Транзистор биполярный SMD S9013 J3 (40V 0.5A) корпус SOT-23

Name: Транзистор биполярный SMD S9013 J3 (40V 0.5A) корпус SOT-23
Brand: Мій Проект
SKU: 5489
Price: 1.50 UAH
Availability: InStock

Страна-производитель: Китай Код товара: 5489

Все о товаре

Описание

Характеристики

Отзывы 0

Вопросы0

Транзистор биполярный SMD S9013 J3 (40V 0.5A) корпус SOT-23

Есть в наличии

Код товара: 5489

1.50 грн

Нашли дешевле?

Максимальное напряжение:40 V

Максимальный ток:0.5 А

Полярность:NPN

Тип корпуса:SOT-23

Доставка

Новой почтой в отделения и почтоматы

от 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фиксировано 49 грн

Укрпочтой в отделение по Украине

от 45 ₴

Meest Express

от 60 ₴

Оплата

Оплата картой

Перевод на карточку

Оплата на IBAN

Безналичный расчет

Наложенный платеж

Гарантийные положения

Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются

Транзистор биполярный SMD S9013 J3 (40V 0.5A) корпус SOT-23

Код товара: 5489

1.50 грн

Описание

Биполярный транзистор NPN S9013 SOT-23

Компактный NPN транзистор общего назначения в корпусе SOT‑23 с высоким коллекторным током до 500 мА и хорошей линейностью hFE для коммутации и усиления сигналов.

Основные преимущества

Высокий коллекторный ток

Допускает непрерывный ток коллектора до 500 мА, что подходит для нагрузок с повышенным потреблением.

Низкое насыщение

VCE(sat) до 0.6 В при IC=500 мА и IB=50 мА — меньшие потери мощности в ключевых режимах.

Стабильное усиление

Диапазон hFE 120…400 (при VCE=1 В, IC=50 мА) с классификациями L/H/J для повторяемости параметров.

Комплементарность

Комплементарный к PNP S9012 — удобно для построения симметричных двухтактных каскадов.

Ключевые характеристики

Тип транзистора:	NPN, эпитаксиально‑планарный кремниевый
Корпус:	SOT‑23
VCEO (макс.):	25 В
VCBO (макс.):	40 В
VEBO (макс.):	5 В
IC (непрерывный, макс.):	500 мА
PC (рассеивание, макс.):	300 мВт
Диапазон температур перехода:	−55…+150 °C
VCE(sat) (макс.):	0.6 В (IC=500 мА, IB=50 мА)
VBE(sat) (макс.):	1.2 В (IC=500 мА, IB=50 мА)
hFE (типичный диапазон):	120…400 (VCE=1 В, IC=50 мА)
hFE (мин., при высоком токе):	40 (VCE=1 В, IC=500 мА)
fT (мин.):	150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц)
ICBO (макс.):	0.1 мкА (VCB=40 В, IE=0)
ICEO (макс.):	0.1 мкА (VCE=20 В, IB=0)
IEBO (макс.):	0.1 мкА (VEB=5 В, IC=0)

Детальные технические параметры

Классификации коэффициента усиления hFE: L (120–200), H (200–350), J (300–400).
Предельные значения приведены для Ta=25 °C, если не указано иное.
Параметры насыщения: VCE(sat) ≤ 0.6 В и VBE(sat) ≤ 1.2 В при IC=500 мА, IB=50 мА.
Быстродействие: fT ≥ 150 МГц при VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц.
Габариты SOT‑23 (мм): A=2.85…2.95; B=1.25…1.35; D=0.37…0.43; E=0.35…0.48; G=1.85…1.95; K=2.35…2.45; C≈1.0 (тип.); H=0.02…0.10; J≈0.10 (тип.).
Комплементарное устройство: S9012 (PNP).

Примечание: параметры основаны на документации Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd для S9013. Источник: Slkor Datasheet (PDF).

Основные области применения

Узлы с высоким коллекторным током (до 500 мА).
Комплементарные двухтактные каскады вместе с PNP S9012.

Совместимые обозначения и альтернативы

Комплементарное устройство: S9012 (PNP). Для полной совместимости параметров используйте S9013 того же производителя и сверяйте характеристики по соответствующему даташиту.

Вопросы-ответы (FAQ)

Выдерживает ли S9013 40 В между коллектором и эмиттером?

Нет. Максимальное напряжение коллектор‑эмиттер VCEO составляет 25 В. Значение 40 В относится к VCBO (коллектор‑база при IE=0).

Какое насыщение при высоком токе 500 мА?

VCE(sat) ≤ 0.6 В и VBE(sat) ≤ 1.2 В при IC=500 мА и IB=50 мА.

Каков диапазон коэффициента усиления hFE?

При VCE=1 В и IC=50 мА — 120…400 (классы L/H/J). Минимальное hFE при IC=500 мА — 40.

Характеристики

Основные

Максимальное напряжение

40 V

Максимальный ток

0.5 А

Полярность

NPN

Тип корпуса

SOT-23

Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы

Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.