Транзистор биполярный SMD S8050 J3Y (25V 0.5А) корпус SOT-23

Name: Транзистор биполярный SMD S8050 J3Y (25V 0.5А) корпус SOT-23
Brand: Мій Проект
SKU: 5484
Price: 1.50 UAH
Availability: InStock

Страна-производитель: Китай Код товара: 5484

Все о товаре

Описание

Характеристики

Отзывы 0

Вопросы0

Транзистор биполярный SMD S8050 J3Y (25V 0.5А) корпус SOT-23

Есть в наличии

Код товара: 5484

1.50 грн

Нашли дешевле?

Максимальное напряжение:25 V

Максимальный ток:0.5 А

Тип корпуса:SOT-23

-Полярность-:NPN

Доставка

Новой почтой в отделения и почтоматы

от 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фиксировано 49 грн

Укрпочтой в отделение по Украине

от 45 ₴

Meest Почта

от 49 ₴

Оплата

Оплата картой

Перевод на карточку

Оплата на IBAN

Безналичный расчет

Наложенный платеж

Гарантийные положения

Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются

Транзистор биполярный SMD S8050 J3Y (25V 0.5А) корпус SOT-23

Код товара: 5484

1.50 грн

Описание

Транзистор биполярный NPN S8050 J3Y SOT-23

Малосигнальный NPN-транзистор в корпусе SOT‑23 с маркировкой J3Y, пригодный для усилительных и коммутационных узлов в пределах паспортных напряжений и токов.

Основные преимущества

Повышенное усиление

DC коэффициент hFE 120–350 при VCE=1 В, IC=50 мА — обеспечивает надежную работу в усилительных каскадах.

Низкое насыщение

VCE(sat) всего 0.6 В при IC=500 мА, IB=50 мА — меньшие потери на ключевании.

Достаточный запас по частоте

Переходная частота fT ≈150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц) для стабильной работы в малосигнальных схемах.

Четкая маркировка

Маркировка корпуса J3Y и стандартизованная распиновка SOT‑23 упрощают идентификацию и монтаж.

Ключевые характеристики

Параметр:	Тип транзистора — NPN, малосигнальный
Параметр:	Маркировка на корпусе — J3Y
Параметр:	Корпус — SOT‑23
Параметр:	VCEO (макс.) — 25 В
Параметр:	VCBO (макс.) — 40 В
Параметр:	VEBO (макс.) — 5 В
Параметр:	IC (макс.) — 0.5 А
Параметр:	PC (макс. рассеиваемая мощность) — 0.3 Вт
Параметр:	hFE — 120…350 (VCE=1 В, IC=50 мА); ≥50 (IC=500 мА)
Параметр:	VCE(sat) — 0.6 В (IC=500 мА, IB=50 мА)
Параметр:	VBE(sat) — 1.2 В (IC=500 мА, IB=50 мА)
Параметр:	fT — ≈150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц)
Параметр:	Диапазон температур — −55…+150 °C (хранение); TJ до 150 °C
Параметр:	Комплементарный транзистор — S8550 (PNP)

Детальные технические параметры

Классификация hFE: ранг L — 120…200; ранг H — 200…350.
Токи утечки (тип.): ICBO ≤0.1 μA (VCB=40 В), ICEO ≤0.1 μA (VCB=20 В), IEBO ≤0.1 μA (VEB=5 В).
Переходные параметры: fT ≈150 МГц при VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц.
Распиновка SOT‑23: 1 — База (B), 2 — Эмиттер (E), 3 — Коллектор (C).
Предельные значения: VCEO 25 В; VCBO 40 В; VEBO 5 В; IC 0.5 А; PC 0.3 Вт; TJ макс. 150 °C; Tstg −55…+150 °C.
Насыщение: VCE(sat)=0.6 В и VBE(sat)=1.2 В при IC=500 мА, IB=50 мА.
Маркировка корпуса: J3Y (идентифицирует S8050 в исполнении SOT‑23).

Примечание: параметры основаны на документации Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd. для S8050 (маркировка J3Y). Источник: Guangdong Hottech Datasheet (PDF).

Основные сферы применения

Малосигнальные усилительные каскады в пределах VCEO=25 В и IC≤0.5 А.
Коммутационные/ключевые узлы с низким VCE(sat) при управлении нагрузками до 500 мА.
Общие схемы управления и интерфейсные каскады согласно паспортным характеристикам.

Совместимые обозначения и альтернативы

Для схем с противоположной полярностью комплементарной парой является S8550 (PNP). Для подбора полных аналогов рекомендуется выбирать S8050 в корпусе SOT‑23 у других производителей, сверяя ключевые параметры: VCEO=25 В, IC=0.5 А, hFE и VCE(sat) согласно даташитам.