

Компактний PNP транзистор у корпусі SOT-23 з маркуванням 2TY, розрахований на колекторний струм до 0.5 А та типові задачі малопотужного підсилення й комутації.
Дозволяє керувати навантаженнями середнього рівня у малогабаритних пристроях.
hFE 120–400 при VCE = −1 В, IC = −50 мА; сортування по класах L/H/J.
VCE(sat) ≈ −0.6 В при IC = −500 мА, IB = −50 мА знижує втрати потужності.
fT ≈ 150 МГц (VCE = −6 В, IC = −20 мА, f = 30 МГц) для швидкодіючих схем.
Полярність: | PNP |
---|---|
Корпус: | SOT-23 |
Маркування на корпусі: | 2TY |
Виводи (SOT-23): | 1–B (база), 2–E (емітер), 3–C (колектор) |
VCBO (макс.): | −40 В |
VCEO (макс.): | −25 В |
VEBO (макс.): | −5 В |
IC (безперервний): | −0.5 А |
PC (розсіювання): | 0.3 Вт (Ta = 25°C) |
hFE (VCE = −1 В, IC = −50 мА): | 120–400 (класи: L 120–200, H 200–350, J 300–400) |
hFE (VCE = −1 В, IC = −500 мА): | ≥ 50 |
VCE(sat) (IC = −500 мА, IB = −50 мА): | ≈ −0.6 В |
VBE(sat) (IC = −500 мА, IB = −50 мА): | ≈ −1.2 В |
fT: | ≈ 150 МГц (VCE = −6 В, IC = −20 мА, f = 30 МГц) |
ICBO (Vcb = −40 В): | ≤ −0.1 мкА |
ICEO (Vce = −20 В): | ≤ −0.1 мкА |
IEBO (Veb = −3 В): | ≤ −0.1 мкА |
Температура переходу Tj: | до 150°C |
Температура зберігання Tstg: | −55…150°C |
Комплементарний транзистор: | S8050 (NPN) |
Максимальне значення VCEO становить −25 В.
Маркування на корпусі: 2TY. Виводи: 1 – база, 2 – емітер, 3 – колектор.
Це діапазони підсилення: L = 120–200, H = 200–350, J = 300–400 (VCE = −1 В, IC = −50 мА).
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.