Транзистор биполярный SMD S8050 J3Y (25V 0.5А) корпус SOT-23
Транзистор биполярный NPN S8050 J3Y SOT-23
Малосигнальный NPN-транзистор в корпусе SOT‑23 с маркировкой J3Y, пригодный для усилительных и коммутационных узлов в пределах паспортных напряжений и токов.
Основные преимущества
DC коэффициент hFE 120–350 при VCE=1 В, IC=50 мА — обеспечивает надежную работу в усилительных каскадах.
VCE(sat) всего 0.6 В при IC=500 мА, IB=50 мА — меньшие потери на ключевании.
Переходная частота fT ≈150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц) для стабильной работы в малосигнальных схемах.
Маркировка корпуса J3Y и стандартизованная распиновка SOT‑23 упрощают идентификацию и монтаж.
Ключевые характеристики
| Параметр: | Тип транзистора — NPN, малосигнальный |
|---|---|
| Параметр: | Маркировка на корпусе — J3Y |
| Параметр: | Корпус — SOT‑23 |
| Параметр: | VCEO (макс.) — 25 В |
| Параметр: | VCBO (макс.) — 40 В |
| Параметр: | VEBO (макс.) — 5 В |
| Параметр: | IC (макс.) — 0.5 А |
| Параметр: | PC (макс. рассеиваемая мощность) — 0.3 Вт |
| Параметр: | hFE — 120…350 (VCE=1 В, IC=50 мА); ≥50 (IC=500 мА) |
| Параметр: | VCE(sat) — 0.6 В (IC=500 мА, IB=50 мА) |
| Параметр: | VBE(sat) — 1.2 В (IC=500 мА, IB=50 мА) |
| Параметр: | fT — ≈150 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц) |
| Параметр: | Диапазон температур — −55…+150 °C (хранение); TJ до 150 °C |
| Параметр: | Комплементарный транзистор — S8550 (PNP) |
Детальные технические параметры
- Классификация hFE: ранг L — 120…200; ранг H — 200…350.
- Токи утечки (тип.): ICBO ≤0.1 μA (VCB=40 В), ICEO ≤0.1 μA (VCB=20 В), IEBO ≤0.1 μA (VEB=5 В).
- Переходные параметры: fT ≈150 МГц при VCE=6 В, IC=20 мА, f=30 МГц.
- Распиновка SOT‑23: 1 — База (B), 2 — Эмиттер (E), 3 — Коллектор (C).
- Предельные значения: VCEO 25 В; VCBO 40 В; VEBO 5 В; IC 0.5 А; PC 0.3 Вт; TJ макс. 150 °C; Tstg −55…+150 °C.
- Насыщение: VCE(sat)=0.6 В и VBE(sat)=1.2 В при IC=500 мА, IB=50 мА.
- Маркировка корпуса: J3Y (идентифицирует S8050 в исполнении SOT‑23).
Основные сферы применения
- Малосигнальные усилительные каскады в пределах VCEO=25 В и IC≤0.5 А.
- Коммутационные/ключевые узлы с низким VCE(sat) при управлении нагрузками до 500 мА.
- Общие схемы управления и интерфейсные каскады согласно паспортным характеристикам.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы-ответы (FAQ)
Маркировка J3Y согласно даташиту; она идентифицирует S8050 в исполнении SOT‑23.
Выводы: 1 — База, 2 — Эмиттер, 3 — Коллектор (B‑E‑C).
VCEO=25 В, VCBO=40 В, VEBO=5 В; максимальный коллекторный ток IC=0.5 А; рассеиваемая мощность PC=0.3 Вт.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.