Транзистор AO3400 (A09T) SOT-23 (2.5A 30V) корпус
AO3400 (A09T) SOT-23
Компактный 30 V N‑канальный MOSFET в корпусе SOT‑23 с очень низким сопротивлением канала и малым зарядом затвора; подходит как выключатель нагрузки и для PWM‑применений.
Основные преимущества
26.5 мОм @ VGS=10 В; 32 мОм @ 4.5 В; 48 мОм @ 2.5 В — меньшие потери и нагрев.
До 5.7 А непрерывно (TA=25°C) и до 30 А импульсно, что позволяет управлять мощными нагрузками в малом корпусе.
Гарантированные параметры при VGS=2.5 В — совместимость с микроконтроллерами низкого напряжения.
Типовые времена tD(on)=3 нс и tD(off)=25 нс — эффективная работа в PWM‑режимах.
Ключевые характеристики
| Тип: | N‑канальный MOSFET |
|---|---|
| Корпус: | SOT‑23 |
| VDS (макс): | 30 В |
| VGS (макс): | ±12 В |
| ID (непрерывный): | 5.7 А @ TA=25°C; 4.7 А @ TA=70°C |
| IDM (импульсный): | 30 А |
| RDS(on) макс @ VGS=10 В: | 26.5 мОм |
| RDS(on) макс @ VGS=4.5 В: | 32 мОм |
| RDS(on) макс @ VGS=2.5 В: | 48 мОм |
| Мощность рассеяния PD: | 1.4 Вт (TA=25°C) |
| Диапазон температур: | −55…+150 °C (TJ, TSTG) |
Детальные технические параметры
- Порог затвора VGS(th): 0.65…1.45 В (тип. 1.05 В).
- Макс. ток затвора IGSS: 100 нА; ток утечки стока IDSS: 1 мкА (при VDS=30 В, 25°C).
- Заряд затвора Qg: тип. 6 нКл (макс. 7 нКл) при VGS=4.5 В, VDS=15 В, ID=5.7 А; Qgs≈1.3 нКл; Qgd≈1.8 нКл.
- Быстродействие: tD(on)=3 нс, tr=2.5 нс, tD(off)=25 нс, tf=4 нс (VGS=10 В, VDS=15 В, RL=2.6 Ω).
- Емкости: Ciss≈630 пФ, Coss≈75 пФ, Crss≈50 пФ (VGS=0 В, VDS=15 В, f=1 МГц).
- Диод тела: VSD тип. 0.7 В (макс. 1 В); IS=2 А; trr≈8.5 нс; Qrr≈2.6 нКл.
- Тепловые сопротивления: RθJA (t≤10 с) тип. 70 / макс. 90 °C/Вт; RθJA (стац. режим) тип. 100 / макс. 125 °C/Вт; RθJL (стац.) тип. 63 / макс. 80 °C/Вт.
- Назначение по даташиту: использование как load‑switch или в PWM‑применениях.
Основные области применения
- Выключатель нагрузки (load switch) в низковольтных цепях.
- PWM‑переключение в силовых каскадах с питанием до 30 В.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы‑ответы (FAQ)
Да. Даташит гарантирует параметры при VGS=2.5 В и 4.5 В; при 3.3 В RDS(on) будет между этими значениями, что обычно достаточно для низких падений напряжения.
Даташит указывает ID=5.7 А при TA=25°C (4.7 А при 70°C). Фактический ток зависит от теплоотвода платы (RθJA) и условий охлаждения.
Небольшой заряд затвора (тип. 6 нКл) снижает потери при переключении и упрощает управление драйвером в высокочастотных PWM‑схемах.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.