Транзистор биполярный SMD S8550 2TY (40V 0.5А) корпус SOT-23
Транзистор PNP S8550 (маркировка 2TY) SOT-23
Компактный PNP транзистор в корпусе SOT-23 с маркировкой 2TY, рассчитанный на коллекторный ток до 0.5 А и типичные задачи маломощного усиления и коммутации.
Основные преимущества
Позволяет управлять нагрузками среднего уровня в малогабаритных устройствах.
hFE 120–400 при VCE = −1 В, IC = −50 мА; сортировка по классам L/H/J.
VCE(sat) ≈ −0.6 В при IC = −500 мА, IB = −50 мА снижает потери мощности.
fT ≈ 150 МГц (VCE = −6 В, IC = −20 мА, f = 30 МГц) для быстродействующих схем.
Ключевые характеристики
| Полярность: | PNP |
|---|---|
| Корпус: | SOT-23 |
| Маркировка на корпусе: | 2TY |
| Выводы (SOT-23): | 1–B (база), 2–E (эмиттер), 3–C (коллектор) |
| VCBO (макс.): | −40 В |
| VCEO (макс.): | −25 В |
| VEBO (макс.): | −5 В |
| IC (непрерывный): | −0.5 А |
| PC (рассеивание): | 0.3 Вт (Ta = 25°C) |
| hFE (VCE = −1 В, IC = −50 мА): | 120–400 (классы: L 120–200, H 200–350, J 300–400) |
| hFE (VCE = −1 В, IC = −500 мА): | ≥ 50 |
| VCE(sat) (IC = −500 мА, IB = −50 мА): | ≈ −0.6 В |
| VBE(sat) (IC = −500 мА, IB = −50 мА): | ≈ −1.2 В |
| fT: | ≈ 150 МГц (VCE = −6 В, IC = −20 мА, f = 30 МГц) |
| ICBO (Vcb = −40 В): | ≤ −0.1 мкА |
| ICEO (Vce = −20 В): | ≤ −0.1 мкА |
| IEBO (Veb = −3 В): | ≤ −0.1 мкА |
| Температура перехода Tj: | до 150°C |
| Температура хранения Tstg: | −55…150°C |
| Комплементарный транзистор: | S8050 (NPN) |
Детальные технические параметры
- Классификация усиления: L (120–200), H (200–350), J (300–400) при VCE = −1 В, IC = −50 мА.
- Переходные токи утечки: ICBO ≤ −0.1 μA (Vcb = −40 В), ICEO ≤ −0.1 μA (Vce = −20 В), IEBO ≤ −0.1 μA (Veb = −3 В).
- Распиновка выводов SOT-23: 1 – база, 2 – эмиттер, 3 – коллектор.
- Типовые частотные параметры: fT ≈ 150 МГц (VCE = −6 В, IC = −20 мА, f = 30 МГц).
- Предельные значения: VCBO −40 В; VCEO −25 В; VEBO −5 В; IC −0.5 А; PC 0.3 Вт; Tj до 150°C.
Основные области применения
- Использование в комплементарных парах с S8050 (NPN).
- Общие схемы усиления и коммутации для PNP транзисторов в корпусе SOT‑23.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы-ответы (FAQ)
Максимальное значение VCEO составляет −25 В.
Маркировка на корпусе: 2TY. Выводы: 1 – база, 2 – эмиттер, 3 – коллектор.
Это диапазоны усиления: L = 120–200, H = 200–350, J = 300–400 (VCE = −1 В, IC = −50 мА).
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.