

Малосигнальний NPN-транзистор у корпусі SOT‑23 з маркуванням J3Y, придатний для підсилювальних та комутаційних вузлів у межах паспортних напруг і струмів.
DC коефіцієнт hFE 120–350 при VCE=1 В, IC=50 мА — забезпечує надійну роботу у підсилювальних каскадах.
VCE(sat) всього 0.6 В при IC=500 мА, IB=50 мА — менші втрати на ключуванні.
Перехідна частота fT ≈150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц) для стабільної роботи в малосигнальних схемах.
Маркування корпусу J3Y та стандартизована розпіновка SOT‑23 спрощують ідентифікацію й монтаж.
Параметр: | Тип транзистора — NPN, малосигнальний |
---|---|
Параметр: | Маркування на корпусі — J3Y |
Параметр: | Корпус — SOT‑23 |
Параметр: | VCEO (макс.) — 25 В |
Параметр: | VCBO (макс.) — 40 В |
Параметр: | VEBO (макс.) — 5 В |
Параметр: | IC (макс.) — 0.5 А |
Параметр: | PC (макс. розсіяна потужність) — 0.3 Вт |
Параметр: | hFE — 120…350 (VCE=1 В, IC=50 мА); ≥50 (IC=500 мА) |
Параметр: | VCE(sat) — 0.6 В (IC=500 мА, IB=50 мА) |
Параметр: | VBE(sat) — 1.2 В (IC=500 мА, IB=50 мА) |
Параметр: | fT — ≈150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц) |
Параметр: | Діапазон температур — −55…+150 °C (зберігання); TJ до 150 °C |
Параметр: | Комплементарний транзистор — S8550 (PNP) |
Маркування J3Y згідно даташиту; воно ідентифікує S8050 у виконанні SOT‑23.
Виводи: 1 — Base, 2 — Emitter, 3 — Collector (B‑E‑C).
VCEO=25 В, VCBO=40 В, VEBO=5 В; максимальний колекторний струм IC=0.5 А; розсіяна потужність PC=0.3 Вт.
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.