


Малосигнальный NPN-транзистор в корпусе SOT‑23 с маркировкой J3Y, пригодный для усилительных и коммутационных узлов в пределах паспортных напряжений и токов.
DC коэффициент hFE 120–350 при VCE=1 В, IC=50 мА — обеспечивает надежную работу в усилительных каскадах.
VCE(sat) всего 0.6 В при IC=500 мА, IB=50 мА — меньшие потери на ключевании.
Переходная частота fT ≈150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц) для стабильной работы в малосигнальных схемах.
Маркировка корпуса J3Y и стандартизованная распиновка SOT‑23 упрощают идентификацию и монтаж.
Параметр: | Тип транзистора — NPN, малосигнальный |
---|---|
Параметр: | Маркировка на корпусе — J3Y |
Параметр: | Корпус — SOT‑23 |
Параметр: | VCEO (макс.) — 25 В |
Параметр: | VCBO (макс.) — 40 В |
Параметр: | VEBO (макс.) — 5 В |
Параметр: | IC (макс.) — 0.5 А |
Параметр: | PC (макс. рассеиваемая мощность) — 0.3 Вт |
Параметр: | hFE — 120…350 (VCE=1 В, IC=50 мА); ≥50 (IC=500 мА) |
Параметр: | VCE(sat) — 0.6 В (IC=500 мА, IB=50 мА) |
Параметр: | VBE(sat) — 1.2 В (IC=500 мА, IB=50 мА) |
Параметр: | fT — ≈150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц) |
Параметр: | Диапазон температур — −55…+150 °C (хранение); TJ до 150 °C |
Параметр: | Комплементарный транзистор — S8550 (PNP) |
Маркировка J3Y согласно даташиту; она идентифицирует S8050 в исполнении SOT‑23.
Выводы: 1 — База, 2 — Эмиттер, 3 — Коллектор (B‑E‑C).
VCEO=25 В, VCBO=40 В, VEBO=5 В; максимальный коллекторный ток IC=0.5 А; рассеиваемая мощность PC=0.3 Вт.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.