Транзистор биполярный SMD S9013 J3 (40V 0.5A) корпус SOT-23
Биполярный транзистор NPN S9013 SOT-23
Компактный NPN транзистор общего назначения в корпусе SOT‑23 с высоким коллекторным током до 500 мА и хорошей линейностью hFE для коммутации и усиления сигналов.
Основные преимущества
Допускает непрерывный ток коллектора до 500 мА, что подходит для нагрузок с повышенным потреблением.
VCE(sat) до 0.6 В при IC=500 мА и IB=50 мА — меньшие потери мощности в ключевых режимах.
Диапазон hFE 120…400 (при VCE=1 В, IC=50 мА) с классификациями L/H/J для повторяемости параметров.
Комплементарный к PNP S9012 — удобно для построения симметричных двухтактных каскадов.
Ключевые характеристики
| Тип транзистора: | NPN, эпитаксиально‑планарный кремниевый |
|---|---|
| Корпус: | SOT‑23 |
| VCEO (макс.): | 25 В |
| VCBO (макс.): | 40 В |
| VEBO (макс.): | 5 В |
| IC (непрерывный, макс.): | 500 мА |
| PC (рассеивание, макс.): | 300 мВт |
| Диапазон температур перехода: | −55…+150 °C |
| VCE(sat) (макс.): | 0.6 В (IC=500 мА, IB=50 мА) |
| VBE(sat) (макс.): | 1.2 В (IC=500 мА, IB=50 мА) |
| hFE (типичный диапазон): | 120…400 (VCE=1 В, IC=50 мА) |
| hFE (мин., при высоком токе): | 40 (VCE=1 В, IC=500 мА) |
| fT (мин.): | 150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц) |
| ICBO (макс.): | 0.1 мкА (VCB=40 В, IE=0) |
| ICEO (макс.): | 0.1 мкА (VCE=20 В, IB=0) |
| IEBO (макс.): | 0.1 мкА (VEB=5 В, IC=0) |
Детальные технические параметры
- Классификации коэффициента усиления hFE: L (120–200), H (200–350), J (300–400).
- Предельные значения приведены для Ta=25 °C, если не указано иное.
- Параметры насыщения: VCE(sat) ≤ 0.6 В и VBE(sat) ≤ 1.2 В при IC=500 мА, IB=50 мА.
- Быстродействие: fT ≥ 150 МГц при VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц.
- Габариты SOT‑23 (мм): A=2.85…2.95; B=1.25…1.35; D=0.37…0.43; E=0.35…0.48; G=1.85…1.95; K=2.35…2.45; C≈1.0 (тип.); H=0.02…0.10; J≈0.10 (тип.).
- Комплементарное устройство: S9012 (PNP).
Основные области применения
- Узлы с высоким коллекторным током (до 500 мА).
- Комплементарные двухтактные каскады вместе с PNP S9012.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы-ответы (FAQ)
Нет. Максимальное напряжение коллектор‑эмиттер VCEO составляет 25 В. Значение 40 В относится к VCBO (коллектор‑база при IE=0).
VCE(sat) ≤ 0.6 В и VBE(sat) ≤ 1.2 В при IC=500 мА и IB=50 мА.
При VCE=1 В и IC=50 мА — 120…400 (классы L/H/J). Минимальное hFE при IC=500 мА — 40.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.