Оптопара PC817С корпус DIP4
Оптопара PC817C DIP4
Фототранзисторна оптопара загального призначення з гальванічною ізоляцією 5 kV(rms) у корпусі DIP‑4. Версія з рангом чутливості C (≈200–400% CTR) забезпечує впевнене керування при малих струмах керування.
Основні переваги
Ізоляційна напруга між входом та виходом 5.0 kV(rms) протягом 1 хвилини для надійного розв’язання ланцюгів.
Клас C відповідає коефіцієнту передачі струму близько 200–400% при IF=5 мА, VCE=5 В (IC 10–20 мА).
Мінімальна напруга пробою колектор‑емітер 80 В забезпечує додатковий запас за напругою у вихідному колі.
Типові часи перемикання tr/tf 4/3 мкс та гранична частота близько 80 кГц для швидких цифрових сигналів.
Ключові характеристики
| Тип виходу: | Фототранзистор, 1 канал |
|---|---|
| Ранг чутливості: | CTR ранг C (≈200–400% при IF=5 мА, VCE=5 В) |
| Ізоляційна напруга: | 5.0 kV(rms), AC 1 хв (40–60% RH) |
| VCEO (мін.): | 80 В |
| VECO (мін.): | 6 В |
| IC (макс.): | 50 мА |
| IF (макс.): | 50 мА |
| IFM (піковий): | 1 А (≤100 мкс, duty 0.001) |
| VR (макс.): | 6 В |
| VF (тип./макс.): | 1.2 В / 1.4 В @ IF=20 мА |
| VCE(sat) (макс.): | 0.2 В @ IF=20 мА, IC=1 мА |
| ICEO (макс.): | 100 нА @ VCE=50 В |
| Гранична частота fc (тип.): | 80 кГц |
| Час наростання/спаду (тип.): | 4 мкс / 3 мкс (RL=100 Ω, VCE=2 В, IC=2 мА) |
| Потужність (вхід/вихід/загальна): | 70 мВт / 150 мВт / 200 мВт |
| Діапазон температур роботи: | −30…+100 °C |
| Корпус: | DIP‑4 (Through‑Hole) |
| Розводка виводів: | 1 — Anode; 2 — Cathode; 3 — Emitter; 4 — Collector |
Детальні технічні параметри
- Серія: PC817X; класи CTR A/B/C/D. Для рангу C: IC=10–20 мА при IF=5 мА, VCE=5 В (≈200–400% CTR).
- Електро‑оптичні (Ta=25 °C): VF тип. 1.2 В @ IF=20 мА; IR макс. 10 мкА @ VR=4 В.
- Темновий струм: ICEO макс. 100 нА @ VCE=50 В, IF=0.
- Ізоляційний опір: RISO ≥ 5×10¹⁰ Ω (тип. 1×10¹¹ Ω) @ 500 В DC; міжобмоткова ємність Cf тип. 0.6 пФ, макс. 1.0 пФ.
- Класи динаміки: tr тип. 4 мкс; tf тип. 3 мкс; fc тип. 80 кГц.
- Абсолютні максимальні: IF 50 мА; IFM 1 А (≤100 мкс, duty 0.001); VR 6 В; VCEO 80 В; VECO 6 В; IC 50 мА; P(in)=70 мВт; PC=150 мВт; Ptot=200 мВт; Viso 5.0 kV(rms); Tsol 260 °C/10 с.
- Маса виробу (довідково): ≈0.21 г (DIP‑4).
Основні сфери застосування
- Гальванічна розв’язка входів/виходів мікроконтролерів.
- Придушення перешкод у комутаційних колах.
- Передача сигналів між ланцюгами з різними потенціалами та імпедансами.
Сумісні позначення та альтернативи
Питання-відповіді (FAQ)
Ранг C має вищу чутливість: при IF=5 мА та VCE=5 В струм колектора становить 10–20 мА (≈200–400% CTR). Ранги A/B/D мають відповідно нижчі або вищі діапазони CTR.
Безперервний IF до 50 мА; піковий IFM до 1 А при тривалості імпульсу ≤100 мкс та відношенні імпульсу 0.001; зворотна напруга діода до 6 В.
Типові часи перемикання tr≈4 мкс і tf≈3 мкс; гранична частота близько 80 кГц. Мінімальна напруга пробою колектор‑емітер становить 80 В.
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.