

Компактний 30 V N-канальний MOSFET у корпусі SOT‑23 з дуже низьким опором каналу та малим зарядом затвора; придатний як вимикач навантаження та для PWM‑застосувань.
26.5 мОм @ VGS=10 В; 32 мОм @ 4.5 В; 48 мОм @ 2.5 В — менші втрати та нагрів.
До 5.7 А безперервно (TA=25°C) та до 30 А імпульсно, що дозволяє керувати потужними навантаженнями у малому корпусі.
Гарантовані параметри при VGS=2.5 В — сумісність із мікроконтролерами низької напруги.
Типові часи tD(on)=3 нс та tD(off)=25 нс — ефективна робота в PWM‑режимах.
Тип: | N‑канальний MOSFET |
---|---|
Корпус: | SOT‑23 |
VDS (макс): | 30 В |
VGS (макс): | ±12 В |
ID (безперервний): | 5.7 А @ TA=25°C; 4.7 А @ TA=70°C |
IDM (імпульсний): | 30 А |
RDS(on) макс @ VGS=10 В: | 26.5 мОм |
RDS(on) макс @ VGS=4.5 В: | 32 мОм |
RDS(on) макс @ VGS=2.5 В: | 48 мОм |
Потужність розсіювання PD: | 1.4 Вт (TA=25°C) |
Діапазон температур: | −55…+150 °C (TJ, TSTG) |
Так. Даташит гарантує параметри при VGS=2.5 В і 4.5 В; при 3.3 В RDS(on) буде між цими значеннями, що зазвичай достатньо для низьких падінь напруги.
Даташит вказує ID=5.7 А при TA=25°C (4.7 А при 70°C). Фактичний струм залежить від тепловідведення плати (RθJA) та умов охолодження.
Невеликий заряд затвора (тип. 6 нКл) зменшує втрати при перемиканні та полегшує керування драйвером у високочастотних PWM‑схемах.
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.