Стабілітрон BZV55-C51V SMD корпус SOD80C

Name: Стабілітрон BZV55-C51V SMD корпус SOD80C
Brand: Мій Проект
SKU: 5544
Price: 1.00 UAH
Availability: InStock

Країна-виробник: Китай Код товару: 5544

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки 0

Питання0

Стабілітрон BZV55-C51V SMD корпус SOD80C

В наявності

Код товару: 5544

1.00 грн

Знайшли дешевше?

Номінальна потужність:0,5 W

Робоча напруга:50-52 В

Тип корпусу:SOD80C

Точність:5%

Доставка

Новою Поштою у відділення та поштомати

від 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фіксована 49грн

Укрпоштою у відділення по Україні

від 45 ₴

Meest Express

від 60 ₴

Оплата

Оплата карткою

Переказ на картку

Оплата на IBAN

Безготівковий розрахунок

Післяплата

Гарантійні положення

Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються

Стабілітрон BZV55-C51V SMD корпус SOD80C

Код товару: 5544

1.00 грн

Опис

Стабілітрон BZV55-C51V SOD80C

Низькопотужний стабілітрон номіналом 51 В у герметичному скляному SMD-корпусі SOD80C для загального стабілізування напруги.

Основні переваги

Компактний SOD80C

Малий, герметичний скляний SMD-пакет забезпечує надійність і зручний поверхневий монтаж у щільних платах.

Стабільні параметри

Низький диференційний опір і нормовані характеристики забезпечують надійну стабілізацію 51 В у широкому діапазоні умов.

Імпульсна міцність

Витримує неповторювану зворотну потужність до 40 Вт при тривалості імпульсу 100 мкс, що підвищує стійкість до перехідних процесів.

Широкий діапазон температур

Робота переходу в межах від −65°C до +200°C для промислових застосувань.

Ключові характеристики

Тип:	BZV55-C51 (≈±5%)
Номінальна робоча напруга VZ:	51 В
Діапазон VZ при IZ = 2 мА:	48…54 В
Диференційний опір rdif @ IZ = 2 мА:	тип. 60 Ω, макс. 180 Ω
Диференційний опір rdif @ IZ = 0,5 мА:	тип. 90 Ω, макс. 400 Ω
Температурний коефіцієнт SZ @ IZ = 2 мА:	мін. 38,6 мВ/К; тип. 46,9 мВ/К; макс. 57,2 мВ/К
Ємність діода Cd:	≤ 40 пФ (f = 1 МГц, VR = 0 В)
Пікова неповторювана зворотна потужність PZSM:	≤ 40 Вт (tp = 100 мкс)
Піковий неповторюваний зворотний струм IZSM:	0,4 А (для 51 В типу)
Загальна потужність розсіювання Ptot:	≤ 0,5 Вт
Максимальний прямий струм IF:	250 мА
Пряма напруга VF @ IF = 10 мА:	≤ 0,9 В
Зворотний струм (для 15…75 В):	≤ 50 нА @ VR = 0,7·VZ(nom)
Діапазон температур переходу Tj:	−65…+200°C
Корпус:	SOD80C (SMD), смуга позначає катод

Детальні технічні параметри

VZ для номіналів 27…75 В (у т.ч. 51 В) нормується при робочому струмі IZ = 2 мА.
Ємність Cd вимірюється при f = 1 МГц та VR = 0 В.
Маркування катода виконується смугою на корпусі.
Типовий тепловий опір Rth(j-a) у вільному повітрі: 380 К/Вт.
Допустима неповторювана зворотна потужність до 40 Вт визначена для імпульсу тривалістю 100 мкс (Tj = 25°C перед імпульсом).

Примітка: параметри базуються на документації Nexperia для BZV55‑C51. Джерело: Nexperia Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

Загальне стабілізування та опорні джерела напруги.
Захист від перенапруги в низькопотужних вузлах.
Побудова простих стабілізаторів та опор для АЦП/ЦАП.

Сумісні позначення та альтернативи

Для підвищеної точності в тому ж корпусі доступний BZV55‑B51 (±2%). Інші номінали цієї серії також виконані в SOD80C (2,4…75 В).

Питання-відповіді (FAQ)

За якого струму нормується напруга стабілізації для 51 В типу?

Для діапазону 27…75 В (включно з 51 В) VZ нормується при IZ = 2 мА.

Які імпульсні обмеження для цього стабілітрона?

Неповторювана зворотна потужність не повинна перевищувати 40 Вт при тривалості імпульсу 100 мкс; для 51 В типу максимальний IZSM становить 0,4 А.

Яка пряма напруга при невеликому струмі?

При IF = 10 мА пряма напруга VF не перевищує 0,9 В.

Характеристики

Основні

Номінальна потужність

0,5 W

Робоча напруга

50-52 В

Тип корпусу

SOD80C

Точність

Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.