грн

Укрпоштою у відділення по Україні

від 45 ₴

Meest Express

від 60 ₴

Оплата

Оплата карткою

Переказ на картку

Оплата на IBAN

Безготівковий розрахунок

Післяплата

Гарантійні положення

Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються

Транзистор біполярний SMD S9013 J3 (40V 0.5A) корпус SOT-23

Код товару: 5489

1.50 грн

Опис

Біполярний транзистор NPN S9013 SOT-23

Компактний NPN транзистор загального призначення у корпусі SOT‑23 із високим колекторним струмом до 500 мА та доброю лінійністю hFE для комутації та підсилення сигналів.

Основні переваги

Високий колекторний струм

Допускає безперервний струм колектора до 500 мА, що підходить для навантажень із підвищеним споживанням.

Низьке насичення

VCE(sat) до 0.6 В при IC=500 мА та IB=50 мА — менші втрати потужності у ключових режимах.

Стабільне підсилення

Діапазон hFE 120…400 (при VCE=1 В, IC=50 мА) із класифікаціями L/H/J для повторюваності параметрів.

Комплементарність

Комплементарний до PNP S9012 — зручно для побудови симетричних двотактних каскадів.

Ключові характеристики

Тип транзистора:	NPN, епітаксіально‑планарний кремнієвий
Корпус:	SOT‑23
VCEO (макс.):	25 В
VCBO (макс.):	40 В
VEBO (макс.):	5 В
IC (безперервний, макс.):	500 мА
PC (розсіювання, макс.):	300 мВт
Діапазон температур переходу:	−55…+150 °C
VCE(sat) (макс.):	0.6 В (IC=500 мА, IB=50 мА)
VBE(sat) (макс.):	1.2 В (IC=500 мА, IB=50 мА)
hFE (типовий діапазон):	120…400 (VCE=1 В, IC=50 мА)
hFE (мін., при високому струмі):	40 (VCE=1 В, IC=500 мА)
fT (мін.):	150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц)
ICBO (макс.):	0.1 мкА (VCB=40 В, IE=0)
ICEO (макс.):	0.1 мкА (VCE=20 В, IB=0)
IEBO (макс.):	0.1 мкА (VEB=5 В, IC=0)

Детальні технічні параметри

Класифікації коефіцієнта підсилення hFE: L (120–200), H (200–350), J (300–400).
Граничні значення наведені для Ta=25 °C, якщо не вказано інше.
Параметри насичення: VCE(sat) ≤ 0.6 В та VBE(sat) ≤ 1.2 В при IC=500 мА, IB=50 мА.
Швидкодія: fT ≥ 150 МГц при VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц.
Габарити SOT‑23 (мм): A=2.85…2.95; B=1.25…1.35; D=0.37…0.43; E=0.35…0.48; G=1.85…1.95; K=2.35…2.45; C≈1.0 (тип.); H=0.02…0.10; J≈0.10 (тип.).
Комплементарний пристрій: S9012 (PNP).

Примітка: параметри базуються на документації Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd для S9013. Джерело: Slkor Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

Вузли з високим колекторним струмом (до 500 мА).
Комплементарні двотактні каскади разом із PNP S9012.

Сумісні позначення та альтернативи

Комплементарний пристрій: S9012 (PNP). Для повної сумісності параметрів використовуйте S9013 від того ж виробника та звіряйте характеристики за відповідним даташитом.

Питання-відповіді (FAQ)

Чи витримує S9013 40 В між колектором та емітером?

Ні. Максимальна напруга колектор‑емітер VCEO становить 25 В. Значення 40 В стосується VCBO (колектор‑база при IE=0).

Яке насичення при високому струмі 500 мА?

VCE(sat) ≤ 0.6 В та VBE(sat) ≤ 1.2 В при IC=500 мА та IB=50 мА.

Який діапазон коефіцієнта підсилення hFE?

При VCE=1 В та IC=50 мА — 120…400 (класи L/H/J). Мінімальне hFE при IC=500 мА — 40.

Характеристики

Основні

Максимальна напруга

40 V

Максимальний струм

0.5 А

Полярність

NPN

Тип корпусу

SOT-23

Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.